发光元件、发光装置、电子设备以及照明装置的制造方法

发光元件、发光装置、电子设备以及照明装置的制造方法
【专利摘要】本发明涉及发光元件、发光装置、电子设备以及照明装置。所述发光元件为一对电极之间包括发射荧光的第一发光层及发射磷光的第二发光层的叠层。第二发光层包括形成激基复合物的第一层、形成激基复合物的第二层以及形成激基复合物的第三层。第二层位于第一层上，而第三层位于第二层上。第二层的发射峰波长长于第一层的发射峰波长及第三层的发射峰波。
【专利说明】
发光元件、发光装置、电子设备从及照明装置
技术领域
[0001] 本发明的一个方式设及在一对电极之间设置有通过施加电场而发光的有机化合 物的发光元件，并且还设及包括该发光元件的发光装置、电子设备W及照明装置。
[0002] 注意，本发明的一个方式不局限于上述技术领域。本说明书等所公开的发明的一 个方式的技术领域设及：物体；方法；制造方法。另外，本发明的一个方式设及：程序 (process);机器（machine);产品（manufac1:ure);组合物（composition of matter)。具体 而言，本说明书所公开的本发明的一个方式的技术领域的例子包括半导体装置、显示装置、 液晶显示装置、发光装置、照明装置、蓄电装置、存储装置、它们的驱动方法W及它们的制造 方法。
【背景技术】
[0003] 具有例如薄型、轻量、高速响应性及直流低电压驱动的特征的使用有机化合物作 为发光体的发光元件被期待应用于下一代平板显示器。尤其是，将发光元件配置为矩阵状 的显示装置被认为与现有的液晶显示装置相比具有视角广且可见度优异的优点。
[0004] 其发光机理如下：当对夹有包含发光体的化层的一对电极之间施加电压时，载流 子（电子和空穴)从电极被注入，该载流子重新结合而形成激子，并且当该激子返回到基态 时释放出能量且发光。作为激发态，已知单重激发态(S^和=重激发态(T^。将由单重激发 态的发光称为巧光，而将由=重激发态的发光称为憐光。在发光元件中，运些激发态的统计 学上的产生比例被认为是S*:T*=1:3。
[0005] 为了提高运样的发光元件的元件特性，对包含容易发生系间窜跃（即，从单重激发 态到=重激发态的转移)的憐光发光物质的发光元件的研究开发日益火热。再者，已公开有 为得到白色发光而层叠包含彼此不同的憐光发光物质的层的发光元件(例如，参照专利文 献1)。
[0006] [参考文献]
[0007] 专利文献1:日本专利申请公开2004-522276号公报

【发明内容】

[000引在具有上述结构的发光元件中，层叠有发射憐光的发光层（即，憐光发光层）。采用 该结构的理由如下：通过利用憐光发光可W得到高发光效率；当发射巧光的层（巧光发光 层)和发射憐光的层(憐光发光层)被层叠时，在憐光发光层中产生的=重态激子扩散，并且 =重态激发能转移到巧光发光层而失活，由此导致发光效率的大幅度下降。
[0009]考虑到上述情况，本发明的一个方式的目的是提供即使具有巧光发光层和憐光发 光层被层叠的结构也得到有利的发光效率的发光元件。本发明的一个方式的另一目的是提 供一种通过使用上述发光元件可W实现低耗电量的发光装置。本发明的一个方式的另一目 的是提供一种通过使用上述发光元件可W实现低耗电量的电子设备及照明装置。本发明的 一个方式的另一目的是提供新颖的发光元件、新颖的发光装置、新颖的照明装置等。注意， 运些目的的记载不妨碍其他目的的存在。在本发明的一个方式中，不一定必须要达到所有 上述目的。从说明书、附图及权利要求书等的记载中可明显看出和抽出上述W外的目的。
[0010] 本发明的一个方式是一种发光元件，其在一对电极之间包括化层，该化层包括发 光层，该发光层至少具有发射巧光的第一发光层及发射憐光的第二发光层的叠层结构。该 第二发光层至少包括形成激基复合物的多个层。该形成激基复合物的多个层构成叠层结 构，在该叠层结构中一个层夹在两个层之间且接触于该两个层，并且该一个层发射其发射 峰波长比该两个层所发射的光的每一个长的光。
[0011] 本发明的另一个方式是一种发光元件，其在一对电极之间包括化层，该化层包括 发光层，该发光层至少具有发射巧光的第一发光层及发射憐光的第二发光层彼此接触的叠 层结构。该第二发光层包括包含形成激基复合物的物质及憐光发光物质的多个层。该多个 层构成叠层结构，在该叠层结构中一个层夹在两个层之间且接触于该两个层，并且该一个 层发射其发射峰波长比该两个层所发射的光的每一个长的光。
[0012] 本发明的另一个方式是一种发光元件，其在一对电极之间包括化层，该化层包括 发光层，该发光层至少具有发射巧光的第一发光层及发射憐光的第二发光层彼此接触的叠 层结构。该第二发光层包括包含形成激基复合物的物质及憐光发光物质的多个层。该多个 层构成叠层结构，在该叠层结构中一个层夹在使用相同材料形成的两个层之间且接触于该 两个层，并且该一个层发射其发射峰波长比该两个层所发射的光的每一个长的光。
[0013] 本发明的另一个方式是一种发光元件，其在一对电极之间包括化层，该化层包括 发光层，该发光层至少具有发射巧光的第一发光层及发射憐光的第二发光层彼此接触的叠 层结构。该第二发光层包括包含形成激基复合物的物质及憐光发光物质的多个层。该多个 层包含一种或多种的共同有机化合物且构成叠层结构，在该叠层结构中一个层夹在两个层 之间且接触于该两个层，并且该一个层发射其发射峰波长比该两个层所发射的光的每一个 长的光。
[0014] 本发明的另一个方式是一种发光元件，其在一对电极之间包括化层，该化层包括 发光层，该发光层至少具有发射巧光的第一发光层及发射憐光的第二发光层彼此接触的叠 层结构。该第一发光层包含巧光发光物质，第二发光层包括包含憐光发光物质的多个层。该 包含憐光发光物质的多个层构成叠层结构，在该叠层结构中一个层夹在两个层之间且接触 于该两个层，并且该一个层发射其发射峰波长比该两个层所发射的光的每一个长的光。
[0015] 本发明的另一个方式是一种发光元件，其在一对电极之间包括化层，该化层包括 发光层，该发光层至少具有发射巧光的第一发光层及发射憐光的第二发光层彼此接触的叠 层结构。该第一发光层包含巧光发光物质及其Tl能级低于该巧光发光物质的主体材料，第 二发光层包括包含形成激基复合物的物质及憐光发光物质的多个层。该多个层构成叠层结 构，在该叠层结构中一个层夹在两个层之间且接触于该两个层，并且该一个层发射其发射 峰波长比该两个层所发射的光的每一个长的光。
[0016] 本发明的另一个方式是一种发光元件，其在一对电极之间包括化层，该化层包括 发光层，该发光层至少具有发射巧光的第一发光层及发射憐光的第二发光层彼此接触的叠 层结构。该第一发光层包含巧光发光物质及其Tl能级低于该巧光发光物质的主体材料，第 二发光层包括包含形成激基复合物的物质及憐光发光物质的多个层。该多个层构成叠层结 构，在该叠层结构中一个层夹在使用相同材料形成的两个层之间且接触于该两个层，并且 该一个层发射其发射峰波长比该两个层所发射的光的每一个长的光。
[0017] 本发明的另一个方式是一种发光元件，其在一对电极之间包括化层，该化层包括 发光层，该发光层至少具有发射巧光的第一发光层及发射憐光的第二发光层彼此接触的叠 层结构。该第一发光层包含巧光发光物质及其Tl能级低于该巧光发光物质的主体材料，第 二发光层包括包含形成激基复合物的物质及憐光发光物质的多个层。该多个层包含一种或 多种的共同有机化合物且构成叠层结构，在该叠层结构中一个层夹在两个层之间且接触于 该两个层，并且该一个层发射其发射峰波长比该两个层所发射的光的每一个长的光。
[0018] 本发明的另一个方式是一种发光元件，其在一对电极之间包括化层，该化层包括 发光层，该发光层至少具有发射巧光的第一发光层及发射憐光的第二发光层彼此接触的叠 层结构。该第一发光层包含巧光发光物质及其Tl能级低于该巧光发光物质的主体材料，第 二发光层包括包含憐光发光物质的多个层。该包含憐光发光物质的多个层构成叠层结构， 在该叠层结构中一个层夹在两个层之间且接触于该两个层，并且该一个层发射其发射峰波 长比该两个层所发射的光的每一个长的光。
[0019] 本发明的另一个方式是一种包括具有上述结构中的任一个的发光元件的发光装 置。
[0020] 本发明的其他方式不仅是具有发光元件的发光装置，而且是具有发光装置的电子 设备及照明装置。本说明书中的发光装置是指图像显示装置及光源（例如，照明装置）。另 夕h发光装置有时在其范畴内包括如下模块:在发光装置中安装有如柔性印刷电路(FPC: flexible printed cir州it)或载带封装（TCP:tape carrier package)等连接器的模块； 在TCP端部设置有印刷线路板的模块;将集成电路(IC)通过COG(Chip on gIasS:玻璃覆晶 封装)方式直接安装在发光元件上的模块。
[0021] 本发明的一个方式可W提供一种即使具有巧光发光层和憐光发光层被层叠的结 构也得到优异的发光效率的发光元件。本发明的另一个方式可W提供一种使用上述发光元 件实现低耗电量的发光装置。本发明的另一个方式可W提供一种使用上述发光元件实现低 耗电量的电子设备及照明装置。本发明的另一个方式可W提供新颖的发光元件、新颖的发 光装置、新颖的照明装置等。注意，运些效果的记载不妨碍其他效果的存在。本发明的一个 方式不一定必须要实现所有上述效果。从说明书、附图及权利要求书等的记载中可明显看 出和抽出上述W外的效果。
【附图说明】
[0022] 图1说明本发明的一个方式的发光元件的结构。
[0023] 图2A和2B说明发光装置。
[0024] 图34至30、30'1及30'2说明电子设备。
[00巧]图4说明照明装置。
[0026] 图5A和5B说明发光元件1及比较发光元件2的结构。
[0027] 图6示出发光元件1及比较发光元件2的发射光谱。
[0028] 图7示出发光元件1的可靠性。
[0029] 图8示出发光元件3的亮度-功率效率特性。
[0030] 图9示出发光元件3的发射光谱。
[0031] 图10示出发光元件4的亮度-电流效率特性。
