形成电活性层的体系的制作方法

形成电活性层的体系的制作方法
【专利摘要】本文提供了一种用于形成电活性层的电活性体系。所述体系包含：(a)第一电活性材料；(b)促进添加剂；和(c)第一液体介质。所述促进添加剂在焙烧期间以足以使得由其制成的电活性层能够在所述电活性体系沉积并在小于350℃的温度下焙烧预定的时间之后有效抵抗与施用于其上的第二液体介质混合的量存在。
【专利说明】
形成电活性层的体系
[0001] 要求在先申请的权益
[0002] 本申请要求2013年12月13日提交的美国临时申请61/915,587的权益，将所述文献 全文W引用方式并入本文。
技术领域
[0003] 本公开设及新型电活性体系。本公开还设及具有使用此类电活性体系制成的至少 一个活性层的电子器件。
【背景技术】
[0004] 在构成OLm)显示器的有机光活性电子器件诸如有机发光二极管（"OLE护）中，一个 或多个电活性层夹于两个电接触层之间。在OL邸中，当在整个电接触层上施加电压时，有机 光活性层透过透光的电接触层发射光。
[0005] 在发光二极管中将有机电致发光化合物用作光活性组分是熟知的。已使用简单的 有机分子、共辆聚合物和有机金属配合物。采用电致发光材料的器件通常包括一个或多个 添加的电活性层，所述电活性层定位在电致发光层和接触层之间。空穴传输层可W位于电 致发光层与空穴注入接触层之间。空穴注入接触层也可称为阳极。电子传输层可位于电致 发光层与电子注入接触层之间。电子注入接触层也可称为阴极。
[0006] 对用于电子器件中的电活性材料W及形成所述电活性材料的方式存在持续需求。

【发明内容】

[0007] 本文提供了用于形成电活性层的电活性体系，其包括：
[000引（a)第一电活性材料；
[0009] (b)促进添加剂;和
[0010] (C)第一液体介质；
[0011] 其中所述促进添加剂在赔烧期间W足W使得由其制成的电活性层能够在所述电 活性体系被沉积并在小于35(TC的溫度下赔烧预定的时间之后有效抵抗与施用于其上的第 二液体介质混合的量存在。
[0012] 本文还提供用于形成电子器件的方法，所述电子器件包括由所述电活性体系形成 的电活性层。
[0013] W上一般描述和下列【具体实施方式】仅是示例性和说明性的而不是对本发明进行 限制，本发明如所附权利要求中所限定。
【附图说明】
[0014] 附图中示出了实施方案，W增进对本文所示概念的理解。
[0015] 图IA示出空穴传输材料的光致发光光谱。
[0016] 图IB示出发光材料的光致发光光谱。
[0017] 图2A示出得自一个光致发光测试的光致发光光谱。
[0018] 图2B示出得自另一个光致发光测试的光致发光光谱。
[0019] 图3示出与图1-2的光谱的叠加图。
[0020] 图4包括有机电子器件的一个示例的示意图。
[0021] 图5包括有机电子器件的另一个示意图。
[0022] 技术人员理解，图中的物体是W简洁明了的方式示出的，而不一定按比例绘制。例 如，图中一些物体的尺寸相对于其它物体可能有所放大，W便于增进对实施方案的理解。
【具体实施方式】
[0023] 本文提供了用于形成电活性层的电活性体系，其包括：
[0024] (a)第一电活性材料；
[0025] (b)促进添加剂;和
[00%] (C)第一液体介质；
[0027] 其中所述促进添加剂在赔烧期间W足W使得由其制成的电活性层能够在所述电 活性体系被沉积并在小于35(TC的溫度下赔烧预定的时间之后有效抵抗与施用于其上的第 二液体介质混合的量存在。
[0028] 本文还提供用于形成电子器件的方法，所述电子器件包括电活性层。
[0029] 许多方面和实施方案已描述于上文中，并且仅是示例性的和非限制性的。在阅读 本说明书后，技术人员应认识到，在不脱离本发明范围的情况下，其它方面和实施方案也是 可能的。
[0030] 根据W下【具体实施方式】和权利要求书，任何一个或多个实施方案的其它特征和益 处将显而易见。【具体实施方式】首先提出了术语的定义和说明，接着是电活性体系、方法、电 子器件，最后是实施例。
[00川 1.术语的定义和解释
[0032] 在陈述下文实施方案详情之前，先定义或阐明一些术语。
[0033] 如本文所用，术语"烷基"包括支链和直链的饱和脂族控基。除非另外指明，该术语 也旨在包括环状的基团。烷基基团的示例包括甲基、乙基、丙基、异丙基、异下基、仲下基、叔 下基、戊基、异戊基、新戊基、环戊基、己基、环己基、异己基等。术语"烷基"还包括被取代和 未被取代的控基两者。在一些实施方案中，该烷基基团可W是单取代的、二取代的和=取代 的。取代的烷基基团的一个示例是=氣甲基。其它被取代的烷基基团由本文所述的一个或 多个取代基形成。在某些实施方案中，烷基基团具有1至20个碳原子。在其它实施方案中，所 述基团具有1至6个碳原子。该术语旨在包括杂烷基基团。杂烷基基团可具有1-20个碳原子。
[0034] 术语"芳基"是指芳族碳环部分，其可W是一个环(单环)或稠合在一起或共价连接 的多个环（二环或更多）。该芳基部分的任何合适的环位置可共价地连接到限定的化学结 构。芳基部分的示例包括但不限于苯基、1-糞基、2-糞基、二氨糞基、四氨糞基、联苯基、蔥 基、菲基、巧基、巧满基、二亚苯基、起基、起締基等。在一些实施方案中，芳基具有6至60个碳 原子;在一些实施方案中具有6至30个碳原子。该术语旨在包括杂芳基。杂芳基基团可具有 4-50个碳原子;在一些实施方案中，具有4-30个碳原子。
[0035] 术语"烷氧基"旨在表示其中R为烷基的-OR基团。
[0036] 术语"芳氧基"旨在表示其中R为芳基-OR基团。
[0037] 除非另外指明，所有基团均可W是取代的或未取代的。示例性取代基包括D、F、烧 基、甲娃烷基、烷氧基、甲娃烷氧基、芳基、芳氧基、気代烷基、気代甲娃烷基、気代烷氧基、気 代甲娃烷氧基、気代芳基、気代芳氧基、W及它们的组合。在一些实施方案中，取代基为D、F、 烷基、或気代烷基。
[003引术语"赔烧"及其动词变体是指将材料、构件或结构暴露于加热环境的过程。赔烧 溫度是环境溫度。材料、构件或结构可W或可W不达到赔烧溫度。
[0039] 当设及层、材料、构件、或结构时，术语"电荷传输"旨在表示此类层、材料、构件、或 结构促进此类电荷W相对高的效率和小的电荷损失穿过此类层、材料、构件、或结构的厚度 进行迁移。空穴传输材料有利于正电荷；电子传输材料有利于负电荷。虽然发光材料也可具 有某些电荷传输特性，但术语"电荷传输层、材料、构件或结构"并不旨在包括其主要功能为 发光的层、材料、构件或结构。
[0040] 术语"化合物"旨在表示由分子组成的不带电物质，所述分子又由原子组成，其中 原子不能通过不破坏化学键的物理方法与其对应的分子分离。该术语旨在包括低聚物和聚 合物。
[0041] 术语"交联"旨在表示形成连接两个或更多个相邻化合物或聚合物链的共价键。术 语"可交联基团"或"交联基团"旨在表示可经由热处理或暴露于福射导致交联的基团。在一 些实施方案中，该福射为紫外光或可见光。示例性可交联基团包括但不限于乙締基、丙締酸 醋、全氣乙締基酸、1-苯并-3,4-环下烧、硅氧烷、氯酸醋基团、环酸(环氧化物）、环締控、W 及烘基团。
[0042] 术语"渗杂剂"旨在表示包括主体材料的层内材料，与不存在此类材料时所述层的 福射发射、接收、或过滤的一种或多种电特性或一种或多种波长相比，所述渗杂剂改变了所 述层的福射发射、接收、或过滤的一种或多种电特性或一种或多种目标波长。
[0043] 当设及层或材料时，术语"电活性"旨在表示电性促进器件运作的层或材料。电活 性材料的示例包括但不限于传导、注入、传输或阻断电荷的材料，其中电荷可为负的（电子） 或正的（空穴），或当接受福射时发射福射或表现出电子-空穴对浓度变化的材料。非活性材 料的示例包括但不限于平面化材料、绝缘材料、W及环境阻挡材料。
[0044] 前缀"氣代"旨在表示基团中的一个或多个氨被氣置换。
[0045] 前缀"杂"表示一个或多个碳原子被不同的原子置换。在一些实施方案中，杂原子 为0、N、S或它们的组合。
[0046] 术语"主体材料"旨在表示用于具有渗杂剂的光活性层中的基质材料。主体材料可 具有或可不具有发射、接收、或过滤福射的一种或多种电子特性或能力。主体材料W比光活 性层中的渗杂剂更大的浓度存在。
[0047] 术语"液体组合物"旨在表示其中材料溶解形成溶液的液体介质，其中材料分散形 成分散体的液体介质，或其中材料悬浮形成悬浮液或乳液的液体介质。
[0048] 术语"液体介质"旨在表示液体材料，其包括纯液体和液体的组合。无论是存在一 种还是多种溶剂，液体介质均W单一形式存在。
[0049] 术语"光活性"旨在表示被所施加的电压激活时发光(如在发光二极管或化学电池 中），或者相应于福射能并且在或不在所施加的偏压下产生信号(如在光电探测器或光伏电 池中）的材料。
[0050]术语"聚合物"旨在表示具有至少一种重复单体单元的材料。该术语包括只有一种 单体单元的均聚物，W及具有两种或更多种不同单体单元的共聚物。共聚物为聚合物的子 集。在一些实施方案中，聚合物具有至少5个重复单元;在一些实施方案中，至少10个重复单 元;在一些实施方案中，至少20个重复单元。在一些实施方案中，所述聚合物具有大于10， 000的数均分子量。在一些实施方案中，所述聚合物具有大于50,000的数均分子量。在一些 实施方案中，所述聚合物具有大于100,000的数均分子量。
[0051 ] 术语"硅氧烷"是指基团（RO)i-3(R'）2-oSi-，其中R和R'相同或不同并且为H、D、C1- 20烷基、氣代烷基、気代烷基或気代氣烷基。
[(K)对术语"甲硅烷氧堂'是指基团RsSiO-,其中R为H、D、Cl-20烷基、氣代烷基、芳基、気 代烷基、気代氣烷基、或気代芳基。在一些实施方案中，R烷基基团中的一个或多个碳被Si替 换。
[00对术语"甲娃烷基"是指基团RsSi-,其中R为H、D、Cl-20烷基、氣代烷基、芳基、気代烧 基、気代氣烷基、或気代芳基。在一些实施方案中，R烷基基团中的一个或多个碳被Si替换。 在一些实施方案中，甲娃烷基基团是（己基）2Si(Me)CH2C此Si(Me)2-和[CF3(CF2)6C此CH2] 2SiMe-〇
[0054] 术语"工件"旨在表示工序的任何特定点处的基底。注意到，基底在工序期间可能 没有显著的变化，而工件在工序期间显著变化。例如，在工序开始时，基底和工件是相同的。 在基底上形成层后，基底没有变化，但是工件现包括基底和层。
[0055] 当用于指器件中的层时，短语"邻近"并非一定表示一层紧接另一层。另一方面，短 语"相邻的R基团"用来指化学式中彼此紧接的R基团（即，通过键结合的原子上的R基团）。
[0056] 除非另外指明，全部基团可W是未取代的或被取代的。在一些实施方案中，所述取 代基选自気、面离子、烷基、烷氧基、芳基、氨基、甲娃烷基、和氯基。
[0057] 在本说明书中，除非在使用情形下另外明确指明或指出相反情况，本发明主题的 实施方案被论述或描述为包含、包括、含有、具有一些特征或要素、由一些特征或要素组成 或构成，除明确论述或描述的那些特征或要素 W外的一种或多种特征或要素也可存在于实 施方案中。所公开的本发明主题的一个可供选择的实施方案被描述为基本上由某些特征或 要素组成，则其中将会显著地改变操作原理或实施方案显著特性的实施方案特征或要素不 存在于其中。本发明所述的主题的另一个另选的实施方案被描述为基本上由某些特征或要 素组成，在所述实施方案或其非实质性变型中，仅存在所具体论述或描述的特征或要素。
[0058] 此外，除非明确指明相反，"或"是指包含性的"或"而非排他性的"或"。例如，下列 任一项均满足条件A或B:A为真实的（或存在的）且B为虚假的（或不存在的），A为虚假的（或 不存在的)且B为真实的(或存在的），W及A和B均为真实的(或存在的）。
[0059] 而且，"一个"或"一种"用于描述本文所述的成分和组分。运样做仅是为了方便并 且对本发明的范围提供一般性意义。此描述应被理解为包括一个或至少一个、一种或至少 一种，并且单数也包括复数，除非明显地另指它意。
[0060] 对应于元素周期表内列的族序号的使用参见乂RC化n化ook of化emis化y and Physics"，第81版(2000-2001)中所述的"新命名法"公约。
[0061] 除非另外定义，否则本文所用的所有技术和科学术语的含义均与本发明所属领域 的普通技术人员通常理解的一样。尽管与本文所述的那些方法和材料的类似者或等同者均 可用于本发明实施方案的实践或测试，但合适的方法和材料如下文所述。如发生矛盾，W本 说明书及其所包括的定义为准。此外，材料、方法和示例只是例证性的，而不是限制性的。 [0062]本文未描述的有关特定材料、加工方法和电路的许多细节均是常规的并且可W在 有机发光二极管显示器、光电探测器、光伏和半导体构件领域的教科书和其它来源中找到。 [00创 2.电活性体系
[0064] 如本文所用，术语"电活性体系"旨在表示通过液体沉积在器件中形成电活性层所 必要的组分。
