一种栅氧化层的形成方法
【专利摘要】本申请提供了一种栅氧化层的形成方法。该形成方法包括：步骤S1，在半导体衬底的上表面氧化生长形成氧化层；步骤S2，刻蚀去除位于第一位置的氧化层，使对应于第一位置的半导体衬底裸露；步骤S3，在裸露的半导体衬底上氧化生长形成厚度为H1的第一栅氧层；步骤S4，刻蚀去除位于第二位置的第一栅氧层，使对应于第二位置的半导体衬底裸露；步骤S5，在裸露的半导体衬底上氧化生长形成厚度为H2的第二栅氧层，且H2＜H1；以及步骤S6，对位于第一栅氧层和第二栅氧层下方的半导体衬底进行离子注入。通过调整第一栅氧层和第二栅氧层的制作流程，替代了分别进行离子注入调整阈值电压的过程，解决了工艺复杂、成本高的问题。
【专利说明】
一种栅氧化层的形成方法
技术领域
[0001] 本申请涉及半导体制造技术领域，具体而言，涉及一种栅氧化层的形成方法。
【背景技术】
[0002] 双内核栅氧（dual core G0X)工艺是目前应用在45nmLP (低功耗工艺）和28nm PloySION(多晶硅栅+氮氧硅绝缘层）工艺中用于增速的常规工艺，该工艺需要形成两种厚 度差2A左右的栅氧化层。举例来说，常规厚度的栅氧化层用于可以承受整个芯片的漏电流 的常规逻辑单元，厚度较薄的栅氧化层用于控制芯片速度的速推区域（speed push area)。
[0003] 目前，为了使速推区域获得足够的饱和电流，在形成不同厚度的栅氧化层之后，利 用离子注入对速推区域进行阈值电压调整，进而实现上述目的。因此，目前常规的双内核栅 氧工艺包括：
[0004] 在半导体衬底100'上氧化生长形成图1所示的第一氧化层200' ；
[0005] 刻蚀去除位于第一位置的第一氧化层200'，裸露出图2所示的对应的半导体衬底 100'的表面；
[0006] 在图2所示的裸露的半导体衬底100'上氧化生长形成图3所示的第二氧化层 201' ；
[0007] 刻蚀去除位于第二位置的第一氧化层200'，裸露出图4所示的对应的半导体衬底 100'的表面；
[0008] 在上述裸露的半导体衬底100'上氧化生长形成图5所示的第三氧化层202'，第三 氧化层202'的厚度不同于第二氧化层201'的厚度；
[0009] 在图5所示的第一氧化层200'、第二氧化层201'和第三氧化层202'的裸露表面 上设置第一光刻胶层，并利用第一掩膜板对第一光刻胶层进行图形化处理，去除位于第二 氧化层201'上的光刻胶，形成图6所示的第一图形化光刻胶301' ；
[0010] 对第二氧化层20Γ进行第一 LDD (轻掺杂漏注入），以调节对应于第二氧化层20Γ 的速推区域的阈值电压；
[0011] 去除第一图形化光刻胶30Γ，在图6所示的第一氧化层200'、第二氧化层20Γ和 第三氧化层202'的裸露表面上设置第二光刻胶层，并利用第二掩膜板对第一光刻胶层进 行图形化处理，去除位于第三氧化层202'上的光刻胶，形成图7所示的第二图形化光刻胶 302' ；
[0012] 对第三氧化层202 '进行第二LDD (轻掺杂漏注入），以调节对应于第二氧化层202 ' 的的速推区域阈值电压，第一 LDD和第二LDD的注入浓度和剂量不同，从而使第一氧化层 201'和第二氧化层202'的阈值电压不同。
[0013] 上述工艺需要进行两次离子注入分别调整第一氧化层和第二氧化层对应的速推 区域的阈值电压，每次离子注入需要利用特定的掩膜版，且离子注入工艺是半导体制程中 最为复杂的工艺之一，因此，上述工艺的步骤繁琐、成本也较高。
【发明内容】
[0014] 本申请旨在提供一种栅氧化层的形成方法，以解决现有技术中工艺的步骤繁琐、 成本也较高的问题。
[0015] 为了实现上述目的，根据本申请的一个方面，提供了一种栅氧化层的形成方法，该 形成方法包括：步骤S1，在半导体衬底的上表面氧化生长形成氧化层；步骤S2,刻蚀去除位 于第一位置的氧化层，使对应于第一位置的半导体衬底裸露；步骤S3,在裸露的半导体衬 底上氧化生长形成厚度为H1的第一栅氧层；步骤S4,刻蚀去除位于第二位置的第一栅氧 层，使对应于第二位置的半导体衬底裸露；步骤S5,在裸露的半导体衬底上氧化生长形成 厚度为H2的第二栅氧层，且H2 < H1 ;以及步骤S6,对位于第一栅氧层和第二栅氧层下方的 半导体衬底进行离子注入。
[0016] 进一步地，上述H1与H2的差值为50~S0A
[0017] 进一步地，上述步骤S3和步骤S5在完成氧化生长之后还包括在1000~1500°C下 退火的步骤。
[0018] 进一步地，上述步骤S3和步骤S5采用干氧氧化工艺实施。
[0019] 进一步地，上述干氧氧化工艺的氧化生长在600~1100°C下进行。
[0020] 进一步地，上述 H1 为20~4_〇A。.