[0032] 图11示出发光元件4的发射光谱。
[0033] 图12示出发光层中的能级相互关系。
【具体实施方式】
[0034] 将参照附图对本发明的实施方式进行详细说明。注意，本发明不局限于W下说明， 在不脱离本发明的宗旨及其范围的情况下可W进行各种变换及修改。因此，本发明不应该 被解释为仅局限在W下实施方式的记载内容中。
[00巧]实施方式1
[0036] 在本实施方式中，说明本发明的一个方式的发光元件。
[0037] 在本发明的一个方式的发光元件中，在一对电极之间设置有包括发光层的化层。 该发光层包括发射巧光的发光层（I)及发射憐光的发光层（H)。注意，该发光元件即使在发 光层（I)与发光层（H)之间不包括电荷产生层(也就是说，即使发光元件不是串联元件），也 可W高效地得到巧光发光和憐光发光。W下参照图1详细说明本发明的一个方式的发光元 件的元件结构。
[0038] 在图1所示的发光元件中，在一对电极(第一电极101和第二电极102)之间设置有 包括发光层106的化层103。化层103具有如下结构：在第一电极（阳极）101上依次层叠有空 穴注入层104、空穴传输层105、发光层106、电子传输层107、电子注入层108等。发光层106具 有如下结构：层叠有发光层（I) 106a和发光层（n ) 106b。注意，对发光层（I) 106a和发光层 (n )106b的叠层顺序没有特别的限制，而可W适当地改变叠层顺序。
[0039] 发光层（I)106a包含巧光发光物质及主体材料(有机化合物）。主体材料的=重态 激子通过S重态-S重态煙灭(TTA:triplet-triplet annihilation)高效地变成单重态激 子，并且，通过从单重态激子的能量转移从巧光发光物质发射巧光。
[0040] 具体而言，在发光层（I)106a中，主体材料的最低=重态激发能级(Tl能级)优选低 于巧光发光物质的Tl能级。通常，在发光层中主体材料的比例比巧光发光物质高得多。当W 主体材料的Tl能级低于巧光发光物质的Tl能级的方式组合使用主体材料和巧光发光物质 时，能够防止由于在发光层（I)106a中产生的=重态激子被发光层（I)106a中的微量巧光发 光物质（分子)俘获并被局部化而导致的S重态激子之间的碰撞概率的下降，引起TTA的发 生概率的提高。由此，可W提高发光层（I)l〇6a的巧光发光效率。注意，作为用于发光层（I) 106a的巧光发光物质，可W适当地使用已知的物质，该物质发射蓝色光(其发射光谱的峰波 长在40化m至480皿间）、绿色光(其发射光谱的峰波长在500nm至560皿间）、红色光(其发射 光谱的峰波长在580nm至680nm间）、澄色光、黄色光等。
[0041] 发光层（n)106b具有如下结构：如图1所示，至少层叠有S个不同的层，即第一层 106(bl)、第二层106(b2)W及第S层106(b3)。运S个层各自包含能够形成激基复合物 (exciplex)的两种有机化合物及憐光发光物质。在各层中所形成的激基复合物的发光波长 比形成激基复合物的各有机化合物的发光波长(巧光波长)长;所W，可W将运些有机化合 物的巧光光谱转换为更长波长的发射光谱，从而可W降低驱动电压。另外，能量能够从激基 复合物转移到憐光发光物质，由此可W得到高发光效率。注意，发光层（n)106b除了上述= 个层W外还可W包括不包含憐光发光物质而包含有机化合物的层。
[0042] 再者，形成上述S个层W使得从第二层106(b2)得到的憐光发光的发射峰波长比 从第一层l〇6(bl)及第=层106(b3)得到的憐光发光长。
[0043] 具体而言，作为用于第二层106(b2)的第二憐光发光物质，使用其发射峰波长比用 于第一层106 (bl)的第一憐光发光物质及用于第立层106 (b3)的第立憐光发光物质长的物 质。注意，作为用于发光层（n)106b中的运=个层的憐光发光物质，可W根据上述结构适当 地使用已知的物质，该物质发射蓝色光（其发射光谱的峰波长在400皿至480皿间）、绿色光 (其发射光谱的峰波长在50化m至560皿间）、红色光（其发射光谱的峰波长在58化m至680皿 间）、澄色光、黄色光等。
[0044] 注意，通过将上述结构用于发光层（n)106b，在第二层106(b2)中形成的激基复合 物的能量可W高效地转移到其发射峰波长最长的憐光发光物质，且可W抑制激子扩散到其 他层，由此可W提高发光层（n)i〇6b中的憐光发光效率。注意，虽然发光层（n)i〇6b有时只 由上述=个层构成，但是还可W包括不包含憐光发光物质而包含能够形成激基复合物的两 种有机化合物的层。
[0045] 作为用作发光层（I)106a及发光层（n)106b中的除了巧光发光物质及憐光发光物 质W外的主体材料等的有机化合物，主要可W举出具有l(T6cm^Vs或更高的电子迁移率的 电子传输材料、具有l(T6cm2/Vs或更高的空穴迁移率的空穴传输材料。注意，在发光层（E) 106b中的包含憐光发光物质的层中，选择上述有机化合物中的两种或更多种用于每个层W 使得能够形成激基复合物。
[0046] 通过在发光层（I) 106a或发光层（n ) 106b中将发光物质（巧光发光物质或憐光发 光物质）分散在上述有机化合物中，可W抑制发光层中的结晶化。另外，可W抑制由于高浓 度发光物质导致的浓度巧灭，从而可W提高发光元件的发光效率。
[0047] 由于如下理由，在发光层（n)106b中上述有机化合物的Tl能级优选高于上述憐光 发光物质的Tl能级。当电子传输材料或空穴传输材料的Tl能级低于憐光发光物质的Tl能级 时，有助于发光的憐光发光物质的=重态激发能被电子传输材料或空穴传输材料巧灭 (quench)，运导致发光效率的下降。
[004引通过制造满足上述条件的发光元件，可W得到能够发射巧光和憐光的发光元件。 发光层(I) 106a所发射的巧光的颜色和发光层（n ) 106b所发射的憐光的颜色的组合（W "发 光层（I)106a所发射的巧光的颜色\发光层（n)106b所发射的憐光的颜色"表示）的例子包 括："蓝色\绿色?红色?绿色"、"蓝色\蓝色?红色?绿色"、"蓝色\黄色?红色?绿色"、 "蓝色\绿色?红色?黄色"、"蓝色\黄色?红色?黄色"、"绿色\绿色?红色?绿色"、"绿 色\蓝色?红色?绿色"、"绿色\黄色?红色?绿色"、"绿色\绿色?红色?黄色"、"绿色\黄 色?红色?黄色"、"红色\绿色?红色?绿色"、"红色\蓝色?红色?绿色"、"红色\黄色? 红色?绿色红色\绿色?红色?黄色红色\黄色?红色?黄色"。注意，即使发光层 (I) 106a和发光层（n ) 106b按相反顺序层叠，也可W采用上述组合。
[0049]当巧光发光层和憐光发光层被层叠时，在憐光发光层中产生的=重态激发能通常 转移到巧光发光层中的主体材料而引起无福射失活，运导致发光效率的下降。但是，在本发 明的一个方式的发光元件中，在憐光发光层中形成的激基复合物的=重态激发能转移到憐 光发光物质，由此可W得到发光。此外，激子不可能从激基复合物扩散到憐光发光物质W外 的物质。因此，可W在得到巧光发光的同时高效地得到憐光发光。注意，在本发明的一个方 式中，在发光层（I)l〇6a中由于TTA能够容易产生单重激发态，所W即使发生从在发光层 (n )106b中形成的激基复合物的=重态激发能的转移，也可W将该=重态激发能转换为巧 光发光。
[0050] 图12示出发光元件的各物质及激基复合物的能级之间的关系。在图12中，Sfh表示 发光层(I)l〇6a中的主体材料的单重态激发能级，Tfh表示发光层(I)106a中的主体材料的= 重态激发能级，Sfg表示发光层（I) 106a中的客体材料(巧光发光物质）的单重态激发能级， Tfg表示发光层（I)106a中的客体材料（巧光发光物质）的S重态激发能级，Sph表示发光层 (n ) 106b中的主体材料(第一有机化合物或第二有机化合物)的单重态激发能级，Tph表示发 光层（n )106b中的主体材料(第一有机化合物或第二有机化合物）的=重态激发能级，&表 示发光层（n ) 106b中的激基复合物的单重态激发能级，Te表示发光层（n ) 106b中的激基复 合物的=重态激发能级，Tpg表示发光层（n )106b中的客体材料(憐光发光物质）的=重态激 发能级。
[0051] 如图12所示，在发光层（I)106a中因主体材料的S重态激发分子之间的碰撞而发 生TTA，主体材料的=重态激发分子的一部分转换为单重态激发分子，并且=重态激发分子 的一部分热失活。然后，因 TTA而产生的主体材料的单重激发态(Sfg)的能量转移到巧光发光 物质的单重激发态，并且该单重激发能量转换为巧光。
[0052] 在发光层（n )106b中，激基复合物的激发能级(Se及Te)低于主体材料(第一有机化 合物及第二有机化合物）的激发能级(Sph及Tph),因此不发生从激基复合物到主体材料的激 发能量的转移。另外，不发生从激基复合物到其他激基复合物的能量转移。当激基复合物的 激发能量转移到客体材料(憐光发光物质)时，该激发能量可W转换为发光。如此，在发光层 (n )106b中，=重态激发能几乎不扩散且可转换为发光。
[0053] 因此，即使在发光层（I)106a与发光层（n)106b之间的界面有少量能量转移（例 如，该界面的憐光发光物质的从Tp翊Tfh或Tfg的能量转移），也可W从发光层（I) 106a和发光 层（n)106b的双方高效地得到发光。由于在发光层（I)106a中通过7^由；重态激发能产生 单重激发能，所W即使在界面中产生能量转移，也可W将该转移能量的一部分转换为巧光 发光。运可W抑制能量的损失。
[0054] 下面，对制造上述发光元件时的具体例子进行说明。
