恒定质量流的多层次冷却剂路径的静电夹盘的制作方法

恒定质量流的多层次冷却剂路径的静电夹盘的制作方法
【专利摘要】本发明涉及一种工件支撑件，其具有容器，该容器具有顶部内壁及底部内壁。在所述顶部内壁与底部内壁之间界定内部腔室，其中支撑表面配置成支撑工件。板件定位于所述内部腔室内，该板件将所述内部腔室划分成顶部腔室及底部腔室。所述顶部与底部腔室绕所述板件的外围流体耦接。界定于所述顶部内壁及所述板件的顶部部分中的一个或多个中的第一锥体跨所述顶部腔室的径向横截面提供基本上恒定的容积。界定于所述底部内壁及所述板件的底部部分中的一个或多个中的第二锥体跨所述底部腔室的径向横截面提供基本上恒定的容积。第一端口及第二端口将所述顶部腔室及底部腔室流体耦接至各自的第一流体通道及第二流体通道。
【专利说明】
恒定质量流的多层次冷却剂路径的静电夹盘
技术领域
[0001] 本发明大体上设及工件载体，更具体设及一种静电夹盘，其配置成使冷却剂W大 体上恒定的质量流率流过其中。
【背景技术】
[0002] 在半导体工业中常利用工件支撑件来在诸如离子注入、蚀刻、化学气相沉积(CVD) 等基于等离子体或基于真空的半导体过程期间支撑及夹紧工件或基板。例如，静电夹具 化SC)在工件与ESC之间施加静电夹紧力，W在处理期间将工件静电吸引至ESC的夹紧表面。 往往需要，在处理期间冷却或加热工件，其中使流体流过ESC内之流体路径，W便在工件驻 留于ESC上的同时提供对工件的冷却或加热。

【发明内容】

[0003] 本发明详述一种用于在半导体处理系统中均匀地冷却和/或加热定位在工件支撑 件上的工件的系统、设备及方法。因此，下文介绍
【发明内容】
的简要概述，W便对本发明的某 些方面具有基本了解。该
【发明内容】
部分并非本发明的详尽综述。其既非旨在确定本发明的 关键元件或主要元件，亦非限定本发明的范围。其目的在于，W简化形式呈现本发明的某些 构思，作为下文【具体实施方式】的引言。
[0004] 根据一示例性方面，本发明提供一种工件支撑件，其中所述工件支撑件包括容器， 该容器具有顶部内壁及底部内壁。所述顶部内壁部署成与所述底部内壁相对，其中在所述 顶部内壁与所述底部内壁之间界定内部腔室。所述容器进一步包括支撑表面，该支撑表面 配置成支撑其上的工件。
[0005] 板件定位于内部腔室内，其中所述板件将所述内部腔室大体上划分成界定于所述 板件与所述顶部内壁之间的顶部腔室W及界定于所述板件与所述底部内壁之间底部腔室。 在一个示例中，所述顶部腔室与底部腔室绕所述板件的外围彼此流体禪接。
[0006] 第一锥体进一步界定于所述顶部内壁及所述板件的顶部部分中的一个或多个中， 其中所述第一锥体跨所述顶部腔室的径向横截面提供基本上恒定的容积。在一个示例中， 第二锥体亦界定于所述底部内壁及所述板件的底部部分中的一个或多个中，其中所述第二 锥体跨所述底部腔室的径向横截面提供基本上恒定的容积。
[0007] 第一端口界定于所述板件的中屯、部分中，其中所述第一端口将所述顶部腔室流体 禪接至第一流体通道。第二端口进一步界定于所述容器的底部部分中，其中所述第二端口 将所述底部腔室流体禪接至第二流体通道。
[000引在一个示例中，本发明还提供一种累，其中所述累的进口流体禪接至所述第一流 体通道及所述第二流体通道中的一个流体通道，并且所述累的出口流体禪接至所述第一流 体通道及所述第二流体通道中的另一个流体通道。热单元进一步流体禪接至所述第一流体 通道及所述第二流体通道中的一个流体通道，其中所述热单元包括加热器及冷却器中的一 个或多个，其配置成分别加热及冷却部署于所述第一流体通道及所述第二流体通道内的流 体。