[0021] 进一步地，上述步骤S2和步骤S4均采用湿法刻蚀实施。
[0022] 进一步地，上述步骤S2包括：步骤S21，在氧化层上设置第一光刻胶层，并对第一 光刻胶层进行图形化处理，形成第一图形化光刻胶；步骤S22,利用湿法刻蚀氧化层，至半 导体衬底裸露；以及步骤S23,去除第一图形化光刻胶。
[0023] 进一步地，上述步骤S4包括：步骤S41，在第一栅氧层上设置第二光刻胶层，并对 第二光刻胶层进行图形化处理，形成第二图形化光刻胶；步骤S42,利用湿法刻蚀第一栅氧 层，至半导体衬底裸露；以及步骤S43,去除第二图形化光刻胶。
[0024] 进一步地，上述湿法刻蚀过程包括：采用DHF刻蚀液刻蚀氧化层或第一栅氧层，形 成刻蚀残留物；以及采用SPM刻蚀液清洗刻蚀残留物。
[0025] 进一步地，上述DHF刻蚀液包括体积比为10:1~100:1的H20和HF，SPM刻蚀液 包括体积比为1 :4~1 :5的氏02和H 2S04。
[0026] 应用本申请的技术方案，由于第一栅氧层HI和第二栅氧层H2的厚度差明显，该厚 度差在一定程度上使得第一栅氧层和第二栅氧层的阈值电压出现差别；在此基础上，同样 条件下的离子注入因为第一栅氧层和第二栅氧层的厚度不同，能够注入至半导体衬底的离 子剂量也不同，因此进一步调整了第一栅氧层和第二栅氧层的阈值电压，由此可见，本申请 通过调整第一栅氧层和第二栅氧层的制作流程以使二者厚度不同，使得第一栅氧层和第二 栅氧层的阈值电压得到有效调整，替代了现有技术常规的分别对第一栅氧层和第二栅氧层 进行离子注入调速推区域阈值电压的过程，从而解决了由于需要两次离子注入带来的工艺 复杂、成本高的问题。
【附图说明】
[0027] 构成本申请的一部分的说明书附图用来提供对本申请的进一步理解，本申请的示 意性实施例及其说明用于解释本申请，并不构成对本申请的不当限定。在附图中：
[0028] 图1至图7示出了实施现有技术的双内核栅氧工艺的流程示意图，其中，
[0029] 图1示出了在半导体衬底上氧化生长形成第一氧化层后的剖面结构示意图；
[0030] 图2示出了刻蚀去除图1所示的位于第一位置的第一氧化层裸露处对应的半导体 衬底的表面后的剖面结构示意图；
[0031] 图3示出了在图2所示的裸露的半导体衬底上氧化生长形成第二氧化层后的剖面 结构示意图；
[0032] 图4示出了刻蚀去除图3所示的位于第二位置的第一氧化层裸露处对应的半导体 衬底的表面后的剖面结构示意图；
[0033] 图5示出了在图4所示的裸露的半导体衬底上氧化生长形成第三氧化层后的剖面 结构示意图；
[0034] 图6示出了在图5所示的第一氧化层、第二氧化层和第三氧化层的裸露表面上设 置第一图形化光刻胶后进行第一 LDD的剖面结构示意图；
[0035] 图7示出了去除图6所示的第一图形化光刻胶，在第一氧化层、第二氧化层和第三 氧化层的裸露表面上设置第二图形化光刻胶后第二LDD的剖面结构示意图；
[0036] 图8示出了本申请一种优选实施方式提供的栅氧化层的形成方法的流程示意图
[0037] 图9至图16示出了执行图8所示各步骤后得到的结构的剖面结构示意图，其中，
[0038] 图9示出了在半导体衬底的上表面氧化生长形成氧化层后的剖面结构示意图；
[0039] 图10示出了在图9所示的氧化层上设置第一光刻胶层，并对第一光刻胶层进行图 形化处理，形成第一图形化光刻胶后的剖面结构示意图；
[0040] 图11示出了利用湿法刻蚀图10所示的氧化层至半导体衬底裸露，并去除第一图 形化光刻胶后的剖面结构示意图；
[0041] 图12示出了在图11所示的裸露的半导体衬底上氧化生长形成厚度为H1的第一 栅氧层后的剖面结构示意图；
[0042] 图13示出了在图12所示的第一栅氧层上设置第二光刻胶层，并对第二光刻胶层 进行图形化处理形成第二图形化光刻胶后的剖面结构示意图；