[0055] 作为第一电极（阳极）101及第二电极（阴极）102,可W使用金属、合金、导电化合物 及它们的混合物等。具体而言，可W使用氧化铜-氧化锡（indium tin oxide)、包含娃或氧 化娃的氧化铜-氧化锡、氧化铜-氧化锋（indi皿zinc oxide)、包含氧化鹤及氧化锋的氧化 铜、金(Au)、销(Pt)、儀(Ni)、鹤(W)、铭(Cr)、钢(Mo)、铁(Fe)、钻（Co)、铜（Cu)、钮(Pd)、铁 (Ti)。此外，可W使用属于元素周期表中第1族或第2族的元素，即碱金属诸如裡化i)或飽 (Cs)、碱±金属诸如巧(化)或锁(Sr)、儀(Mg)、包含运些元素的合金(例如，MgAg或AlLi )、稀 ±金属诸如館化U)或镜(Yb)、包含运些元素的合金W及石墨締等。第一电极（阳极）101及第 二电极（阴极)1〇2例如可W通过瓣射法或蒸锻法(包括真空蒸锻法)来形成。
[0056] 空穴注入层104通过空穴传输性高的空穴传输层105对发光层106注入空穴。该空 穴注入层104包含空穴传输材料及受体物质，由此受体物质从空穴传输材料抽出电子来发 生空穴，并且该空穴通过空穴传输层105注入到发光层106。空穴传输层105使用空穴传输材 料来形成。
[0057]用于空穴注入层104及空穴传输层105的空穴传输材料的具体例子包括4,4'-双 [N-a-糞基)-N-苯氨基]联苯（简称:NPB或a-NPD)、N，N'-双（3-甲基苯基)-N，N'-二苯基- [l，r-联苯]-4,4'-二胺(简称:TPD)、4,4'，4"-S(巧挫-9-基)S苯胺(简称:TCTA)、4,4'， 4"-S(N，N-二苯氨基)S苯胺(简称:TDATA)、4,4/，4"-S[N-(3-甲基苯基)-N-苯氨基]S苯 胺(简称:MTDATA)、4，少-双[N-(螺-9，y -二巧-2-基)-N-苯氨基]联苯(简称:BSPB)等芳香 胺化合物;3-[N-(9-苯基巧挫-3-基)-N-苯氨基]-9-苯基巧挫（简称:PCzPCAI ); 3，6-双[N- (9-苯基巧挫-3-基)-N-苯氨基]-9-苯基巧挫（简称:PCzPCA2);3-[N-a-糞基)-N-(9-苯基 巧挫-3-基)氨基]-9-苯基巧挫（简称:PCzPCNl)。其他的例子包括4，少-二(N-巧挫基)联苯 (简称：CBP)、l，3,5-S[4-(N-巧挫基）苯基]苯（简称：TCPB)、9-[4-(10-苯基-9-蔥基）苯 基]-9H-巧挫（简称:CzPA)等巧挫衍生物。在此所述的物质主要是空穴迁移率为l(T6cm2/Vs 或更高的物质。此外，只要是空穴传输性比电子传输性高的物质，就也可W使用上述W外的 物质。
[005引其他的例子包括聚（N-乙締基巧挫）（简称：PVK)、聚（4-乙締基S苯胺）（简称： PVTPA)、聚[N-(4-阳/-[4-(4-二苯氨基)苯基]苯基-沪-苯氨基}苯基）甲基丙締酷胺](简 称:PTPDMA)、聚阳，妒-双(4-下基苯基)-N，沪-双(苯基)联苯胺](简称:Po 1厂TPD)等高分子 化合物。
[0059] 用于空穴注入层104的受体物质的例子包括属于元素周期表中第4族至第如矣的金 属的氧化物。具体地说，氧化钢是特别优选的。
[0060] 发光层106是发光层(I) 106a和发光层（n ) 106b的叠层，其中各层具有上述结构。
[0061] 作为用于发光层（I)106a的巧光发光物质的例子，有将单重态激发能转换为发光 的物质。
[0062] 该巧光发光物质的例子包括N，N/ -双[4-(9H-巧挫-9-基)苯基]-N，N/ -二苯基二苯 乙締-4,4'-二胺（简称:￥6425)、4-(9护巧挫-9-基）-4'-(10-苯基-9-蔥基）^苯胺（简称： YGAPA)、4-(9H-巧挫-9-基)-4'-(9，10-二苯基-2-蔥基)S 苯胺（简称:2YGAPPA)、N，9-二苯 基-N-[4-(10-苯基-9-蔥基)苯基]-9H-巧挫-3-胺(简称:PCAPA)、二糞嵌苯、2,5,8，11-四 (叔下基)二糞嵌苯(简称:TBP)、4-(10-苯基-9-蔥基)-少-(9-苯基-9H-巧挫-3-基)S苯胺 (简称:PCBAPA)、N，N"-(2-叔下基蔥-9，10-二基二-4，l-亚苯基)双[N，N'，N'-S苯基-l，4- 苯二胺](简称：
[0063] DPABPA)、N，9-二苯基-N-[4-(9，10-二苯基-2-蔥基)苯基]-9H-巧挫-3-胺(简称： 2PCAPPA)、N-[4-(9，10-二苯基-2-蔥基）苯基]-N，N'，N'-S苯基-l，4-苯二胺（简称： 2DPAPPA)、N，N，N'，N'，N"，N"，N"'，N"'-八苯基二苯并[g，p]Q(Chrysene)-SJ,10,15-四胺 (简称：DBCl )、香丑素30、N-(9,10-二苯基-2-蔥基）-N, 9-二苯基-9H-R卡挫-3-胺（简称： 2PCAPA)、N-[9，10-双（1，1'-联苯-2-基）-2-蔥基]-N，9-二苯基-9H-巧挫-3-胺（简称： 2PCABPM)、N-(9，10-二苯基-2-蔥基)-N，N'，N' -S苯基-1,4-苯二胺(简称:2DPAPA)、N-[9, 10-双（1，1'-联苯-2-基)-2-蔥基]-N，N'，N' -S苯基-1，4-苯二胺（简称:20?48?114)、9，10- 双（1，1'-联苯-2-基)-N-[4-(9H-巧挫-9-基）苯基]-N-苯基蔥-2-胺（简称:2YGAB陆A)、N，N， 9-S苯基蔥-9-胺（简称:D曲APhA)、香豆素545T、N，沪-二苯基哇日丫晚酬(简称:DPQd)、红巧 締、5，12-双（1，1'-联苯-4-基）-6，11-二苯基并四苯（简称:8口1')、2-(2-{2-[4-(二甲基氨 基）苯基]乙締基}-6-甲基-4H-化喃-4-亚基(ylidene))丙二腊（简称:DCMl)、2-{2-甲基-6-
[2-(2,3,6,7-四氨苯并[ij]哇嗦（quinolizin)-g-基）乙締基]-4H-化喃-4-亚基} 丙二腊(简称:DCM2)、N，N，N/，沪-四（4-甲基苯基）并四苯-5，11-二胺（简称:口-11邮10)、7， 14-二苯基-N，N，N'，N'-四（4-甲基苯基)起并(acena地tho) [ 1，2-a]巧蔥-3,10-二胺(简称： p-m曲A抑）、{2-异丙基-6-[ 2-( 1，1，7，7-四甲基-2，3，6，7-四氨-IH，5H-苯并[i j ]哇嗦-9- 基）乙締基]-4H-化喃-4-亚基兩二腊（简称:DCjri)、{2-叔下基-6-[2-(l，l，7,7-四甲基- 2,3,6,7-四氨-lH，5H-苯并[ij]哇嗦-9-基）乙締基]-4H-化喃-4-亚基}丙二腊（简称： 0材18)、2-(2,6-双{2-[4-(二甲基氨基）苯基化締基}-4护化喃-4-亚基）丙二腊（简称： 8130〔1)、2-{2,6-双[2-(8-甲氧基-1，1，7,7-四甲基-2,3,6,7-四氨-把，5护苯并[。']哇嗦- 9-基）乙締基]-4H-化喃-4-亚基}丙二腊（简称：BisDCJTM)。W例如1，6FLPAPrn、l， BmMemFLPAPrn等巧二胺衍化合物为代表的稠合芳族二胺化合物，具有高空穴俘获性、高发 光效率及高可靠性，所W是特别优选的。
[0064] 作为用于发光层（n )106b的憐光发光物质的例子，有将=重激发态能转换为发光 的物质。
[0065] 该憐光发光物质的例子包括双{2-[3/点-双(S氣甲基巧基M雌-N，C2'}银（虹） 化晚甲酸醋（简称：Ir(CF3卵y)2(pic))、双[2-(少，6/-二氣苯基)邮晚-N，C2']银（虹）乙酷丙 酬（简称:FIracac)、^(2-苯基化晚）银（虹）（简称：Ir(ppy)3)、双（2-苯基化晚）银（虹）乙酷 丙酬（简称：11'(997)2(日。日(3))、^(乙酷丙酬）（一菲咯嘟）铺（111)(简称：化（日。日(3)3。116]1))、 双(苯并比]哇嘟）银（虹）乙酷丙酬(简称：Ir(bzq)2(acac))、双(2,4-二苯基-l，3-嗯挫-N， C2')银(虹）乙酷丙酬(简称：Ir(dpoMacac))、双{2-[4'-(全氣烧苯基)苯基]邮晚-N，C 2'}银 (虹）乙酷丙酬（简称：Ir(p-PF-ph)2(acac))、双（2-苯基苯并嚷挫-N，C2')银（虹）乙酷丙酬 (简称：Ir(bt)2(acac))、双[2-(2'-苯并[4,5-a]嚷吩基川比晚-N，C3']银（虹）乙酷丙酬（简 称：I;r(btp)2(acac))、双（1-苯基异哇嘟-N,C2')银（虹）乙酷丙酬（简称：I;r(piq)2(acac))、 (乙酷丙酬）双[2,3-双（4-氣苯基）哇喔嘟合（911；[]1〇义日1;[]1日1:〇)]银（虹）（简称：11'巧(1口9)2 (日。日。））、（乙酷丙酬）双（3,5-二甲基-2-苯基[1比嗦）银（虹）（简称：[11'(111口口1-]\16)2(日。日。）])、 (乙酷丙酬）双（5-异丙基-3-甲基-2-苯基R比嗦）银（虹）（简称：[I;r(mpp;r-iP;r)2(acac)])、 (乙酷丙酬）双（2,3,5-S苯基化嗦）银（虹）（简称：打（化9')2(曰。曰(3))、双（2,3,5-^苯基化 嗦）（二新戊酷甲烧)银（虹）（简称：[IrUpprMdpm)])、（乙酷丙酬)双(6-叔下基-4-苯基喀 晚）银（虹）（简称：[1!'(18啡9111)2(日。日(3)])、（乙酷丙酬）双（4,6-二苯基喀晚）银（111)(简称： [1八(1口口111)2(日。日。）])、2,3,7,8，12，13，17，18-八乙基-21山23护化嘟销（11)(简称：口106口）、 ^(1，3-二苯基-1，3-丙二酬）（一菲咯嘟)館（虹）（简称:611(081)3。11611))、^[1-(2-嚷吩甲 酷基)-3,3,3-S氣丙酬](一菲咯嘟)館（虹）（简称:Eu(TTA)3(陆en))。
[0066] 另外，可W使用呈现热活化延迟巧光的热活化延迟巧光（thermally activated delayed fluorescence) (TADF)材料代替上述憐光发光物质。注意，TADF材料所呈现的"延 迟巧光"是指具有与通常的巧光相同的光谱且其寿命非常长的发光。该寿命为1(T6秒或更 长，优选为1(T3秒或更长。