[0009] 在另一示例中，控制器进一步配置成基于对所述累及所述热单元中的一个或多个 的控制，控制所述工件与所述容器之间的热传递。
[0010] 上文的
【发明内容】
部分仅旨在简要概述本发明某些实施方案的某些特征，其他实施 方案可包括上述特征W外的其他特征和/或不同特征。特别地，该
【发明内容】
部分不得理解为 限定本申请的保护范围。因此，为实现前述及有关目的，本发明包括下文所述且特别在权利 要求书中所指出的特征。下文内容及附图详细阐明本发明的某些说明性实施方案。然而，运 些实施方案仅表明采用本发明原理的多种不同方式中的少数几种。在结合附图考虑的情况 下，由下文对本发明的详细描述会更清楚理解本发明的其他目的、优点及新颖性特征。
【附图说明】
[0011] 图1是根据本发明几方面的示例性工件支撑件的剖视图。
[0012] 图2是图1的示例性工件支撑件的平面图。
[0013] 图3是根据本发明几方面的包括离子注入系统的示例性处理系统的框图。
[0014] 图4是根据本发明几方面的示例性工件支撑系统的框图。
[001引图5是根据本发明几方面的另一示例性工件支撑件的剖视图。
[0016]图6是图5的示例性工件支撑件的平面图。
[0017]图7是根据本发明几方面的又一示例性工件支撑件的剖视图。
[0018] 图8是图7的示例性工件支撑件的平面图。
【具体实施方式】
[0019] 在某些半导体工艺(诸如离子注入过程）中，可能需要在工件(例如，半导体晶片） 与在处理期间固持工件的支撑件之间提供热路径(例如，冷却路径或加热路径），w便在工 件处维持预定溫度。本发明提供一种工件支撑件，其具有部署于其中的流体，其中在流体相 对于工件的表面行进时，流体在工件支撑件内的流动保持在基本上恒定的质量流率。
[0020] 因此，本发明大体上设及一种在半导体处理系统中用于支撑工件且在工件与工件 支撑件之间传递热能的系统、设备及方法。因此，现将参照附图阐述本发明，其中相同的附 图标记通篇可指相同的元件。应当理解，对运些方面的描述仅供说明，而不得解释为限定目 的。出于解释目的，在下文中阐明若干具体细节，W便全面理解本发明。然而，本领域技术人 员会显而易知，本发明可在不具备运些具体细节的情况下实施。另外，本发明的范围不应受 到下文参照附图所述的实施方案或实施例的限制，而仅受所附权利要求书及其等同变化的 限制。
[0021] 还需指出，附图用于说明本发明实施方案的某些方面，由此应视为仅供示意性说 明。特别地，根据本发明的实施方案，附图中所示的元件并不一定相互成比例绘制，将附图 中各元件的布置选为可清楚理解相应的实施方案，不得理解为必然表示实施中各组件的实 际相对位置。此外，若非特别注明，则本文所述的各实施方案及实施例的特征可相结合。
[0022] 还应理解，在W下描述中，在图中所示或文中所述的功能模块、装置、组件、电路元 件或其他实际部件或功能部件之间的任何直接连接或禪接亦可通过间接连接或禪接来实 施。此外还应理解，在图中所示的功能模块或部件在一个实施方案中可作为独立特征或电 路形式实施，在另一实施方案中亦可或可选择w共同特征或电路来全部或部分实施。举例 而言，几个功能模块可作为在共同处理器(如信号处理器)上运行的软件形式实施。还应理 解，若非另有相反规定，则在W下说明书中基于导线所述的任何连接亦可作为无线通信形 式实施。
