具有ubm的封装件及其形成方法
【专利摘要】本发明公开了封装件结构和形成封装件结构的方法。根据一些实施例，封装件结构包括：集成电路管芯；至少横向地密封集成电路管芯的密封剂；位于集成电路管芯和密封剂上的重分布结构；连接至重分布结构的支撑金属化层的连接件；伪图案；第二介电层；以及位于支撑金属化层的连接件上的外部连接件。重分布结构包括第一介电层，第一介电层具有远离密封剂和集成电路管芯设置的第一表面。伪图案位于第一介电层的第一表面上和支撑金属化层的连接件周围。第二介电层位于第一介电层的第一表面上和伪图案的至少部分上。第二介电层不接触支撑金属化层的连接件。本发明还涉及具有UBM的封装件及其形成方法。
【专利说明】
具有UBM的封装件及其形成方法[0001]本申请涉及2015年1月26日提交的标题为“Package with UBM and Methods of Forming”的美国专利申请第14/605,848号，其全部内容通过引用结合于此作为参考。 本申请涉及于2014年9月15日提交的标题为“UBM Metal Profile for Reliability Improvement”的美国临时专利申请第62/050, 550号，其全部内容通过引用结合于此作为 参考。[0002]
技术领域
[0003]本发明涉及具有UBM的封装件及其形成方法。【背景技术】
[0004]例如，半导体器件用于各种电子应用中，诸如个人电脑、移动手机、数码相机和其他电子设备。通常通过在半导体衬底上方依次沉积绝缘或介电层、导电层和半导体材料层并且使用光刻图案化各个材料层以在其上形成电路组件和元件来制造半导体器件。通常在单个半导体晶圆上制造数十或数百的集成电路。通过沿着划线来锯切集成电路来分割单个的管芯。然后例如，诸如单独地或以多芯片模式或以其他封装类型来单独地封装单个管芯。
[0005]半导体产业通过持续减小最小部件的大小来不断改进各种电子组件(例如，晶体管、二极管、电阻器、电容器等)的集成密度，这允许更多的组件被集成到给定的区域内。在一些应用中，这些诸如集成电路管芯的更小的电子组件也需要更小的封装件，这些更小的封装件比过去的封装件利用更少的区域。
【发明内容】
[0006]为了解决现有技术中的问题，根据本发明的一些实施例，提供了一种封装件结构， 包括:集成电路管芯；密封剂，至少横向地密封所述集成电路管芯；重分布结构，位于所述集成电路管芯和所述密封剂上，所述重分布结构包括第一介电层，所述第一介电层具有远离所述密封剂和所述集成电路管芯设置的第一表面；支撑金属化层的连接件，所述金属化层连接至所述重分布结构，所述支撑金属化层的连接件具有第一部分和第二部分，所述第一部分位于所述第一介电层的所述第一表面上并且所述第二部分在穿过所述第一介电层的开口中延伸；伪图案，位于所述第一介电层的所述第一表面上并且位于所述支撑金属化层的连接件周围；第二介电层，位于所述第一介电层的所述第一表面上并且位于所述伪图案的至少部分上，所述第二介电层不接触所述支撑金属化层的连接件；以及外部连接件，位于所述支撑金属化层的连接件上。
[0007]根据本发明的另一些实施例，提供了一种封装件结构，包括:集成电路管芯；密封剂，至少横向地密封所述集成电路管芯；重分布结构，位于所述集成电路管芯和所述密封剂上，所述重分布结构包括第一介电层，所述第一介电层远离所述密封剂和所述集成电路管芯设置；支撑金属化层的连接件，所述金属化层连接至所述重分布结构，所述支撑金属化层的连接件具有第一部分、第二部分和第三部分，所述第一部分位于所述第一介电层的第一表面上，所述第二部分沿着穿过所述第一介电层的第一开口的底面延伸，并且所述第三部分沿着所述第一开口的侧壁延伸且位于所述第一部分和所述第二部分之间，接合点形成在所述第二部分接触所述第三部分的位置处；第二介电层，位于所述第一介电层的所述第一表面上和所述支撑金属化层的连接件的所述第一部分、所述第三部分和所述第二部分的至少一部分上；以及外部连接件，穿过第二开口并且位于所述支撑金属化层的连接件上，所述第二开口穿过所述第二介电层。
[0008]根据本发明的又一些实施例，提供了一种方法，包括:用密封剂密封集成电路管芯；在所述集成电路管芯和所述密封剂上形成重分布结构，所述重分布结构包括第一介电层，所述第一介电层具有远离所述集成电路管芯和所述密封剂设置的第一表面；在所述重分布结构上形成凸块下金属化层(UBM)和伪图案，所述伪图案围绕所述第一介电层的所述第一表面上的所述UBM;在所述第一介电层的所述第一表面上且在所述伪图案的至少一部分上形成第二介电层，其中，在形成所述第二介电层之后，所述第二介电层不接触所述UBM ; 以及在所述UBM上形成外部电连接件。【附图说明】
[0009]当结合附图进行阅读时，从以下详细描述可最佳理解本发明的各方面。应该注意， 根据工业中的标准实践，各个部件未按比例绘制。实际上，为了清楚的讨论，各个部件的尺寸可以任意地增大或减小。
[0010]图1至图14是根据一些实施例的在用于形成封装件结构的工艺期间的中间步骤的截面图。
[0011]图15是根据一些实施例的封装件结构的截面图。
[0012]图16是根据一些实施例的封装件结构的截面图。
[0013]图17、图18、图19A、图20和图21是根据一些实施例的在用于形成封装件结构的工艺期间的中间步骤的截面图。
[0014]图19B是根据一些实施例的凸块下金属化层(UBM)和伪图案的布局图。
[0015]图22是根据一些实施例的封装件结构的截面图。
[0016]图23是根据一些实施例的封装件结构的截面图。
[0017]图24、图25、图26A、图27和图28是根据一些实施例的在用于形成封装件结构的工艺期间的中间步骤的截面图。
[0018]图26B是根据一些实施例的在用于形成封装件结构的工艺期间的中间步骤的截面图的更详细部分。
[0019]图26C是根据一些实施例的穿过介电层的UBM和开口的布局图。
[0020]图29是根据一些实施例的封装件结构的截面图。
[0021]图30是根据一些实施例的封装件结构的截面图。【具体实施方式】
[0022]以下公开内容提供了许多用于实现所提供主题的不同特征的不同实施例或实例。 下面描述了组件和布置的具体实例以简化本发明。当然，这些仅仅是实例，而不旨在限制本发明。例如，在以下描述中，在第二部件上方或者上形成第一部件可以包括第一部件和第二部件形成为直接接触的实施例，并且也可以包括在第一部件和第二部件之间可以形成额外的部件，从而使得第一部件和第二部件可以不直接接触的实施例。此外，本发明可在各个实例中重复参考标号和/或字母。该重复是为了简单和清楚的目的，并且其本身不指示所讨论的各个实施例和/或配置之间的关系。