[0067] TADF材料的具体例子包括富勒締及其衍生物、原黄素等叮晚衍生物、曙红 (eosin)。其他的例子包括包含儀(Mg)、锋(Zn)、儒(Cd)、锡(Sn)、销(Pt)、铜（In)或钮(Pd)等 的含金属化嘟。该含金属化嘟的例子包括原化嘟-氣化锡配合物（SnF2(Proto IX))、中化 嘟-氣化锡配合物(SnF2(Meso IX))、血化嘟-氣化锡配合物(SnF2化emato IX))、粪化嘟四甲 醋-氣化锡配合物（SnF2 (Coprom-4Me))、八乙基化嘟-氣化锡配合物（SnF2 (OEP))、初化嘟- 氣化锡配合物(SnF2化tio 1))^及八乙基化嘟-氯化销配合物。*(：12〇6?)。再者，还可^使 用例如 2-(联苯-4-基）-4,6-双（12-苯基吗 I 噪[2,3-a]巧挫-11-基）-l，3,5-S 嗦（PIC-TRZ) 的具有富n电子芳杂环及缺n电子芳杂环的杂环化合物。另外，特别优选使用富JT电子芳杂环 与缺n电子芳杂环直接键合的物质，因为富n电子芳杂环的供体性质和缺JT电子芳杂环的受 体性质都提高并且Sl能级与Tl能级之间的能量差减小。
[0068] 用于发光层（I)106a的有机化合物的例子包括蔥化合物诸如9-苯基-3-[4-(10-苯 基-9-蔥基）苯基]-9H-巧挫（简称:PCzPA)、9-[4-aO-苯基-9-蔥基）苯基]-9H-巧挫（简称： CzPA)、7-[4-a0-苯基-9-蔥基）苯基]-7H-二苯并[c，g]巧挫（简称：c曲BCzPA)、6-[3-(9， 10-二苯基-2-蔥基)苯基]-苯并[b]糞并[l，2-d]巧喃（简称:2mBnfPPA)、9-苯基-10-{4-(9- 苯基-9H-巧-9-基)联苯-4'-基}蔥(简称:FLPPA)。通过将具有蔥骨架的物质用作主体材料， 可W提供发光效率及耐久性良好的发光层。尤其是，CzPA、c曲BCzPA、2mBnfPPA、PCzPA具有 良好的特性，所W是优选的。
[0069] 作为用于发光层（n)106b的有机化合物的电子传输材料，优选缺JT电子型杂芳族 化合物诸如含氮杂芳族化合物，其例子包括哇喔嘟衍生物及二苯并哇喔嘟衍生物诸如2- [3-(二苯并嚷吩-4-基)苯基]二苯并[f，h]哇喔嘟(简称:2血BTPDBq-n)、2-[3'-(二苯并嚷 吩-4-基）联苯-3-基]二苯并[f，h]哇喔嘟（简称：2mDBTBPDBq- n )、2-[4-(3，6-二苯基-9H- 巧挫-9-基)苯基]二苯并[f，h]哇喔嘟(简称JCzPDBq-虹）、7-[3-(二苯并嚷吩-4-基)苯基] 二苯并[f，h]哇喔嘟(简称:7mDBTPDBq- n )、6-[ 3-(二苯并嚷吩-4-基)苯基]二苯并[f，h]哇 喔嘟（简称:SmDBTPDBq- n )。
[0070] 作为用于发光层（n)106b的有机化合物的空穴传输材料，优选富JT电子型杂芳族 化合物(例如，巧挫衍生物或吗I噪衍生物)或芳香胺化合物，其例子包括:4-苯基-少-(9-苯 基-9H-巧挫-3-基)S苯胺(简称:？〔8418?)、4,4'-二（1-糞基)-4"-(9-苯基-9护巧挫-3-基） S苯胺（简称:PCBNBB)、3-[N-a-糞基)-N-(9-苯基巧挫-3-基)氨基]-9-苯基巧挫（简称： PCzPCNl)、4,4'，4"-S[N-(l-糞基）-N-苯氨基]S苯胺（简称：1'-1臟14)、2,7-双化-(4-二 苯氨基苯基）-N-苯氨基]-螺-9,9'-二巧（简称:DPA2SF)、N，N'-双(9-苯基巧挫-3-基）-N， N'-二苯基苯-l，3-二胺(简称:PCA2B)、N-(9,9-二甲基-2-二苯氨基-9H-巧-7-基)二苯基胺 (简称：DPNF)、N，N/，N"-S苯基-N，N/，N"-S(9-苯基巧挫-3-基）苯-1，3,5-S胺（简称： PCA3B)、2-[N-(9-苯基巧挫-3-基）-N-苯氨基]螺-9,9'-二巧（简称:？〔45。）、2-^-(4-二苯 氨基苯基)-N-苯氨基]螺-9，9'-二巧(简称:DPASF)、N，N'-双[4-(巧挫-9-基)苯基]-N，N'- 二苯基-9,9-二甲基巧-2,7-二胺(简称:YGA2F)、4,4/-双[N-(3-甲基苯基)-N-苯氨基]联苯 (简称:TPD)、4，4'-双阳-(4-二苯氨基苯基)-N-苯氨基]联苯(简称:DPAB)、N-(9，9-二甲基- 9H-巧-2-基）-N- {9，9-二甲基-2- [N'-苯基-N' - (9，9-二甲基-9H-巧-2-基）氨基]-9H-巧-7- 基}苯基胺（简称：D化AD化）、3-[N-(9-苯基巧挫-3-基）-N-苯氨基]-9-苯基巧挫（简称： PCzPCAl)、3-[N-(4-二苯氨基苯基)-N-苯氨基]-9-苯基巧挫（简称:PCzDPAl)、3,6-双[N- (4-二苯氨基苯基)-N-苯氨基]-9-苯基巧挫(简称:PCzDPA2)、4,4/-双(N-{4-[N^-(3-甲基 苯基)-沪-苯氨基]苯基}-N-苯氨基)联苯(简称:DNTPD)、3,6-双[N-(4-二苯氨基苯基)-N- (1-糞基)氨基]-9-苯基巧挫（简称:PCZTPN2)、3，6-双[N-(9-苯基巧挫-3-基)-N-苯氨基]- 9-苯基巧挫(简称:PCZPCA2)。
[0071] 电子传输层107是包含电子传输性高的物质的层。对电子传输层107可W使用金属 配合物诸如A1q3、S(4-甲基-8-径基哇嘟)侣（简称:Almq3)、双（10-径基苯并比]-哇嘟合)被 (简称:BeBq2)、BAlq、Zn(BOX)2或双[2-(2-?基苯基)-苯并嚷挫]锋(简称:Zn(BTZ)2)。此外， 也可W使用杂芳族化合物诸如2-(4-联苯基)-5-(4-叔下苯基)-1,3,4-嗯二挫(简称:P抓）、 1，3-双[5-(对叔下苯基)-1，3,4-嗯二挫-2-基]苯(简称:0乂0-7)、3-(4-叔下苯基)-4-苯基- 5-(4-联苯基)-l，2,4-S挫(简称:TAZ)、3-(4-叔下苯基)-4-(4-乙苯基)-5-(4-联苯基)-1， 2，4-=挫（简称:P-EtTAZ)、红菲咯嘟(简称:B地en)、浴铜灵(简称:BCP)、4，4'-双(5-甲基苯 并嗯挫-2-基）巧（简称:Bz0s)。此外，也可W使用高分子化合物诸如聚（2,5-化晚二基）（简 称:P巧）、聚[(9，9-二己基巧-2，7-二基)-CO-(化晚-3，5-二基）](简称:PF-巧）、聚[(9，9-二 辛基巧-2,7-二基)-c0-(2,2/-联化晚-6,6/-二基）](简称:PF-BPy)。运里所述的物质主要 是具有1 X l(T6cm2/Vs或更高的电子迁移率的物质。另外，只要是电子传输性比空穴传输性 高的物质，就可W将上述物质之外的物质用于电子传输层107。
[0072] 电子传输层107不局限于单层，也可W为两层或更多的叠层，其中各层包含上述物 质。
[0073] 电子注入层108是包含具有高电子注入性的物质的层。作为电子注入层108,可W 使用碱金属、碱±金属、或者它们的化合物诸如氣化裡化iF)、氣化飽(CsF)、氣化巧(CaF2) 或氧化裡化iOx)。此外，也可W使用如氣化巧巧巧3)等的稀±金属化合物。对电子注入层108 也可W使用电子盐。电子盐的例子包括对巧氧化物-侣氧化物W高浓度添加电子的物质。另 夕h可W使用用来形成电子传输层107的上述物质。
[0074] 另外，也可W将有机化合物与电子给体(供体)混合而成的复合材料用于电子注入 层108。因为该电子给体使得电子产生在有机化合物中，所W该复合材料的电子注入性及电 子传输性优异。在此情况下，有机化合物优选是在传输所产生的电子方面优异的材料。具体 而言，例如可W使用上述用来形成电子传输层107的物质（例如，金属配合物或杂芳族化合 物）。作为电子给体，可W使用对有机化合物呈现电子给体性的物质。具体地说，优选使用碱 金属、碱±金属和稀±金属，并且可W举出裡、飽、儀、巧、巧、镜。另外，优选碱金属氧化物或 碱±金属氧化物，并且举出裡氧化物、巧氧化物、领氧化物。此外，还可W使用例如氧化儀的 路易斯碱。另外，也可W使用例如四硫富瓦締(简称:TT巧的有机化合物。
[0075] 上述空穴注入层104、空穴传输层105、发光层106(发光层（I)106a和发光层（E) 106b)、电子传输层107及电子注入层108可W通过例如蒸锻法(例如，真空蒸锻法）、喷墨法 或涂敷法等的方法形成。
[0076] 在上述发光元件中，由于在第一电极101和第二电极102之间产生的电位差而注入 载流子，并且在化层103中空穴和电子复合，由此发光。然后，所发射的光经过第一电极101 和第二电极102中的一方或双方被提取到外部。因此，第一电极101和第二电极102中的一方 或双方为具有透光性的电极。
[0077] 具有本实施方式所说明的结构的发光元件能够发射巧光和憐光，尤其是能够高效 地发射憐光，使得发光元件整体的发光效率得到提高。
[0078] 注意，本实施方式所示的结构可W与其他实施方式适当地组合。
[00巧]实施方式2
[0080]在本实施方式中，作为具有本发明的一个方式的发光元件的发光装置的例子，参 照图2A和2B说明有源矩阵型发光装置。注意，可W将实施方式I所说明的发光元件用于本实 施方式所示的发光装置。
[0081] 图2A是示出发光装置的俯视图，图2B是沿着图2A中的点划线A-A'的截面图。本实 施方式的有源矩阵型发光装置在元件衬底201上包括像素部202、驱动电路部(源极线驱动 电路)203W及驱动电路部(栅极线驱动电路)204a及204b。像素部202、驱动电路部203及驱 动电路部204a及204b由密封剂205密封在元件衬底201与密封衬底206之间。
[0082] 此外，在元件衬底201上设置有用来连接对驱动电路部203及驱动电路部204a和 204b传送外部信号(例如，视频信号、时钟信号、起始信号或复位信号)或电位的外部输入端 子的引导布线207。在此，示出作为外部输入端子设置有柔性印刷电路(FPC)208的例子。虽 然在此只示出FPC，但是该FPC也可W安装有印刷线路板(PWB)。本说明书中的发光装置在其 范畴内不仅包括发光装置本身，而且还包括安装有FPC或PWB的发光装置。