[0023] 现参照附图，图1至图2图示出根据本发明的具有多层次冷却剂流的示例性工件支 撑件100,其中图1图示出图2的工件支撑件的剖视图101。例如，工件支撑件100配置成在图1 中所示的工件102经受半导体处理的同时支撑该工件。因此，本发明的工件支撑件100配置 成在半导体处理的同时于工件102与工件支撑件之间传热，诸如在离子注入或向工件供热 的其他处理的同时自工件移除热量。替选地，工件支撑件100可配置成在半导体处理之前、 期间或之后向工件102提供热量。如此，工件支撑件100配置成提供在工件102与工件支撑件 之间的热传递。
[0024] 为获得对本发明的进一步理解，图3图示出示例性处理系统104。在本示例中的处 理系统104包括离子注入系统106,但亦涵盖其他各类型的处理系统，如等离子处理系统、反 应离子蚀刻(RIE)系统或其他半导体处理系统。离子注入系统106例如包括终端108、束线总 成110及终端站112。
[0025] -般而言，终端108中的离子源114禪接至电源供应器116, W使渗杂剂气体离子化 成多个离子且形成离子束118。在本实施例中，引导离子束118穿过射束控向设备120且穿出 穿孔122射向终端站112。本发明的离子束118可采取多种形式，如笔形束或点束、带状束、扫 描束或使离子指向终端站112的任何其他形式，并且所有运些形式均属本发明的范围内。在 终端站112中，离子束118轰击工件102(例如娃晶片、显示面板等半导体），该工件102驻留于 工件支撑件100上。一旦注入的离子嵌入工件102的晶格时，则其改变工件的物理和/或化学 性质。鉴此，离子注入用于半导体装置的制造和金属表面处理W及材料科学研究中的各种 应用中。
[0026] 在离子注入期间，随着带点离子与工件碰撞，能量可在工件102上W热量形式积 聚。倘若缺乏防范措施，运种热量可能会使工件102翅曲或破裂，运在某些实施方案中会致 使工件无用（或可用性显著降低）。例如，过剩的热量及伴随的溫升会不利于其中需要精确 溫度控制的过程。在一个示例中，过剩的热量可能还会引起递送至工件102的离子剂量不同 于所需剂量，因而潜在改变工件的所需功能性。替选地，可能需在低于或高于环境溫度的溫 度下注入离子，W使工件102的表面达成理想的非晶化，从而能够在先进的CMOS集成电路装 置制备中形成超浅接面。在运种情况下，工件102的冷却合乎需要。在其他情况下，需要在注 入或其他处理期间进一步加热工件102W便辅助处理(例如，诸如向碳化娃中的高溫注入）。
[0027] 因此，根据本发明，工件支撑件100配置成在处理工件之前、期间和/或之后(诸如， 在工件经受离子束118的同时)支撑工件102且选择性冷却、加热或W其他方式维持工件上 的预定溫度。如此，本示例中的工件支撑件100由此可配置成支撑且冷却和/或加热工件 102。在一个示例中，工件支撑件100进一步包括静电夹错124,其配置成保持工件102的位置 (例如，将工件静电夹紧至工件支撑件），其中工件支撑件进一步配置成在处理的同时冷却 和/或加热工件。
[00%]根据一个示例，工件支撑件100包括容器130,其配置成提供流体在其中的流动。例 如，流体可包括液体或气体，并且可视需要来冷却或加热，如下文中进一步详述。如图1至图 2所示，工件支撑件100提供有利的流体流(例如，由箭头131所示），其中在不同平面上出现 供应流及返回流。因此，可达成基本上径向的流体流，其中返回路径在与供应路径不同的层 次上径向导向（例如，高于或低于供应路径）。本发明有利地提供一种流体质量流率，在流体 经由横截面积可变的流体路径穿过工件支撑件流动的全程中，该流体质量流率基本上恒 定，现将对此进一步详述。