[0023] 而且，为便于描述，在此可以使用诸如“在…之下”、“在…下方”、“下部”、“在…之上”、“上部”等的空间相对术语，以便于描述如图所示的一个元件或部件与另一个(或另一些)元件或部件的关系。除了图中所示的方位外，空间相对术语旨在包括器件在使用或操作中的不同方位。装置可以以其他方式定向(旋转90度或在其他方位上)，而在此使用的空间相对描述符可以同样地作相应的解释。
[0024] 可以在具体环境中讨论本文中论述的实施例，S卩，具有扇出或扇入晶圆级封装件的封装件结构。其他实施例预期其他应用，诸如不同的封装类型或不同的配置对阅读本发明的本领域普通技术人员而言将是显而易见的。应当注意，本文中论述的实施例不必示出可能存在于结构中的每一个组件或部件。例如，诸如当论述的组件中的一个可以足够传达实施例的各方面时，多个组件可以从图中省略。此外，本文中论述的方法实施例可以被论述为按照特定顺序实施；然而，可以以任何逻辑顺序实施其他方法实施例。
[0025]图1至图14是根据一些实施例的在用于形成封装件结构的工艺期间的中间步骤的截面图。图1示出了载体衬底20和在载体衬底20上形成的释放层22。载体衬底20可以是玻璃载体衬底、陶瓷载体衬底等。载体衬底20可以是晶圆。释放层22可以由聚合物基材料形成，可以从将在后续步骤中形成的上覆的结构一起去除释放层22与载物基底20。 在一些实施例中，释放层22是诸如光热转换(LTHC)释放涂层的环氧基热释放材料，其当被加热时将失去其粘合性能。在其他实施例中，释放层22可以是紫外(UV)胶，当暴露于UV 光时，其失去其粘合性能。释放层22可以作为液体分布并且固化，可以是层压至载体衬底 20上的层压膜等。可以在释放层22上形成或分布粘合剂24。粘合剂24可以是管芯附接膜(DAF)、胶、聚合物材料等。
[0026] 集成电路管芯26通过粘合剂24附接至载体衬底20 (例如，通过释放层22)。如图所示，附接一个集成电路管芯26,并在其他实施例中，可以附接更多的集成电路管芯。在附接至载体衬底20之前，可以根据适用的制造工艺来处理集成电路管芯26以在集成电路管芯26中形成集成电路。例如，集成电路管芯26包括块状半导体衬底、绝缘体上半导体(SOI) 衬底、多层衬底或梯度衬底等。衬底的半导体可以包括任何半导体材料，诸如硅、锗等的元素半导体，包括 SiC、GaAs、GaP、InP、InAs、锑化铟、SiGe、GaAsP、AlInAs、AlGaAs、GalnAs、 GalnP和/或GalnAsP等的化合物半导体或合金半导体；或它们的组合。诸如晶体管、二极管、电容器、电阻器等的器件可以形成在半导体衬底中和/或上并且可以通过互连结构互连以形成集成电路，互连结构通过，例如，半导体衬底上的一个或多个介电层中的金属化图案来形成。
[0027] 集成电路管芯26还包括诸如铝焊盘的焊盘28,制造至焊盘28的外部连接。焊盘 28位于集成电路管芯26的可以称为有源侧的一侧上。钝化膜30位于集成电路管芯26上和部分焊盘28上。开口穿过钝化膜30至焊盘28。诸如导电柱(例如，包括诸如铜的金属) 的管芯连接件32位于穿过钝化膜30的开口中并且机械和电连接至相应的焊盘28。例如，可以通过镀等形成管芯连接件32。管芯连接件32电连接集成电路管芯26的集成电路。为了清楚和简化的目的，在集成电路管芯26上示出了一个焊盘28和一个管芯连接件32，但是本领域普通技术人员可以理解，可以存在不止一个焊盘28和管芯连接件32。
[0028]介电材料34位于集成电路管芯26的有源侧上，诸如位于钝化膜30和管芯连接件32上。介电材料34横向地封装管芯连接件32，和介电材料34与集成电路管芯26横向共终点。介电材料34可以是聚合物，诸如聚苯并恶唑(PBO)、聚酰亚胺、苯并环丁烯(BCB)等。在其他实施例中，介电材料34是由诸如氮化硅的氮化物、诸如氧化硅、磷硅酸盐玻璃(PSG)、硼硅酸盐玻璃(BSG)、硼掺杂的磷硅酸盐玻璃(BPSG)等的氧化物等形成的。可以通过诸如旋涂、化学汽相沉积(CVD)、层压等或它们的组合的任何可接受的沉积工艺形成介电材料34。可以诸如通过锯切或切割来分割集成电路管芯26，并且使用例如拾取和放置工具通过粘合剂24将集成电路管芯26粘合至载体衬底20。
[0029]在图2中，在集成电路管芯26周围的粘合剂24上和/或集成电路管芯26上的各个组件上形成密封剂36。密封剂36可以是模塑料、环氧树脂等，并且可以通过压缩模塑、传递模塑等施加。在固化后，密封剂36可以经历研磨工艺以暴露出管芯连接件32。在研磨工艺之后，管芯连接件32、介电材料34和密封剂36的顶面共面。在一些实施例中，如果已经暴露出管芯连接件32，则可以省略研磨。
[0030]在图3中，形成重分布结构的第一介电层38和第一金属化图案40。图3和之后的图示出了重分布结构的示例性配置，并且在其他实施例中，重分布结构可以包括任何数量的介电层、金属化图案和通孔，如图15和图16所不。
[0031]第一介电层38形成在密封剂36、介电材料34和管芯连接件32上。在一些实施例中，第一介电层38是由聚合物形成的，其可以是使用光刻掩模被容易地图案化的诸如ΡΒ0、聚酰亚胺、BCB等的光敏材料。在其他实施例中，第一介电层38是由诸如氮化硅的氮化物、诸如氧化硅、PSG、BSG、BPSG的氧化物等形成的。可以通过旋涂、层压、CVD等或它们的组合形成第一介电层38。然后图案化第一介电层38以形成开口以暴露出部分管芯连接件32。可以通过可接受的工艺进行图案化，诸如当介电层是光敏材料时，将第一介电层38暴露至光或者，例如，通过使用各向异性蚀刻进行蚀刻。
[0032]在第一介电层38上形成具有通孔42的第一金属化图案40。作为形成第一金属化图案40和通孔42的实例，在第一介电层38上方形成晶种层(未示出)。在一些实施例中，晶种层是金属层，其可以是单层或包括由不同的材料形成的多个子层的复合层。在一些实施例中，该晶种层包括钛层和钛层上方的铜层。例如，可以使用物理汽相沉积(PVD)等形成晶种层。然后在晶种层上形成并且图案化光刻胶。该光刻胶可以通过旋涂等形成并且可以暴露于光以用于图案化。光刻胶的图案对应于第一金属化图案40。图案形成穿过光刻胶的开口以暴露晶种层。在光刻胶的开口中以及在晶种层的暴露部分上形成导电材料。可以通过诸如电镀、化学镀等的镀来形成导电材料。导电材料可以包括金属，如铜、钛、钨、铝等。然后，去除其上没有形成导电材料的光刻胶和部分晶种层。可以通过诸如使用氧等离子体等的可接受的灰化或剥离工艺来去除光刻胶。一旦光刻胶被去除，诸如通过使用可接受的蚀刻工艺，诸如通过湿或干蚀刻去除晶种层的暴露部分。晶种层和导电材料的剩余部分形成第一金属化图案40和通孔42。在穿过下面的层(例如，第一介电层38)的开口中形成通孔42。
