腔内倍频像散补偿型激光器的制造方法
【专利摘要】本发明提供一种腔内倍频像散补偿型激光器，包括第一反射镜、第一晶体、声光调Q开光、第二反射镜、THG特性晶体、SHG特性晶体、第三反射镜，第一反射镜透射基频光，声光调Q开光产生激光脉冲，第一晶体补偿THG特性晶体分束射出紫外激光时产生的像散效应，第二反射镜反射基频光经THG特性晶体进入SHG特性晶体所产生的第一倍频光，第三反射镜反射从SHG特性晶体射出的基频光和第一倍频光，以进入SHG特性晶体中倍频产生第二倍频光，同时透射基频光、第一倍频光和第二倍频光到THG特性晶体中进行和频产生及分束射出紫外光，形成倍频腔，通过第一反射镜和第二反射镜反射利用基频光，且通过第一晶体减少像散效应对激光器的应用影响。
【专利说明】
腔内倍频像散补偿型激光器
技术领域
[0001 ]本发明属于激光领域，具体涉及一种腔内倍频像散补偿型激光器。
【背景技术】
[0002] 紫外激光器在工业微加工领域具有广泛应用，如应用于工业零部件的打标、钻孔、 划片、焊接、切割，以及应用于医疗器械的微加工，电子元件的封装，微型部件立体成型领 域。另外，在微电子学，光谱分析，光数据存储，光盘控制，大气探测，光化学，光生物学，空间 光通信，激光诱发的物质原子荧光和紫外吸收及医疗领域有着广泛的应用前景。
[0003] 实现激光的核心主要是激光器中可以实现粒子数反转的激光工作物质，即含有亚 稳态能级的工作物质。如工作物质为晶体状的或者玻璃的激光器分别称为体激光器和玻璃 激光器通常把这两类激光器统称为固体激光器。固定激光器的结构的主要部分组成分别是 激光工作物质、光学谐振腔和栗浦系统，固体激光工作物质是把具有能产生受激发射作用 的金属离子掺入晶体而制成的。这些掺杂到固体基质中的金属离子的主要特点是:具有比 较宽的有效吸收光谱带，比较高的荧光效率，比较长的荧光寿命和比较窄的荧光谱线，因而 易于产生粒子数反转和受激发射。固定激光器中的电源为栗浦源供电，以对激光器晶体提 供栗浦光，以使激光晶体产生上能级粒子数积累，进而提供增益，产生受激辐射，其中，光学 谐振腔由全反射镜和输出镜构成。
[0004] 调Q技术的出现和发展，是激光发展史上的一个重要突破，它是将激光能量压缩到 宽度极窄的脉冲中发射，而使光源的峰值功率可提高几个数量级的一种技术。普通的脉冲 激光器，光脉冲的宽度约在ms级，峰值功率也只有几十kW，而调Q激光器的光脉冲的宽度可 以压到ns，峰值功率也已达到MW。声光调Q开关的开关时间一般小于光脉冲建立时间，属快 开关类型，主要由一块对激光波长透明的声光介质及换能器组成，常用的声光介质有熔融 石英、锢酸铅及重火石玻璃等，声光介质表面粘接有由银酸锂、石英等压电材料薄片制成的 换能器，换能器的作用是将高频信号转换为超声波。声光开关置于激光器中，在超声场作用 下发生衍射，由于一级衍射光偏离谐振腔而导致损耗增加，从而使激光振荡难以形成，激光 高能级大量积累粒子，若这时突然撤除超声场，则衍射效应即刻消失，谐振腔损耗突然下 降，激光巨脉冲遂即形成。