[0029] 根据一个示例，容器130配置成提供流体穿过其中的流动。在一个示例中，容器130 大体上中空且包括顶部内壁132及底部内壁134,其中顶部内壁部署成与底部内壁大体相 对，其中在顶部内壁与底部内壁之间界定内部腔室136。例如，容器130进一步包括支撑表面 138,其配置成支撑其上的工件102,其中支撑表面配置成促进工件与容器之间的热传递。如 此，工件支撑件100配置成将工件102与流体之间的热量经由导热路径通过顶部内壁132传 递至支撑表面138。
[0030] 根据一个示例，板件140定位于容器104的内部腔室136内，其中板件将内部腔室大 体上划分成界定于板件与顶部内壁之间的顶部腔室142W及界定于板件与底部内壁134之 间底部腔室144。在本示例中，如图2中进一步详示，顶部腔室142与底部腔室144绕板件140 的外围146彼此流体禪接。可提供一个或多个支撑结构148(诸如杆、销、翅片或其他结构）W 使板件140大体紧固且支撑于容器130的内部腔室136内。
[0031] 根据另一示例，图1的工件支撑件100包括与其热禪接的静电夹错124,其中静电夹 错的夹紧表面150大体界定支撑表面138。本领域技术人员会理解，例如，静电夹错124包括 一个或多个电极152,运些电极152配置成将工件102静电吸引至支撑表面138。本示例的支 撑表面138大体上呈平面，然而，本发明亦涵盖包括纹理表面或凹陷表面的支撑表面，其中 可将导电气体引入工件102与支撑表面之间，从而辅助工件支撑件100与工件之间的热传 导。
[0032] 根据本发明，工件支撑件100由此提供流体的流动，运种流动穿过至少由容器130 的内部腔室136所界定的通道154而出现在分开的层次上，其中在一个层次上供应流体并且 在另一个层次上返回流体。如图1的示例中所示，提供供应路径156及返回路径158,其中供 应路径与返回路径连接成邻近于内部腔室136的边缘160及中屯、162中的一个或多个，W便 允许流体自供应路径流动至返回路径。应指出，基于工件支撑件100的理想性能，供应路径 156及返回路径158可W反置。
[0033] 如图1所示，通道154的高度164a至164d为随半径变化的变量，其中高度的变化有 利地补偿横截面积的增大。在本示例中，工件支撑件100及板件140基本上呈圆形及盘形，其 中沿供应路径156及返回路径158的流动流将经由对流热传递而在流体与工件102之间传 热。对流传热系数hx如下取决于通过雷诺数Re表示的流速：
[0034] hxC^Nux = f(Re,Pr) (1)
[0035] 穿过工件支撑件100的质量流Μ可由W下描述：
[0036] m=pVA 口)
[0037] 其中P为流过通道154的流体密度，V为流体流的速度，且A为通道的横截面积。在具 有基本上径向流的近似圆盘的通道154中，通道154的横截面积A将如下随半径增大：
[003引 A = ^ir h (3)
[0039]其中r为通道在圆盘中的径向距离，且h为通道的高度。在一个示例中，可借由设定 通道154的大小来获得基本上恒定的横截面积及质量流，W使高度与半径成反比（1/r)。然 而，实际上，考虑到内部腔室136的中屯、162可能导致无限高度，运种设计可能难W达成。当 流体自内部腔室136的中屯、162径向向外流动时，本发明有利地针对越来越小的高度提供锥 形或阶梯状的通道154。
[0040] 因此根据本发明的某些实例，第一锥体166界定于顶部内壁132及板件140的顶部 部分168中的一个或多个中，其中第一锥体跨顶部腔室142的径向横截面提供基本上恒定的 容积。因此，跨内部腔室136的半径，有利地获得流体的基本上恒定的质量流。在一个示例 中，如图1至图2所示，第一锥体166大体上呈线性且界定于容器130的顶部内壁132中，其中 顶部腔室142大体上呈圆锥状。