[0033]通过重复用于形成第一介电层38和第一金属化图案40的工艺可以在重分布结构中形成一个或多个额外的具有通孔的金属化图案和介电层。如上所述，可以在形成金属化图案期间形成通孔。通孔可以因此互连和电连接各个金属化图案。描述一个介电层，例如，第一介电层38和一个金属化图案，例如，第一金属化图案40是为了便于和简单示出的目的。
[0034]在图4中，在第一金属化图案40和第一介电层38上形成第二介电层44。在一些实施例中，第二介电层44是由聚合物形成的，其可以是使用光刻掩模被容易地图案化的诸如ΡΒ0、聚酰亚胺、BCB等的光敏材料。在其他实施例中，第二介电层44是由诸如氮化硅的氮化物、诸如氧化硅、PSG、BSG、BPSG的氧化物等形成的。可以通过旋涂、层压、CVD等或它们的组合形成第二介电层44。然后图案化第二介电层44以形成开口 46以暴露出部分第一金属化图案40。可以通过可接受的工艺进行图案化，诸如当介电层是光敏材料时，将第二介电层44暴露至光或者，例如，通过使用各向异性蚀刻进行蚀刻。
[0035]图5至图13示出了凸块下金属化层(UBM) 56和位于相应的一个UBM56上的外部电连接件66的形成。在图5中，在第二介电层44上方和在开口 46中，例如，在第二介电层44的侧壁上和在第一金属化图案40上形成晶种层48。在一些实施例中，晶种层48是金属层，其可以是单层或包括由不同的材料形成的多个子层的复合层。在一些实施例中，该晶种层48包括钛层和钛层上方的铜层。例如，可以使用PVD等形成晶种层48。
[0036]在图6中，然后在晶种层上形成光刻胶50。在该实施例中，光刻胶50是负性光刻胶材料。可以通过旋涂等在晶种层上形成光刻胶50。
[0037]在图7中，在晶种层48上图案化光刻胶50。光刻胶50可以暴露于光并且随后显影以用于图案化。由于使用负性光刻胶，在图案化之后，光刻胶50的暴露于光的部分仍然保留。在暴露于光之后，显影光刻胶50以去除光刻胶50的可溶部分，从而使得光刻胶50的非可溶部分保留在晶种层48上，光刻胶50具有穿过光刻胶50的开口 52。开口 52可以具有倾斜的侧壁54，例如，不与光刻胶50下面的诸如晶种层48和/或第二介电层44的主要表面垂直的侧壁。如所述，倾斜的侧壁54在远离下面的主要表面的方向上向着开口向内倾斜。倾斜侧壁54与直接位于开口 52中的下面的表面之间的相应的角度Θ小于90°，诸如在约60°和约85°之间。将形成与UBM56或其他金属图案相对应的光刻胶50的图案。
[0038]在图8中，在光刻胶50的相应的开口 52中和晶种层48上形成UBM56和上金属图案58。诸如通过镀(诸如电镀或化学镀等)在光刻胶50的开口 52中以及在晶种层48的暴露部分上形成导电材料。导电材料可以包括金属，如铜、钛、钨、铝等。UBM56和上金属图案58也可以具有与光刻胶50的倾斜侧壁54相对应的倾斜侧壁。因此，由UBM56和上金属图案58与下面的主要表面形成的角度可以小于90°，诸如在约60°和约85°之间。
[0039]然后，在图9中，去除光刻胶50。可以通过可接受的灰化或剥离工艺(诸如使用氧等离子体等)去除光刻胶。在图10中，去除晶种层48上没有形成导电材料的部分。例如，通过使用诸如湿或干蚀刻的可接受的蚀刻工艺去除晶种层48的暴露部分。晶种层48的剩余部分和导电材料形成UBM56和上金属化图案58。如所示的UBM56和晶种层48的它们的相应部分形成在穿过第二介电层44的开口 46中并且位于第一金属化图案40上。因此，UBM56可以电连接至第一金属化图案40。
[0040]在图11中，在UBM56和上金属化图案58的外表面上形成粘合层60。粘合层60可以是氧化物。例如，当UBM56和上金属化图案58包括铜时，粘合层60可以包括氧化铜。可以通过使用可接受的处理，诸如氧化处理等形成粘合层60。在一些实施例中，UBM 56和上金属化图案58的表面可以暴露于含氧物质的等离子体，例如，氧(O2)等离子体、臭氧(O3)等离子体、惰性气体和含氧气体的组合，诸如氮气(N2)和氧气(O2)的组合等。可以使用其他处理，并且可以形成其他粘合层。
[0041 ] 在图12中，在UBM56、上金属化图案58和第二介电层44上形成第三介电层62。在一些实施例中，第三介电层62是由聚合物形成的，其可以是使用光刻掩模被容易地图案化的诸如ΡΒ0、聚酰亚胺、BCB等的光敏材料。在其他实施例中，第三介电层62是由诸如氮化硅的氮化物、诸如氧化硅、PSG、BSG、BPSG的氧化物等形成的。可以通过旋涂、层压、CVD等或它们的组合形成第三介电层62。然后图案化第三介电层62以形成开口 64以暴露部分UBM56和/或UBM56上的部分粘合层60。可以通过可接受的工艺进行图案化，诸如当介电层是光敏材料时，将第三介电层62暴露至光或者，例如，通过使用各向异性蚀刻进行蚀刻。
[0042]在图13中，去除通过开口 64暴露的粘合层60的部分，并且穿过开口 64在UBM56上形成外部电连接件66。在一些实施例中，当在球安装工艺期间，例如，通过熔融形成外部电连接件66时，去除粘合层60的暴露部分。在一些实施例中，外部电连接件66可以包括使用可接受的球落工艺在UBM56上形成的低温可回流材料，诸如焊料，诸如无铅焊料。在一些实施例中，外部电连接件66是球栅阵列(BGA)球、可控塌陷芯片连接(C4)凸块、微凸块等。在另外的实施例中，外部电连接件66可以包括金属柱。
[0043]在图14中，实施载体衬底分离以将载体衬底20从封装件结构分离(脱粘)。根据一些实施例，分离包括将诸如激光或UV光的光投射在释放层22上，从而使得释放层22在光的热量下分解并且可以去除载体衬底20。
[0044]虽然没有描述，然后该结构可以翻转并且放置在胶带上并且分割。本领域普通技术人员将理解，许多这样的封装件结构可以同时地形成在载体衬底20上，并且因此，诸如图14中的描述的单独的封装件可以诸如通过锯切或切割从其他封装件分割。