[0065] 在一些实施方案中，电活性体系包括电活性材料、促进添加剂、和第一液体介质， 其中当形成电活性层时，所述促进添加剂与电活性材料并列。所谓"并列"是指促进添加剂 足够靠近电活性材料W影响电活性层的形成。
[0066] 在一些实施方案中，电活性体系是包含电活性材料、促进添加剂和第一液体介质 的组合物。
[0067] 在一些实施方案中，电活性体系是仅包含电活性材料、促进添加剂和第一液体介 质的组合物，其中可实质上改变组合物的功能、操作原理或区别特征的组分不存在。
[0068] 在一些实施方案中，电活性材料存在于第一液体介质中，并且促进添加剂作为单 独层存在。
[0069] 在一些实施方案中，电活性材料存在于第一液体介质中，并且促进添加剂W蒸气 状态存在。
[0070] 在一些实施方案中，所述电活性材料为聚合物。
[0071 ]在一些实施方案中，所述电活性材料为低聚物。
[0072] 在一些实施方案中，所述电活性材料为小分子。
[0073] 在一些实施方案中，所述电活性材料为具有至少一个可交联基团的小分子。
[0074] 在一些实施方案中，所述电活性材料包括空穴传输材料。
[0075] 在一些实施方案中，所述电活性材料包括光活性材料。
[0076] 在一些实施方案中，其中所述电活性材料包含至少一种光活性材料和至少一种主 体材料。
[0077] (a)空穴传输材料
[0078] 在一些实施方案中，所述第一电活性材料包括空穴传输材料。
[0079] 具有空穴传输特性的任何材料均可用于空穴传输体系中。
[0080] 在一些实施方案中，空穴传输材料为小分子。在一些实施方案中，小分子具有小于 1000的分子量。
[0081] 在一些实施方案中，空穴传输材料是具有2-5个重复单元的低聚物。
[0082] 在一些实施方案中，空穴传输材料是空穴传输聚合物，其可W为均聚物或共聚物。
[0083] 在一些实施方案中，空穴传输聚合物具有可交联基团。
[0084] 在一些实施方案中，空穴传输聚合物不具有可交联基团。
[0085] 在一些实施方案中，空穴传输材料是気代的。术语"気代"旨在表示至少一个H已被 D置换。术语"気代类似物"是指其中一个或多个可获得的氨已被気置换的材料或基团的结 构类似物。在気代材料或気代类似物中，気W天然丰度的至少100倍存在。在一些实施方案 中，材料是至少10%気代的。"気代％"或"気化％"是指気核与质子加気核的总和的比率，W 百分比表示。在一些实施方案中，所述材料为至少20%気代的；在一些实施方案中为至少 30 %気代的;在一些实施方案中为至少40 %気代的;在一些实施方案中为至少50 %気代的； 在一些实施方案中为至少60%気代的；在一些实施方案中为至少70%気代的；在一些实施 方案中为至少80 %気代的；在一些实施方案中为至少90%気代的；在一些实施方案中为 100%気代的。在空穴传输低聚物或聚合物中，気代可在整个低聚物或聚合物中在主链上或 取代基上存在。
[0086] 在一些实施方案中，空穴传输材料具有选自芳氨基、巧挫和它们的组合的一个或 多个基团。在空穴传输低聚物或聚合物中，基团可作为主链的部分或作为侧链存在。
[0087] 在一些实施方案中，空穴传输材料是具有多个芳氨基基团和多个巧基团的低聚物 或聚合物。
[0088] 在一些实施方案中，空穴传输材料是一个或多个芳氨基单体和一个或多个巧单体 的共聚物。
[0089] 在一些实施方案中，空穴传输材料具有式I
[0090]
()
[0091] 其中：
[0092] Ar在每次出现时相同或不同并且为芳基或気代芳基基团；
[0093] X在每次出现时相同或不同并且选自单键、芳基基团、W及気代芳基基团；
[0094] n为大于0的整数;并且
[00M] *表示附接点、H、D、面离子、芳基或気代芳基；
[0096] 前提条件是当n = l时，X =芳基或気代芳基。
[0097] 示例性芳基基团包括苯基、糞基、蔥基、共价连接在一起的此类基团的组合、W及 它们的気代类似物。
[009引在一些实施方案中，空穴传输材料具有式II
[0099] 印）
[0100] 其中：
[0101] L在每次出现时相同或不同，并且选自芳基、（CR'2)。、金刚烷基、二环环己基、具有 通过单个原子连接的脂族环的二环基团、W及它们的気代类似物；
[0102] R'在每次出现时相同或不同并且选自H、D、烷基、氣代烷基、芳基、気代烷基、気代 氣烷基和気気代芳基；
[0103] C 为 1-5;
[0104] m为0、1或2;并且
[01化]A;r、X、n和*如上定义。
[0106] 在一些实施方案中，L选自多环芳族基团、由单键连接的两个或更多个多环芳族基 团、它们的取代类似物、它们的気代类似物、W及它们的取代的気代类似物。
[0107] 在一些实施方案中，L选自苯基、糞基、蔥基、联苯基、联糞基、蔥基、联蔥基、它们的 取代的类似物、它们的気代类似物、它们的取代的気代类似物、W及通过单键连接在一起的 两个或更多个此类基团。
[0108] 在一些实施方案中，L选自苯基、糞基、蔥基、联苯基、联糞基、蔥基、联蔥基、它们的 取代的类似物、它们的気代类似物、W及它们的取代的気代类似物。
[01091 立一此立施古安出航冰巧亦i去输W料为具有式HI的共聚物 (III)
[0110：
[01川其中：
[0112] M在每次出现时相同或不同，并且为芳族单体单元或気代的芳族单体单元，
[0113] a和b为相对摩尔分数，使得a+b = 1，并且
[0114] Ar、X和*如上定义。
[0115] 在一些实施方案中，M选自巧、螺二巧、=芳基胺、巧挫、共价连接在一起的一个或 多个碳环基团，其中所述碳环基团选自苯基、糞基、蔥基、它们的気代类似物、W及它们的组 合。
[0116] 在一些实施方案中，所述空穴传输材料为具有式IV的共聚物
[0117]
[011 引
[0119]
[0120] (V)
[0121] 其中：
[0122] Ari在每次出现时相同或不同，并且选自亚苯基、被取代的亚苯基、亚糞基、被取代 的亚糞基、W及它们的気代类似物；
[0123] Ar2在每次出现时相同或不同并且为芳基基团或気代芳基基团；
[0124] M在每次出现时相同或不同，并且为共辆部分或気代的共辆部分；
[0125] Tl和T2在每次出现时独立地相同或不同并且为W非平面构型连接的共辆部分或其 気代类似物；
[01%] a在每次出现时相同或不同，并且为1至6的整数；
[0127] e在每次出现时相同或不同，并且为1至6的整数；
[01巧]n为大于0的整数;并且
[0129] *表示附接点、H、D、面离子、芳基或気代芳基。
[0130] 在一些实施方案中，空穴传输聚合物具有式VI
[01 別]
(VI)
[0132] 其中：
[0133] M在每次出现时相同或不同，并且为共辆部分或気代的共辆部分；
[0134] b、C和d为摩尔分数，使得b+c+d = 1.0，前提条件是C不为零，并且b和d中至少一个 不为零，并且当b为零时，M包含至少两个=芳基胺单元；
[013引 4八4'2、1'1^2、日、6和*如上定义。
[0136] 在式V或式VI的一些实施方案中，[Ti-T2]为取代的亚联苯基基团、或它们的気代类 似物。术语"亚联苯基"旨在表示对化合物主链具有两个附接点的联苯基。术语"联苯基"旨 在表示具有两个由单键连接的苯基单元的基团。亚联苯基可附接2位、3位、4位或5位中的一 个，W及2'位、3'位、4'位或5'位中的一个。取代的亚联苯基在2位上具有至少一个取代基。 在一些实施方案中，亚联苯基至少在2位和2 '位上具有取代基。在一些实施方案中，取代基 为烷基基团、芳基基团、或它们的気代类似物。
[0137] 在一些实施方案中，[Ti-T2]为二亚糞基基团、或気代二亚糞基基团。术语"二亚糞 基"旨在表示对化合物主链具有2个附接点的二糞基。术语"联糞基"旨在表示具有两个由单 键连接的糞单元的基团。在一些实施方案中，二亚糞基为l，r-二亚糞基，其W3位、4位、5 位、6位或7位中的一个W及3'位、4'位、5'位、6'位或7'位中的一个附接到化合物主链上。其 示于下文中，其中虚线表示可能的附接点。
[0
[0139]在一些实施方案中，二亚糞基为在8位或9'位具有至少一个取代基的I，2'-二亚糞 基，并且其W3位、4位、5位、6位或7位中的一个W及4'位、5'位、6'位、7'位或8'位中的一个 附接到化合物主链上。其示于下文中，其中虚线表示可能的附接点，并且至少一个R代表取 代基。
[014C
[0141] 在一些实施方案中，二亚糞基为在8位或9'位具有至少一个取代基的2,2'-二亚糞 基，并且其W4位、5位、6位、7位或8位中的一个W及4'位、5'位、6'位、7'位或8'位中的一个 附接到化合物主链上。其示于下文中，其中虚线表示可能的附接点，并且至少一个R代表取
代基。
[0142]
[0143] 1丄^乂/皿/J^下，Lll」パ^/+、巧^'承巧巧凹、巧<vlVl、^/+、巧^糞基基团。在 一些实施方案中，[Ti-T2]为亚苯基-1-亚糞基基团，其W亚苯基3位、4位或5位中的一个W及 亚糞基3位、4位或5位中的一个附接到化合物主链上。在一些实施方案中，[Ti-T2]为亚苯基- 2-亚糞基基团，其W亚苯基3位、4位或5位中的一个W及亚糞基4位、5位、6位、7位或8位中的 一个附接到化合物主链上。
[0144] 在一些实施方案中，亚联苯基、二亚糞基和亚苯基-亚糞基基团在一个或多个位置 上被取代的。
[0145] 在一些实施方案中，[Ti-T2]选自下列之一：
[0146]
[0147]
[0148] 其中R相同或不同，并且选自烷基、芳基、烷氧基、芳氧基、氣代烷基、氣代芳基、氣 代芳氧基、氣代烷氧基、氧烷基、締基基团、甲娃烷基、硅氧烷、W及它们的気代类似物。上述 任何基团也均可W是気代的。
[0149] 在一些实施方案中，空穴传输材料具有式VII
[0150]
[0151] 其中；
[0152] Ari和Ar2相同或不同并且为芳基基团或気代芳基基团；
[0153] Ri至R5在每次出现时独立地相同或不同并且选自D、F、烷基、芳基、烷氧基、甲硅烷 基、可交联的基团、気代烷基、気代芳基、気代烷氧基、気代甲娃烷基、W及它们的気代可交 联基团；
[0154] R6在每次出现时相同或不同并且选自H、D和面素；
[01W] k在每次出现时相同或不同并且为0至4的整数；
[0156] f 为1或2;
[0157] g为0、1 或2;
[0158] h为1或2;并且
[0159] n为大于0的整数。
[0160] 空穴传输聚合物的上述实施方案中的任一项可与其它实施方案中的一个或多个 组合，只要它们不是互相排斥的。例如，其中空穴传输材料为聚合物的实施方案可与其中空 穴传输材料是気代的实施方案W及其中空穴传输材料具有式I并且Ar为苯基的实施方案组 合。对于上文所论述的其它非相互排斥的实施方案而言同样适用。技术人员将理解哪些实 施方案互相排斥，并将因此能够容易地确定由本申请中的空穴传输聚合物所预期的实施方 案的组合。
[0161] (b)光活性材料
[0162] 在一些实施方案中，所述第一电活性材料包括光活性材料。
[0163] 在一些实施方案中，第一电活性材料仅包含光活性材料，其中可实质上改变材料 的功能、操作原理或区别特征的组分不存在。
[0164] 在一些实施方案中，第一电活性材料为包括下列的组合物：（a)主体化合物和(b) 能够电致发光的光活性渗杂剂，所述渗杂剂具有介于380和750nm之间的发射最大值。在一 些实施方案中，组合物仅包含(a)主体化合物和(b)具有介于380和750nm之间的发射最大值 的能够电致发光的光活性渗杂剂，其中可实质上改变组合物的操作原理或区别特征的组分 不存在。
[0165] 在一些实施方案中，第一电活性材料为包括下列的组合物：（a)第一主体化合物， (b)具有介于380和750nm之间的发射最大值的能够电致发光的光活性渗杂剂，W及(C)第二 主体材料。在一些实施方案中，组合物仅包含(a)第一主体化合物，（b)具有介于380和750nm 之间的发射最大值的能够电致发光的光活性渗杂剂，W及(C)第二主体材料，其中可实质上 改变组合物的操作原理或区别特征的组分不存在。
[0166] 组合物中存在的光活性渗杂剂的量基于所述组合物的总重量计一般在3-20重 量％范围内；在一些实施方案中，5-15重量％。当存在第二主体时，第一主体与第二主体的 比率一般在1:20至20:1范围内；在一些实施方案中在5:15至15:5范围内。
[0167] 可用作光活性渗杂剂的电致发光rEL")材料包括但不限于小分子有机发光化合 物、发光金属络合物、共辆聚合物、W及它们的混合物。小分子发光有机化合物的示例包括 但不限于竊、巧、巧类、红巧締、香豆素、蔥、嚷二挫、苯并巧、它们的衍生物、它们的気代类似 物、W及它们的混合物。金属络合物的示例包括但不限于金属馨合的8-径基哇嘟酬化合物， 金属诸如银和销的环金属化络合物，W及它们的気代类似物。共辆聚合物的示例包括但不 限于聚(苯撑乙締）、聚巧、聚(螺二巧）、聚嚷吩、聚(对-亚苯基）、它们的共聚物、它们的気代 类似物、W及它们的混合物。
[0168] 发红光的材料的示例包括但不限于具有苯基哇嘟或苯基异哇嘟配体的Ir的配合 物、二巧并巧、巧蔥和二糞嵌苯。发射红光的材料已公开于例如美国专利6,875,524和公布 的美国专利申请2005-0158577中。