[0043] 图14示出了利用湿法刻蚀图13所示的第一栅氧层至半导体衬底裸露，并去除第 二图形化光刻胶后的剖面结构示意图；
[0044] 图15示出了在图14所示的裸露的半导体衬底上氧化生长形成厚度为H2的第二 栅氧层后的剖面结构示意图；以及
[0045] 图16示出了首先在图15所示的氧化层、第一栅氧层和第二栅氧层上形成在第一 栅氧层和第二栅氧层处具有开口的第三图形化光刻胶后进行离子注入的剖面结构示意图。
【具体实施方式】
[0046] 应该指出，以下详细说明都是例示性的，旨在对本申请提供进一步的说明。除非另 有指明，本文使用的所有技术和科学术语具有与本申请所属技术领域的普通技术人员通常 理解的相同含义。
[0047] 需要注意的是，这里所使用的术语仅是为了描述【具体实施方式】，而非意图限制根 据本申请的示例性实施方式。如在这里所使用的，除非上下文另外明确指出，否则单数形式 也意图包括复数形式，此外，还应当理解的是，当在本说明书中使用术语"包含"和/或"包 括"时，其指明存在特征、步骤、操作、器件、组件和/或它们的组合。
[0048] 为了便于描述，在这里可以使用空间相对术语，如"在……之上"、"在……上方"、 "在……上表面"、"上面的"等，用来描述如在图中所示的一个器件或特征与其他器件或特 征的空间位置关系。应当理解的是，空间相对术语旨在包含除了器件在图中所描述的方位 之外的在使用或操作中的不同方位。例如，如果附图中的器件被倒置，则描述为"在其他器 件或构造上方"或"在其他器件或构造之上"的器件之后将被定位为"在其他器件或构造下 方"或"在其他器件或构造之下"。因而，示例性术语"在……上方"可以包括"在……上方" 和"在……下方"两种方位。该器件也可以其他不同方式定位（旋转90度或处于其他方 位），并且对这里所使用的空间相对描述作出相应解释。
[0049] 正如【背景技术】所介绍的，现有工艺需要进行两次离子注入分别调整第一氧化层 和第二氧化层的阈值电压，每次离子注入需要利用特定的掩膜版，且离子注入工艺是半导 体制程中最为复杂的工艺之一，因此，上述工艺的步骤繁琐、成本也较高，为了解决如上由 于需要两次离子注入带来的工艺复杂、成本高的问题，本申请提出了一种栅氧化层的形成 方法，图8示出了该栅氧化层的形成方法的流程示意图，该形成方法包括：步骤S1，在半导 体衬底100的上表面氧化生长形成氧化层200 ;步骤S2,刻蚀去除位于第一位置的氧化层 200,使对应于第一位置的半导体衬底100裸露；步骤S3,在裸露的半导体衬底100上氧化 生长形成厚度为H1的第一栅氧层201 ;步骤S4,刻蚀去除位于第二位置的第一栅氧层201， 使对应于第二位置的半导体衬底100裸露；步骤S5,在裸露的半导体衬底100上氧化生长 形成厚度为H2的第二栅氧层202,且H2 < H1 ;以及步骤S6,对位于第一栅氧层201和第二 栅氧层202下方的半导体衬底100进行离子注入。
[0050] 本申请采用氧化生长的方式在半导体衬底100上形成氧化层200、第一栅氧层和 第二栅氧层，本领域技术人员公知的是氧化生长是对半导体衬底100进行氧化，因此，刻蚀 去除位于第一位置的氧化层200后，形成该氧化层200的半导体衬底100被刻蚀，而且每一 次氧化生长不仅会在裸露的半导体衬底100上形成氧化物，而且还会增加已经形成的氧化 层200的厚度，因此在氧化生长形成第一栅氧层201时，所形成的第一栅氧层201的厚度小 于氧化层200的厚度；同理，在刻蚀第一栅氧层201、氧化生长形成第二栅氧层202后，该第 二栅氧层202的厚度小于第一栅氧层201的厚度，而且，两者之间的厚度差由于位于第二位 置且形成第一栅氧层201的半导体衬底100被刻蚀而变得明显。
