一种led倒装工艺及倒装结构的制作方法
【专利摘要】本发明公开了一种LED倒装工艺及倒装结构。该LED倒装工艺包括将异向导电胶均匀涂布于LED基板的焊盘上；将LED晶片摆放于已经均匀涂布有异向导电胶的焊盘上；将所述LED基板过回流焊，以使所述异向导电胶固化。本发明中，固晶材料采用异向导电胶，提升了LED的出光效率，可防止LED晶片短路漏电。
【专利说明】
一种LED倒装工艺及倒装结构
技术领域
[0001 ]本发明涉及LED封装领域，尤其涉及一种LED倒装工艺及倒装结构。
【背景技术】
[0002]LED照明技术经过几十年的发展，目前已经得到广泛的应用，但LED的散热性能一直是困扰LED发展的瓶颈，特别是在大功率的LED产品上表现的尤其明显。而研究表明，影响LED散热性能的最关键因素是LED的导热。为了解决LED导热问题，LED晶片工艺慢慢由正装结构过渡到倒装结构。而目前倒装工艺的固晶材料主要有二种:锡膏和金锡焊料。
[0003]目前倒装工艺主要采用锡膏封装为主，其成份以锡银铜合金为主，导热系数约为50W/M.K，虽然其成本低，但LED出光效率也低，并且有残留物和空洞之先天性缺点，对产品导致较大的安全隐患。倒装工艺也有部分采用金锡合金封装，其优点是耐温可高达280度以上，使得LED可以二次回流。但金锡焊接工艺成本极高，LED出光效率也偏低。以上二种工艺，均同时存在一个问题:产品良率偏低和漏电问题。
【发明内容】
[0004]本发明的目的在于提供一种LED倒装工艺及倒装结构，本发明旨在解决LED出光效率低和漏电冋题。
[0005]为达此目的，本发明采用以下技术方案:
[0006]—种LED倒装工艺，包括以下步骤:
[0007]将异向导电胶均匀涂布于LED基板的焊盘上；
[0008]将LED晶片摆放于已经均匀涂布有异向导电胶的焊盘上；
[0009]将所述LED基板过回流焊，以使所述异向导电胶固化。
[0010]其中，所述异向导电胶为各向异性导电胶。
[0011]其中，所述LED基板设置独立电路。
[0012]其中，所述LED晶片为InGaN三元倒装晶片。
[0013]其中，所述LED晶片的P极焊盘与所述基板的P极焊盘对应，所述LED晶片的N极焊盘与所述基板的N极焊盘对应。
[0014]其中，所述LED基板包括:铝基板、铜基板、和陶瓷基板。
[0015]其中，所述焊盘的工艺包括电镀工艺、沉金工艺、和喷锡工艺。
[0016]一种LED倒装结构，包括:
[0017]LED基板，所述LED基板设有焊盘；
[0018]异向导电胶，均匀涂布于所述LED基板的焊盘上；
[0019]LED晶片，设置于已经均匀涂布有异向导电胶的焊盘上。
[0020]其中，所述异向导电胶为各向异性导电胶。
[0021 ]其中，所述LED晶片为InGaN三元倒装晶片。
[0022]本发明的有益效果为:本发明提供了一种LED倒装工艺及倒装结构。该LED倒装工艺包括将异向导电胶均匀涂布于LED基板的焊盘上;将LED晶片摆放于已经均匀涂布有异向导电胶的焊盘上;将所述LED基板过回流焊，以使所述异向导电胶固化。本发明中，固晶材料采用异向导电胶，提升了 LED的出光效率，可防止LED晶片短路漏电。
【附图说明】
[0023]图1是本发明【具体实施方式】提供的一种LED倒装工艺的工艺流程图。
【具体实施方式】
[0024]下面结合附图并通过【具体实施方式】来进一步说明本发明的技术方案。
[0025]如图1所示，本实施例提供一种LED倒装工艺，包括以下步骤:
[0026]步骤SlOl，将异向导电胶均匀涂布于LED基板的焊盘上。