[0169] 发绿光的材料的示例包括但不限于具有苯基化晚配体的Ir的配合物、双(二芳基 氨基）蔥和聚对苯撑乙締聚合物。发射绿光的材料已公开于例如公布的PCT专利申请WO 2007/021117 中。
[0170] 发蓝光的材料的示例包括但不限于具有苯基化晚或苯基咪挫配体的Ir的配合物、 二芳基蔥、二氨基鑛、二氨基巧和聚巧聚合物。发射蓝光的材料已公开于例如美国专利6， 875，524和公布的美国专利申请2007-0292713和2007-0063638中。
[0171] 在一些实施方案中，光活性渗杂剂为有机金属配合物。在一些实施方案中，有机金 属配合物是环金属化的。所谓"环金属化的"是指配合物包含至少一个配体，其在至少两个 点处键合到金属，从而形成至少一个5元或6元环，所述环具有至少一个碳-金属键。在一些 实施方案中，所述金属为银或销。在一些实施方案中，有机金属络合物为电中性的并且为具 有式IrLs的=环金属银络合物，或具有式IrLsY的双环金属银络合物。在一些实施方案中，L 为通过碳原子和氮原子配位的单阴离子二齿环金属配体。在一些实施方案中，L为芳基N-杂 环，其中芳基为苯基或糞基，并且N-杂环为化晚、哇嘟、异哇嘟、二嗦、化咯、化挫或咪挫。在 一些实施方案中，Y为单阴离子二齿配体。在一些实施方案中，L为苯基化晚、苯基哇嘟、或苯 基异哇嘟。在一些实施方案中，Y为0-二締醇、酬亚胺、甲化晚、或N-烷氧基化挫。所述配体可 W是未取代的或被F、D、烷基、全氣烷基、烷氧基、烧氨基、芳氨基、CN、甲娃烷基、氣烷氧基或 芳基取代的。
[0172] 在一些实施方案中，光活性渗杂剂为银或销的环金属化络合物。此类材料已公开 于例如美国专利6,670,645和公布的PCT申请WO 03/063555、W0 2004/016710和WO 03/ 040257 中。
[0173] 在一些实施方案中，所述光活性渗杂剂为具有式lHLl)a(L2)b化3)。的络合物;其 中
[0174] Ll为通过碳和氮配位的单阴离子二齿环金属配体；
[0175] L2为不通过碳配位的单阴离子二齿配体；
[0176] L3为单齿配体；
[0177] a 为 1-3;
[0178] b和C独立地为0-2;并且
[0179] 选择a、b和C，使得银为六配位并且所述络合物是电中性的。
[0180] 式的一些示例包括但不限于Ir化1)3、^化1)2化2)、和^化1)2化3)化3'），其中13 为阴离子，并且L3'为非离子。
[0181] L1配体的示例包括但不限于苯基化晚、苯基哇嘟、苯基喀晚、苯基化挫、嚷吩化晚、 嚷吩哇嘟和嚷吩喀晚。如本文所用，除非另外指明，术语"哇嘟"包括"异哇嘟"。氣化衍生物 可具有一个或多个氣取代基。在一些实施方案中，配体非氮环上存在1-3个氣取代基。
[0182] 单阴离子二齿配体L2是金属配位化学领域所熟知的。一般来讲，运些配体具有N、 〇、P或S作为配位原子，并且当与银配位时形成5元或6元环。适宜的配位基团包括氨基、亚氨 基、酷胺基、醇盐、簇酸醋、麟基、硫醇盐等。适用于运些配体的母体化合物的示例包括e-二 簇基(e-締醇配体）、W及它们的N和S类似物;氨基簇酸(氨基簇酸盐配体）；化晚簇酸(亚氨 基簇酸盐配体）；水杨酸衍生物(水杨酸盐配体）；径哇嘟(径基哇嘟配体）W及它们的S类似 物;和麟基烧醇(麟基烧氧化物配体）。
[0183] 单齿配体L3可为阴离子或非离子。阴离子配体包括但不限于H-r氨化物"）W及具 有C、0或S作为配位原子的配体。配位基团包括但不限于醇盐、簇酸醋、硫代簇酸醋、二硫代 簇酸醋、横酸醋、硫醇醋、氨基甲酸醋、二硫代氨基甲酸醋、硫卡己腺阴离子、横酷胺阴离子 等。在一些情况下，上文列为L2的配体如0-締醇根和麟烧氧根可用作单齿配体。单齿配体也 可为配位阴离子，如面离子、氯根、异氯根、硝酸根、硫酸根、六面錬酸根等。运些配体一般是 可商购获得的。
[0184] 单齿L3配体还可为非离子配体如CO或单齿麟配体。
[0185] 在一些实施方案中，一种或更多种配体具有至少一个取代基，所述取代基选自F和 氣化烷基。可采用例如美国专利6,670,645中所述的标准合成技术，来制备银络合物渗杂 剂。
[0186] 在一些实施方案中，光活性渗杂剂为小分子有机发光化合物。在一些实施方案中， 所述光活性渗杂剂选自非聚合的螺二巧化合物和巧蔥化合物。
[0187] 在一些实施方案中，所述光活性渗杂剂为具有芳胺基团的化合物。在一些实施方 案中，所述光活性渗杂剂选自下式：
[01
[01
[0190] 其中；
[0191] A在每种情况下相同或不同并且为具有3-60个碳原子的芳族基团；
[0192] Q'为单键或具有3-60个碳原子的芳基；
[0193] P和q独立地为1-6的整数。
[0194] 在上式的一些实施方案中，每个式中至少一个A和Q'具有至少=个缩合环。在一些 实施方案中，P和q等于1。
[01巧]在一些实施方案中，Q'为苯乙締基或苯乙締基苯基。
[0196] 在一些实施方案中，Q'为具有至少两个缩合环的芳基。在一些实施方案中，Q选自 糞、蔥、藉、嵌二糞、并四苯、氧杂蔥、巧、香豆素、玫瑰精、哇叮晚酬和红巧締。
[0197] 在一些实施方案中，A选自苯基、联苯基、甲苯基、糞基、糞基苯基和蔥基。
[0198] 在一些实施方案中，所述光活性渗杂剂具有下式：
[0199；
[0200]其中：
[0201 ] Y在每次出现时相同或不同并且为具有3-60个碳原子的芳族基团；
[0202] Q"为芳族基团、二价=苯胺残基或单键。
[0203] 在一些实施方案中，所述光活性渗杂剂为芳基并苯。在一些实施方案中，所述光活 性渗杂剂为非对称的芳基并苯。
[0204] 在一些实施方案中，所述光活性渗杂剂为藻巧生物。术语"蘿，，旨在表示1，2-苯 并菲。在一些实施方案中，所述光活性渗杂剂为具有芳基取代基的.藻。在一些实施方案中， 所述光活性渗杂剂为具有芳氨基取代基的蘿。在一些实施方案中，所述光活性渗杂剂为具 有两种不同芳氨基取代基的.藻。在一些实施方案中，所述灑衍生物发射深蓝色的光。
[0205] 在一些实施方案中，所述主体材料为小分子。
[0206] 在一些实施方案中，主体化合物选自吗I噪并巧挫、.竊、菲、=亚苯、菲咯嘟、=嗦、 糞、蔥、哇嘟、异哇嘟、哇喔嘟、苯基化晚、苯并二巧喃、金属哇嘟酸盐络合物、它们的気代类 似物、W及它们的组合。
[0207] 在一些实施方案中，主体材料选自蔥、藻、巧、菲、苯并菲、菲咯嘟、糞、S嗦、哇嘟、 异哇嘟、哇喔嘟、苯基化晚、苯并二巧喃、金属哇嘟配合物、吗I噪并巧挫、它们的気代类似物、 W及它们的组合。
[0208] 在一些实施方案中，主体材料为9,10-二芳基蔥化合物或其気代类似物。
[0209] 在一些实施方案中，主体材料为具有一个或两个二芳基氨基取代基的藩衍生物或 其気代类似物。
[0210] (C)促进添加剂
[0211] 促进添加剂有助于电活性层的形成。电活性层通过W下方法形成:在第一液体介 质中液相沉积电活性材料，之后在小于350°C的预定溫度下赔烧预定的时间。促进添加剂在 电活性层的赔烧期间W足W增加由此形成的电活性层的耐溶剂性的量存在。
[0212] 在一些实施方案中，所述促进添加剂为小分子。在一些实施方案中，小分子具有小 于2000的分子量;在一些实施方案中，小于1000;在一些实施方案中，小于750。
[0213] 在一些实施方案中，所述促进添加剂为低聚物。在一些实施方案中，低聚物具有介 于2000和10,000之间的数均分子量;在一些实施方案中，介于2000和4000之间。
[0214] 在一些实施方案中，所述促进添加剂为聚合物。
[0215] 在一些实施方案中，所述促进添加剂不具有可交联基团。
[0216] 在一些实施方案中，所述促进添加剂具有150°C或更高的沸点；在一些实施方案 中，具有20(TC或更高的沸点；在一些实施方案中，具有25(TC或更高的沸点；在一些实施方 案中，具有300°C或更高的沸点;在一些实施方案中，具有350°C或更高的沸点。
[0217]在一些实施方案中，促进添加剂在200°C下具有在IO-3Pa至40化;在一些实施方案 中，1〇-申a至20化;在一些实施方案中，0.1化至1.0化范围内的蒸气压。
[021引在一些实施方案中，促进添加剂在225°C下具有在IO-3Pa至40化;在一些实施方案 中，10-2化至20化;在一些实施方案中，0.1化至1. OPa;在一些实施方案中，0.1化至0.8化范 围内的蒸气压。
[0219] 在一些实施方案中，促进添加剂为通过光致发光测试（"PLT")的材料，如实施例中 所详述的。在化T中，光致发光的变化用作层之间混合的指示。
[0220] 在化T中，第一材料从液体组合物沉积到基底上，并且在预定溫度下赔烧预定的时 间W形成第一层。然后将包括第二材料的第二液体组合物沉积在第一层上并且赔烧W形成 第二层。第一材料和第二材料两者均在给定波长下光致发光。
[0221] 第二材料在较高能量下光致发光，并且其发射足够明显W在与第二材料的发射组 合存在时被识别。当第一材料的分子邻近第二材料的分子时（如在均质混合物中），第二材 料的激发导致能量传递到第一材料使得仅可检测到来自第一材料的发射。此类能量传递被 称为泽灭。类似地，当第二材料的分子不紧密相邻，而是与第一层的分子间隔开例如一些惰 性缓冲液材料的数纳米距离时，第二材料的发射部分泽灭。假设第一材料和第二材料均匀 地激发，则在此类情况下所得的发射由两种组分构成，并且第二材料发射的相对量是层之 间的距离和混合层中第一材料的浓度的函数。通常，不考虑第一材料的浓度，5-lOnm的最大 相隔距离足W确信泽灭可忽略不计。考虑第一材料和第二材料的两个层之间不具有任何附 加缓冲液的实际情况，仅距第一层(或混合区域)比该距离远的第二材料的部分可W是完全 未泽灭的。在该测试的实际具体实施中，合适的是选择大于该距离的第二层的标称厚度。在 运种情况下，其遵循第二材料的显著光致发光的观察结果指示大部分第二材料层未混合。 与之相比，缺少第二材料的显著光致发光指示所述层的显著混合。
[0222] PLT示于图1-3中。液体组合物中的光致发光空穴传输材料A沉积在基底上，并且暴 露于预定溫度并持续预定的时间。当被具有M的波长的光激发时，仅材料A的光致发光光谱 示于图IA中。然后通过光致发光光活性材料B的溶液的液相沉积在空穴传输层上方形成光 活性层。当被具有波长M的光激发时，仅材料B的光致发光光谱示于图IB中。由此可见，光谱 是可区分的并且材料A的光谱在较长波长下具有最大值并且因此具有较低能量。然后将运 些层包封。然后包封的复合材料被具有波长M的光激发。如果空穴传输层对光活性材料的 液体介质不具有抵抗性，则两个层将混合并且所得的光谱将非常类似于单独的材料A的光 谱。得自材料B的较高能量光致发光将被材料A泽灭。运示于图2A中。如果空穴传输材料对光 活性材料的液体介质具有抗性，则将形成两个离散的层并且所得的光谱将具有两种材料的 峰的组合或共混的形状。运示于图2B中。图3示出得自前四个图的所有四个光谱的叠加图。 显然表示较少混合的光谱是材料A和材料B的单独光谱的复合。显然当混合完全时，仅看见 较低能量材料A的光谱。
[0223] 通过化T的材料是当W预定量加入空穴传输层中时，产生具有为材料A和材料B两 者的光谱的共混物的光致发光光谱的复合材料的材料。
[0224] 应当理解一些材料可在较高溫度而不是在较低溫度下通过化T。一些材料可在较 高浓度而不是在较低浓度下通过化T。
[0225] 在一些实施方案中，促进添加剂为通过旋涂OL抓测试rs〇)L邸r)的材料，如示例 中所详述的。
[0226] 在SC化抓T中，形成发光二极管，其中两个或更多个电活性层经由旋转诱注沉积。 不通过旋转诱注形成的发光二极管中的层可通过各种物理气相沉积技术形成(瓣射、热蒸 发等）。促进添加剂可W或可W不在两个旋转诱注层中第一个的赔烧期间存在。
[0227] 在第一层的赔烧期间采用促进添加剂的器件的器件性能(效率、稳定性、电压和颜 色)相当于在不具有促进添加剂情况下形成的器件的性能，其中第一层在相同条件下(溫度 和时间）或在最佳赔烧条件(通常为较高溫度)下赔烧。促进添加剂的效果通过使用促进添 加剂的测试器件的性能超过不具有促进添加剂的在相同条件下赔烧的器件性能的程度来 确定。就一些促进添加剂而言，测试器件性能将甚至更匹配(或超过)最佳器件的性能。
[0228] 在一些实施方案中，采用促进添加剂的层为空穴传输层化化)并且后续层为发光 层化肥)。
[0229] 在一些实施方案中，促进添加剂为通过喷嘴印刷化邸测试（"NPOLEDr )的材料，如 下所述。
[0230] 在NP化抓T中，形成发光二极管，其中两个或更多个电活性层从溶液中沉积，至少 一个经由喷嘴印刷形成。喷嘴印刷是用于图案化用于显示器应用的OL邸的商业上可行的方 法。不从溶液中沉积的发光二极管中的层可通过多种物理气相沉积技术(瓣射、热蒸发等） 形成。促进添加剂可W或可W不在两个溶液沉积层中第一个的赔烧期间存在。