[0045]图15示出了根据一些实施例的封装件结构的另一截面图。在图15所描述的实施例中，重分布结构包括额外的介电层和金属化图案。为了形成这种封装件结构，可以通过以上结合图1至图3论述的步骤进行工艺。然后，可以在第一介电层38和第一金属化图案40上形成第二介电层70。第二介电层70可以是与第一介电层38相同或类似的材料并且可以以以上结合第一介电层38描述的相同或类似的方式形成。然后诸如以以上结合第一介电层38相同或类似的方式图案化第二介电层70以形成开口以暴露出部分第一金属化图案40。诸如以以上结合第一金属化图案40和通孔42描述的相同或类似的材料以及以以上结合第一金属化图案40和通孔42描述的相同或类似的方式在第二介电层70上并且在穿过第二介电层70的开口中形成具有通孔74的第二金属化图案72。通孔74将第一金属化图案40电连接至第二金属化图案72。该工艺然后可以根据以上结合图4至图14论述的进行，其中，第二介电层44和第三介电层62分别对应于图15中的第三介电层76和第四介电层78。
[0046]图16示出了根据一些实施例的封装件结构的进一步的截面图。在图16中所示的实施例中，重分布结构包括额外的介电层和金属化图案。为了形成这种封装件结构，工艺可以继续进行以上结合图1至图3论述的步骤。然后，可以在第一介电层38和第一金属化图案40上形成第二介电层70。第二介电层70可以是与第一介电层38相同或类似的材料，并且可以以以上结合第一介电层38描述的相同或类似的方式形成。然后诸如以以上结合第一介电层38相同或类似的方式图案化第二介电层70以形成开口以暴露出部分第一金属化图案40。诸如以以上结合第一金属化图案40和通孔42描述的相同或类似的材料以及以以上结合第一金属化图案40和通孔42描述的相同或类似的方式在第二介电层70上并且在穿过第二介电层70的开口中形成具有通孔74的第二金属化图案72。通孔74将第一金属化图案40电连接至第二金属化图案72。
[0047]然后，可以在第二介电层70和第二金属化图案72上形成第三介电层80。第三介电层80可以是与第一介电层38相同或类似的材料，并且可以以以上结合第一介电层38描述的相同或类似的方式形成。然后，图案化第三介电层80以形成开口以暴露出部分第二金属化图案72，诸如以以上结合第一介电层38描述的相同或类似的方式。诸如以以上结合第一金属化图案40和通孔42描述的相同或类似的材料以及以以上结合第一金属化图案40和通孔42描述的相同或类似的方式在第三介电层80上和在穿过第三介电层80的开口中形成具有通孔84的第三金属化图案82。通孔84将第二金属化图案72电连接至第三金属化图案82。可以然后以以上结合图4至图14的论述进行该工艺，其中，第二介电层44和第三介电层62分别对应于在图16中的第四介电层86和第五介电层88。
[0048]图17至图21示出了根据一些实施例的在用于形成封装件结构的工艺期间的中间步骤的截面图。处理根据以上结合图1至图5论述的进行。然后，在图17中，在晶种层48上形成光刻胶90。在该实施例中，光刻胶90可以是正性光刻胶材料或负性光刻胶材料。可以通过旋涂等在晶种层48上形成光刻胶90。在晶种层48上图案化光刻胶90。光刻胶90可以暴露至光并且随后被显影以用于图案化。在暴露至光之后，显影光刻胶90以去除光刻胶90的可溶部分，从而使得光刻胶90的非可溶部分保持在晶种层48上，开口 92穿过光刻胶90。开口 92可以具有倾斜的侧壁或垂直的侧壁。光刻胶90的图案对应于UBM 94、伪图案96或将形成的其他金属化图案。
[0049]在图18中，在光刻胶90的相应开口 92中并且在晶种层48上形成UBM 94、伪图案96和上金属化图案98。诸如通过镀、诸如电镀或化学镀等在光刻胶90的开口 92中以及在晶种层48的暴露部分上形成导电材料。导电材料可以包括金属，如铜、钛、钨、铝等。UBM94、伪图案96和上金属化图案98也可以具有侧壁对应于光刻胶90的开口 92的侧壁。
[0050]然后，在图19中，去除光刻胶50 ;去除晶种层48的暴露部分；并且在伪图案96、上金属化图案98和第二介电层44上形成第三介电层100。可以通过诸如使用氧等离子体等的可接受的灰化或剥离工艺去除光刻胶。然后，去除晶种层48上没有形成导电材料的部分。例如，通过使用诸如湿或干蚀刻的可接受的蚀刻工艺去除晶种层48的暴露部分。晶种层48的剩余部分和导电材料形成UBM94、伪图案96和上金属化图案98。如所示的UBM94和晶种层48的它们的相应部分形成在穿过第二介电层44的开口 46中并且位于第一金属化图案40上。因此，UBM94可以电连接至第一金属化图案40。伪图案96可以电隔离并且不电连接至另一金属化或器件。上金属化图案98可以电连接至另一金属化图案和/或器件。
[0051]在伪图案96、上金属化图案98和第二介电层44上形成第三介电层100。在一些实施例中，第三介电层100是由聚合物形成的，其可以是使用光刻掩模被容易地图案化的诸如PBO、聚酰亚胺、BCB等的光敏材料。在其他实施例中，第三介电层100是由诸如氮化硅的氮化物、诸如氧化硅、PSG、BSG、BPSG的氧化物等形成的。可以通过旋涂、层压、CVD等或它们的组合形成第三介电层100。然后图案化第三介电层100以形成开口 102，每个开口 102将UBM94暴露至相邻的伪图案96的部分。可以通过可接受的工艺进行图案化，诸如当介电层是光敏材料时，将第三介电层100暴露至光或者例如通过使用各向异性蚀刻进行蚀刻。
[0052]图19B示出了根据一些实施例的UBM 94、伪图案96和第三介电层100的开口 102的示例性布局图。在布局图中，UBM 94具有八角形形状，并且伪图案96具有环形形状，诸如在UBM 94周围的八角环。图19B的布局图示出了在图19A中示出的截面A-A。图19A和图19B示出了将UBM 94与伪图案96分离的分离尺寸D1。此外，图19A和图19B示出了尺寸D2，尺寸D2是伪图案96的宽度。在一些实施例中，分离尺寸Dl大于或等于约40 μ m，并且尺寸D2可以在从约5 μπι至约10 μm的范围内。
[0053]第三介电层100覆盖伪图案96的至少部分，但不覆盖UBM 94。在示出的实施例中，开口 102具有与伪图案96但是不与第二介电层44接触或交界的侧壁。在开口 102处，不存在第二介电层44与第三介电层100的界面。通过开口 102暴露出伪图案96的部分，并且伪图案96的暴露部分具有尺寸D3。尺寸D3可以为尺寸D2的约一半或更少。