[0005] 目前的一种腔内倍频结构的分布请参见图1，图1为现有的一种腔内倍频结构的分 布示意图，如图1所示，现有的腔内倍频结构的分布为依次同向排列的全反镜、SHG(Sec 〇nd-Harmonic Generation)特性晶体和THG(Third_Harmonic Generation)特性晶体，其中所述 全反镜用于反射第一次从所述THG特性晶体射入，以及经过所述SHG特性晶体到达所述全反 镜的基频光和倍频光，以使所述基频光和所述倍频光按原路返回，进而透射到所述SHG特性 晶体和所述THG特性晶体中，以使原路返回透射到所述THG特性晶体中的所述基频光和所述 倍频光在所述THG特性晶体中进行和频，从而产生三倍频光（即是紫外光）。一般情况会在所 述THG特性晶体的出射紫外光的表面进行布儒斯特角的切割，以使第一次从所述THG特性晶 体射入的基频光的损伤最小，另外的作用是使在所述THG特性晶体中进行和频产生的紫外 光与透射出所述THG特性晶体的倍频光和基频光由于折射率的不同进行色散分束传播;另 一方面，布儒斯特角平面进行分束射出的基频光的子午面和弧矢面内会产生像散，由于像 散效应会导致光束出光方向的发散角不一致，再经过透镜的汇聚会产生不同的聚焦光斑， 如此像散效应会对激光器的应用有比较大的影响。
【发明内容】
[0006] 本发明针对现有激光器的无效损耗和像散效应对激光器的应用有比较大的影响 等问题，提供了一种腔内倍频像散补偿型激光器，旨在提供一种高光束质量、高脉冲稳定性 的激光器。
[0007] 本发明提供一种腔内倍频像散补偿型激光器，包括倍频腔，所述倍频腔包括第一 反射镜、第一晶体、声光调Q开光、第二反射镜、THG特性晶体、SHG特性晶体、第三反射镜，其 中，所述第一反射镜用于透射栗浦光，所述声光调Q开光用于产生激光脉冲，所述第一晶体 的出光面用于补偿像散效应，所述基频光进入所述第一晶体后从所述第一晶体的所述布儒 斯特角平面射出，所述第二反射镜用于反射所述基频光至所述THG特性晶体中，经过所述 THG特性晶体的所述基频光进入到所述SHG特性晶体中产生第一倍频光，所述第三反射镜用 于反射从所述SHG特性晶体射出到达所述第三反射镜的所述基频光和所述第一倍频光，以 使所述基频光和所述第一倍频光按原路返回，进而透射到所述SHG特性晶体进行I类相位匹 配的倍频，产生出第二倍频光，同时透射出所述基频光、所述第一倍频光和所述第二倍频光 到所述THG特性晶体中进行Π 类相位匹配的和频，形成所述倍频腔，以在所述THG特性晶体 中产生紫外光，通过所述THG特性晶体的所述布儒斯特角平面分束输出紫外光；
[0008] 所述第二反射镜还用于反射从所述SHG特性晶体的所述布儒斯特角平面分束射出 的所述基频光，反射后的所述基频光通过所述声光调Q开光、所述第一晶体到达所述第一反 射镜；
[0009] 所述第一反射镜还用于反射所述基频光至所述倍频腔中，进行再利用和频输出紫 外光。
[0010] 作为一种可选的实施方式，所述腔内倍频像散补偿型激光器还包括栗浦系统，所 述栗浦系统包括半导体激光栗浦源和栗浦电源，所述栗浦电源用于供电给所述栗浦系统进 行工作。
[0011] 作为一种可选的实施方式，所述声光调Q开光包括驱动器和驱动电源，所述驱动电 源用于供电给所述驱动器，所述驱动器用于驱动所述声光调Q开光进行开关控制，进而产生 激光脉冲。
[0012] 作为一种可选的实施方式，所述栗浦系统还包括栗浦耦合装置，用于使所述半导 体激光栗浦源产生的光斑耦合后经过所述第一反射镜进入到所述第一晶体中。
[0013] 作为一种可选的实施方式，所述栗浦耦合装置的耦合比根据紫外光的光斑与所述 半导体激光栗浦源的光斑的比值确定，所述栗浦耦合装置的耦合比为1:1.3,所述半导体激 光栗浦源为光源波长是808nm的栗浦。
[0014] 作为一种可选的实施方式，所述第一反射镜，用于高透所述半导体激光栗浦源产 生的栗浦光，所述凸面镜还用于对所述基频光进行高反。
[0015] 作为一种可选的实施方式，所述第二反射镜为用于基频光折返的全反镜。