[0231] 在第一层的赔烧期间采用促进添加剂的器件的器件性能(效率、稳定性、电压和颜 色)相当于在不具有促进添加剂情况下形成的器件的性能，其中第一层在相同条件下(溫度 和时间）或在最佳赔烧条件(通常为较高溫度)下赔烧。促进添加剂的效果通过使用促进添 加剂的测试器件的性能超过不具有促进添加剂的在相同条件下赔烧的器件性能的程度来 确定。就一些促进添加剂而言，测试器件性能将甚至更匹配(或超过)最佳器件的性能。
[0232] 在一些实施方案中，采用促进添加剂的层为空穴传输层化化)并且后续层为发光 层化肥)。
[0233] 在一些实施方案中，促进添加剂为通过喷墨印刷化抓测试riJPOLEDT")的材料， 如下所述。
[0234] 在UPOL邸T中，形成发光二极管，其中两个或更多个电活性层从溶液中沉积，至少 一个经由喷墨印刷形成。喷墨印刷是用于图案化用于显示器应用的OL邸的商业上可行的方 法。不从溶液中沉积的发光二极管中的层可通过多种物理气相沉积技术(瓣射、热蒸发等） 形成。促进添加剂可W或可W不在两个溶液沉积层中第一个的赔烧期间存在。
[0235] 在第一层的赔烧期间采用促进添加剂的器件的器件性能(效率、稳定性、电压和颜 色)相当于在不具有促进添加剂情况下形成的器件的性能，其中第一层在相同条件下(溫度 和时间）或在最佳赔烧条件(通常为较高溫度)下赔烧。促进添加剂的效果通过使用促进添 加剂的测试器件的性能超过不具有促进添加剂的在相同条件下赔烧的器件性能的程度来 确定。就一些促进添加剂而言，测试器件性能将甚至更匹配(或超过)最佳器件的性能。
[0236] 在一些实施方案中，采用促进添加剂的层为空穴传输层化化)并且后续层为发光 层化肥)。
[0237] 在一些实施方案中，所述促进添加剂是気代的。在一些实施方案中，促进添加剂是 至少10%気代的；在一些实施方案中是至少20%気代的；在一些实施方案中是至少30%気 代的;在一些实施方案中是至少40%気代的;在一些实施方案中是至少50%気代的；在一些 实施方案中是至少60%気代的；在一些实施方案中是至少70%気代的；在一些实施方案中 是至少80%気代的;在一些实施方案中是至少90%気代的;在一些实施方案中是100%気代 的。
[0238] 在一些实施方案中，所述促进添加剂是脂族化合物或気代脂族化合物。
[0239] 在一些实施方案中，所述促进添加剂是具有10-50个碳的直链烧控，或它们的気代 类似物。
[0240] 在一些实施方案中，所述促进添加剂是具有10-50个碳的支链烧控，或它们的気代 类似物。
[0241 ]在一些实施方案中，所述促进添加剂是芳族化合物或気代芳族化合物。
[0242]在一些实施方案中，促进添加剂具有式VIII
[02 创（VIII)
[0244] 其中；
[0245] Ar在每次出现时相同或不同并且为具有3-60个环碳的芳基基团或気代芳基基团；
[0246] Y在每次出现时相同或不同并且选自D、烷基、烷氧基、芳基、芳氧基、簇酸醋、甲娃 烷基、硅氧烷、氨基、巧挫基、気代烷基、気代烷氧基、気代芳基、気代芳氧基、気代簇酸醋、気 代甲娃烷基、気代硅氧烷、気代氨基、和気代巧挫基，其中相邻碳上的Y基团可连接在一起W 形成稠合的5元或6元脂族环；
[0247] n为大于0的整数；
[0248] P为大于0的整数;并且
[0249] *表示附接点、H、D、面离子、芳基或気代芳基。
[0250] 在式VIII的一些实施方案中，Ar为不具有杂原子的芳族基团。在一些实施方案中， Ar具有6-30个环碳。在一些实施方案中，Ar选自苯基、糞基、蔥基、菲基、它们的取代衍生物、 和它们的気代类似物。
[0251] 在式VIII的一些实施方案中，Ar被一个或多个基团取代，所述基团选自烷基、烧氧 基、甲娃烷基、甲娃烷基酸、芳氨基、W及它们的気代类似物。
[0252] 在式VIII的一些实施方案中，Ar为杂芳族基团。在一些实施方案中，Ar为杂芳族基 团，其具有3-20个环碳。
[0253] 在式VIII的一些实施方案中，Ar为具有至少一个氮杂原子的杂芳族基团。在一些 实施方案中，Ar选自化咯、化晚、=嗦、哇喔嘟、苯并咪挫、巧挫、吗I噪巧挫、它们的取代衍生 物、W及它们的気代类似物。
[0254] 在式VIII的一些实施方案中，Ar为具有至少一个硫杂原子的杂芳族基团。在一些 实施方案中，Ar选自嚷吩、苯并嚷吩、二苯并嚷吩、thieneothio地ene、它们的取代衍生物、 和它们的気代类似物。
[02W]在式VIII的一些实施方案中，Ar为具有至少一个氧杂原子的杂芳族基团。在一些 实施方案中，Ar选自巧喃、苯并巧喃、二苯并巧喃、化喃、苯并化喃、二苯并化喃、它们的取代 衍生物、和它们的気代类似物。
[0256] 在式VIII的一些实施方案中，Ar为具有两个或更多个不同杂原子的杂芳族基团， 所述杂原子选自N、0和S。在一些实施方案中，Ar选自嗯挫、嗯嗦、酪嗯挫、嚷挫、嚷嗦、它们的 取代衍生物、W及它们的気代类似物。
[0257] 在式VIII的一些实施方案中，Y选自D、烷基、芳基、甲娃烷基、気代烷基、気代芳基 和気代甲娃烷基。
[0258] 在式VIII的一些实施方案中，Y选自D、芳基和気代芳基。芳基或気代芳基可具有一 个或多个选自烷基、甲娃烷基、和它们的気代类似物的取代基。
[0259] 在式VIII的一些实施方案中，存在至少一个芳氨基基团、巧挫基基团或它们的気 代类似物。
[0260] 在式VIII的一些实施方案中，不存在氨基或巧挫基基团。
[0%1] 在式VIII的一些实施方案中，n为1或2。
[0262]在一些实施方案中，促进添加剂具有式IX
[0%3] (IX)
[0264] 其中；
[0265] R6在每次出现时相同或不同并且选自D、烷基、烷氧基、芳基、芳氧基、甲娃烷基、娃 氧烧、氨基、巧挫基、気代烷基、気代烷氧基、気代芳基、気代芳氧基、気代甲娃烷基、気代娃 氧烧、気代氨基、和気代巧挫基，其中相邻碳上的R6基团可连接在一起W形成稠合的5元或6 元脂族环；
[0266] q在每次出现时相同或不同并且为0-4的整数；
[0267] r在每次出现时相同或不同并且为0-5的整数;并且 [0%引 S为0至5的整数。
[0269] 在式IX的一些实施方案中，R6选自D、烷基、芳基、甲娃烷基、気代烷基、気代芳基和 気代甲娃烷基。
[0270] 在式IX的一些实施方案中，R6选自D、烷基、甲娃烷基、気代烷基、和気代甲娃烷基。 在式IX的一些实施方案中，存在至少一个芳氨基基团。
[0271] 在式IX的一些实施方案中，不存在氨基或巧挫基基团。
[0272] #一化出施古宝由-化徘添巾n赛Il且右井TY-a
[0273] (IX a)
[0274] 其中R6、q、r和S如上文对于式IX所定义的。
[0275] 在式IX-a的一些实施方案中，R6选自D、烷基、芳基、甲娃烷基、気代烷基、気代芳基 和気代甲娃烷基。
[0276] 在式IX-a的一些实施方案中，R6选自D、烷基、甲娃烷基、気代烷基、和気代甲硅烷 基。
[0277] 在式IX-a的一些实施方案中，存在至少一个芳氨基基团。
[027引在式IX-a的一些实施方案中，不存在氨基或巧挫基基团。
[0279] 在一些实施方案中，所述促进添加剂是脂族化合物并且不具有芳族环。
[0280] 在一些实施方案中，所述促进添加剂是具有5-75个碳的支链或直链烧控或它们的 気代类似物，其可W是被取代或未取代的。在一些实施方案中，所述烧控具有10-60个碳;在 一些实施方案中具有15-40个碳。
[0%1]在一些实施方案中，所述促进添加剂为被取代的烧控。在一些实施方案中，取代基 选自D、面离子、CN、OH、烷氧基、甲娃烷基、甲娃烷基酸、気代烷氧基、気代甲娃烷基、W及気 代甲娃烷基酸。
[0282] 在一些实施方案中，所述促进添加剂是具有10-60个碳的烧控或它们的気代类似 物的混合物。
[0283] 在一些实施方案中，所述促进添加剂是具有一个或多个不饱和键的脂族控。
[0284] 在一些实施方案中，所述促进添加剂是具有10-60个碳和一个或多个双键的烧控， 或它们的気代类似物。
[0285] 在一些实施方案中，所述促进添加剂为被取代的締控。在一些实施方案中，取代基 选自D、面离子、CN、OH、烷氧基、甲娃烷基、甲娃烷基酸、気代烷氧基、気代甲娃烷基、W及気 代甲娃烷基酸。
[0286] 在一些实施方案中，所述促进添加剂是具有10-60个碳和一个或多个=键的烘控， 或它们的気代类似物。
[0287] 在一些实施方案中，所述促进添加剂为被取代的烘控。在一些实施方案中，取代基 选自D、面离子、CN、OH、烷氧基、甲娃烷基、甲娃烷基酸、気代烷氧基、気代甲娃烷基、W及気 代甲娃烷基酸。
[0288] 在一些实施方案中，所述促进添加剂是聚亚烷基氧低聚物，或它们的気代类似物。
[0289] 促进添加剂的上述实施方案中的任一项可与其它实施方案中的一个或多个组合， 只要它们不是互相排斥的。例如，其中促进添加剂是気代的实施方案可与其中促进添加剂 是脂族化合物的实施方案组合。对于上文所论述的其它非相互排斥的实施方案而言同样适 用。技术人员将理解哪些实施方案互相排斥，并将因此能够容易地确定由本申请中的促进 添加剂所预期的实施方案的组合。
[0290]促进添加剂的一些示例包括但不限于十屯烧、S十六烧、矿物油、茵香酸、苯甲酸 甲醋。
[02'
[0292
[0293] 一般来讲，促进添加剂可商购获得或可使用将形成C-C或C-N键的任何技术来制 得。已知多种此类技术，如Suzuki、Yamamoto、Sti lie、W及Pd或Ni催化的C-N偶联。
[0294] 通过使用気代前体材料W类似的方式，或更一般地通过在路易斯酸H/D交换催化 剂诸如S氯化侣或乙基氯化侣，或酸诸如CF3C00D、DC1等的存在下用気代溶剂诸如d6-苯处 理未気代的化合物来制备気代类似物化合物。気化反应还在公开的PCT申请W02011/053334 中有所描述。
[0巧引 (d)液体介质
[0296] 电活性体系的液体介质是其中电活性材料可W期望的含量溶解或分散，并且由此 可形成膜的液体介质。本领域技术人员能够易于确定适用于具体电活性材料的液体介质。
[0297] 在一些实施方案中，所述液体介质为极性非水性溶剂。极性溶剂的示例包括但不 限于C适C20醇、酸、W及酸性醋。
[0298] 在一些实施方案中，所述液体介质为相对非极性溶剂。非极性溶剂的示例包括但 不限于C适Ci2烧控、芳族化合物诸如甲苯、二甲苯、S氣甲苯等。
[0299] 在一些实施方案中，液体介质为两种或更多种溶剂的混合物。
[0300] 在一些实施方案中，液体介质选自氯化控(诸如(如二氯甲烧、氯仿、氯苯），芳族控 (诸如被取代或未取代的甲苯或二甲苯，包括S氣甲苯），极性溶剂馈如四氨巧喃(THF)、N- 甲基化咯烧酬(NMP))，醋(诸如乙酸乙醋、苯甲酸甲醋、或邻苯二甲酸二乙醋），酸(诸如茵香 酸或二甲氧基苯），醇(诸如异丙醇），酬(诸如环戊酬），W及它们的任何混合物。
[0301]用于电致发光材料的合适溶剂已描述于例如公布的PCT申请W02007/145979中。 [030。 4.方法
[030；3] (a)方法 1
[0304] 在一些实施方案中，所述方法包括W下步骤：
[0305] (i)将第一电活性组合物沉积到工件上W形成沉积层，其中所述第一电活性组合 物包含第一电活性材料、促进添加剂和第一液体介质；
[0306] (ii)将所述沉积层在小于350°C的溫度下赔烧预定的时间；W及
[0307] (iii)在所述第一电活性层上沉积第二电活性组合物，所述第二电活性组合物包 含处于第二液体介质中的第二电活性材料；
[0308] 其中所述促进添加剂W足W使得所述第一电活性层能够有效抵抗与所述第二液 体介质混合的量存在。
[0309] 在一些实施方案中，第一电活性组合物仅包含第一电活性材料、促进添加剂和第 一液体介质，其中可实质上改变组合物的功能、操作原理或区别特征的组分不存在。
[0310] 在一些实施方案中，第一电活性组合物还包含附加的材料，其促进材料的功能。
[0311] 在一些实施方案中，所述第一电活性材料包括空穴传输材料，如上所述。
[0312] 在一些实施方案中，所述第一电活性材料包括光活性材料，如上所述。
[0313] 在一些实施方案中，第一电活性材料包括至少一种光活性材料和至少一种主体材 料，如上所述。
[0314] 在一些实施方案中，第一电活性组合物中的电活性材料与促进添加剂的重量比在 19:1至1:1范围内；在一些实施方案中在10:1至1.5:1的范围内。
[0315] 在第一电活性组合物的一些实施方案中，总固体在1-10重量％范围内；在一些实 施方案中，在2-5重量％范围内。
[0316] 在一些实施方案中，所述工件包括其上具有电极的基底。在一些实施方案中，所述 电极为阳极。
[0317] 在一些实施方案中，所述工件包括在其上具有电极和一个或多个有机电活性层的 基底。
[0318] 在一些实施方案中，所述工件包括TFT后板，其包括电子组件、电路和/或导电构 件。
[0319] 在一些实施方案中，所述工件包括TFT后板和其上的一个或多个有机电活性层。
[0320] 通过任何液相沉积方法将第一电活性组合物沉积到工件上W形成沉积层。液相沉 积技术包括但不限于旋涂、凹版涂布、幕涂、浸涂、槽模涂布、喷涂、连续喷涂、喷墨印刷、凹 版印刷和丝网印刷。