[0051] 由于第一栅氧层201的厚度H1和第二栅氧层202的厚度H2之间的厚度差明显， 该厚度差在一定程度上使得第一栅氧层201和第二栅氧层202的阈值电压出现差别；在此 基础上，同样条件下的离子注入因为第一栅氧层201和第二栅氧层202的厚度不同，能够注 入至半导体衬底100的离子剂量也不同，因此进一步调整了第一栅氧层201和第二栅氧层 202的阈值电压，由此可见，本申请通过调整第一栅氧层201和第二栅氧层202的制作流程 使二者具有厚度差，从而使得第一栅氧层201和第二栅氧层202的阈值电压得到有效调整， 替代了现有技术常规的分别对第一栅氧层201和第二栅氧层202进行离子注入调整速推区 域阈值电压的过程，从而解决了由于需要两次离子注入带来的工艺复杂、成本高的问题。
[0052] 本申请优选上述H1与H2的差值为50-80A，利用两者之间5(K8〇A阶梯差可使饱 和电流产生5~8 %的增益.，也就是说本申请利用氧化层的阶梯差可以导致饱和电流的变 化，本来需要用额外的光罩和离子注入来达到的饱和电流的差异，现在用阶梯差就可以做 到。
[0053] 现在，将参照附图更详细地描述根据本申请的示例性实施方式。然而，这些示例性 实施方式可以由多种不同的形式来实施，并且不应当被解释为只限于这里所阐述的实施方 式。应当理解的是，提供这些实施方式是为了使得本申请的公开彻底且完整，并且将这些示 例性实施方式的构思充分传达给本领域普通技术人员，在附图中，为了清楚起见，扩大了层 和区域的厚度，并且使用相同的附图标记表示相同的器件，因而将省略对它们的描述。
[0054] 首先，在半导体衬底100的上表面氧化生长形成图9所示的氧化层200。上述半 导体衬底1〇〇包括但不限于包括半导体元素的硅材料，例如单晶、多晶或非晶结构的硅或 硅锗，也可以是绝缘体上硅（SOI)。该氧化层200可以作为半导体器件的隧穿氧化层200， 该氧化层200的氧化生长可以采用目前常规的干氧氧化工艺、湿氧氧化工艺或高压氧化工 艺，具体氧化条件可以参考现有技术，在此不再赘述。
[0055] 然后，刻蚀去除图9中位于第一位置的氧化层200,使对应于第一位置的半导体衬 底100裸露，得到具有图11所示剖面结构的结构。该过程优选采用湿法刻蚀实施，该步骤 S2包括：步骤S21，在图9所示的氧化层200上设置第一光刻胶层，并对第一光刻胶层进行 图形化处理，形成图10所示的第一图形化光刻胶301 ;步骤S22,利用湿法刻蚀图10所示的 氧化层200,至半导体衬底100裸露；步骤S23,去除第一图形化光刻胶301，得到具有图11 所示剖面结构的结构。
[0056] 为了优化湿法刻蚀的效果，进一步优选上述湿法刻蚀过程包括：采用DHF刻蚀液 刻蚀氧化层200形成刻蚀残留物；采用SPM刻蚀液清洗刻蚀残留物，上述DHF刻蚀液对氧化 硅具有良好的选择性，而不会对半导体衬底100形成刻蚀损伤，且在刻蚀完成后利用SPM刻 蚀液清洗去除刻蚀残留物，保证了刻蚀后裸露表面的清洁度，进一步保证了后续氧化生长 形成的氧化物的质量。
[0057] 现有技术的DHF刻蚀液和SPM溶液均可用于上述刻蚀过程，本申请优选DHF刻蚀 液包括体积比为10:1~100:1的H 20和HF，SPM刻蚀液包括体积比为4 :1~5 :1的H202和 H2S04〇
[0058] 完成上述步骤S2之后，执行步骤S3,在图11所示的裸露的半导体衬底100上氧化 生长形成图12所示的厚度为H1的第一栅氧层201。
[0059] 如上所论述的，本领域技术人员公知的是上述氧化生长并不是仅仅在裸露的半导 体衬底100上氧化生长形成第一栅氧层201，已经形成的氧化层200的厚度也会在一定程 度上增长，本领域技术人员只需要对氧化生长的条件进行调节以控制第一栅氧层201的厚 度。上述氧化生长同样可以采用本领域常规的氧化生长工艺，优选采用干氧氧化工艺形成 上述第一栅氧层201，且为了优化第一栅氧层201的致密性优选氧化生长在600~1KKTC， 并且通过控制氧化生长的氧气流量2~5slm，氢气流量2~5slm，氮气流量大约25slm。氧 化时间约半小时，该第一栅氧层201的厚度H1控制在20~40A。