[0027]本实施例中，所述异向导电胶为各向异性导电胶。采用异向导电胶做为固晶材料，可以提升5-10%的出光效率，并且能够杜绝残留物及空洞问题。且可有效预防LED晶片短路漏电问题，极大的提升产品良率。
[0028]步骤S102，将LED晶片摆放于已经均匀涂布有异向导电胶的焊盘上。
[0029]本实施例中，所述LED晶片为InGaN三元倒装晶片。所述LED晶片的P极焊盘与所述基板的P极焊盘对应，所述LED晶片的N极焊盘与所述基板的N极焊盘对应。
[0030]步骤S103，将所述LED基板过回流焊，以使所述异向导电胶固化。
[0031 ]本实施例中，所述LED基板设置独立电路，以提尚广品的可罪性。所述LED基板包括:铝基板、铜基板、和陶瓷基板。
[0032]本实施例中，所述焊盘的工艺包括电镀工艺、沉金工艺、和喷锡工艺。
[0033]本实施例提供一种LED倒装工艺，在该工艺中，固晶材料采用异向导电胶，使得LED的出光效率提升了 5-10%，无残留物，不会二次污染，杜绝了空洞问题，导热更高效，可防止LED晶片短路漏电的冋题。
[0034]以下实施例提供一种LED倒装结构，包括:
[0035]LED基板，所述LED基板设有焊盘；
[0036]异向导电胶，均匀涂布于所述LED基板的焊盘上；
[0037]LED晶片，设置于已经均匀涂布有异向导电胶的焊盘上。
[0038]本实施例中，所述异向导电胶为各向异性导电胶。所述LED晶片为InGaN三元倒装曰曰斤°
[0039]本实施例提供一种LED倒装结构，该结构包括LED基板，异向导电胶，LED晶片，其中，异向导电胶采用各向异性银胶，使得LED的出光效率提高，可防止LED晶片短路漏电。
[0040]以上结合具体实施例描述了本发明的技术原理。这些描述只是为了解释本发明的原理，而不能以任何方式解释为对本发明保护范围的限制。基于此处的解释，本领域的技术人员不需要付出创造性的劳动即可联想到本发明的其它【具体实施方式】，这些方式都将落入本发明的保护范围之内。
【主权项】
1.一种LED倒装工艺，其特征在于，包括以下步骤: 将异向导电胶均匀涂布于LED基板的焊盘上； 将LED晶片摆放于已经均匀涂布有异向导电胶的焊盘上； 将所述LED基板过回流焊，以使所述异向导电胶固化。2.根据权利要求1所述的LED倒装工艺，其特征在于，所述异向导电胶为各向异性导电胶。3.根据权利要求1所述的LED倒装工艺，其特征在于，所述LED基板设置独立电路。4.根据权利要求1所述的LED倒装工艺，其特征在于，所述LED晶片为InGaN三元倒装晶片。5.根据权利要求1所述的LED倒装工艺，其特征在于，所述LED晶片的P极焊盘与所述基板的P极焊盘对应，所述LED晶片的N极焊盘与所述基板的N极焊盘对应。6.根据权利要求1所述的LED倒装工艺，其特征在于，所述LED基板包括:铝基板、铜基板、和陶瓷基板。7.根据权利要求1所述的LED倒装工艺，其特征在于，所述焊盘的工艺包括电镀工艺、沉金工艺、和喷锡工艺。8.一种LED倒装结构，其特征在于，包括: LED基板，所述LED基板设有焊盘； 异向导电胶，均匀涂布于所述LED基板的焊盘上； LED晶片，设置于已经均匀涂布有异向导电胶的焊盘上。9.根据权利要求8所述的LED倒装结构，其特征在于，所述异向导电胶为各向异性导电胶。10.根据权利要求8所述的LED倒装结构，其特征在于，所述LED晶片为InGaN三元倒装晶片。
【文档编号】H01L33/48GK105914268SQ201610367595
【公开日】2016年8月31日
【申请日】2016年5月30日
【发明人】李二成, 安辉, 钟桂源, 徐国安
【申请人】深圳市德润达光电股份有限公司