[0083] 接着，参照图2B说明截面结构。在元件衬底201上形成有驱动电路部及像素部。在 此示出源极线驱动电路的驱动电路部203及像素部202。
[0084] 驱动电路部203是组合有FET209和FET210的结构的例子。另外，驱动电路部203所 具有的FET209及FET210的每一个可W使用包括相同导电性的晶体管(n型晶体管或P型晶体 管）的电路或包括n型晶体管和P型晶体管的CMOS电路形成。虽然在本实施方式中说明在衬 底上形成驱动电路的驱动器一体型，但是该驱动电路不一定需要形成在衬底上，也可W形 成在衬底外部。
[0085] 像素部202包括多个像素，该多个像素的每一个包括开关FET211、电流控制FET212 和与电流控制FET212的布线(源电极或漏电极）电连接的第一电极（阳极)213。虽然在本实 施方式中像素部202包括开关FET211及电流控制FET212运两个FET，但是本发明不局限于 此。例如，像素部202也可W包括S个或更多个FET及电容元件。
[0086] 作为FET209、210、211及212,例如可W使用交错型晶体管或反交错型晶体管。可W 用于。61209、210、211及212的半导体材料的例子包括1￥族半导体（例如，娃）、虹族半导体 (例如，嫁）、化合物半导体、氧化物半导体、有机半导体。此外，对半导体材料的结晶性没有 特别的限制，可W使用非晶半导体或结晶半导体。尤其是，优选将氧化物半导体用于 阳T209、210、211及212。该氧化物半导体的例子包括In-fei氧化物W及In-M-Zn氧化物(M为 Al、Ga、Y、化、La、Ce或Nd)。例如，将其能隙为2eV或更大，优选为2.5eV或更大，更优选为3eV 或更大的氧化物半导体材料用于FET209、210、211及212,由此可W降低晶体管的关态电流 (off-state current)。
[0087] W覆盖第一电极213的端部的方式形成有绝缘物214。在本实施方式中，使用正型 光敏丙締酸树脂形成绝缘物214。在本实施方式中，将第一电极213用作阳极。
[0088] 上述绝缘物214优选在其上端部或下端部包括具有曲率的曲面。运使得形成在绝 缘物214上的膜的覆盖性有利。例如，绝缘物214可W使用负型光敏树脂或正型光敏树脂形 成。绝缘物214的材料不局限于有机化合物，而还可W使用无机化合物诸如氧化娃、氧氮化 娃、氮化娃。
[0089] 在第一电极（阳极)213上层叠有化层215及第二电极（阴极)216。在化层215中至少 设置有发光层，该发光层具有实施方式1中所说明的叠层结构。在化层215中，除了发光层之 夕h可W适当地设置空穴注入层、空穴传输层、电子传输层、电子注入层、电荷产生层等。
[0090] 发光元件217由第一电极（阳极）213、EL层215及第二电极（阴极）216的叠层形成。 对于第一电极(阳极)213、EL层215及第二电极(阴极)216,可W使用实施方式1所示的材料。 虽然在此未图示，但是第二电极（阴极)216与外部输入端子的FPC208电连接。
[0091] 虽然图2B所示的截面图仅示出一个发光元件217,但是在像素部202中W矩阵形状 配置有包括本发明的一个方式的发光元件的多个发光元件。在像素部202中选择性地形成 有发射=种颜色(R、G、B)的光的发光元件，W得到能够进行全彩色显示的发光装置。除了发 射=种颜色(R、G、B)的光的发光元件W外，例如也可W形成有发射白色(W)、黄色(Y)、品红 色(M)、青色(C)等的光的发光元件。例如，通过组合发射=种颜色(R、G、B)的光的发光元件 与发射上述多种颜色的光的发光元件，可W获得例如色纯度提高、耗电量降低的效果。另 夕F，也可W采用利用电极之间的光的共振效应的光学微谐振腔（micro optical resonator)(微腔)结构，W将各发光颜色的线宽变窄。此外，也可W通过与滤色片组合来制 造能够进行全彩色显示的发光装置。再者，也可W使用其中将本发明的一个方式的发光元 件的结构和串联结构组合的发光元件。
[0092] 再者，使用密封剂205将密封衬底206与元件衬底201贴合，来在由元件衬底201、密 封衬底206和密封剂205围绕的空间218中设置发光元件217。该空间218可W由惰性气体(如 氮气或氣气)或密封剂205填充。
[0093] 优选将环氧类树脂或玻璃粉用于密封剂205。运些材料优选尽量不使水分及氧透 过。作为密封衬底206,可W使用玻璃衬底、石英衬底或者由FRP(fiber-reinforced plastics:纤维增强的塑料）、PVF(polyvin^ fluoride:聚氣乙締）、聚醋、丙締酸类树脂等 形成的塑料衬底。在作为密封剂使用玻璃粉的情况下，为了高粘合性，元件衬底201及密封 衬底206优选为玻璃衬底。
[0094] 如上所述，可W制造有源矩阵型发光装置。注意，在本实施方式中说明了有源矩阵 型发光装置作为发光装置的一个例子，但是也可W制造使用在实施方式1中说明的本发明 的一个方式的发光元件的无源矩阵型发光装置。
[00%]注意，在制造有源矩阵型发光装置时，对晶体管(FET)的结构没有特别的限制。例 如，可W适当地使用交错型FET或反交错型FET。形成在FET衬底上的驱动电路可W由n型FET 和P型FET的双方形成，或者也可W由n型FET或P型FET中的只一方形成。并且，对用于FET的 半导体膜的结晶性也没有特别的限制。例如，可W使用非晶半导体膜、结晶半导体膜。半导 体材料的例子包括IV族半导体(例如，娃Km族半导体(例如，嫁）、化合物半导体(包括氧化 物半导体)W及有机半导体。
[0096] 注意，本实施方式所示的结构可W与其他实施方式所示的结构适当地组合。
[0097] 实施方式3
[0098] 在本实施方式中，参照图3A至3D、3〇/IW及30^2对使用应用本发明的一个方式的 发光元件的发光装置来制造的各种各样的电子设备的例子进行说明。
[0099] 具有上述发光装置的电子设备的例子包括电视装置（也称为电视机或电视接收 机）、用于计算机等的显示器、例如数码相机及数码摄像机的相机、数码相框、移动电话机 (也称为移动电话、移动电话装置）、便携式游戏机、便携式信息终端、声音再现装置、例如弹 珠机的大型游戏机。图3A至3D、3〇/l及3D/2示出运些电子设备的具体例子。
[0100] 图3A示出电视装置的例子。在电视装置7100中，框体7101中组装有显示部7103。由 显示部7103能够显示图像，并可W将发光装置用于显示部7103。此外，在此利用支架7105W 支撑框体7101。
[0101] 可W利用框体7101上的操作开关或遥控操作机7110进行电视装置7100的操作。通 过利用遥控操作机7110的操作键7109,可W控制频道及音量，并可W控制在显示部7103上 显示的图像。此外，遥控操作机7110可W设置有用来显示从该遥控操作机7110输出的数据 的显示部7107。
[0102] 注意，电视装置7100具备接收机及调制解调器等。通过利用接收机，可W接收一般 的电视广播。再者，当该电视装置通过调制解调器W有线或无线方式连接到通信网络时，可 W进行单向（从发送者到接收者)或双向（发送者和接收者之间或接收者之间）的信息通信。
[0103] 图3B示出一种计算机，该计算机包括主体7201、框体7202、显示部7203、键盘7204、 外接端口 7205、指向装置7206等。注意，该计算机可W通过将发光装置用于显示部7203来制 造。
[0104] 图3C示出一种智能手表，该智能手表包括框体7302、显示面板7304、操作按钮7311 及7312、连接端子7313、腕带7321、表带扣7322等。
[0105] 安装在用作框架(bezel)的框体7302中的显示面板7304具有非矩形状的显示区 域。显示面板7304可W显示表示时间的图标7305 W及其他图标7306等。
[0106] 图3C所示的智能手表可W具有各种功能，例如，在显示部分上显示多种信息（例 如，静态图像、动态图像、文本图像)的功能;触摸屏功能;显示日历、日期、时间等的功能；W 多种软件(程序)控制处理的功能;无线通信功能；W无线通信功能与多种计算机网络连接 的功能；W无线通信功能发送及接收多种数据的功能；W及读取存储于存储介质内的程序 或数据并且将该程序或数据显示于显示部分上的功能。
[0107] 框体7302可W包括扬声器、传感器(具有测量如下因素的功能：力量、位移、位置、 速度、加速度、角速度、转动数、距离、光、液、磁、溫度、化学物质、声音、时间、硬度、电场、电 流、电压、电力、福射线、流量、湿度、斜率、振动、气味或红外线）、麦克风等。另外，智能手表 可W通过将发光装置用于显示面板7304来制造。
[010引图3D示出移动电话机(例如，智能手机)的例子。移动电话机7400包括框体7401，该 框体7401中设置有显示部7402、麦克风7406、扬声器7405、摄像头7407、外部连接部7404、操 作按钮7403等。在将本发明的一个方式的发光元件形成在柔性衬底上的情况下，可W将该 发光元件用于具有如图3D所示的曲面的显示部7402。
[0109] 当用手指等触摸图3D所示的移动电话机7400的显示部7402时，可W对移动电话机 7400输入数据。另外，可W用手指等触摸显示部7402来进行例如打电话及制作电子邮件的 操作。
[0110] 显示部7402主要有S种屏幕模式。第一模式是W图像显示为主的显示模式。第二 模式是W文本等信息的输入为主的输入模式。第=模式是组合显示模式和输入模式的运两 个模式的显示-输入模式。
[0111] 例如，在打电话或编写电子邮件的情况下，在显示部7402中选择W文字输入为主 的文字输入模式，由此可W输入显示在屏幕上的文字。在此情况下，优选在显示部7402的几 乎整个屏幕上显示键盘或号码按钮。
[0112] 当在移动电话机7400内部设置有例如巧螺仪或加速度传感器的检测装置时，通过 判断移动电话机7400的方向（判断该移动电话机是纵向还是横向的），而可W对显示部7402 的屏幕上的显示进行自动切换。