[0016]作为一种可选的实施方式，所述第三反射镜为用于基频光和倍频光折返的双波长 尚反镜。
[0017] 作为一种可选的实施方式，所述凸面镜的曲率范围是500mm-1000mm。
[0018]作为一种可选的实施方式，所述SHG特性晶体为三硼酸锂晶体。
[0019]作为一种可选的实施方式，所述THG特性晶体为三硼酸锂晶体。
[0020]作为一种可选的实施方式，所述第一晶体为Nd: YV04晶体，或者为Nd: YLF晶体，或 者为Nd:YAG晶体。
[0021] 本发明提供一种腔内倍频像散补偿型紫外激光器，包括倍频腔，所述倍频腔包括 第一反射镜、第一晶体、声光调Q开光、第二反射镜、THG特性晶体、SHG特性晶体、第三反射 镜，其中，所述第一反射镜用于透射栗浦光，所述声光调Q开光用于产生激光脉冲，所述第一 晶体的出光面用于补偿像散效应，所述基频光进入所述第一晶体后从所述第一晶体的所述 布儒斯特角平面射出，所述第二反射镜用于反射所述基频光至所述THG特性晶体中，经过所 述THG特性晶体的所述基频光进入到所述SHG特性晶体中产生第一倍频光，所述第三反射镜 用于反射从所述SHG特性晶体射出到达所述第三反射镜的所述基频光和所述第一倍频光， 以使所述基频光和所述第一倍频光按原路返回，进而透射到所述SHG特性晶体进行I类相位 匹配的倍频，产生出第二倍频光，同时透射出所述基频光、所述第一倍频光和所述第二倍频 光到所述THG特性晶体中进行Π 类相位匹配的和频，形成所述倍频腔，以在所述THG特性晶 体中产生紫外光，通过所述THG特性晶体的所述布儒斯特角平面分束输出紫外光。本发明中 的所述第一晶体的出光面用于补偿像散效应，具体用于补偿所述THG特性晶体分束射出紫 外激光时由于出光方向的发散角不一致而产生的像散效应，进而可以调整光束出光方向的 发散角接近一致，再经过透镜的汇聚会产生重合的聚焦光斑，因此，减少像散效应会对激光 器的应用的不良影响。以及在本发明中，所述第二反射镜还用于反射从所述SHG特性晶体的 所述布儒斯特角平面分束射出的所述基频光，反射后的所述基频光通过所述声光调Q开光、 所述第一晶体到达所述第一反射镜;所述第一反射镜还用于反射所述基频光至所述倍频腔 中进行振荡，以进行再利用和频输出紫外光，产生连续的紫外激光输出，提高了紫外激光器 的有效资源利用率，提供了一种高光束质量、高脉冲稳定性的激光器。
【附图说明】
[0022] 图1为现有的一种腔内倍频结构的分布示意图；
[0023] 图2为本发明实施例提供的一种腔内倍频像散补偿型激光器结构图；
[0024]图3为像散产生原理示意图；
[0025]图4为本发明实施例提供的第一晶体补偿THG特性晶体的布儒斯特角平面产生的 像散效应的示意图。
【具体实施方式】
[0026]下面阐述的实施例代表允许本领域技术人员实践本发明的必要信息，并且示出实 践本发明的最佳方式。一旦根据附图阅读了以下的描述，本领域技术人员就将理解本发明 的构思并且将认识到此处未特别阐明的这些构思的应用。应当理解，这些构思和应用落入 本公开和所附权利要求书的范围。下面结合实施例对本发明进一步说明。