[0321] 在一些实施方案中，第一电活性组合物通过连续喷涂或喷墨印刷来沉积。
[0322] 然后将沉积层赔烧W形成第一电活性层。
[0323] 在小于350°C的溫度下赔烧沉积层。在一些实施方案中，赔烧溫度小于或等于325 °C ;在一些实施方案中，小于或等于300°C ;在一些实施方案中，小于或等于275°C ;在一些实 施方案中，小于或等于250°C ;在一些实施方案中，小于或等于225°C ;在一些实施方案中，小 于或等于200°C;在一些实施方案中，小于或等于175°C。一般来讲，赔烧溫度为至少100°C。
[0324] 在一些实施方案中，赔烧步骤包括在不同溫度下的两个或更多个不同赔烧阶段。 当使用两个或更多个赔烧阶段时，最高的赔烧溫度小于35(TC。在一些实施方案中，最高赔 烧溫度小于或等于325°C ;在一些实施方案中，小于或等于300°C ;在一些实施方案中，小于 或等于275°C ;在一些实施方案中，小于或等于250°C ;在一些实施方案中，小于或等于225 °C ;在一些实施方案中，小于或等于200°C ;在一些实施方案中，小于或等于175°C。一般来 讲，最高赔烧溫度为至少100 °C。
[0325] 在一些实施方案中，沉积层用完全或部分封装件来封装用于赔烧步骤。该封装件 增加添加剂的局部蒸气压力，从而减小其离开电活性层的速率。运可例如通过在赔烧步骤 期间将玻璃盖置于沉积层上来实现。任何材料均可用于封装，只要其不与电活性材料相互 作用或有害地影响电活性材料即可。
[0326] 在一些实施方案中，赔烧步骤在大气压下进行。
[0327] 在一些实施方案中，赔烧步骤在小于大气压的压力下进行。在一些实施方案中，压 力小于90kPa;在一些实施方案中，小于50kPa。一般来讲，压力为至少IkPa。
[0328] 用于沉积层的预定赔烧时间取决于赔烧溫度。当使用两个或更多个赔烧阶段时， 如上所述，每个阶段将具有预定赔烧时间。总预定赔烧时间是每个阶段的赔烧时间的总和。
[0329] 在一些实施方案中，赔烧时间为在所选的赔烧溫度下除去基本上所有第一液体介 质所需的时间。所谓移除"基本上所有"是指没有可检测的液体介质保留在沉积层中。在一 些实施方案中，预定的时间为30分钟或更少;在一些实施方案中，为20分钟或更少;在一些 实施方案中，为10分钟或更少。一般来讲，赔烧时间为至少5分钟。
[0330] 在一些实施方案中，促进添加剂仍然存在于第一电活性层中。
[0331] 在一些实施方案中，促进添加剂在赔烧步骤中至少部分地被移除并且仅部分保留 在第一电活性层中。
[0332] 在一些实施方案中，促进添加剂在赔烧步骤中基本上完全被移除。在一些实施方 案中，在第一电活性层中不存在可检测含量的促进添加剂。
[0333] 然后将第二电活性组合物沉积在由此形成的第一电活性层上方。第二电活性组合 物包括在第二液体介质中的第二电活性材料。
[0334] 第二电活性材料可为单一化合物或两种或更多种化合物的组合。
[0335] 在一些实施方案中，所述第二电活性材料包括空穴传输材料，如上所述。
[0336] 在一些实施方案中，所述第二电活性材料包括光活性材料，如上所述。
[0337] 在一些实施方案中，第二电活性材料包括至少一种光活性材料和至少一种主体材 料，如上所述。
[0338] 在一些实施方案中，所述第二电活性材料包括电子传输材料，如下所述。
[0339] 第二液体介质是其中第二电活性材料可W期望的含量溶解或分散，并且由此可形 成膜的液体介质。本领域技术人员能够易于确定适用于具体电活性材料的液体介质。示例 性液体介质如上所述。
[0340] 在一些实施方案中，第二液体介质选自氯化控(诸如(如二氯甲烧、氯仿、氯苯），芳 族控（诸如被取代或未取代的甲苯或二甲苯，包括=氣甲苯），极性溶剂（诸如四氨巧喃 (THF)、N-甲基化咯烧酬(NMP))，醋(诸如乙酸乙醋、苯甲酸甲醋、或邻苯二甲酸二乙醋），酸 (诸如茵香酸或二甲氧基苯），醇(诸如异丙醇），酬(诸如环戊酬），W及它们的任何混合物。
[0341] 在上述方法中形成的第一电活性层有效抵抗与第二液体介质混合。运是指基本上 不存在将沉积的电活性材料混入空穴传输层的整体中。在一些实施方案中，运是指材料和 条件导致通过化T，如上所述。在一些实施方案中，运是指材料和条件导致通过S(X)L抓T，如 上所述。在一些实施方案中，运是指材料和条件导致通过NP化邸T，如上所述。在一些实施方 案中，运是指材料和条件导致通过UP0LEDT，如上所述。
[0342] 在一些实施方案中，第一电活性材料包括第一空穴传输材料并且第二电活性材料 包括第二空穴传输材料。
[0343] 在一些实施方案中，第一电活性材料包括空穴传输材料并且第二电活性材料包括 光活性材料。
[0344] 在一些实施方案中，第一电活性材料包括光活性材料并且第二电活性材料包括电 子传输材料。
[0345] (b)方法 2
[0346] 在一些实施方案中，所述方法包括W下步骤：
[0347] (i)将第一电活性组合物沉积到工件上W形成沉积层，其中所述第一电活性组合 物包含第一电活性材料和第一液体介质；
[0348] (ii)在促进添加剂的存在下赔烧所述沉积层，其中所述赔烧在小于350°C的溫度 下进行预定的时间；W及
[0349] (iii)在所述第一电活性层上沉积第二电活性组合物，所述第二电活性组合物包 含处于第二液体介质中的第二电活性材料；
[0350] 其中所述促进添加剂W足W使得所述第一电活性层能够有效抵抗与所述第二液 体介质混合的量存在。
[0351] 在一些实施方案中，第一电活性组合物仅包含第一电活性材料和第一液体介质， 其中可实质上改变组合物的功能、操作原理或区别特征的组分不存在。
[0352] 在一些实施方案中，第一电活性组合物还包含附加的材料，其促进材料的功能。
[0353] 在一些实施方案中，所述第一电活性材料包括空穴传输材料，如上所述。
[0354] 在一些实施方案中，所述第一电活性材料包括光活性材料，如上所述。
[03W]在一些实施方案中，第一电活性材料包括至少一种光活性材料和至少一种主体材 料，如上所述。
[0356] 在第一电活性组合物的一些实施方案中，总固体在1-10重量％范围内；在一些实 施方案中，在2-5重量％范围内。
[0357] 所述工件如上文对于方法1所述。
[0358] 通过任何液相沉积方法将第一电活性组合物沉积到工件上W形成沉积层。
[0359] 在一些实施方案中，第一电活性组合物通过连续喷涂或喷墨印刷来沉积。
[0360] 然后在促进添加剂的存在下将沉积层赔烧W形成第一电活性层。运是指促进添加 剂靠近沉积层。
[0361] 在一些实施方案中，促进添加剂W层的形式存在于独立的惰性基底上，所述惰性 基底在赔烧期间定位在沉积层上方。在一些实施方案中，所述惰性基底为玻璃。在一些实施 方案中，所述惰性基底为不受赔烧溫度影响的塑料。
[0362] 在一些实施方案中，促进添加剂W涂层的形式存在于惰性基底的腔中。基底形成 盖的形式，其在赔烧步骤期间置于沉积层上方，其中涂覆的腔面向沉积层。
[0363] 在一些实施方案中，促进添加剂W蒸气的形式存在于封闭或部分封闭的赔烧装置 中。
[0364] 在一些实施方案中，在赔烧步骤之前，促进添加剂作为沉积在第一电活性材料的 沉积层上方的独立层存在。促进添加剂可从促进添加剂可溶解或分散于其中并且可由其形 成膜的任何液体介质中沉积。可由液相沉积方法形成所述层。
[0365] 促进添加剂一般相对于第一电活性材料显著过量存在。
[0366] 然后在小于350°C的溫度下在促进添加剂的存在下赔烧沉积层。在一些实施方案 中，赔烧溫度小于或等于325°C ;在一些实施方案中，小于或等于300°C ;在一些实施方案中， 小于或等于275°C ;在一些实施方案中，小于或等于250°C ;在一些实施方案中，小于或等于 225°C ;在一些实施方案中，小于或等于200°C ;在一些实施方案中，小于或等于175°C。一般 来讲，赔烧溫度为至少l〇〇°C。
[0367] 在一些实施方案中，赔烧步骤包括在不同溫度下的两个或更多个不同赔烧阶段。 当使用两个或更多个赔烧阶段时，最高的赔烧溫度小于35(TC。在一些实施方案中，最高赔 烧溫度小于或等于325°C ;在一些实施方案中，小于或等于300°C ;在一些实施方案中，小于 或等于275°C ;在一些实施方案中，小于或等于250°C ;在一些实施方案中，小于或等于225 °C ;在一些实施方案中，小于或等于200°C ;在一些实施方案中，小于或等于175°C。一般来 讲，最高赔烧溫度为至少100 °C。
[0368] 在一些实施方案中，赔烧步骤在大气压下进行。
[0369] 在一些实施方案中，赔烧步骤在小于大气压的压力下进行。在一些实施方案中，压 力小于90kPa;在一些实施方案中，小于50kPa。一般来讲，压力为至少IkPa。
[0370] 用于沉积层的预定赔烧时间取决于赔烧溫度。当使用两个或更多个赔烧阶段时， 如上所述，每个阶段将具有预定赔烧时间。总预定赔烧时间是每个阶段的赔烧时间的总和。
[0371] 在一些实施方案中，赔烧时间为在所选的赔烧溫度下除去基本上所有第一液体介 质所需的时间。所谓移除"基本上所有"是指没有可检测的液体介质保留在沉积层中。在一 些实施方案中，总预定的时间为30分钟或更少;在一些实施方案中，为20分钟或更少;在一 些实施方案中，为10分钟或更少。一般来讲，赔烧时间为至少5分钟。
[0372] 在一些实施方案中，一些促进添加剂保留在第一电活性层上方。
[0373] 在一些实施方案中，一些促进添加剂扩散入第一电活性层并且保留在所述层中。
[0374] 在一些实施方案中，在赔烧步骤之后不存在保留在第一电活性层上方或在第一电 活性层中的促进添加剂。在一些实施方案中，在第一电活性层中不存在可检测含量的促进 添加剂。
[0375] 然后将第二电活性组合物沉积在由此形成的第一电活性层上方。第二电活性组合 物包括在第二液体介质中的第二电活性材料。
[0376] 第二电活性材料可为单一化合物或两种或更多种化合物的组合。
[0377] 在一些实施方案中，所述第二电活性材料包括空穴传输材料，如上所述。
[0378] 在一些实施方案中，所述第二电活性材料包括光活性材料，如上所述。
[0379] 在一些实施方案中，第二电活性材料包括至少一种光活性材料和至少一种主体材 料，如上所述。
[0380] 在一些实施方案中，所述第二电活性材料包括电子传输材料，如下所述。
[0381] 第二液体介质是其中第二电活性材料可W期望的含量溶解或分散，并且由此可形 成膜的液体介质。本领域技术人员能够易于确定适用于具体电活性材料的液体介质。示例 性液体介质如上所述。
[0382] 在上述方法中形成的第一电活性层有效抵抗与第二液体介质混合。运是指在介于 空穴传输层和沉积的电活性材料之间的界面处基本上不存在混合。在一些实施方案中，运 是指材料和条件导致通过化T，如上所述。
[0383] 在一些实施方案中，第一电活性材料包括第一空穴传输材料并且第二电活性材料 包括第二空穴传输材料。
[0384] 在一些实施方案中，第一电活性材料包括空穴传输材料并且第二电活性材料包括 光活性材料。
[0385] 在一些实施方案中，第一电活性材料包括光活性材料并且第二电活性材料包括电 子传输材料。
[038引 3.电子器件
[0387] 可得益于如本文所述的空穴传输体系的有机电子器件包括但不限于，（1)将电能 转化成福射的器件(例如，发光二极管、发光二极管显示器、照明器件、灯具、或二极管激光 器），（2)通过电子方法检测信号的器件(例如，光电探测器、光导电池、光活性电阻、光电开 关、光电晶体管、光电管、IR探测器、生物传感器），（3)将福射转化成电能的器件(例如，光伏 器件或太阳能电池），和(4)包括一个或多个电子组件的器件，所述电子组件包括一个或多 个有机半导体层(例如，晶体管或二极管）。
[0388] 有机电子器件结构的一个例示示于图4中。器件100具有第一电接触层（即阳极层 110)和第二电接触层（即阴极层160)、W及介于所述第一电接触层和所述第二电接触层之 间的光活性层140。可任选存在附加层。邻近阳极的可为空穴注入层120,有时称为缓冲层。 与空穴注入层邻近的可为包含空穴传输材料的空穴传输层130。邻近阴极的可W是包含电 子传输材料的电子传输层150。作为选择，该器件可W使用一个或多个紧邻阳极110的附加 的空穴注入层或空穴传输层(未示出），和/或一个或多个紧邻阴极160的附加的电子注入层 或电子传输层(未示出）。层120至层150单独或统称为活性层。
[0389] 在一些实施方案中，为了获得全彩，将发光层像素化，每种不同颜色各有次像素单 元。像素化器件的示例示于图5中。器件200具有阳极210、空穴注入层220、空穴传输层230、 光活性层240、电子传输层250和阴极260。电致发光层分成次像素241、242、243，它们在所述 层中重复。在一些实施方案中，次像素代表发出红色、蓝色和绿色的光。虽然图5中描述了 = 种不同的次像素单元，但是也可使用两种或=种W上的次像素单元。
