栅缝地电容加载的三极化半槽天线的制作方法
【专利摘要】栅缝地电容加载的三极化半槽天线涉及一种缝隙天线，该天线由三个相互垂直放置的单极化天线(13)组成；每个天线(13)包括介质基板(1)、介质基板(1)上的金属地(2)和辐射槽缝(3)、微带馈线(4)；金属地(2)上有辐射槽缝(3)和多条平行的栅缝(6)；辐射槽缝(3)的一端短路，另一端开路；在辐射槽缝(3)除去与微带馈线(4)相交叉的部分(8)的其它部分(9)，有数个电容(7)并联跨接在其边缘；微带馈线(4)一端是天线端口(10)，微带馈线(4)另一端开路并跨过辐射槽缝(3)并伸展一段长度。该天线可减少天线尺寸、交叉极化、遮挡和改善隔离。
【专利说明】
栅缝地电容加载的三极化半槽天线
技术领域
[0001]本发明涉及一种槽缝天线，尤其是一种栅缝地电容加载的三极化半槽天线。
【背景技术】
[0002]槽缝天线是振子天线的对偶天线，有着广泛的应用。但是，普通的槽缝天线不仅辐射槽缝本身的长度要有二分之一波长，而且辐射槽缝周围还需要较大的金属地面积，通常金属地的长度比槽缝的长度大二分之一波长，金属地的宽度比槽缝的宽度大二分之一波长。多极化MMO可以有效的提高频谱效率和信道容量，为了将MMO技术可以应用到体积小的终端，需要把不同极化的天线共址放置。较大的金属地会对天线的辐射产生遮挡效应，使得槽缝天线不适合共址多输入多输出(MIMO)应用，特别是用作多极化天线使用时，大的金属地将导致天线的交叉极化变差、天线端口之间的隔离变差，这些都将导致频谱效率和信道容量的下降。同时槽缝的阻抗很大，还使得槽缝天线馈电传输线的阻抗匹配比较困难。
【发明内容】
[0003]技术问题:本发明的目的是提出一种栅缝地电容加载的三极化半槽天线，该天线可以减小辐射槽缝的长度和金属地的面积，而且具有抑制交叉极化、改善隔离、减小遮挡的作用。
[0004]技术方案:本发明的栅缝地电容加载的三极化半槽天线包括三个相互垂直放置的单极化的栅缝地电容加载天线;每个单极化的栅缝地电容加载天线包括介质基板、设置在介质基板上的金属地和辐射槽缝、微带馈线;介质基板的一面是金属地，介质基板的另一面是微带馈线的导带;金属地上有辐射槽缝，辐射槽缝的形状是矩形，辐射槽缝位于金属地的中心;金属地上多条平行栅缝构成的栅缝阵列，栅缝的形状是矩形，栅缝位于辐射槽缝的四周，栅缝与辐射槽缝相互垂直;栅缝的一端短路;栅缝的另一端开路，位于介质基板的边缘；辐射槽缝的一端短路，另一端开路;在辐射槽缝除去与微带馈线相交叉的部分，有数个电容并联跨接在辐射槽缝的两个边缘，使得辐射槽缝的特性阻抗变低;金属地也是所述的微带馈线的接地面，微带馈线的一端是天线的端口，微带馈线的导带的另一端跨过辐射槽缝并伸展一段长度至终端，微带馈线的终端开路;微带馈线的导带有两部分构成，第一部分导带是从天线的端口到其刚刚跨越辐射槽缝的位置，微带馈线的导带的其余部分为第二部分导带。
[0005]改变第二部分导带的长度和宽度，可以改变天线的工作频率、工作频带的宽度和辐射槽缝的电长度。
[0006]改变栅缝阵列中相邻栅缝的间距、栅缝的宽度、栅缝短路端离辐射槽缝的距离，可以改变天线的工作频率、工作频带的宽度和辐射槽缝的电长度。
[0007]改变加载电容的数量、容值和间距，改变相邻金属化过孔的间距，可以调节辐射槽缝的特性阻抗，可以改变天线的工作频率、工作频带的宽度和辐射槽缝的电长度。
[0008]栅缝的电长度不应该取在四分之一，以避免引起谐振辐射，造成交叉极化的上升。