[0027] 请参见图2,图2为本发明实施例提供的一种腔内倍频像散补偿型激光器结构图。 如图2所示，本实施例提供的腔内倍频像散补偿型激光器包括倍频腔110,倍频腔包括第一 反射镜111、第一晶体112、声光调Q开光113、第二反射镜114、THG特性晶体115、SHG特性晶体 116、第三反射镜117,其中，第一反射镜111用于透射栗浦光，声光调Q开光113用于产生激光 脉冲，第一晶体112的出光面用于补偿像散效应，具体用于补偿THG特性晶体115分束射出紫 外激光时出光方向的发散角不一致而产生的像散效应，出光面可为布儒斯特角平面，基频 光进入第一晶体112后从第一晶体112的布儒斯特角平面射出，第二反射镜114用于反射基 频光至THG特性晶体115中，经过THG特性晶体115的基频光进入到SHG特性晶体116中产生第 一倍频光，第三反射镜117用于反射从SHG特性晶体116射出到达第三反射镜117的基频光和 第一倍频光，以使基频光和第一倍频光按原路返回，进而透射到SHG特性晶体116进行I类相 位匹配的倍频，产生出第二倍频光，同时透射出基频光、第一倍频光和第二倍频光到THG特 性晶体115中进行Π 类相位匹配的和频，形成倍频腔，以在THG特性晶体115中产生紫外光， 通过THG特性晶体115的布儒斯特角平面分束输出紫外光;第二反射镜114还用于反射从SHG 特性晶体116的布儒斯特角平面分束射出的基频光，反射后的基频光通过声光调Q开光113、 第一晶体112到达第一反射镜111;第一反射镜111还用于反射基频光至倍频腔中，进行再利 用和频输出紫外光。
[0028] 作为一种可选的实施方式，腔内倍频像散补偿型激光器还包括栗浦系统130,栗浦 系统130包括半导体激光栗浦源131和栗浦电源133,栗浦电源133用于供电给栗浦系统130 进行工作。
[0029] 作为一种可选的实施方式，声光调Q开光113包括驱动器和驱动电源，驱动电源用 于供电给驱动器，驱动器用于驱动声光调Q开光113进行开关控制，进而产生激光脉冲。
[0030] 作为一种可选的实施方式，栗浦系统130还包括栗浦耦合装置132,用于使半导体 激光栗浦源131产生的光斑耦合后经过第一反射镜111进入到第一晶体112中。
[0031] 作为一种可选的实施方式，栗浦耦合装置132的耦合比根据紫外光的光斑与半导 体激光栗浦源131的光斑的比值确定，栗浦耦合装置132的耦合比为1:1.3,半导体激光栗浦 源131为光源波长是808nm的栗浦。栗浦耦合装置132包括两个栗浦耦合头。
[0032] 作为一种可选的实施方式，第一反射镜111用于高透半导体激光栗浦源131产生的 栗浦光，凸面镜还用于对基频光进行高反。
[0033] 作为一种可选的实施方式，第二反射镜114为用于基频光折返的全反镜。
[0034] 作为一种可选的实施方式，第三反射镜117为用于基频光和倍频光折返的双波长 尚反镜。
[0035] 作为一种可选的实施方式，凸面镜的曲率范围是500mm-1000mm。
[0036]作为一种可选的实施方式，SHG特性晶体116为三硼酸锂晶体。
[0037]作为一种可选的实施方式，THG特性晶体115为三硼酸锂晶体。
[0038]作为一种可选的实施方式，第一晶体112为Nd:YV04晶体，或者为Nd:YLF晶体，或者 为Nd:YAG晶体，具体实现方式不受本实施例的限制。激光晶体的目的就是为了吸收栗浦光 产生高能级的粒子束布居，然后通过自发辐射和受激辐射产生激光。Nd: YV04晶体为a向切 害J，合理放置该晶体使激光器的偏振态为水平方向，这样能够实现SHG特性晶体116和THG特 性晶体115的倍频。通常的在紫外激光中，由于THG特性晶体115切割了一定角度致使在基频 光的子午面内产生像散，由于在子午面内产生像散，所以子午光束和弧矢光束同样具有像 散。像散使出光方向的发散角不一致，这样经过透镜的汇聚会产生不同的聚焦光斑，这样对 激光的光斑应用有比较大的影响。