[0113] 通过触摸显示部7402或利用框体7401的操作按钮7403进行操作，切换屏幕模式。 可W根据显示在显示部7402上的图像的类型而切换屏幕模式。例如，当显示在显示部上的 图像信号为运动图像数据的信号时，将屏幕模式切换为显示模式。当显示在显示部上的图 像信号为文字数据的信号时，将屏幕模式切换为输入模式。
[0114] 另外，在输入模式的情况下，当检测显示部7402的光传感器所检测的信号而在一 定期间内没有显示部7402的触摸输入时，也可W控制屏幕模式W将输入模式切换为显示模 式。
[0115] 显示部7402可W被用作图像传感器。例如，通过用手掌或手指触摸显示部7402拍 摄掌纹或指纹等的图像，来可W进行个人识别。另外，当发出近红外光的背光或发出近红外 光的传感用光源设置在显示部时，可W拍摄手指静脉、手掌静脉等的图像。
[0116] 再者，上述发光装置可W用于具有图30^1或图3D/2所示的结构的移动电话机，运 是移动电话机的另一结构(例如，智能手机）。
[0117] 另外，在采用图30^1或图3D/2所示的结构的情况下，不仅在框体7500(1)、框体 7500(2)的第一面7501(1)、7501(2)上，而且还在第二面7502(1)、7502(2)上能够显示文字 数据或图像数据等。借助于运种结构，使用者能够在将移动电话机收纳在上衣口袋中的状 态下容易确认在第二面7502(1)、7502(2)上显示的文字数据或图像数据等。
[0118] 如上所述，可W利用包括本发明的一个方式的发光元件的发光装置而得到电子设 备。注意，不局限于本实施方式所示的电子设备，上述发光装置可W用于各种领域的电子设 备中。
[0119] 本实施方式所示的结构可W与其他实施方式所示的结构适当地组合。
[0120] 实施方式4
[0121] 在本实施方式中，参照图4说明使用包括本发明的一个方式的发光元件的发光装 置的照明装置的例子。
[0122] 图4示出将发光装置用作室内照明装置8001的例子。因为发光装置可W具有大面 积，所W可W用于大面积的照明装置。此外，通过使用具有曲面的框体，也可W得到其发光 区域具有曲面的照明装置8002。包括在本实施方式所示的发光装置中的发光元件为薄膜 状，所W框体的设计自由度提高。因此，可W得到精屯、设计的照明装置。再者，室内的墙面也 可W设置有大型照明装置8003。
[0123] 当将发光装置用于桌子而将其用作桌子的表面时，可W得到具有桌子的功能的照 明装置8004。当将发光装置用作其他家具的一部分时，可W得到具有家具的功能的照明装 置。
[0124] 如上所述，可W得到包括发光装置的各种照明装置。运种照明装置也是本发明的 实施方式。
[0125] 本实施方式所示的结构可W与其他实施方式所示的结构适当地组合。
[0126] 实施例1
[0127] 在本实施例中，制造作为本发明的一个方式的发光元件的发光元件IW及用来比 较的比较发光元件2,并且对每一个发光元件的特性进行比较。
[0128] 虽然发光元件I和比较发光元件2都具有发射巧光的发光层(I)及发射憐光的发光 层（n )，但运些发光元件的发光层（n)的结构彼此不同。因为运些发光元件的除了发光层 (H)W外的结构相同，所W使用共同的符号一齐说明图5A的发光元件1的构成要素和图5B 的比较发光元件2的构成要素。注意，发光元件1的发光层（n)506b具有叠层结构，其中形成 在第二层506(b2)与第四层506(b4)之间的第S层506(b3)发射其发射峰波长比第二层506 (b2)和第四层506(b4)的每一个长的光。W下示出在本实施例中使用的材料的结构式和简 称。
[0129] [化学式1]
[0130
[0131][化学式2]
[0132]
[0133] 《发光元件I及比较发光元件2的制造》
[0134] 第一电极501是用作阳极的电极，并通过在折射率为1.84的玻璃衬底500上利用瓣 射法m 1 Onm的厚度沉积银锡氧化物(口0)而形成。电极面积为2mm X 2mm。
[0135] 作为预处理，用水洗涂衬底500的表面，然后进行370秒的UV臭氧处理。然后，将衬 底500放入被减压到1(T4化左右的真空蒸锻装置中，并在真空蒸锻装置内的加热室中W190 °C进行60分钟的真空赔烧，然后对衬底500进行30分钟左右的冷却。
[0136] 在第一电极501上依次形成化层503及第二电极502。注意，如图5A所示，发光元件1 中的化层503包括空穴注入层504、空穴传输层505、发光层506(发光层（I )506a及发光层 (11 )50613)、电子传输层507^及电子注入层508。发光层（11 )50613具有分别包含不同的物质 的多个层(506 (b 1)、506 (b2)、506(b3)及506(b4))的叠层。如图5B所示，比较发光元件2中的 发光层506包括其结构与发光元件1的发光层（n )506b不同的发光层（n )506b/。因此，在本 实施方式中，对发光元件1和比较发光元件2的共同部分一齐进行说明，只对不同的部分分 别进行说明。
[0137] 在将真空蒸锻装置减压到1〇-4化之后，Wl:0.5(=DBT3P-n :氧化钢）的质量比共 沉积1，3，5-S(二苯并嚷吩-4-基)-苯(简称:DBT3P- n )和氧化钢(VI)，来在第一电极501上 形成空穴注入层504。注意，该共蒸锻是指使多种不同的物质分别从不同的蒸发源同时蒸发 的蒸锻法。在发光元件1及比较发光元件2中的空穴注入层504的厚度为30nm。
[0138] 通过在空穴注入层504上沉积PCP化，形成厚度为IOnm的空穴传输层505。
[0139] 通过在空穴传输层505上W1:0.025 (= CgDBCzPA: 1，SmMemFLPAPrn)的质量比共沉 积7-[4-(10-苯基-9-蔥基)苯基]-7H-二苯并k，g]巧挫（简称:c曲BCzPA)和N，N'-双(3-甲 基苯基)-N，N' -双[3-(9-苯基-9H-巧-9-基）苯基]-巧-1，6-二胺（简称：1，6mMem化PAPrn)， 形成厚度为IOnm的发光层（I) 506a。
[0140] 图5A所示的发光元件1中的发光层（n)506b具有多个层的叠层，具体而言，具有第 一层506(bl)、第二层506(b2)、第=层506(b3) W及第四层506(b4)。第二层506(b2)、第=层 506(b3)W及第四层506(b4)能够发射由来自激基复合物的能量转移所产生的憐光。
[0141] 通过在发光层（I)50貼上W0.2:0.8( = 2mDBTBPDBq- n : PCBBiF)的质量比共沉积 2-[3 ' -(二苯并嚷吩-4-基)联苯-3-基]二苯并[f，h]哇喔嘟(简称:2mDBTBPDBq- n )和N-(1， 1'-联苯-4-基）-N-[4-(9-苯基-9H-巧挫-3-基）苯基]-9,9-二甲基-9护巧-2-胺（简称： PCBBi巧，形成厚度为2nm的第一层506(bl)。
[0142] 通过在第一层 506 (bl)上 W〇. 1:0.9 :0.06 ( = 2mDBTBPDBq-n =PCBBiF : [Ir (18啡9111)2(曰。曰。）])的质量比共沉积2111〇818?089-11、？〔881。、（乙酷丙酬）双（6-叔下基-4- 苯基喀晚)银(虹）（简称：[IrUBuppmMacac)])，形成厚度为5nm的第二层506化2)。
[0143] 通过在第二层 506 (b2)上 Wo. 1:0.9 :0.03 ( = 2mDBTBPDBq-n =PCBBiF: [Ir (血化口'-(1111口）2(曰。曰。）])的质量比共沉积2111〇818口089-11、口〔881。、双{4,6-二甲基-2-[5- (2，6-二甲基苯基）-3-(3，5-二甲基苯基）-2-化嗦基-KN]苯基-KC} (2，4-戊二酬根-K2O，0'） 银（虹）（简称：[Ir(血dppr-血pMacac)])，形成厚度为5nm的第S层506(b3)。
[0144] 通过在第S层506(b3)上W0.8:0.2:0.06( = 2mDBTBPDBq-n =PCBBiF: [Ir (tBuppm)2(acac)])的质量比共沉积2血BTBPDBq-E、PCBBiF、[I；T(tBuppm)2(acac)]，形成厚 度为20nm的第四层506(b4)。
[0145] 图5B所示的比较发光元件2中的发光层（n)506b/具有多个层的叠层，具体而言， 具有第一层506(bl)、第二层506(b2/ )W及第S层506(b3/ )。因为第一层506(bl)与发光元 件1中的第一层506(bl)相同，所W可^^相同的方式形成，并且省略对该第一层506化1)的 说明。
[0146] 通过在第一层 506 (bl)上 Wo. 1:0.9 :0.06 ( = 2mDBTBPDBq-n =PCBBiF: [Ir (dmdpp;r-dmp)2(acac)])的质量比共沉积2mDBTBPDBq-n、PCBBiF和[I;r(dmdpp;r-dmp)2 (acac)]，形成厚度为5nm的第二层506(b2')。
[0147] 通过在第二层 506 (b2')上 ^0.8:0.2 :0.06 (=2mDBTBPDBq-n =PCBBiF : [Ir (tBuppm)2(acac)])的质量比共沉积2mDBTBPDBq-^、PCBBiF和[I;r(1:Buppm)2(acac)]，形成 厚度为20nm的第S层506(b3')。
[0148] 通过在发光层（n )506b和5061/的每一个上W15皿的厚度沉积2血BTBPDBq-E，然 后Wl5nm的厚度蒸锻化hen(简称），来形成电子传输层507。
[0149] 通过在电子传输层507上Wlnm的厚度蒸锻氣化裡化iF)，形成电子注入层508。
[0150] 第二电极502是用作阴极的电极，并通过在电子注入层508上Wl :0.5的质量比共 沉积1皿厚的银(Ag)和儀(Mg),然后利用瓣射法沉积150皿厚的银而形成。注意，在上述所有 蒸锻过程中，利用电阻加热法进行蒸锻。