[0054]在图20中，外部电连接件104形成在穿过开口 102的UBM94上。在一些实施例中，外部电连接件104可以包括使用可接受的球落工艺在UBM94上形成的诸如焊料(诸如无铅焊料)的低温可回流材料。在一些实施例中，外部电连接件66是BGA球、C4凸块、微凸块等。在额外的实施例中，外部电连接件104可以包括金属柱。
[0055]在图21中，实施载体衬底分离以将载体衬底20从封装件结构分离(脱粘)。根据一些实施例，分离包括将诸如激光或UV光的光投射在释放层22上，从而使得释放层22在光的热量下分解并且可以去除载体衬底20。
[0056]虽然没有描述，然后该结构可以翻转并且放置在胶带上并且分割。本领域普通技术人员将理解，许多这样的封装件结构可以同时地形成在载体衬底20上，并且因此，诸如图21中的描述的单独的封装件可以诸如通过锯切或切割从其他封装件分割。
[0057]图22示出了根据一些实施例的封装件结构的另一截面图。在图22中所描述的实施例中，重分布结构包括额外的介电层和金属化图案。为了形成这种封装件结构，可以通过以上结合图1至图3论述的步骤进行工艺。然后，可以在第一介电层38和第一金属化图案40上形成第二介电层70。第二介电层70可以是与第一介电层38相同或类似的材料并且可以以以上结合第一介电层38描述的相同或类似的方式形成。然后诸如以以上结合第一介电层38相同或类似的方式图案化第二介电层70以形成开口以暴露出部分第一金属化图案40。诸如以以上结合第一金属化图案40和通孔42描述的相同或类似的材料以及以以上结合第一金属化图案40和通孔42描述的相同或类似的方式在第二介电层70上并且在穿过第二介电层70的开口中形成具有通孔74的第二金属化图案72。通孔74将第一金属化图案40电连接至第二金属化图案72。该工艺然后可以根据以上结合图4、图5和图17至图21论述的进行，其中，第二介电层44和第三介电层100分别对应于图22中的第三介电层76和第四介电层106。
[0058]图23示出了根据一些实施例的封装件结构的进一步的截面图。在图23中所示的实施例中，重分布结构包括额外的介电层和金属化图案。为了形成这种封装件结构，工艺可以继续进行以上结合图1至图3论述的步骤。然后，可以在第一介电层38和第一金属化图案40上形成第二介电层70。第二介电层70可以是与第一介电层38相同或类似的材料，并且可以以以上结合第一介电层38描述的相同或类似的方式形成。然后诸如以以上结合第一介电层38相同或类似的方式图案化第二介电层70以形成开口以暴露出部分第一金属化图案40。诸如以以上结合第一金属化图案40和通孔42描述的相同或类似的材料以及以以上结合第一金属化图案40和通孔42描述的相同或类似的方式在第二介电层70上并且在穿过第二介电层70的开口中形成具有通孔74的第二金属化图案72。通孔74将第一金属化图案40电连接至第二金属化图案72。
[0059]然后，可以在第二介电层70和第二金属化图案72上形成第三介电层80。第三介电层80可以是与第一介电层38相同或类似的材料并且可以以以上结合第一介电层38描述的相同或相似的方式形成。然后，图案化第三介电层80以形成开口以暴露出部分第二金属化图案72，诸如以以上结合第一介电层38描述的相同或类似的方式。诸如以以上结合第一金属化图案40和通孔42描述的相同或类似的材料以及以以上结合第一金属化图案40和通孔42描述的相同或类似的方式在第三介电层80上和在穿过第三介电层80的开口中形成具有通孔84的第三金属化图案82。通孔84将第二金属化图案72电连接至第三金属化图案82。该工艺可以然后进行以上结合图4、图5和图17至图21论述的工艺，其中，第二介电层44和第三介电层100分别对应于在图23中的第四介电层86和第五介电层108。
[0060]图24至图28示出了根据一些实施例的在用于形成封装件结构的工艺期间的中间步骤的截面图。处理根据以上结合图1至图5论述的进行。然后，在图24中，在晶种层48上形成光刻胶120。在该实施例中，光刻胶120可以是正性光刻胶材料或负性光刻胶材料。可以通过旋涂等在晶种层48上形成光刻胶120。在晶种层48上图案化光刻胶120。光刻胶120可以暴露至光并且随后被显影以用于图案化。在暴露至光之后，显影光刻胶120以去除光刻胶120的可溶部分，从而使得光刻胶120的非可溶部分保持在晶种层48上，开口122穿过光刻胶120。开口 122可以具有倾斜的侧壁或垂直的侧壁。光刻胶120的图案对应于UBM 124或将形成的上金属化图案126。
[0061]在图25中，在光刻胶120的相应开口 122中并且在晶种层48上形成UBM 94和上金属化图案126。诸如通过镀，诸如电镀或化学镀等在光刻胶120的开口 122中以及在晶种层48的暴露部分上形成导电材料。导电材料可以包括金属，如铜、钛、钨、铝等。UBM 124和上金属化图案126也可以具有对应于光刻胶120的开口 122的侧壁。
[0062]然后，在图26A中，去除光刻胶120 ;去除晶种层48的暴露部分；并且在上金属化图案126、第二介电层44和部分UBM124上形成第三介电层128。可以通过诸如使用氧等离子体等的可接受的灰化或剥离工艺去除光刻胶。然后，去除晶种层48上没有形成导电材料的部分。例如，通过使用诸如湿或干蚀刻的可接受的蚀刻工艺去除晶种层48的暴露部分。晶种层48的剩余部分和导电材料形成UBM124和上金属化图案126。如所示的UBM124和晶种层48的它们的相应部分形成在穿过第二介电层44的开口 46中并且位于第一金属化图案40上。因此，UBMl24可以电连接至第一金属化图案40。
[0063]在上金属化图案126和第二介电层44以及部分UBM124上形成第三介电层128。在一些实施例中，第三介电层128是由聚合物形成的，其可以是使用光刻掩模被容易地图案化的诸如ΡΒ0、聚酰亚胺、BCB等的光敏材料。在其他实施例中，第三介电层128是由诸如氮化硅的氮化物、诸如氧化硅、PSG、BSG、BPSG的氧化物等形成的。可以通过旋涂、层压、CVD等或它们的组合形成第三介电层128。然后图案化第三介电层128以形成开口 130，每个开口 130暴露出部分UBM124。可以通过可接受的工艺进行图案化，诸如当介电层是光敏材料时，将第三介电层128暴露至光或者例如通过使用各向异性蚀刻进行蚀刻。