[0039]请参见图3,图3为像散产生原理示意图。如图3所示，光束通过THG特性晶体115的 布儒斯特角的时候，即当光束通过THG特性晶体115折射进出晶体后，光斑的大小在子午面 和弧矢面不同，这个时候光斑的圆度会有所变化。通常情况下，激光器中光斑形貌的判别使 用的是ABCD矩阵，而在激光通过布儒斯特角平面的时候就会产生相应像散情况。
[0040]现在假设在图3中D的左侧和Q的右侧中光束传播是无像散的，而像散的产生就是 在THG特性晶体115的折射面处产生的。当光1到达THG特性晶体115的时候，光2才刚刚达到D 的垂线位置，这个时候光1就产生折射，而光2继续在空气中传播，根据费马原理和相应的折 射定律，当光2到达THG特性晶体115边缘进行折射的时候，光1到达了Q的垂线位置，即使在 相同的时间内光1在THG特性晶体115中走了 N的距离，而光2在空气中走了 Μ的距离。根据几 何定律，光2走的绝对距离M = L*sin01，光1走的绝对距离N=L*sin02,其中Θ1和Θ2分别如光 的入射角和折射角。根据激光中ABCD矩阵对距离的定J
，其d为绝对距离，η为折 射率，可知光2的ΑΒ⑶中距离项为，=M/nl，光1的ΑΒ⑶中距离项为Υ =Ν/η2,这里nl为空气 折射率，n2为THG特性晶体115在基频光的折射率。
[0041] 由于THG是双轴晶体，在激光折射的过程不遵守基本的折射定律。折射率的角度需 要通过麦克斯韦方程组进行求解，所以通常情况下Θ1和Θ2的角度满足的是数值解。但是为 了简化计算结果，这里可以近似认为nl*sin01~ n2*sin02实际会有差别，但是对最终结果 影响不大。
[0042] 设 k = N，/M，；
[0043]
[0044] 其中n2为基频光在THG特性晶体115中的折射率，从上式子可以看出来，由于n2大 于1，所以在AB⑶矩阵中光1走的距离没有光2走的距离远，这样在光1和光2之间就产生了像 散情况，即在子午面的面内在光束产生了像散现象，可以解释为在子午面内在不同位置出 的光斑大小是不一致的，这样在子午面内的光斑会产生一头大一头小的现象。这种现象会 使远场发散角不一致，对打标的聚焦情况有影响。
[0045]当设定THG特性晶体115的使用温度为30°的时候，这个时候n2的折射率为1.6,当 入射的光斑大小为lOOOum的时候，光1和光2在矩阵中差值为940um，当光斑越大，折射率越 大的时候这个影响会越大。
[0046]第一晶体112是带有布儒斯特角的Nd: YV04晶体，或者为Nd: YLF晶体，或者为Nd: YAG晶体，Nd: YV04晶体的作用除了产生激光外，同时利用对称的布儒斯特角来补偿THG特性 晶体115的布儒斯特角平面产生的像散效应。具体补偿示意图请参见图4,图4为本发明实施 例提供的第一晶体112补偿THG特性晶体115的布儒斯特角平面产生的像散效应的示意图。 如图4所示，其中左侧晶体为Nd: YV04晶体，右侧为THG特性晶体115。但是对于1.064um的基 频光，在Nd: YV04晶体和THG特性晶体115中的折射率是略有差别，基频光在Nd: YV04晶体中 的折射率为2，而在THG特性晶体115中的折射率为1.6。根据K值的推导，可得到当光斑为D时 候，光1和光2在通过Nd: YV04晶体和THG特性晶体115后的AB⑶差为如下所示：
[0047]
[0048]结合图4进行说明，当光斑为lOOOum的时候，矩阵的差值为208um，这样大大减小了 子午面的像散。