[0151] 虽然在图5A和5B中未图示，但是在包含氮气氛的手套箱中对所制造的发光元件1 及比较发光元件2进行密封，W使其不暴露于大气(具体而言，将密封材料涂敷在发光元件 的周围，W6J/cm2照射波长为365nm的紫外光，并且W80°C进行1小时的热处理）。
[0152] 表1示出如上述那样制造的发光元件1及比较发光元件2的元件结构。注意，在表1 中，至于发光元件1，*1表示发光层（1)506曰，*2、*3、*4及* 5分别表示包括在发光层（11 )5066中 的第一层506(bl)、第二层506(b2)、第S层506(b3)W及第四层506(b4)。此外，在表1中，至 于比较发光元件2，*2、*6及*5分别表示第一层506(bl)、第二层506(b2/)W及第S层506 化3')。
[0153] [表 1]
[0154]
[0155] *i^DBCzPA:l，6mMem^PAPrn(l:0.0^10nm)
[0156] *22mDBTBPDBq-II:PCBBiF(0.2:0.8 2nm)
[0157] *32mDBTBPDBq-II:PCBBiF:[Ir(tBuppm)2(acac)](0.1:0.9:0.06 5nm)
[0158] *42mDBTBPDBq-II:PCBBiF: [Ir(血dppr-dmp)2(acac) ] (0.1:0.9:0.03 5nm)
[0159] *52mDBTBPDBq-II:PCBBiF:[Ir(tBuppm)2(acac)](0.8:0.2:0.06 20nm)
[0160] *62mDBTBPDBq-II:PCBBiF: [Ir(血dppr-dmp)2(acac) ] (0.1:0.9:0.06 5nm)
[0161] 《发光元件1及比较发光元件2的元件特性》
[0162] 首先，使用折射率为1.78的接触液在所制造的发光元件1及比较发光元件2的每一 个的取出光一侧的衬底表面粘合折射率为2.0的半球形透镜。在室溫(保持为25°C的气氛） 下使用积分球测定上述发光元件的总光通量。表2示出其结果。注意，表2所示的结果是 lOOOcd/m2附近的发光元件1及比较发光元件2的主要特性的初期值。
[0163] 「亲 21
[0164]
[0165] 上述结果显示:在本实施例中制造的发光元件1具有高于比较发光元件2的外量子 效率。上述结果还显示:发光元件1发射其相关色溫在由日本工业标准(JIS)设定的相关色 溫范围（具体而言，2600K至7100K)中的白识灯的相关色溫(2600K至3250K)的范围内的光。
[0166] 图6示出当W3.75mA/cm2的电流密度施加于发光元件1及比较发光元件2时的运些 发光元件的驱动初期的发射光谱。如图6所示，发光元件1及比较发光元件2都在470nm附近、 547nm附近W及61化m附近具有发光峰值。运显示该发光峰值来源于从发光层（I)5(^a得到 的巧光发光W及从发光层（n )506b和50化/得到的憐光发光。
[0167] 注意，发光元件1与比较发光元件2之间的外量子效率的差异被认为起因于发光元 件1中的发光层（n)506b的叠层结构。运可W由如下事实得到解释:发光元件1中的在547nm 附近及613nm附近具有发光峰值的绿色光及红色光的强度大于比较发光元件2中的强度。
[0168] 换言之，形成发光元件1^使得在发光层（11 )5066中形成在第二层506化2)与第四 层506(b4)之间的第S层506(b3)发射其发射峰波长比第二层506(b2)及第四层506(b4)长 的光，由此能够抑制在第S层506(b3)中产生的激子扩散到其他层。运可能实现发光元件1 的发光效率的提高。
[0169] 再者，发光元件1的在470nm附近具有发光峰值的蓝色光的强度比比较发光元件2 小的原因可W说明如下:发光层（n)506b根据上述理由能够高效地发射憐光，并且向发光 层(I)506a的能量转移的几率下降。
[0170] 其结果是，发光元件1的巧光发光与憐光发光中的憐光发光的比例高于比较发光 元件2。运可能实现发光元件1的外量子效率的提高。
[0171] 图7示出发光元件1的可靠性测试的结果。在图7中，纵轴表示初始亮度为100%时 的归一化亮度（％)，横轴表示元件的驱动时间化）。注意，在可靠性测试中，在将初期亮度设 定为SOOOcdzV且电流密度为固定的条件下驱动发光元件1。该可靠性测试的结果显示:发 光元件1具有长寿命。
[0172] 在折射率为1.84的衬底上将具有与在本实施例中制造的发光元件1相同的结构的 元件形成为其发光面积为90mmX90mm，并对衬底的取出光的表面进行消光(打OSt), W制造 发光面积为90mmX90mm的照明装置。注意，用作阳极的ITO的厚度为7化m。所制造的照明装 置在亮度lOOOcd/V附近的一般显色指数(Ra)良好，即为84,且功率效率也非常高，即为 921m/W。另外，上述照明装置的色溫为2800K，运符合白识灯的色溫规格。
[0173] 实施例2
[0174] 在本实施例中，制造作为本发明的一个方式的发光元件的发光元件3,并且对该发 光元件的特性进行评价。注意，发光元件3具有与实施例1所示的发光元件1相同的结构，如 图5A所示，发光层（I)506a为发射巧光的层，且发光层（n)506b为发射憐光的层。发光层 (n )506b具有叠层结构，其中形成在第二层506(b2)与第四层506(b4)之间的第S层506 (b3)发射其发射峰波长比第二层506(b2)和第四层506(b4)的每一个长的光。W下示出在本 实施例中使用的材料的结构式和简称。
[0175] [化学式3]
[017
[0179] 《发光元件3的制造》
[0180] 第一电极501是用作阳极的电极，并通过在折射率为1.84的玻璃衬底500上利用瓣 射法W70nm的厚度形成包含氧化娃的铜锡氧化物(ITSO)而形成。电极面积为81cm2。对衬底 的取出光的表面进行消光。
[0181] 除了电极面积之外，本实施例所示的发光元件3的制造方法等与实施例1所示的发 光元件1及比较发光元件2相同。表3示出显示发光元件3的特性的元件结构，而省略详细的 说明。注意，从发光层（I)506a得到巧光，并且从包括在发光层（n)506b中的第二层506 (b2)、第S层506(b3)及第四层506(b4)与发光元件1同样地得到由来自激基复合物的能量 转移所产生的憐光。在表3中，至于发光元件3，*1表示发光层（1)506曰，*2、*3、* 4及*5分别表示 包括在发光层（n)506b中的第一层506(bl)、第二层506(b2)、第S层506(b3)W及第四层 506化4)。
[0182] [表 3]
[0183]
[0184] *1。曲BCzPA:l，6mMemFLPAPrn(1:0.0化 IOnm)
[0185] *22mDBTBPDBq-II:PCBBiF(0.2:0.8 2nm)
[01化]*32mDBTBPDBq-II:PCBBiF:[Ir(tBuppm)2(acac)](0.1:0.9:0.06 5nm)
[0187] *42mDBTBPDBq-II:PCBBiF: [Ir(血dppr-dmp)2(acac) ] (0.1:0.9:0.03 5nm)
[0188] *52mDBTBPDBq-II:PCBBiF:[Ir(tBuppm)2(acac)](0.7:0.3:0.06 20nm)
[0189] 《发光元件3的元件特性》
[0190] 在室溫(保持为25°C的气氛)下测定所制造的发光元件3的特性。图8及表4示出其 结果。注意，表4所示的结果是lOOOcd/m2附近的发光元件3的主要特性的初期值。
[0191] [表 4]
[0192]
[0193] 上述结果显示:在本实施例中制造的发光元件3具有与实施例1所制造的发光元件 1同样良好的外量子效率。上述结果还显示:发光元件3发射其相关色溫在由日本工业标准 (JIS)设定的相关色溫范围（具体而言，2600K至7100K)中的白识灯的相关色溫（2600K至 3250K)的范围内的光。
[0194] 图9示出当Wl. 2mA/cm2的电流密度施加于发光元件3时的该发光元件3的驱动初 期的发射光谱。如图9所示，发光元件3在470nm附近、547nm附近W及61化m附近具有发光峰 值。运显示该发光峰值来源于从发光层（I)506a得到的巧光发光W及从发光层（n )506b得 到的憐光发光。
[01M]本实施例所示的发光元件3的在61化m附近具有发光峰值的红色光的强度比在 470nm附近具有发光峰值的蓝色光的强度大得多。由此，抑制在发光元件3的发光层（E) 506b中形成在第二层506(b2)与第四层506(b4)之间的第=层506(b3)中产生的激子扩散到 其他层，并且提高巧光发光与憐光发光的发光中的憐光发光的比例。运可能实现外量子效 率的提高。
[0196] 实施例3
[0197] 在本实施例中，制造作为本发明的一个方式的发光元件的发光元件4,并且对该发 光元件4的特性进行评价。注意，发光元件4具有与实施例1所示的发光元件1相同的结构，如 图5A所示，发光层（I)506a为发射巧光的层，发光层（n)506b为发射憐光的层。发光层（E) 50化具有叠层结构，其中形成在第二层506(b2)与第四层506(b4)之间的第S层506(b3)发 射其发射峰波长比第二层506(b2)和第四层506(b4)的每一个长的光。W下示出在本实施例 中使用的材料的结构式和简称。
[019引[化学式引
[01
[02L-J L 1'。了_^、。」
[0201
[0202] 《发光元件4的制造》
[0203] 第一电极501是用作阳极的电极，并通过在玻璃衬底500上利用瓣射法WllO皿的 厚度形成包含氧化娃的铜锡氧化物（ITSO)而形成。电极面积为2mmX 2mm。