[0390] 本文将参照图4进一步说明不同的层。然而，描述也适用于图5W及其它构型。
[0391] 在一些实施方案中，不同的层具有下列厚度范围：阳极110,5QO-50Q:〇A，在一个实 施方案中为1000-2000A;空穴注入层120,50-2㈱0人，在一个实施方案中为200-1000A; 空穴传输层130，50-2000A，在一个实施方案中为200-1OOOA;光活性层140为1 〇-20獻)在， 在一个实施方案中为lOO-lOOOA;电子传输层150为50-2000A，在一个实施方案中为 100-1000A;阴极160为200-10000A，在一个实施方案中为沸O-SOOOA。层厚度的期望比 率将取决于所用材料的确切性质。
[0392] 阳极110为用于注入正电荷载体的尤其有效的电极。它可由例如包含金属、混合金 属、合金、金属氧化物或混合金属氧化物的材料制成，或它可为导电聚合物，或它们的混合 物。适宜的金属包括第11族金属，第4、5和6族的金属，W及第8-10族过渡金属。如果使阳极 具有透光性，则一般使用12族、13族和14族金属的混合金属氧化物，例如氧化铜锡（"IT炉）。 阳极还可包含有机材料如聚苯胺，如在"由可溶解的导电聚合物制成的柔性发光二极管，" 性质第357卷，第477 479页（1992年6月11日）中描述的材料。期望阳极和阴极中的至少一个 为至少部分透明的，W使产生的光线能够被观察到。
[0393] 任选的空穴注入层120包含空穴注入材料。术语"空穴注入层"或"空穴注入材料" 旨在表示导电或半导电材料，并且在有机电子器件中可具有一种或多种功能，包括但不限 于下层平面化、电荷传输和/或电荷注入特性、杂质诸如氧或金属离子的清除、W及有利于 或改善有机电子器件性能的其它方面。空穴注入材料可W是聚合物、低聚物、或小分子，并 且可W是溶液、分散体、悬浮液、乳液、胶态混合物、或其它组合物形式。
[0394] 空穴注入层可由聚合物材料所形成，诸如聚苯胺（PANI)或聚乙締二氧嚷吩 (P抓OT)，所述聚合材料通常渗有质子酸。质子酸可为例如聚(苯乙締横酸）、聚(2-丙締酷胺 基-2-甲基-1-丙横酸)等。空穴注入层120可W包含电荷转移化合物等，如铜献菁和四硫富 瓦締-四氯基苯酿二甲烧体系（TTF-TCNQ)。在一些实施方案中，空穴注入层120由导电聚合 物和成胶聚合酸的分散体制成。此类材料在例如已公布的美国专利申请2004-0102577、 2004-0127637 和 2005-0205860 中有所描述。
[03M]层130包括空穴传输材料。上文已经讨论了合适的空穴传输材料。
[0396] 在一些实施方案中，空穴传输层是根据方法1制备的第一电活性层。
[0397] 在一些实施方案中，空穴传输层是根据方法2制备的第一电活性层。
[0398] 根据器件的应用，光活性层140可W是通过施加的电压激活的发光层(例如在发光 二极管或发光电化学电池中），其为响应于福射能并且在施加偏压或不施加偏压的情况下 产生信号(例如在光电探测器中）的材料层。上文已经讨论了合适的光活性材料。
[0399] 在一些实施方案中，光活性层140包括电致发光材料和一种或多种主体材料，如上 所述。
[0400] 任选层150既可起到促进电子传输的作用，也可充当电子注入层或限制层W防止 激子在层界面处泽灭。优选地，该层促进电子移动性并且减少激子的泽灭。可用于任选电子 传输层中的电子传输材料150的示例包括金属馨合的8-径基哇嘟酬化合物，包括金属哇嘟 衍生物诸如=(8-径基哇嘟)侣(A1Q)、双(2-甲基-8-径基哇嘟）（对苯基酪氧基)侣(BAlq)、 四（8-径基哇嘟)给化fQ)和四（8-径基哇嘟)错(ZrQ); W及挫化合物，诸如2-(4-联苯基)-5- (4-叔下基苯基)-1,3,4-嗯二挫(P抓）、3-(4-联苯基)-4-苯基-5-(4-叔下基苯基)-1,2,4- S挫（TAZ)和1，3，5-S(苯基-2-苯并咪挫）苯(TPBI);哇喔嘟衍生物，诸如2，3-双(4-氣苯 基)哇喔嘟;菲咯嘟，诸如4,7-二苯基-1,10-菲咯嘟化PA)和2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10- 菲咯嘟(DDPA); S嗦;富勒締；W及它们的混合物。在一些实施方案中，所述电子传输材料选 自金属哇嘟和菲咯嘟衍生物。在一些实施方案中，所述电子传输层还包括n型渗杂剂。N型渗 杂剂材料为人们所熟知。n型渗杂剂包括但不限于第I族和第2族金属；第I族和第2族金属 盐，诸如LiFXsF和Cs2〇)3;第1族和第2族金属有机化合物，诸如裡哇嘟；W及分子n型渗杂 剂，诸如无色染料、金属配合物，诸如化化PP)4(其中h卵=l，3,4,6,7,8-六氨-2H-喀晚并- [l，2-a]-喀晚）和二茂钻、四硫杂糞并糞、双(亚乙基二硫基）四硫富瓦締、杂环基团或二价 基团、W及杂环基团或二价基团的二聚体、低聚物、聚合物、二螺化合物和多环化物。
[0401] 阴极160是用于注入电子或负电荷载体的尤其高效的电极。阴极可为具有功函低 于阳极的任何金属或非金属。用于阴极的材料可选自第1族的碱金属（例如Li、Cs)、第2族 (碱±)金属、第12族金属，包括稀±元素和铜系元素、W及涧系元素。可使用诸如侣、铜、巧、 领、衫和儀、W及其组合的材料。含Li的有机金属化合物LiF、Li2〇,含Cs的有机金属化合物 CsF、CS2〇和CS2〇)3也可沉积在有机层和阴极层之间W降低操作电压。该层称为电子注入层。
[0402] 已知在有机电子器件中存在其它层。例如，在阳极110和空穴注入层120之间存在 层(未示出），W控制注入的正电荷量和/或提供层的带隙匹配，或用作保护层。可使用本领 域已知的层，如铜献菁、氮氧化娃、碳氣化合物、硅烷或超薄金属层如PU另选地，阳极层 110、活性层120、130、140和150或阴极层160中的一些或所有可被表面处理，W增加电荷负 载传输效率。优选通过平衡发射极层中的正电荷和负电荷来确定每个组件层的材料的选择 W提供具有高电致发光效率的器件。
[0403] 应当理解，每个功能层可由多于一层构成。
[0404] 在一些实施方案中，每个功能层110-160为单个层。
[0405] 器件层可通过任何沉积技术或技术的组合形成，运些技术包括气相沉积、液相沉 积和热转移。可使用基底诸如玻璃、塑料、W及金属。可使用常规的气相沉积技术例如热蒸 发、化学气相沉积等。可使用常规的涂布或印刷技术，包括但不限于旋涂、浸涂、漉到漉技 术、喷墨印刷、连续喷印、丝网印刷、凹版印刷等，由适宜溶剂中的溶液或分散体来施加有机 层。
[0406] 在一些实施方案中，所述器件依次具有下列结构：阳极、空穴注入层、空穴传输层、 电活性层、电子传输层、电子注入层、阴极。
[0407] 尽管可使用与本文所述那些相同或相当的方法和材料来实施或测试本发明，但合 适的方法和材料将在下面进行描述。此外，材料、方法和示例只是例证性的，而不是限制性 的。
[040引实施例
[0409] 本文所描述的概念将在W下实施例中进一步描述，所述实施例不限制权利要求中 描述的本发明的范围。
[0410] 合成例1
[0411] 该实施例示出空穴传输材料HT-I的合成，如下所示。
[0412：
[0413：
[0414；
[041 引在 l00°C 下，将 4-漠 -3-甲基苯胺（llg，59.12mmol)和（Boc)20(12.9g，59.12mmol) 的反应混合物与在氮气下揽拌40h。在减压下将反应混合物浓缩之后，通过柱层析(5-10% 乙酸乙醋的己烧溶液)获得15.9g(94%收率）的boc-NH-4-漠 -3-甲基苯胺，1，其为白色固 体。[041 f ^ ,户而,"
[0417
[041引在手套箱中，在油浴中，在80°C下将boc-NH-4-漠-3-甲基苯胺，1,(20.77g， 72.58mmol)、二棚频哪醇醋（22.12旨，87.0911111101)，1，1'-双-(二苯基麟基）二茂铁二氯化钮 (1.43g，1.96mmo 1)，W及乙酸钟(21.37g，217.7mmo 1)在干燥的脱气DMF(300血）中的混合物 揽拌16小时。使混合物冷却至室溫并且减压浓缩。将DCM(IOOmL)加入通过娃藻±垫过滤的 混合物中。将滤液浓缩成铁诱色的油，所述油在硅胶色谱柱上纯化(5-10%化OAc/己烧）W 提供产物，3，（18.57邑，77%收率），其为白色固体。
[0419] 击驢 3，
[0420]
[0421]在干燥箱中，制备棚酸频哪醇醋，3，（ 5.6g，16.82mmol)、I，4-二漠-2，5-二己基苯 (3.4旨，8.4111111〇1)，季锭氯化物336(0.8旨）和？(1。？113)4(0.486旨，0.421111111〇1)在脱气甲苯 (IOOmU中的混合物。在干燥箱外侧，在氮气下将脱气Na2〇)3(2.67g，25.23mmol，在50mL水 中）溶液加入前述混合物中，并且然后在90°C下将所得混合物揽拌42小时。分离出有机层， 并且用乙酸乙醋萃取水层。在无水MgS化上干燥合并的有机层。过滤、滤液浓缩，并且然后娃 胶柱层析(0-3%乙酸乙醋的己烧溶液)提供期望的产物(2. llg，38%收率），其为粘性液体。 该双叔下氧幾基保护材料通过与TFA溶液(5mL TFA在50mL DCM中的溶液)在室溫下反应过 夜来脱保护。反应混合物浓缩，之后用饱和化肥化中和，然后硅胶柱层析(30%乙酸乙醋的 己烧溶液)提供期望的二胺材料7 (1.16g，80 %收率），其为粘性液体。
[04剖步骤4:
[0423]
[0424] 在氮气下，向二胺7(1.06g，2.32mmol)和4-漠-4 ' -丙基-联苯（1.28g，4.65mmol)的 甲苯（20mL)溶液中加入pd2化日3 (128mg，0.139mmo 1)和P(t-Bu) 3 (57mg，0.278mmo 1)的甲苯 (lOmL)溶液，之后添加Na〇tBu(0.45g，4.65mmol)。将所得的混合物在室溫下揽拌过夜。通过 短的二氧化娃床过滤混合物并减压浓缩滤液。通过柱层析（10-30%乙酸乙醋的己烧溶液） 获得1.35g产物10,其为固体(69%收率)。
[04巧]步骤5:
[04%]
[0427]在氮气下，向二胺 10(1.25g，1.48mmol)和4-漠-4 ' -舰代联苯(1.59g，4.44mmol)的 甲苯(30mL)溶液中加入pcWba3 (37mg，0.04mmo 1)和DPPF (43mg，0.078mmo 1)的甲苯（1 OmL)溶 液，之后添加化〇tBu(0.355g，3.70mmol)。将所得混合物在95°C下揽拌16小时。通过短的二 氧化娃床过滤混合物并减压浓缩滤液。通过柱层析(0-12%甲苯的己烧溶液)获得1. IOg产 物，化合物M，其为固体(57%收率）。
[042引步骤6:
[0429] 将化合物M聚合W形成聚合物HT-I。
[0430] 将化合物M(0.50mmo I)加入闪烁小瓶中并溶解在16mL甲苯中。向干净的50mL干燥 施兰克管中加入双（1,5-环辛二締)合儀(0)(1. OlOmmol)。将2,2'-联化晚（1. OlOmmolWPl, 5-环辛二締（1.OlOmmol)称量入闪烁小瓶中，并且溶于4mL N，N'-二甲基甲酯胺中。将溶液 加入施兰克管中。将施兰克管加热至6(TC的内部溫度。将催化体系保持在6(TC下并持续30 分钟并且然后上升至7(TC。将单体的甲苯溶液加入施兰克管中并且将所述管密封。在7(TC 下将聚合混合物揽拌1她。冷却后，将内容物倾注到浓HCl/Me0H(1.5体积/体积％浓肥1)的 溶液中。揽拌化后，通过真空过滤收集聚合物，并且在高真空下干燥。聚合物通过从甲苯中 连续沉淀到肥l/MeOH( 1体积/体积％浓肥1)、MeOH、甲苯(CMOS级）和乙酸乙醋中来纯化。NMR 分析确证聚合物的HT-I结构。
[0431] 合成例2
[043)1 巧帝渝佑||*^^^山專;壬化材'财.口-1於1合成如了醉*^^^
[04；
[04；
[04；
[0436] 向 500ml 圆底烧瓶中加入4,4'-二漠-l，r-联糞(4.12邑，1〇111111〇1)、3-(糞-1-基）苯 棚酸巧.21 g，mmo 1)、碳酸钢（2M，30mL，60mmo 1)、甲苯（120血)和季锭氯化物336 (0.5g)。在氮 气下将混合物体系揽拌20分钟。此后，添加四苯基麟）（462mg，0.4mmol)并且在氮气下将 混合物揽拌另外15分钟。反应在氮气下于95°C下在油浴中揽拌并回流18小时。冷却至常溫 后，可见一些固体形成，并通过过滤对其收集。分离该有机相，使用水(60mL)、稀HCK10%， 60mL)和饱和盐水(60mL)洗涂并WMgSCk进行干燥。通过硅胶滤塞过滤该溶液，并通过旋转 蒸发除去溶剂。使用己烧研磨先前收集的固体，将其过滤并且与液体部分的存留物混合。将 所述物质重溶于DCM/己烧中并且通过硅胶柱，WDCM/己烧洗脱。收集包含产物的级分，并且 通过旋转蒸发除去溶剂。通过甲苯/Et地对所述产物进行两次结晶W产生白色结晶物质。收 率为2.60g(39.52% ) eNMR谱与结构相一致。
[0437] 步骤 2.