[0009]电容并联加载到辐射槽缝的两个边缘，不仅使得槽缝传输线的特性阻抗降低至易于与馈电传输线匹配额，而且还降低了槽缝传输线的相速，使得半波长辐射槽缝的长度减小，实现辐射槽缝进而天线的小型化。栅缝地电容加载的三极化半槽天线的工作频率主要由辐射槽缝的谐振频率确定，但是金属地的尺寸、微带馈线导带在辐射槽缝的位置、第二部分导带的长度和宽度也可以对天线的工作频率和匹配程度进行调节。金属地上的栅缝对辐射槽缝形成周期性的加载，又使得辐射槽缝变成周期性的慢波结构，减小了天线的电尺寸；同时由于栅缝的方向与辐射槽缝的方向垂直，抑制了金属地上沿辐射槽缝方向的电流，并且使得沿辐射槽缝方向的剩余的电流分布的更集中，从而减小了交叉极化的辐射，改善了天线端口之间的隔离，也减小了金属地的尺寸，降低了金属地的遮挡效应。由于辐射槽缝3是四分之一波长的谐振结构，比通常两端短路的二分之一波长的辐射槽缝长度要小一半，因此天线的整体尺寸也相应减少，遮挡效应进一步降低。
[0010]有益效果:本发明的栅缝地电容加载的三极化半槽天线的有益效果是，该天线可以减小整个天线的电尺寸、实现小型化，同时还具有抑制天线的交叉极化、改善端口之间隔离，和减少金属地的遮挡的作用。
【附图说明】
[0011 ]图1为栅缝地电容加载的三极化半槽天线整体结构示意图。
[0012]图2为栅缝地电容加载的三极化半槽天线中单极化的栅缝地电容加载天线的结构示意图。
[0013]图中有:介质基板1、金属地2、辐射槽缝3、微带馈线4、导带5、栅缝6、电容7、相交叉的部分8、其它部分9、端口 10、第一部分导带11、第二部分导带12和单极化的栅缝地电容加载天线13。
【具体实施方式】
[0014]下面结合附图和实施例对本发明作进一步说明。
[0015]本发明所采用的实施方案是:栅缝地电容加载的三极化半槽天线包括三个相互垂直放置的单极化的栅缝地电容加载天线13;每个单极化的栅缝地电容加载天线13包括介质基板1、设置在介质基板I上的金属地2和辐射槽缝3、微带馈线4;介质基板I的一面是金属地2，介质基板I的另一面是微带馈线4的导带5;金属地2上有辐射槽缝3，辐射槽缝3的形状是矩形，辐射槽缝3位于金属地2的中心;金属地2上多条平行栅缝6构成的栅缝6阵列，栅缝6的形状是矩形，栅缝位于辐射槽缝3的四周，栅缝6与辐射槽缝3相互垂直;栅缝6的一端短路；栅缝6的另一端开路，位于介质基板I的边缘;辐射槽缝3的一端短路，另一端开路;在辐射槽缝3除去与微带馈线4相交叉的部分8，有数个电容7并联跨接在辐射槽缝3的两个边缘，使得辐射槽缝3的特性阻抗变低;金属地2也是所述的微带馈线4的接地面，微带馈线4的一端是天线的端口 10，微带馈线4的导带5的另一端跨过辐射槽缝3并伸展一段长度至终端，微带馈线4的终端开路;微带馈线的导带5有两部分构成，第一部分导带11是从天线的端口 10到其刚刚跨越辐射槽缝3的位置，微带馈线的导带的其余部分为第二部分导带12。
[0016]改变第二部分导带12的长度和宽度，可以改变天线的工作频率、工作频带的宽度和辐射槽缝3的电长度。
[0017]改变栅缝6阵列中相邻栅缝6的间距、栅缝6的宽度、栅缝6短路端离辐射槽缝3的距离，可以改变天线的工作频率、工作频带的宽度和辐射槽缝3的电长度。
[0018]改变加载电容7的数量、容值和间距，可以调节辐射槽缝3的特性阻抗，可以改变天线的工作频率、工作频带的宽度和辐射槽缝3的电长度。
[0019]栅缝6的电长度不应该取在四分之一，以避免引起谐振辐射，造成交叉极化的上升。