[0060] 在本申请又一种优选的实施方式中，在完成氧化生长之后，该步骤S3还包括在 1000~1500°C下进行退火的步骤，以提高该第一栅氧层201的质量。
[0061] 形成第一栅氧层201之后，执行步骤S4,刻蚀去除图12所示的位于第二位置的第 一栅氧层201，使对应于第二位置的半导体衬底100裸露，得到具有图14所示剖面结构的结 构。
[0062] 与前述步骤S2相似，该步骤优选采用湿法刻蚀实施，该步骤S4包括：步骤S41， 在图12所示的第一栅氧层201上设置第二光刻胶层，并对第二光刻胶层进行图形化处理， 形成图13所示的第二图形化光刻胶302 ;步骤S42,利用湿法刻蚀图13所示的第一栅氧层 201，至半导体衬底100裸露；步骤S43,去除第二图形化光刻胶302,得到具有图14所示剖 面结构的结构。
[0063] 同样为了优化湿法刻蚀的效果，进一步优选上述湿法刻蚀过程包括：采用DHF刻 蚀液刻蚀氧化层200形成刻蚀残留物；采用SPM刻蚀液清洗刻蚀残留物，上述DHF刻蚀液对 氧化硅具有良好的选择性，而不会对半导体衬底100形成刻蚀损伤，且在刻蚀完成后利用 SPM刻蚀液清洗去除刻蚀残留物，保证了刻蚀后裸露表面的清洁度，进一步保证了后续氧化 生长形成的氧化物的质量。其中DHF刻蚀液和SPM溶液可以参照前述内容。
[0064] 完成步骤S4之后，执行步骤S5,在图14所示的裸露的半导体衬底100上氧化生长 形成图15所示的厚度为H2的第二栅氧层202,且H2 < H1，在经过步骤S4的刻蚀之后，对应 第二位置的半导体衬底100的表面低于第一栅氧层201的表面，因此在进行氧化生长时，由 于第一栅氧层201的厚度会同时增加，因此形成的第二栅氧层202的厚度H2必然小于第一 栅氧层201的厚度H1，本领域技术人员可以根据器件需求，通过调节氧化生长条件控制第 一栅氧层201的厚度H1与第二栅氧层202的厚度H2之后的厚度差在50~8:0 A。进一步的氧 化生长过程与步骤S3的氧化生长过程相似，即优选采用干氧氧化法，优选控制氧化生长过 程的氧化生长温度在600~1000°C之间，并进一步优选在氧化生长之后在1100~1500°C 下进行退火，进一步的具体操作本领域技术人员可以以现有技术为参考，在此不再赘述。
[0065] 在形成上述阶梯式的栅氧层结构之后，对图15所示的第一栅氧层201和第二栅氧 层202下方的半导体衬底100进行离子注入，实现进一步调整阈值电压的目的。该离子注 入过程包括：首先在图15所示的氧化层200、第一栅氧层201和第二栅氧层202上设置光刻 胶，然后对该光刻胶进行光刻，形成图16所示的在第一栅氧层201和第二栅氧层202处具 有开口的第三图形化光刻胶303,接着在第三图形化光刻胶303的保护下对第一栅氧层201 和第二栅氧层202下的半导体衬底100进行离子注入。
[0066] 如上所论述的，由于第一栅氧层201和第二栅氧层202的厚度不同，对离子注入的 效果也有不同的影响，如第一栅氧层201的厚度较厚，在同样的离子注入条件下，进入到半 导体衬底100的杂质离子的剂量就偏少，而第二栅氧层202下方半导体衬底100中的杂质 离子就相对较大，那么对应的阈值电压就较大。
[0067] 从以上的描述中，可以看出，本申请上述的实施方式实现了如下技术效果：