[0438] 通过将上述化合物溶于d6-苯并且缓慢添加d-S氣甲横酸来制备気代化合物E-1。 将溶液在干燥箱中揽拌过夜。然后溶液用lost%碳酸钢的D20溶液泽灭。分离有机层，用硫 酸儀干燥，并通过柱层析，然后通过沉淀来纯化。
[0441]
[0439] 合成例3[0440] 该实施例示出下示促进添加剂FA-I的制备。
[0442] .I丄…、丹、I ,WVU/八…1、………，3 一糾关苯（10g，32.05mmol)置于烘箱干燥 的SOOmL=颈圆底烧瓶中，所述圆底烧瓶配备有磁力揽拌棒和加料漏斗。将反应混合物在干 冰/丙酬浴中冷却至-76°C。将n-BuLi (44ml，1.6M的己烧溶液，270.5mmol)经由插管装入加 料漏斗中并滴加到反应混合物中，将溫度保持在-74°C至-76°C。所述添加需要30分钟。用 THF(IOml)冲洗加料漏斗，并且反应在-74°C下揽拌一小时W上，得到具有白色沉淀的灰白 色溶液。同时，将S甲基氯硅烷(20. Sg，70.5mmol)装入烘箱干燥的200血圆底烧瓶中并在化 气氛下溶于IOOmL的干THF中。用插管将硅烷溶液转移到加料漏斗中。然后在-74°C经过90分 钟将其滴加到反应混合物中。添加完成后，用干燥的THF(IOmL)洗涂加料漏斗。反应混合物 静置升至室溫，并且揽拌过夜。第二天在反应烧瓶中可见白色析出物。将甲醇（IOml)加入反 应混合物中W泽灭任何残余的裡化物质。在旋转蒸发仪上移除挥发物。固体残余物吸收在 乙酸（300ml)、乙酸乙醋（100mL)和水（200ml)中。分离有机相并用水洗涂两次W上（每次 200ml)。有机层用固体填充。通过真空过滤将收集的固体悬浮在有机层中。将分离的固体重 新溶于4升二氯甲烧中并用水(3X 1L)和盐水（IL)洗涂。有机相在MgS〇4上干燥并且然后浓 缩W产生18.5g(86%)的白色固体。Ih NMR与目标分子一致。
[04创光致发光测试（"PLT")
[0444] 如上所述，PLT是促进添加剂的效果的测试。
[0445] 所用的材料为具有约100,000至300,000的重均分子量的空穴传输材料HT-I和光 活性材料E-I。
[0446] HT-I和E-I两者可通过300nm光激发。HT-I的光致发光（"PL")光谱示于图IA中，作 为材料A。E-1的化光谱示于图1B中，作为材料B。相比于HT-1的化谱，E-1的化谱处于较高能 量下。
[0447] 测试块由HT-I的第一层制成，其具有或不具有促进添加剂，通过E-I的第二层的溶 液沉积包覆。通过将HT-I的测试溶液旋涂到ITO/玻璃的基底上将第一层沉积至20nm的厚 度。巧聯溶液包含0.44重量％HT-1的甲苯溶液，其具有不同含量的不同促进添加剂。对照测 试溶液不具有促进添加剂。旋涂后，在各种溫度下赔烧沉积材料并持续不同时间。此后，通 过在第一层上方旋涂至60nm的厚度沉积4.0重量％E-1的苯甲酸甲醋溶液。随后在热板上在 135°C下将基底赔烧15分钟。然后用玻璃盖包封两个层的复合材料。将两个层的包封复合材 料暴露于30化m光并且使用正面几何结构在光谱色度计Florolog-3中获得化谱。如果第一 层有效抵抗与第二层的溶剂混合，则将存在不超过少量的层的混合，并且HT-I和E-I谱两者 均可被观察到。如果第一层不有效抵抗与第二层的溶剂混合，则将存在两种材料的显著混 合。较高能量E-I的化将通过HT-I的存在泽灭并且将仅观察到HT-I的化谱。
[0448] 在化T类型1中，将待测试的促进添加剂加入HT-I的溶液中并与HT-I-起沉积到 口 0/玻璃基底上。
[0449] 在化T类型2中，将待测试的促进添加剂加入HT-I的溶液中并与HT-I-起沉积到 ITO/玻璃基底上。此外，在赔烧步骤期间用盖将沉积层封端。除去盖，并且将第二层旋涂在 第一层上方。
[0450] 在化T类型3中，在赔烧步骤之前，通过烙融多个促进添加剂片材，在测试块的第一 层上方形成促进添加剂的层。
[0451] 在化T类型4中，将促进添加剂的层置于玻璃盖的中间腔上。在赔烧步骤期间，将盖 置于第一层上方，其中腔体面向第一层。
[0452] 根据W下分数评价化T的结果：
[0453] 5 =观察到HT-I和E-I谱两者，指示如果有任何混合的话，所述混合是很少的。
[0454] 3 =观察到E-I谱，指示一些混合。
[0455] 1=光谱几乎完全是HT-I谱，指示显著混合。
[0456] OL邸器件
[0457] (1)材料
[0458] HIJ-I为渗杂有聚合物氣化横酸的导电聚合物。
[0459] HT-I如上所述。
[0460] HT-2为
[0462] 其中a:b为约8:2:1.2;11〉10;]\1*〉100,000。在一些实施方案中，比率曰:6介于约7.5: 2.5和约 10.0:0(b = 0)之间，例如，8.0:2.0、9.2:0.8，并且介于9.5:0.5和 10.0:0之间（b = 0)〇
[0463] HT-3为
[0464；
[04 化 J 其中 n〉10;Mw〉100,000。
[0466] 主体-I为気代二芳基蔥化合物。
[0467] E-2为双(二芳基氨基）灑。
[046引E-3为気代双(二芳基氨基）遽。
[0469] ET-I为哇嘟化合物。
[0470] ET-2为二芳基巧蔥化合物。
[0471] EIJ-I为金属氣化物盐。
[0472] EIJ-2为金属哇嘟化合物。
[0473] 器件在玻璃基底上具有W下结构：
[0474] 阳极= ]；T0(50nm)
[0475] 空穴注入层=HIJ-I (IOOnm)
[0476] 空穴传输层=如下所述
[0477] 光活性层，如下所述(40nm)。
[0478] 电子传输层，如下所述(20nm)
[0479] 电子注入层rEIL")/阴极，如下所述(3.5/lOOnm)
[0480] (2)器件制造(SCOLEDT)
[0481] 通过溶液处理和热蒸发技术的组合来制造OLED器件。使用得自Thin Film Devices, Inc的图案化氧化铜锡（ITO)锻膜玻璃基底。运些ITO基底基于涂覆有ITO的 Corning 1737玻璃，其具有30欧/平方的膜电阻和80%的透光率。
[0482] 对图案化ITO基底进行清洁并用空穴注入材料化IJ-1)的含水分散体进行旋涂。空 穴传输层通过将空穴传输材料在液体介质中的溶液旋涂来形成。在一些实施例中，促进添 加剂存在于空穴传输溶液中。如所指示的赔烧空穴传输层。然后用所述光活性层材料的苯 甲酸甲醋溶液旋涂所述工件，并且加热W去除溶剂。将所述工件用掩模遮盖并放置于真空 室中。通过热蒸发沉积电子传输材料层化T-1)，然后沉积电子注入材料层化IJ-1)。然后真 空变换掩模，并且通过热蒸发来沉积Al层。将室排气，并使用玻璃封盖、干燥剂和可紫外固 化环氧化物来封装所述器件。
[0483] (3)器件表征
[0484] 通过测量它们的（1)电流-电压(I-V)曲线，（2)相对于电压的电致发光亮度，和(3) 相对于电压的电致发光光谱，来表征化抓样本。所有S个测试均在同时进行并且通过计算 机控制。通过将Lm)的电致发光亮度除W运行器件所需的电流密度来确定某一电压下器件 的电流效率。单位为cd/A。使用Minolta CS-IOO色度计或化otoresearch PR-705色度计确 定颜色坐标。
[0485] 通过对电压、效率和寿命的影响来评价促进添加剂的效果。如下对促进添加剂进 行评级：
[0486] 5 =最有效，几乎没有层的混合
[0487] 4 =有效;层的极少混合
[0488] 3 =中等有效;层的一些混合
[0489] 2 =略有效;层的大量混合
[0490] 1=无效;层混合 [04川促进添加剂 [0492] FA-I
[0493
[0494
[04巧
[0496
[0497]
[0498]
[0499]
[0如0]
[0如 1 ]
[0如 2]
[0如 3]
[0如4]
[0如5]
[0如 6]
[0如 7]
[0 如引 r/\-3
[05(
[OS'
[OS'
[OS'
[OS'
[化'
[OS'
[OS'
[化'
[化.
[化.