[0064]图26B示出了图26A中的UBM 124和穿过第三介电层128的开口 130的更详细的截面图，并且图26C示出了 UBM 124和穿过第三介电层128的开口 130的布局图。图26C示出了在图26A和图26B中示出的截面A-A。图26B和图26C示出了 UBM 124的第一平面部分124a、侧壁部分124b和第二平面部分124c。UBM 124的第一平面部分124a平面地延伸在第三介电层128的顶面上。UBM 124的侧壁部分124b沿着第二介电层44的开口 46的侧壁延伸。UBM 124的第二平面部分124c是位于第二介电层44的开口 46中并且沿着第一金属化图案40的顶面平面地延伸。穿过第三介电层128的开口 130暴露出部分的第二平面部分124c。第三介电层128覆盖第一平面部分124a和侧壁部分124b。第三介电层128从侧壁部分124b和第二平面部分124c之间的结合点延伸尺寸D4。在一些实施例中，尺寸D4大于或等于约10 μ m。
[0065]在图27中，外部电连接件132形成在穿过开口 130的UBM124上。在一些实施例中，外部电连接件132可以包括使用可接受的球落工艺在UBM124上形成的诸如焊料(诸如无铅焊料)的低温可回流材料。在一些实施例中，外部电连接件132是BGA球、C4凸块、微凸块等。在额外的实施例中，外部电连接件132可以包括金属柱。
[0066]在图28中，实施载体衬底分离以将载体衬底20从封装件结构分离(脱粘)。根据一些实施例，分离包括将诸如激光或UV光的光投射在释放层22上，从而使得释放层22在光的热量下分解并且可以去除载体衬底20。
[0067]虽然没有描述，然后该结构可以翻转并且放置在胶带上并且分割。本领域普通技术人员将理解，许多这样的封装件结构可以同时地形成在载体衬底20上，并且因此，诸如图28中的描述的单独的封装件可以诸如通过锯切或切割从其他封装件分割。
[0068]图29示出了根据一些实施例的封装件结构的另一截面图。在图29中所描述的实施例中，重分布结构包括额外的介电层和金属化图案。为了形成这种封装件结构，可以通过以上结合图1至图3论述的步骤进行工艺。然后，可以在第一介电层38和第一金属化图案40上形成第二介电层70。第二介电层70可以是与第一介电层38相同或类似的材料并且可以以以上结合第一介电层38描述的相同或类似的方式形成。然后诸如以以上结合第一介电层38相同或类似的方式图案化第二介电层70以形成开口以暴露出部分第一金属化图案40。诸如以以上结合第一金属化图案40和通孔42描述的相同或类似的材料以及以以上结合第一金属化图案40和通孔42描述的相同或类似的方式在第二介电层70上并且在穿过第二介电层70的开口中形成具有通孔74的第二金属化图案72。通孔74将第一金属化图案40电连接至第二金属化图案72。该工艺然后可以根据以上结合图4、图5和图24至图28论述的进行，其中，第二介电层44和第三介电层128分别对应于图29中的第三介电层76和第四介电层134。
[0069]图30示出了根据一些实施例的封装件结构的进一步的截面图。在图30中所示的实施例中，重分布结构包括额外的介电层和金属化图案。为了形成这种封装件结构，工艺可以继续进行以上结合图1至图3论述的步骤。然后，可以在第一介电层38和第一金属化图案40上形成第二介电层70。第二介电层70可以是与第一介电层38相同或类似的材料，并且可以以以上结合第一介电层38描述的相同或类似的方式形成。然后诸如以以上结合第一介电层38相同或类似的方式图案化第二介电层70以形成开口以暴露出部分第一金属化图案40。诸如以以上结合第一金属化图案40和通孔42描述的相同或类似的材料以及以以上结合第一金属化图案40和通孔42描述的相同或类似的方式在第二介电层70上并且在穿过第二介电层70的开口中形成具有通孔74的第二金属化图案72。通孔74将第一金属化图案40电连接至第二金属化图案72。
[0070]然后，可以在第二介电层70和第二金属化图案72上形成第三介电层80。第三介电层80可以是与第一介电层38相同或类似的材料并且可以以以上结合第一介电层38描述的相同或相似的方式形成。然后，图案化第三介电层80以形成开口以暴露出部分第二金属化图案72，诸如以以上结合第一介电层38描述的相同或类似的方式。诸如以以上结合第一金属化图案40和通孔42描述的相同或类似的材料以及以以上结合第一金属化图案40和通孔42描述的相同或类似的方式在第三介电层80上和在穿过第三介电层80的开口中形成具有通孔84的第三金属化图案82。通孔84将第二金属化图案72电连接至第三金属化图案82。该工艺可以然后进行以上结合图4、图5和图24至图28论述的工艺，其中，第二介电层44和第三介电层128分别对应于在图30中的第四介电层86和第五介电层136。
[0071]实施例可以实现优势。通过在UBM56和上金属化图案58上形成粘合层60，第三介电层62可以具有至UBM 56和上金属化图案58的增强的粘附，其可以进而减少第三介电层62的分层。进一步，通过具有UBM56的倾斜侧壁和上金属化图案58的倾斜侧壁，第三介电层62可以粘附的更多的表面面积可以获得，其可以减少分层。同样，UBM 56的倾斜侧壁可以减少UBM 56上的第三介电层62的隆起或其他积聚，诸如当第三介电层62是PBO或另一聚合物层时。这可以提高第三介电层62的均匀性，其可以改进封装件的可靠性。
[0072]此外，通过具有上介电层，诸如以以上论述的一些方式中配置的第三介电层100和128，可以减少通过熔融渗透引起的分层。例如，通过使上介电层不接触UBM，诸如图21中所示，来自球落工艺或凸块降落工艺的UBM上的熔融可能不接触上介电层与另一组件之间的界面。如果熔融不接触这样的界面，则可以避免由熔融渗透界面引起的分层。同样，通过具有覆盖UBM的较大区域的上介电层，诸如在图28中所示，熔融可能不得不进一步渗透上介电层和UBM之间的界面以引起上介电层的任何显著的分层。进一步的渗透距离可以降低导致显著分层的渗透的可能性。
[0073]虽然已经分别论述了各个实施例，但是本领域普通技术人员将容易理解，一些实施例的方面可以应用至其他实施例。例如，粘合层60可以应用至图21和图28的实施例中的上部金属化图案和/或UBM。此外，在图16中示出的实施例中的上金属化图案和/SUBM的倾斜侧壁可以应用于图21和图28的实施例中。
[0074]第一实施例是一种封装件结构。封装件结构包括:集成电路管芯；至少横向地密封集成电路管芯的密封剂；位于集成电路管芯和密封剂上的重分布结构；连接至重分布结构的支撑金属化层的连接件和位于支撑金属化层的连接件上的外部连接件。重分布结构包括第一介电层，第一介电层远离密封剂和集成电路管芯设置。支撑金属化层的连接件具有第一部分和第二部分，第一部分位于第一介电层的第一表面上并且第二部分在穿过第一介电层的开口中延伸。支撑金属化层的连接件的第一部分具有在远离第一介电层的第一表面的方向上延伸的倾斜侧壁。