[0204] 本实施例所示的发光元件4的制造方法等与实施例1所示的发光元件I相同。表5示 出显示发光元件4的特性的元件结构，而省略详细的说明。注意，在发光元件4中，从发光层 (I)506a得到巧光，并且从包括在发光层（n)506b中的第二层506化2)、第=层506(b3)W及 第四层506(b4)得到由来自激基复合物的能量转移所产生的憐光。在表5中，至于发光元件 4，*1表示发光层（1)5063，*2、*3、*4及*5分别表示包括在发光层（11 )5066中的第一层506 (bl)、第二层506(b2)、第S层506(b3) W及第四层506(b4)。
[0205] 「亲 Fil
[0206]
[0207] 曲BCzPA:1,6mMem化PAPrn(2:0.05 IOnm)
[020引 *22mDBTBPDBq-II:PCBBiF(0.4:1.6 2nm)
[0209] *32mDBTBPDBq-II:PCBBiF: [Ir(dmppm-dmp)2(acac) ] (0.2:0.8:0.06 5nm)
[0210] *42mDBTBPDBq-II:PCBBiF: [Ir(血dppr-dmp)2(acac) ] (0.3:0.7:0.03 5nm)
[0211] *^mDBTBPDBq-II:PCBBiF:[Ir(tBuppm)2(acac)1(1.6:0.4:0.12 20nm)
[0212] 《发光元件4的元件特性》
[0213] 在室溫(保持为25°C的气氛)下测定所制造的发光元件4的特性。图10及表6示出其 结果。表6所示的结果是lOOOcd/m2附近的发光元件4的主要特性的初期值。
[0214] [表 6]
[0215]
[0216] 上巧结呆显不：仕本买施例甲制造的巧光兀件4具々局外重于巧準。上巧结呆化显 示:发光元件4发射其相关色溫在由日本工业标准(JIS)设定的相关色溫范围（具体而言， 2600K至7100K)中的白识灯的相关色溫(2600K至3250K)的范围内的光。
[0217] 图11示出当W3.75mA/cm2的电流密度施加于发光元件4时的该发光元件4的驱动 初期的发射光谱。如图11所示，发光元件4在469nm附近、550nm附近W及611nm附近具有发光 峰值。运显示该发光峰值来源于从发光层（I)506a得到的巧光发光W及从发光层（n)506b 得到的憐光发光。
[0218] 本实施例所示的发光元件4的在611nm附近具有发光峰值的红色光的强度比在 46化m附近具有发光峰值的蓝色光的强度大得多。由此，抑制在发光元件4的发光层（E) 506b中形成在第二层506(b2)与第四层506(b4)之间的第=层506(b3)中产生的激子扩散到 其他层，并且提高巧光发光与憐光发光的发光中的憐光发光的比例。运被认为实现外量子 效率的提高。
[0219] 在折射率为1.84的衬底上将具有与在本实施例中制造的发光元件4相同的结构的 元件形成为其发光面积为90mmX90mm，并对衬底的取出光的表面进行消光，W制造发光面 积为90mm X 90mm的照明装置。注意，用作阳极的ITO的厚度为70nm。所制造的照明装置在亮 度lOOOcd/m2附近的一般显色指数(Ra)良好，即为83,且功率效率也高，即为811m/W。另外， 上述照明装置的色溫为3200K，运符合暖白色的色溫规格。
[0220] 符号说明
[0221] 101:第一电极、102:第二电极、103:KJ1、104:空穴注入层、105:空穴传输层、106: 发光层、106a:发光层（I)、106b:发光层（n )、106(bl):第一层、106(b2):第二层、106(b3): 第=层、107:电子传输层、108:电子注入层、201:元件衬底、202:像素部、203:驱动电路部 (源极线驱动电路）、204a和204b:驱动电路部(栅极线驱动电路）、205:密封剂、206:密封衬 底、207:布线、208:FPC(柔性印刷电路）、209:阳1'、210少61'、211:开关用阳1'、212:电流控制 用阳T、213:第一电极（阳极）、214:绝缘物、215:化层、216:第二电极（阴极）、217:发光元件、 218:空间、500:衬底、501:第一电极、502:第二电极、503 :EL层、504:空穴注入层、505:空穴 传输层、506:发光层、506a:发光层（I)、506b:发光层（n )、506(bl):第一层、506(b2):第二 层、506(b3):第S层、506(b4):第四层、5061/ :发光层（n )、506(b2/ ):第二层、506(b3/ ):第 =层、507:电子传输层、508:电子注入层、7100:电视装置、7101:框体、7103:显示部、7105: 支架、7107:显示部、7109:操作键、7110:遥控操作机、7201:主体、7202:框体、7203:显示部、 7204:键盘、7205:外接端口、7206:指向装置、7302:框体、7304:显示面板、7305:表示时间的 图标、7306:其他图标、7311:操作按钮、7312:操作按钮、7313:连接端子、7321:腕带、7322: 表带扣、7400:移动电话机、7401:框体、7402:显示部、7403:操作按钮、7404:外部连接部、 7405:扬声器、7406:麦克风、7407:摄像头、7500(1)和7500(2):框体、7501(1)和7501 (2):第 一面、7502(1)和7502(2):第二面、8001:照明装置、8002:照明装置、8003:照明装置、8004: 照明装置
[0222] 本申请基于2013年12月2日由日本专利局受理的日本专利申请第2013-249206号 W及2014年5月15日由日本专利局受理的日本专利申请第2014-101046号，其全部内容通过 引用纳入本文。
【主权项】
1. 一种发光元件，包括： 发射荧光的第一发光层及发射磷光的第二发光层的叠层，所述叠层位于一对电极之 间， 其中所述第二发光层包括形成激基复合物的第一层、形成激基复合物的第二层以及形 成激基复合物的第三层， 其中所述第二层位于所述第一层上，且所述第三层位于所述第二层上， 其中所述第二层接触于所述第一层及所述第三层，并且 其中所述第二层的发射峰波长比所述第一层的发射峰波长及所述第三层的发射峰波 长长。2. 根据权利要求1所述的发光元件， 其中所述第一发光层与所述第二发光层彼此接触。3. -种发光装置，包括： 包括根据权利要求1所述的发光元件的像素部； 与所述像素部电连接的驱动电路；以及 与所述驱动电路电连接的柔性印刷电路。4. 一种包括根据权利要求1所述的发光元件的照明装置。5. -种发光元件，包括： 第一发光层及第二发光层的叠层，所述叠层位于一对电极之间， 其中所述第一发光层包含荧光发光物质， 其中所述第二发光层包括第一层、所述第一层上的第二层以及所述第二层上的第三 层， 其中所述第一层、所述第二层以及所述第三层都包含磷光发光物质， 其中所述第二层的发射峰波长比所述第一层的发射峰波长及所述第三层的发射峰波 长长，并且 其中所述第一发光层与所述第二发光层彼此接触。6. 根据权利要求5所述的发光元件， 其中所述第二层接触于所述第一层及所述第三层。7. 根据权利要求5所述的发光元件， 其中所述第一层、所述第二层以及所述第三层都包含形成激基复合物的物质。8. 根据权利要求5所述的发光元件， 其中所述第一层和所述第三层包含形成激基复合物的相同物质，并且 其中所述第一层中的所述磷光发光物质与所述第三层中的所述磷光发光物质是相同 的磷光发光物质。9. 根据权利要求5所述的发光元件， 其中所述第一层、所述第二层以及所述第三层包含形成激基复合物的相同物质。10. 根据权利要求5所述的发光元件， 其中所述第一发光层包含主体材料，并且 其中所述主体材料的T1能级低于所述荧光发光物质的T1能级。11. 一种发光装置，包括： 包括根据权利要求5所述的发光元件的像素部； 与所述像素部电连接的驱动电路；以及 与所述驱动电路电连接的柔性印刷电路。12. -种包括根据权利要求5所述的发光元件的照明装置。13. -种发光元件，包括： 第一发光层及第二发光层的叠层，所述叠层位于一对电极之间， 其中所述第一发光层包含荧光发光物质， 其中所述第二发光层包括第一层、所述第一层上的第二层以及所述第二层上的第三 层， 其中所述第一层、所述第二层以及所述第三层都包含磷光发光物质， 其中所述第二层的发射峰波长比所述第一层及所述第三层的发射峰波长长，并且 其中所述第二发光层的所述第一层的发射峰波长比所述第一发光层的发射峰波长长。14. 根据权利要求13所述的发光元件， 其中所述第二层接触于所述第一层及所述第三层。15. 根据权利要求13所述的发光元件， 其中所述第一发光层与所述第二发光层彼此接触。16. 根据权利要求13所述的发光元件， 其中所述第一层、所述第二层以及所述第三层都包含形成激基复合物的物质。17. 根据权利要求13所述的发光元件， 其中所述第一层和所述第三层包含形成激基复合物的相同物质，并且 其中所述第一层中的所述磷光发光物质与所述第三层中的所述磷光发光物质是相同 的磷光发光物质。18. 根据权利要求13所述的发光元件， 其中所述第一层、所述第二层以及所述第三层包含形成激基复合物的相同物质。19. 根据权利要求13所述的发光元件， 其中所述第一发光层包含主体材料，并且 其中所述主体材料的T1能级低于所述荧光发光物质的T1能级。20. 根据权利要求13所述的发光元件， 其中所述第一发光层发射蓝色光， 其中所述第二发光层的所述第一层发射绿色光， 其中所述第二发光层的所述第二层发射红色光，并且 其中所述第二发光层的所述第三层发射绿色光。21. -种发光装置，包括： 包括根据权利要求13所述的发光元件的像素部； 与所述像素部电连接的驱动电路；以及 与所述驱动电路电连接的柔性印刷电路。22. -种包括根据权利要求13所述的发光元件的照明装置。
【文档编号】H01L51/50GK105981191SQ201480065826
【公开日】2016年9月28日
【申请日】2014年11月19日
【发明人】川田琢也, 大泽信晴, 野中裕介, 石曾根崇浩, 濑尾哲史
【申请人】株式会社半导体能源研究所