[0049]如果在Nd: YV04和THG特性晶体115中间放置第二反射镜114的时候，这个时候就是 如图2所示的结构，第二反射镜114的主要目的就是减小激光器尺寸，缩短腔长，其次反射基 频光至第一晶体112。
[0050]综上描述，激光器的主要产生过程为，首先由于受激辐射和自发辐射产生基频光， 由于基频光是水平偏振光，所以当基频光第一次通过THG特性晶体115的布儒斯特面的时 候，基频光的损失很小，然后通过晶体向后反射镜的方向传播。当基频光通过SHG晶体后，根 据I类相位匹配产生倍频光，当基频光和倍频光都向后反射镜传播，遇到后反射镜后传播方 向反向。当基频光再次通过SHG晶体后，再次产生倍频光，然后通过THG特性晶体115。在THG 特性晶体115中，基频光和倍频光根据II类相位匹配条件产生三倍频光。最后继续传播通过 布儒斯特角后光的传播方向进行分离，让二倍频光和三倍频光输出激光器，而让基频光再 次返回进行振荡，当基频光通过Nd:YV04晶体后进行放大，最后不断得经历上面的过程，从 而产生连续的紫外激光输出。
[0051 ]本发明提供一种腔内倍频像散补偿型紫外激光器，包括倍频腔，倍频腔包括第一 反射镜111、第一晶体112、声光调Q开光113、第二反射镜114、THG特性晶体115、SHG特性晶体 116、第三反射镜117,其中，第一反射镜111用于透射栗浦光，声光调Q开光113用于产生激光 脉冲，第一晶体112的出光面用于补偿像散效应，具体用于补偿THG特性晶体115分束射出紫 外激光时由于出光方向的发散角不一致而产生的像散效应，出光面具体为布儒斯特角平 面，基频光进入第一晶体112后从第一晶体112的布儒斯特角平面射出，第二反射镜114用于 反射基频光至THG特性晶体115中，经过THG特性晶体115的基频光进入到SHG特性晶体116中 产生第一倍频光，第三反射镜117用于反射从SHG特性晶体116射出到达第三反射镜117的基 频光和第一倍频光，以使基频光和第一倍频光按原路返回，进而透射到SHG特性晶体116进 行I类相位匹配的倍频，产生出第二倍频光，同时透射出基频光、第一倍频光和第二倍频光 到THG特性晶体115中进行Π 类相位匹配的和频，形成倍频腔，以在THG特性晶体115中产生 紫外光，通过THG特性晶体115的布儒斯特角平面分束输出紫外光。本发明中的第一晶体112 的出光面用于补偿像散效应，具体用于补偿THG特性晶体115分束射出紫外激光时由于出光 方向的发散角不一致而产生的像散效应，具体为布儒斯特角平面，进而可以调整光束出光 方向的发散角接近一致，再经过透镜的汇聚会产生基本重合的聚焦光斑，如此减少像散效 应会对激光器的应用的不良影响。以及在本发明中，第二反射镜114还用于反射从SHG特性 晶体116的布儒斯特角平面分束射出的基频光，反射后的基频光通过声光调Q开光113、第一 晶体112到达第一反射镜111;第一反射镜111还用于反射基频光至倍频腔中进行振荡，以进 行再利用和频输出紫外光，产生连续的紫外激光输出，提高了紫外激光器的有效资源利用 率，提供了一种高光束质量、高脉冲稳定性的激光器。
[0052]显然，上述实施例仅仅是为清楚地说明本发明所作的举例，而并非是对本发明的 实施方式的限定。对于所属领域的普通技术人员来说，在上述说明的基础上还可以做出其 它不同形式的变化或变动。这里无需也无法对所有的实施方式予以穷举。而这些属于本发 明的精神所引伸出的显而易见的变化或变动仍处于本发明的保护范围之中。
【主权项】