[0075]另一个实施例是一种封装件结构。封装件结构包括:复合结构，位于复合结构上的重分布结构以及位于重分布结构上的凸块下金属化层(UBM)。复合结构包括集成电路管芯和至少横向地密封集成电路管芯的密封材料。重分布结构的第一表面远离复合结构。UBM具有位于第一表面上的第一部分。第一部分的侧壁与第一表面形成非垂直角，并且在UBM内部测量非垂直角。粘合层位于UBM的第一部分上。第一介电层位于重分布结构上并且邻接粘合层。外部电连接件设置为穿过第一介电层并且位于UBM上。
[0076]进一步的实施例是一种方法。该方法包括:用密封剂密封集成电路管芯和在集成电路管芯和密封剂上形成重分布结构。重分布结构包括金属化图案和位于金属化图案上的第一介电层。第一介电层具有远离集成电路管芯和密封剂的第一表面。该方法还包括在重分布结构上形成凸块下金属化层(UBM)。UBM具有位于第一表面上的第一部分和设置在穿过第一介电层的开口中至金属化图案的第二部分。UBM的第一部分具有与第一介电层的第一表面不垂直的侧壁表面。该方法还包括在第一介电层的第一表面上和在UBM的第一部分上形成第二介电层以及形成穿过开口至UBM的外部电连接件，开口穿过第二介电层。
[0077]另一个实施例是一种封装件结构。该封装件结构包括集成电路管芯；至少横向地密封集成电路管芯的密封剂；位于集成电路管芯和密封剂上的重分布结构，连接至重分布结构的支撑金属化层的连接件，伪图案，第二介电层，和位于支撑金属化层的连接件上的外部连接件。重分布结构包括第一介电层，第一介电层具有远离密封剂和集成电路管芯设置的第一表面。支撑金属化层的连接件具有第一部分和第二部分，第一部分位于第一介电层的第一表面上并且第二部分在穿过第一介电层的开口中延伸。伪图案位于第一介电层的第一表面上和支撑金属化层的连接件周围。第二介电层位于第一介电层的第一表面上和伪图案的至少部分上。第二介电层不接触支撑金属化层的连接件。
[0078]进一步的实施例是一种封装件结构。该封装件结构包括集成电路管芯；至少横向地密封集成电路管芯的密封剂；位于集成电路管芯和密封剂上的重分布结构，连接至重分布结构的支撑金属化层的连接件，第二介电层，和位于支撑金属化层的连接件上的外部连接件。重分布结构包括第一介电层，第一介电层远离密封剂和集成电路管芯设置。支撑金属化层的连接件具有第一部分、第二部分和第三部分，第一部分位于第一介电层的第一表面上，第二部分沿着穿过第一介电层的第一开口的底面延伸，并且第三部分沿着第一开口的侧壁延伸并且位于第一部分和第二部分之间。接合点形成在第二部分接触第三部分的位置处。第二介电层位于第一介电层的第一表面上和支撑金属化层的连接件的第一部分、第三部分和第二部分的至少部分上。外部连接件穿过第二开口，第二开口穿过第二介电层。
[0079]又一个实施例是一种方法。该方法包括:用密封剂密封集成电路管芯；在集成电路管芯和密封剂上形成重分布结构，重分布结构包括第一介电层，第一介电层具有远离集成电路管芯和密封剂的第一表面；在重分布结构上形成凸块下金属化层(UBM)和伪图案，伪图案围绕第一介电层的第一表面上的UBM ;在第一介电层的第一表面上和在伪图案的至少部分上形成第二介电层，其中，在形成第二介电层之后，第二介电层不接触UBM;以及在UBM上形成外部电连接件。
[0080]上面概述了若干实施例的特征，使得本领域技术人员可以更好地理解本发明的方面。本领域技术人员应该理解，他们可以容易地使用本发明作为基础来设计或修改用于实现与在此所介绍实施例相同的目的和/或实现相同优势的其他工艺和结构。本领域技术人员也应该意识到，这种等同构造并不背离本发明的精神和范围，并且在不背离本发明的精神和范围的情况下，在此他们可以做出多种变化、替换以及改变。
[0081]为了解决现有技术中的问题，根据本发明的一些实施例，提供了一种封装件结构，包括:集成电路管芯；密封剂，至少横向地密封所述集成电路管芯；重分布结构，位于所述集成电路管芯和所述密封剂上，所述重分布结构包括第一介电层，所述第一介电层具有远离所述密封剂和所述集成电路管芯设置的第一表面；支撑金属化层的连接件，所述金属化层连接至所述重分布结构，所述支撑金属化层的连接件具有第一部分和第二部分，所述第一部分位于所述第一介电层的所述第一表面上并且所述第二部分在穿过所述第一介电层的开口中延伸；伪图案，位于所述第一介电层的所述第一表面上并且位于所述支撑金属化层的连接件周围；第二介电层，位于所述第一介电层的所述第一表面上并且位于所述伪图案的至少部分上，所述第二介电层不接触所述支撑金属化层的连接件；以及外部连接件，位于所述支撑金属化层的连接件上。
[0082]在上述封装件中，还包括位于所述伪图案的至少部分上的粘合层。
[0083]在上述封装件中，其中，所述伪图案围绕和限定所述第一介电层的所述第一表面的区域，所述支撑金属化层的连接件位于所述第一介电层的所述第一表面的所述区域中，所述第二介电层不接触所述第一介电层的所述第一表面的所述区域。
[0084]在上述封装件中，其中，所述伪图案的宽度与所述第一介电层的所述第一表面平行，所述第二介电层位于横向地远离所述支撑金属化层的连接件的所述伪图案的所述宽度的至少一半上。
[0085]在上述封装件中，其中，所述伪图案的宽度与所述第一介电层的所述第一表面平行，所述第二介电层位于横向地远离所述支撑金属化层的连接件的所述伪图案的所述宽度的一半上，所述第二介电层不位于横向地邻近所述支撑金属化层的连接件的所述伪图案的所述宽度的一半上。
[0086]在上述封装件中，其中，所述伪图案的宽度与所述第一介电层的所述第一表面平行，所述宽度是在从5μηι至ΙΟμπι的范围内。
[0087]在上述封装件中，其中，所述伪图案与所述支撑金属化层的连接件横向地和物理地分离。
[0088]在上述封装件中，其中，所述伪图案与所述支撑金属化层的连接件横向地和物理地分离；其中，所述伪图案与所述支撑金属化层的连接件横向地和物理地分离至少40 μπι。