[0068] 由于第一栅氧层的厚度H1和第二栅氧层的厚度H2之间的厚度差明显，该厚度差 在一定程度上使得第一栅氧层和第二栅氧层的阈值电压出现差别；在此基础上，同样条件 下的离子注入因为第一栅氧层和第二栅氧层的厚度不同，能够注入至半导体衬底的离子剂 量也不同，因此进一步调整了第一栅氧层和第二栅氧层的阈值电压，由此可见，本申请通过 调整第一栅氧层和第二栅氧层的制作流程使二者具有厚度差，从而使得第一栅氧层和第二 栅氧层的阈值电压得到有效调整，替代了现有技术常规的分别对第一栅氧层和第二栅氧层 进行离子注入调整速推区域阈值电压的过程，从而解决了由于需要两次离子注入带来的工 艺复杂、成本高的问题。
[0069] 以上所述仅为本申请的优选实施例而已，并不用于限制本申请，对于本领域的技 术人员来说，本申请可以有各种更改和变化。凡在本申请的精神和原则之内，所作的任何修 改、等同替换、改进等，均应包含在本申请的保护范围之内。
【主权项】
1. 一种栅氧化层的形成方法，其特征在于，所述形成方法包括： 步骤SI,在半导体衬底的上表面氧化生长形成氧化层； 步骤S2,刻蚀去除位于第一位置的所述氧化层，使对应于所述第一位置的半导体衬底 裸露； 步骤S3,在裸露的所述半导体衬底上氧化生长形成厚度为Hl的第一栅氧层； 步骤S4,刻蚀去除位于第二位置的所述第一栅氧层，使对应于所述第二位置的半导体 衬底裸露； 步骤S5,在裸露的所述半导体衬底上氧化生长形成厚度为H2的第二栅氧层，且肥 <H1 ;化及 步骤S6,对位于所述第一栅氧层和第二栅氧层下方的半导体衬底进行离子注入。2. 根据权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述Hl与所述肥的差值为如~8献，3. 根据权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述步骤S3和所述步骤S5在完成所 述氧化生长之后还包括在1000~1500°C下退火的步骤。4. 根据权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述步骤S3和所述步骤S5采用干氧 氧化工艺实施。5. 根据权利要求4所述的形成方法，其特征在于，所述干氧氧化工艺的氧化生长在 600~1100 °C下进行。6. 根据权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述Hl为20--40A.7. 根据权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述步骤S2和所述步骤S4均采用湿 法刻蚀实施。8. 根据权利要求7所述的形成方法，其特征在于，所述步骤S2包括： 步骤S21，在所述氧化层上设置第一光刻胶层，并对所述第一光刻胶层进行图形化处 理，形成第一图形化光刻胶； 步骤S22,利用湿法刻蚀所述氧化层，至所述半导体衬底裸露；W及 步骤S23，去除所述第一图形化光刻胶。9. 根据权利要求7所述的形成方法，其特征在于，所述步骤S4包括： 步骤S41，在所述第一栅氧层上设置第二光刻胶层，并对所述第二光刻胶层进行图形化 处理，形成第二图形化光刻胶； 步骤S42,利用湿法刻蚀所述第一栅氧层，至所述半导体衬底裸露；W及 步骤S43，去除所述第二图形化光刻胶。10. 根据权利要求8或9所述的形成方法，其特征在于，所述湿法刻蚀过程包括： 采用DHF刻蚀液刻蚀所述氧化层或所述第一栅氧层，形成刻蚀残留物；W及 采用SPM刻蚀液清洗所述刻蚀残留物。11. 根据权利要求10所述的形成方法，其特征在于，所述DHF刻蚀液包括体积比为 10:1~100:1的&0和HF,所述SPM刻蚀液包括体积比为1 :4~1 :5的&化和H 2SO4。
【文档编号】H01L21/28GK105990110SQ201510041895
【公开日】2016年10月5日
【申请日】2015年1月27日
【发明人】徐宽, 陈武佳
【申请人】中芯国际集成电路制造(上海)有限公司