1. 一种腔内倍频像散补偿型激光器，其特征在于，包括倍频腔，所述倍频腔包括第一反 射镜、第一晶体、声光调Q开光、第二反射镜、THG特性晶体、SHG特性晶体、第三反射镜，其中， 所述第一反射镜用于透射栗浦光，所述声光调Q开光用于产生激光脉冲，所述第一晶体的出 光面用于补偿像散效应，所述基频光进入所述第一晶体后从所述第一晶体的所述布儒斯特 角平面射出，所述第二反射镜用于反射所述基频光至所述THG特性晶体中，经过所述THG特 性晶体的所述基频光进入到所述SHG特性晶体中产生第一倍频光，所述第三反射镜用于反 射从所述SHG特性晶体射出到达所述第三反射镜的所述基频光和所述第一倍频光，以使所 述基频光和所述第一倍频光按原路返回，进而透射到所述SHG特性晶体进行I类相位匹配的 倍频，产生出第二倍频光，同时透射出所述基频光、所述第一倍频光和所述第二倍频光到所 述THG特性晶体中进行Π 类相位匹配的和频，形成所述倍频腔，以在所述THG特性晶体中产 生紫外光，通过所述THG特性晶体的所述布儒斯特角平面分束输出紫外光； 所述第二反射镜还用于反射从所述SHG特性晶体的所述布儒斯特角平面分束射出的所 述基频光，反射后的所述基频光通过所述声光调Q开光、所述第一晶体到达所述第一反射 镜； 所述第一反射镜还用于反射所述基频光至所述倍频腔中，进行再利用和频输出紫外 光。2. 如权利要求1所述的腔内倍频像散补偿型激光器，其特征在于，还包括栗浦系统，所 述栗浦系统包括半导体激光栗浦源和栗浦电源，所述栗浦电源用于供电给所述栗浦系统进 行工作。3. 如权利要求1所述的腔内倍频像散补偿型激光器，其特征在于，所述声光调Q开光包 括驱动器和驱动电源，所述驱动电源用于供电给所述驱动器，所述驱动器用于驱动所述声 光调Q开光进行开关控制，进而产生激光脉冲。4. 如权利要求3所述的腔内倍频像散补偿型激光器，其特征在于，所述栗浦系统还包括 栗浦耦合装置，用于使所述半导体激光栗浦源产生的光斑耦合后经过所述第一反射镜进入 到所述第一晶体中。5. 如权利要求4所述的腔内倍频像散补偿型激光器，其特征在于，所述栗浦耦合装置的 耦合比根据紫外光的光斑与所述半导体激光栗浦源的光斑的比值确定，所述栗浦耦合装置 的耦合比为1:1.3，所述半导体激光栗浦源为光源波长是808nm的栗浦。6. 如权利要求1至5中任一所述的腔内倍频像散补偿型激光器，其特征在于，所述第一 反射镜为凸面镜，用于高透所述半导体激光栗浦源产生的栗浦光，所述凸面镜还用于对所 述基频光进彳丁尚反。7. 如权利要求1所述的腔内倍频像散补偿型激光器，其特征在于，所述第二反射镜为用 于基频光折返的全反镜。8. 如权利要求1所述的腔内倍频像散补偿型激光器，其特征在于，所述第三反射镜为用 于基频光和倍频光折返的双波长高反镜。9. 如权利要求6所述的腔内倍频像散补偿型激光器，其特征在于，所述凸面镜的曲率范 围是 500mm_l 000mm。10. 如权利要求1所述的腔内倍频像散补偿型激光器，其特征在于，所述SHG特性晶体为 三硼酸锂晶体。11. 如权利要求1所述的腔内倍频像散补偿型激光器，其特征在于，所述THG特性晶体为 三硼酸锂晶体。12. 如权利要求1所述的腔内倍频像散补偿型激光器，其特征在于，所述第一晶体为Nd: YV04晶体，或者为Nd: YLF晶体，或者为Nd: YAG晶体。
【文档编号】H01S3/109GK105932534SQ201610438011
【公开日】2016年9月7日
【申请日】2016年6月17日
【发明人】朱光, 王家赞, 马敬跃, 崔凌英, 张国新, 张晓雷
【申请人】北京国科世纪激光技术有限公司