[0089]根据本发明的另一些实施例，提供了一种封装件结构，包括:集成电路管芯；密封剂，至少横向地密封所述集成电路管芯；重分布结构，位于所述集成电路管芯和所述密封剂上，所述重分布结构包括第一介电层，所述第一介电层远离所述密封剂和所述集成电路管芯设置；支撑金属化层的连接件，所述金属化层连接至所述重分布结构，所述支撑金属化层的连接件具有第一部分、第二部分和第三部分，所述第一部分位于所述第一介电层的第一表面上，所述第二部分沿着穿过所述第一介电层的第一开口的底面延伸，并且所述第三部分沿着所述第一开口的侧壁延伸且位于所述第一部分和所述第二部分之间，接合点形成在所述第二部分接触所述第三部分的位置处；第二介电层，位于所述第一介电层的所述第一表面上和所述支撑金属化层的连接件的所述第一部分、所述第三部分和所述第二部分的至少一部分上；以及外部连接件，穿过第二开口并且位于所述支撑金属化层的连接件上，所述第二开口穿过所述第二介电层。
[0090]在上述封装件中，其中，所述第二介电层位于所述支撑金属化层的连接件的所述第一部分上从所述接合点向着所述支撑金属化层的连接件的所述第一部分的中心延伸至少10 μ m的距离。
[0091]在上述封装件中，还包括:粘合层，位于所述支撑金属化层的连接件的至少所述第一部分上。
[0092]在上述封装件中，其中，所述重分布结构包括金属化图案，所述金属化图案限定所述第一开口的所述底面的至少一部分。
[0093]在上述封装件中，其中，所述支撑金属化层的连接件的所述第二部分接触所述重分布结构的金属化图案。
[0094]在上述封装件中，其中，所述外部连接件包括焊料。
[0095]根据本发明的又一些实施例，提供了一种方法，包括:用密封剂密封集成电路管芯；在所述集成电路管芯和所述密封剂上形成重分布结构，所述重分布结构包括第一介电层，所述第一介电层具有远离所述集成电路管芯和所述密封剂设置的第一表面；在所述重分布结构上形成凸块下金属化层(UBM)和伪图案，所述伪图案围绕所述第一介电层的所述第一表面上的所述UBM;在所述第一介电层的所述第一表面上且在所述伪图案的至少一部分上形成第二介电层，其中，在形成所述第二介电层之后，所述第二介电层不接触所述UBM ;以及在所述UBM上形成外部电连接件。
[0096]在上述方法中，还包括:在所述伪图案的至少所述部分上形成粘合层。
[0097]在上述方法中，其中，所述伪图案的宽度与所述第一介电层的所述第一表面平行，所述第二介电层位于横向地远离所述UBM的所述伪图案的所述宽度的至少一半上。
[0098]在上述方法中，其中，所述伪图案的宽度与所述第一介电层的所述第一表面平行，所述第二介电层位于横向地远离所述UBM的所述伪图案的所述宽度的一半上，所述第二介电层不位于横向地邻近所述UBM的所述伪图案的所述宽度的一半上。
[0099]在上述方法中，其中，所述伪图案与所述UBM物理地分离。
[0100]在上述方法中，其中，所述UBM接触所述重分布结构的金属化图案。
【主权项】
1.一种封装件结构，包括:集成电路管芯；密封剂，至少横向地密封所述集成电路管芯；重分布结构，位于所述集成电路管芯和所述密封剂上，所述重分布结构包括第一介电 层，所述第一介电层具有远离所述密封剂和所述集成电路管芯设置的第一表面；支撑金属化层的连接件，所述金属化层连接至所述重分布结构，所述支撑金属化层的 连接件具有第一部分和第二部分，所述第一部分位于所述第一介电层的所述第一表面上并 且所述第二部分在穿过所述第一介电层的开口中延伸；伪图案，位于所述第一介电层的所述第一表面上并且位于所述支撑金属化层的连接件 周围；第二介电层，位于所述第一介电层的所述第一表面上并且位于所述伪图案的至少部分 上，所述第二介电层不接触所述支撑金属化层的连接件；以及外部连接件，位于所述支撑金属化层的连接件上。2.根据权利要求1所述的封装件，还包括位于所述伪图案的至少部分上的粘合层。3.根据权利要求1所述的封装件，其中，所述伪图案围绕和限定所述第一介电层的所 述第一表面的区域，所述支撑金属化层的连接件位于所述第一介电层的所述第一表面的所 述区域中，所述第二介电层不接触所述第一介电层的所述第一表面的所述区域。4.根据权利要求1所述的封装件，其中，所述伪图案的宽度与所述第一介电层的所述 第一表面平行，所述第二介电层位于横向地远离所述支撑金属化层的连接件的所述伪图案 的所述宽度的至少一半上。5.根据权利要求1所述的封装件，其中，所述伪图案的宽度与所述第一介电层的所述 第一表面平行，所述第二介电层位于横向地远离所述支撑金属化层的连接件的所述伪图案 的所述宽度的一半上，所述第二介电层不位于横向地邻近所述支撑金属化层的连接件的所 述伪图案的所述宽度的一半上。6.根据权利要求1所述的封装件，其中，所述伪图案的宽度与所述第一介电层的所述 第一表面平行，所述宽度是在从5 y m至10 y m的范围内。7.根据权利要求1所述的封装件，其中，所述伪图案与所述支撑金属化层的连接件横 向地和物理地分离。8.根据权利要求7所述的封装件，其中，所述伪图案与所述支撑金属化层的连接件横 向地和物理地分离至少40 ym。9.一种封装件结构，包括:集成电路管芯；密封剂，至少横向地密封所述集成电路管芯；重分布结构，位于所述集成电路管芯和所述密封剂上，所述重分布结构包括第一介电 层，所述第一介电层远离所述密封剂和所述集成电路管芯设置；支撑金属化层的连接件，所述金属化层连接至所述重分布结构，所述支撑金属化层的 连接件具有第一部分、第二部分和第三部分，所述第一部分位于所述第一介电层的第一表 面上，所述第二部分沿着穿过所述第一介电层的第一开口的底面延伸，并且所述第三部分 沿着所述第一开口的侧壁延伸且位于所述第一部分和所述第二部分之间，接合点形成在所述第二部分接触所述第三部分的位置处；第二介电层，位于所述第一介电层的所述第一表面上和所述支撑金属化层的连接件的 所述第一部分、所述第三部分和所述第二部分的至少一部分上；以及外部连接件，穿过第二开口并且位于所述支撑金属化层的连接件上，所述第二开口穿 过所述第二介电层。10.—种方法，包括:用密封剂密封集成电路管芯；在所述集成电路管芯和所述密封剂上形成重分布结构，所述重分布结构包括第一介电 层，所述第一介电层具有远离所述集成电路管芯和所述密封剂设置的第一表面；在所述重分布结构上形成凸块下金属化层(UBM)和伪图案，所述伪图案围绕所述第一 介电层的所述第一表面上的所述UBM ;在所述第一介电层的所述第一表面上且在所述伪图案的至少一部分上形成第二介电 层，其中，在形成所述第二介电层之后，所述第二介电层不接触所述UBM ;以及 在所述UBM上形成外部电连接件。
【文档编号】H01L23/31GK106024727SQ201510667052
【公开日】2016年10月12日
【申请日】2015年10月15日
【发明人】陈宪伟, 黄立贤
【申请人】台湾积体电路制造股份有限公司