[0020]栅缝地电容加载的三极化半槽天线的工作频率主要由辐射槽缝3的谐振频率确定，但是金属地2的尺寸、微带馈线4的导带5在辐射槽缝3的位置、第二部分导带12的长度和宽度也可以对天线的工作频率和匹配程度进行调节。金属地2上的栅缝6对辐射槽缝3形成周期性的加载，又使得辐射槽缝3变成周期性的慢波结构，减小了天线的电尺寸；同时由于栅缝6的方向与辐射槽缝3的方向垂直，抑制了金属地2上沿辐射槽缝3方向的电流，并且使得沿辐射槽缝3方向的剩余的电流分布的更集中，从而减小了交叉极化的辐射，改善了天线端口之间的隔离，也减小了金属地2的尺寸，降低了金属地2的遮挡效应。由于辐射槽缝3是四分之一波长的谐振结构，比通常两端短路的二分之一波长的辐射槽缝长度要小一半，因此天线的整体尺寸也相应减少，遮挡效应进一步降低。
[0021]在工艺上，栅缝地电容加载的三极化半槽天线既可以采用普通的印刷电路板(PCB)工艺，也可以采用低温共烧陶瓷(LTCC)工艺或者CM0S、Si基片等集成电路工艺实现。电容7可以根据工作频率选择相应封装的贴片电容7，并根据电容7两引脚电极的距离，选择辐射槽缝3的宽度。在制造上，三个单极化的栅缝地电容加载天线13可以通过卡槽相互垂直安装在一起，或者通过粘结剂相互垂直粘结在一起，或者两种方法一起使用。
[0022 ]根据以上所述，便可实现本发明。
【主权项】
1.一种栅缝地电容加载的三极化半槽天线，其特征在于该天线包括三个相互垂直放置的单极化的栅缝地电容加载天线(13);每个单极化的栅缝地电容加载天线(13)包括介质基板(I)、设置在介质基板(I)上的金属地(2)和辐射槽缝(3)、微带馈线(4);介质基板(I)的一面是金属地(2)，介质基板(I)的另一面是微带馈线(4)的导带(5);金属地(2)上有辐射槽缝(3)，辐射槽缝(3)的形状是矩形，辐射槽缝(3)位于金属地(2)的中心;金属地(2)上多条平行栅缝(6)构成的栅缝(6)阵列，栅缝(6)的形状是矩形，栅缝位于辐射槽缝(3)的四周，栅缝(6)与辐射槽缝(3)相互垂直;栅缝(6)的一端短路;栅缝(6)的另一端开路，位于介质基板(I)的边缘;辐射槽缝(3)的一端短路，另一端开路;在辐射槽缝(3)除去与微带馈线(4)相交叉的部分(8)，有数个电容(7)并联跨接在辐射槽缝(3)的两个边缘，使得辐射槽缝(3)的特性阻抗变低;金属地(2)也是所述的微带馈线(4)的接地面，微带馈线(4)的一端是天线的端口(10)，微带馈线(4)的导带(5)的另一端跨过辐射槽缝(3)并伸展一段长度至终端，微带馈线(4)的终端开路;微带馈线的导带(5)有两部分构成，第一部分导带(11)是从天线的端口(10)到其刚刚跨越辐射槽缝(3)的位置，微带馈线的导带的其余部分为第二部分导带(12)。2.根据权利要求1所述的一种栅缝地电容加载的三极化半槽天线，其特征在于改变第二部分导带(12)的长度和宽度，可以改变天线的工作频率、工作频带的宽度和辐射槽缝(3)的电长度。3.根据权利要求1所述的一种栅缝地电容加载的三极化半槽天线，其特征在于改变栅缝(6)阵列中相邻栅缝(6)的间距、栅缝(6)的宽度、栅缝(6)短路端离辐射槽缝(3)的距离，可以改变天线的工作频率、工作频带的宽度和辐射槽缝(3)的电长度。4.根据权利要求1所述的一种栅缝地电容加载的三极化半槽天线，其特征在于改变加载电容(7)的数量、容值和间距，可以调节辐射槽缝(3)的特性阻抗，可以改变天线的工作频率、工作频带的宽度和辐射槽缝(3)的电长度。
【文档编号】H01Q13/10GK105896056SQ201610218691
【公开日】2016年8月24日
【申请日】2016年4月8日
【发明人】殷晓星, 邓阳, 赵洪新
【申请人】东南大学