[0520] fa-15
[0521
[0522
[0523
[0524
[0525
[0526
[0527
[0528
[0529
[0530
[0531
[0532
[0533
[化34 [0535 [化36
[0537
[化38
[0539
[0540
[0541
[05创实施例1-10和比较例A和B
[0543] 运些实施例示出使用化T，类型IW测定当在液体介质中利用空穴传输沉积W形成 第一层时不同促进添加剂的效果。
[0544] 用于空穴传输材料HT-I和添加剂的液体介质为甲苯。HT-I与添加剂的重量比、赔 烧时间、赔烧溫度和结果在表1中给出。
[0545] 表1:化T结果
[0546]
[054引比率为HT-I与促进添加剂的重量比
[0549] 实施例11-12和比较例C
[0550] 运些实施例示出使用四十烧作为促进添加剂。
[0551] 在实施例11中，四十烧根据化T，类型2测试。
[0巧2] 在实施例12中，四十烧根据化T，类型4测试。
[0553]在比较例C中，四十烧根据化T，类型1测试。
[0巧4] 结果在下表2中给出。
[化巧]表2:化T结果 [化 561
[0巧7]比率为HT-I与促进添加剂的重量比
[化则 实施例13-25
[0559] 运些实施例示出使用化T，类型4。就液体材料而言，将化1的促进添加剂置于具有 玻璃盖的腔中。将烙点接近室溫的材料烙融并且然后将化1的促进添加剂置于具有玻璃盖 的腔中。使用綴子将具有较高烙点的固体材料W固体形式直接加到腔体盖上(约2-lOmg)， 并且然后短暂加热至烙融并分散在腔体的表面上。结果给出在表3中。
[0560] 表3:化T结果
[0561]
[
[05创 实施例26-27
[0564] 运些实施例示出使用=十六烧作为促进添加剂。
[0565] 在实施例26中，S十六烧根据化T，类型3测试。
[0566] 在实施例27中，S十六烧根据化T，类型4测试。
[化67] 结果在下表4中给出。
[0日68] 圭/1-口T T知^里
[0569]
[化70] 实施例28-42和比较例D和E
[0571] 运些实施例示出使用S(X)L邸TW测定当在液体介质中利用空穴传输沉积W形成第 一层时不同促进添加剂的效果。
[0572] 如上所述制备器件，其中当沉积空穴传输材料时，促进添加剂与空穴传输材料一 起存在。
[0573] 在实施例28和比较例D中，空穴传输层具有20nm的最终厚度;光活性层为主体-I: E-2;电子传输材料为ET-I;电子注入材料为EIJ-I。
[0574] 在实施例29-42和比较例E中，空穴传输层具有IOOnm的最终厚度;光活性层为主 体-1: E-3;电子传输材料为ET-2;电子注入材料为EIJ-2。
[0575] 材料、量、时间、溫度和结果在下表5中给出。
[化 76]表5: SCOLEDT 结果
[0577]
[0578] HTM =空穴传输材料;比率=空穴传输材料与促进添加剂的重量比。
[0巧9] 实施例43-50和比较例F-H
[0580] 运些实施例示出使用促进添加剂，其中所述添加剂在赔烧步骤期间，邻近空穴传 输层存在，其使用SCOLEDT。
[0581] 空穴传输材料为HT-I并且空穴传输层具有IOOnm的最终厚度;光活性层为主体-1: E-3;电子传输材料为ET-2;电子注入材料为EIJ-2。
[0582] 如上所述制备器件，其中空穴传输层中不具有促进添加剂。将促进添加剂置于具 有玻璃盖的中间空腔中并且置于沉积的空穴传输材料上方用于赔烧步骤，使得具有促进添 加剂的空腔侧面面向空穴传输材料。
[0583] 促进添加剂、量、时间、溫度和结果在下表6中给出。
[0584] 表6: SCOLEDT结果 「化 851
[0587] 实施例51-54和比较例I-J
[0588] 运些实施例示出使用促进添加剂与可交联的空穴传输材料HT-3。
[0589] 当在空穴传输层中使用可交联材料时，可通过研究当暴露于在不交联时通常可溶 解整个层的溶剂时的膜保留来衡量对被后续层溶解的抵抗性。在该研究中，在玻璃/ITO基 底上旋转诱注具有和不具有促进添加剂FA-2的可交联空穴传输聚合物HT-3的膜。然后，将 膜赔烧，并且然后使用KLA-Tencor P15轮廓曲线仪测量厚度。在轮廓测定之后，使每个样品 经受苯甲酸漂洗。苯甲酸漂洗的方法如下:将基底置于旋转涂布机中，其中将1毫升苯甲酸 涂在基底表面上并持续30s，然后在2000rpm下旋转样品同时经过60s的过程将40ml的苯甲 酸分配到基底上，然后使所述样品旋转至干燥。在苯甲酸漂洗自后，用轮廓曲线仪再次测量 膜厚度。保留数为按初始膜厚度的百分比计的最终膜厚度的比较结果。可见促进添加剂的 存在导致在多个溫度下空穴传输膜的大量保留，如表7中所示。
[0巧0] 表7:结果
[0591]
[0592] 本申请包括用于形成电活性层的电活性体系，其包含(a)第一电活性材料；（b)促 进添加剂;和(C)第一液体介质；
[0593] 其中所述促进添加剂在赔烧期间W足W使得由其制成的电活性层能够在所述电 活性体系沉积在工件上并在小于350°C的溫度下赔烧预定的时间之后有效抵抗与施用于其 上的第二液体介质混合的量存在。
[化94]在一些实施方案中，其中所述电活性材料包含至少一种光活性材料和至少一种主 体材料。在一些实施方案中，所述电活性材料包含空穴传输材料。在一些实施方案中，所述 促进添加剂具有150°C或更高的沸点。在一些实施方案中，其中所述促进添加剂在225°C下 具有在1〇-中a至40化范围内的蒸气压。在一些实施方案中，促进添加剂为具有小于2000的分 子量的小分子。
[05M]在一些实施方案中，促进添加剂具有式VIII
[0596]
(VlII)
[0597] 其中；
[0598] Ar在每次出现时相同或不同并且为具有3-60个环碳的芳基基团或気代芳基基团；
[0599] Y在每次出现时相同或不同并且选自D、烷基、烷氧基、芳基、芳氧基、簇酸醋、甲娃 烷基、硅氧烷、氨基、巧挫基、気代烷基、気代烷氧基、気代芳基、気代芳氧基、気代簇酸醋、気 代甲娃烷基、気代硅氧烷、気代氨基、和気代巧挫基，其中相邻碳上的Y基团可连接在一起W 形成稠合的5元或6元脂族环；
[0600] n为大于0的整数；
[0601] P为大于0的整数;并且
[0602] *表示附接点、H、D、面离子、芳基或気代芳基。
[0603] 本申请包括用于形成电活性层的方法，所述方法包括（i)将第一电活性组合物沉 积到工件上W形成沉积层，其中所述第一电活性组合物包含第一电活性材料、促进添加剂 和第一液体介质；（ii)在小于350°C的溫度下将沉积层赔烧预定的时间；W及（iii)在第一 电活性层的上方沉积第二电活性组合物，所述第二电活性组合物包含处于第二液体介质中 的第二电活性材料;其中所述促进添加剂W足W使得第一电活性层有效抵抗与第二液体介 质混合的量存在。
[0604] 在一些实施方案中，预定的时间足W蒸发基本上所有所述第一液体介质。在一些 实施方案中，所述促进添加剂具有150°C或更高的沸点。在一些实施方案中，所述促进添加 剂在225°C下具有在1〇-中a至40化范围内的蒸气压。在一些实施方案中，其中促进添加剂为 具有小于2000的分子量的小分子。在一些实施方案中，其中所述电活性材料包含至少一种 光活性材料和至少一种主体材料。在一些实施方案中，所述电活性材料包含空穴传输材料。
[0605] 本申请包括用于形成电活性层的方法，所述方法包括（i)将第一电活性组合物沉 积到工件上W形成沉积层，其中所述第一电活性组合物包含第一电活性材料和第一液体介 质；（ii)在促进添加剂的存在下赔烧沉积层，其中所述赔烧在小于350°C的溫度下进行预定 的时间；W及(iii)在第一电活性层的上方沉积第二电活性组合物，所述第二电活性组合物 包含处于第二液体介质中的第二电活性材料;其中所述促进添加剂W足W使得第一电活性 层有效抵抗与第二液体介质混合的量存在。
[0606] 在一些实施方案中，预定的时间足W蒸发基本上所有所述第一液体介质。在一些 实施方案中，所述促进添加剂具有150°C或更高的沸点。在一些实施方案中，所述促进添加 剂在225°C下具有在1〇-中a至40化范围内的蒸气压。在一些实施方案中，其中促进添加剂为 具有小于2000的分子量的小分子。在一些实施方案中，其中所述电活性材料包含至少一种 光活性材料和至少一种主体材料。在一些实施方案中，所述电活性材料包含空穴传输材料。
[0607] 应注意到的是，并不是所有的上文一般性描述或实施例中所描述的活动都是必需 的，一部分特定活动不是必需的，并且除了所描述的那些W外，还可实施一个或多个其它活 动。此外，所列活动的顺序不必是它们实施的顺序。
[0608] 在上述说明书中，已参考具体的实施方案描述了多个概念。然而，本领域的普通技 术人员认识到在不脱离W下权利要求中所示出的本发明范围的情况下可W作出多种变型 和改变。因此，说明书和附图应被认为是示例性的而非限制性的，并且所有此类修改均旨在 包括于本发明的范围内。
[0609] W上已针对具体的实施方案描述了有益效果、其它优点W及问题的解决方案。然 而，有益效果、优点、问题的解决方案、W及可致使任何有益效果、优点或解决方案产生或变 得更显著的任何特征不可解释为是任何或全部权利要求的关键、必需或基本特征。
[0610] 应当认识到，为清楚起见，本文不同实施方案的上下文中所描述的某些特征也可 在单个实施方案中W组合方式提供。反之，为简明起见，在单个实施方案的上下文中所描述 的多个特征也可单独或W任何子组合的方式提供。本文指定的各种范围中使用的数值规定 为近似值，就像是在规定范围内的最小值和最大值前均有"约"字。运样，在所述范围之上及 之下的微小变化值均可用于获得与运些范围内的值基本上相同的结果。运些范围的公开还 旨在作为包括介于最小和最大平均值之间的每个值的连续范围，当一个值的某些组分与不 同值的那些混合时其包括可产生结果的部分值。此外，当公开更宽的和更窄的范围时，在本 发明的期望内，使来自一个范围的最小值与来自另一个范围的最大值匹配，反之亦然。
【主权项】
1. 一种用于形成电活性层的电活性体系，包含： (a) 第一电活性材料； (b) 促进添加剂;和 (C)第一液体介质； 其中所述促进添加剂在赔烧期间W足W使得由其制成的电活性层能够在所述电活性 体系沉积到工件上并在小于350°C的溫度下赔烧预定的时间之后有效抵抗与施用于其上的 第二液体介质混合的量存在。2. -种用于形成电活性层的方法，包括： (ii)将第一电活性组合物沉积到工件上W形成沉积层，其中所述第一电活性组合物包 含第一电活性材料、促进添加剂和第一液体介质； (ii) 将所述沉积层在小于350°C的溫度下赔烧预定的时间；W及 (iii) 在所述第一电活性层上沉积第二电活性组合物，所述第二电活性组合物包含处 于第二液体介质中的第二电活性材料； 其中所述促进添加剂W足W使得所述第一电活性层能够有效抵抗与所述第二液体介 质混合的量存在。3. -种用于形成电活性层的方法，包括： (i) 将第一电活性组合物沉积到工件上W形成沉积层，其中所述第一电活性组合物包 含第一电活性材料和第一液体介质； (ii) 在促进添加剂的存在下赔烧所述沉积层，其中所述赔烧在小于350°C的溫度下进 行预定的时间；W及 (iii) 在所述第一电活性层上沉积第二电活性组合物，所述第二电活性组合物包含处 于第二液体介质中的第二电活性材料； 其中所述促进添加剂W足W使得所述第一电活性层能够有效抵抗与所述第二液体介 质混合的量存在。4. 根据权利要求2或权利要求3所述的方法，其中所述预定的时间足W使基本上所有所 述第一液体介质蒸发。5. 根据权利要求1所述的体系，其中所述电活性材料包含至少一种光活性材料和至少 一种主体材料。6. 根据权利要求1所述的体系，其中所述电活性材料包含空穴传输材料。7. 根据权利要求1、权利要求5或权利要求6所述的体系，其中所述促进添加剂为具有小 于2000的分子量的小分子。8. 根据权利要求1、权利要求5或权利要求6所述的体系，其中所述促进添加剂具有150 °(：或更高的沸点。9. 根据权利要求1、权利要求5或权利要求6所述的体系，其中所述促进添加剂在225°C 下具有在1〇-3化至40化范围内的蒸气压。10. 根据权利要求2或权利要求3所述的方法，其中所述电活性材料包含至少一种光活 性材料和至少一种主体材料。11. 根据权利要求2或权利要求3所述的方法，其中所述电活性材料包含空穴传输材料。12. 根据权利要求2或权利要求3所述的方法，其中所述促进添加剂为具有小于2000的 分子量的小分子。13. 根据权利要求2或权利要求3所述的方法，其中所述促进添加剂具有15(TC或更高的 沸点。14. 根据权利要求2或权利要求3所述的方法，其中所述促进添加剂在225Γ下具有在10 一3化至40化范围内的蒸气压。15. 根据权利要求2或权利要求3所述的方法，其中所述促进添加剂具有式VIII其中： Ar在每次出现时相同或不同并且为具有3-60个环碳的芳基基团或気代芳基基团； Y在每次出现时相同或不同并且选自D、烷基、烷氧基、芳基、芳氧基、簇酸醋、甲娃烷基、 硅氧烷、氨基、巧挫基、気代烷基、気代烷氧基、気代芳基、気代芳氧基、気代簇酸醋、気代甲 娃烷基、気代硅氧烷、気代氨基和気代巧挫基，其中相邻碳上的Y基团可连接在一起W形成 稠合的5元或6元脂族环； η为大于0的整数； Ρ为大于0的整数;并且 *表示附接点、H、D、面离子、芳基或気代芳基。
【文档编号】C09K11/06GK105981192SQ201480075194
【公开日】2016年9月28日
【申请日】2014年12月11日
【发明人】A·费尼莫尔, D·Y·康达考弗, N·S·拉杜
【申请人】E.I.内穆尔杜邦公司