[0041] 第一端口 170进一步界定于板件140的中屯、部分172中，其中第一端口将顶部腔室 142流体禪接至第一流体通道174。第二端口 176亦界定于容器130的底部部分178中，其中第 二端口将底部腔室144流体禪接至第二流体通道180。如图3至图4所示，累182及热单元184 进一步流体禪接至第一流体通道174及第二流体通道180。热单元184配置成加热和/或冷却 流体，其中流体经由累182循环穿过工件支撑件100及热单元，其中经由流过工件支撑件100 的基本上恒定的质量流有利地加热和/或冷却工件102。在图3至图4中，进一步提供控制器 186,其中控制器配置成控制热单元184、工件支撑件100(例如，静电夹错124)、累182和/或 图3的处理系统104的各种其他特征中的一个或多个特征。
[0042] 根据另一示例，第二锥体188界定于板件140的底部内壁134及底部部分190中的一 个或多个中，其中第二锥体进一步跨内部腔室136的径向横截面提供基本上恒定的容积。因 此，有利地跨内部腔室136的半径进一步获得流体的基本上恒定的质量流。例如，第二锥体 188亦大体上呈线性，其中底部腔室144大体上呈圆锥状。在一个示例中，第一锥体166与第 二锥体188大体上彼此成镜像。
[0043] 根据另一示例，如图5至图6所示，第一锥体166(在图5的横截面192中所示)大体上 呈线性且由板件140的顶部部分168界定，并且第二锥体188由板件的底部部分190界定。类 似于图1至图2的示例，在图5至图6的示例中，第一端口 170亦界定于板件140的中屯、部分172 中且将顶部腔室142流体禪接至第一流体通道174。第二端口 176亦界定于容器130的底部部 分178中，其中第二端口将底部腔室144流体禪接至第二流体通道180。然而，如图5至图6所 示，第一流体通道174与第二流体通道180同轴。在同轴的情况下，可达成流体穿过顶部腔室 142及底部腔室144与第一流体通道174及第二流体通道180的有利流动。
[0044] 图7至图8图示出第一锥体166的另一示例（在图7的横截面194中示出），其大体上 呈阶梯状且由容器130的顶部内壁132界定，并且第二锥体188亦大体上呈阶梯状且由容器 的底部内壁134界定。应指出，第一锥体166及第二锥体188亦可W大体上阶梯状的方式设置 于板件140中。
[0045] 根据本发明的另一示例，传热系数大体恒定或W有利的方式变化，W便在处理期 间补偿不均匀的溫度或电力负荷。在一个示例中，第一流体通道174与第二流体通道180(例 如，包括顶部腔室142及底部腔室144)可成形为彼此相似，进而达成有利的流体流。替代地， 顶部腔室142及底部腔室144可彼此不同，W便在预定的径向位置处提供变化的流体流(例 如，当需要另外加热或冷却特定区域时）。此外，尽管在附图中示出流动的一个方向，但应理 解，流体的流动可视需要颠倒。
[0046]虽然已就某些实施方案对本发明加 W阐述，但需指出，上述实施方案仅作为实施 本发明某些实施方案的实施例，本发明的应用并非局限于运些实施方案。特别关于由上述 组件(总成、装置、电路等)执行的各种功能，若非特别注明，否则用于描述运些组件的术语 (包括提及"构件"）旨在对应于执行所述组件的特定功能（即功能上等同）的任意部件，即便 其在结构上不等同于执行本文所述的本发明典型实施方案所公开的结构亦然。另外，虽然 仅就多个实施方案中的一种方案公开本发明的特定特征，如若适于或利于任何指定或特定 应用，则运一特征可结合其它实施方案的一个或多个其他特征。相应地，本发明不限于上述 实施方案，但旨在仅受所附权利要求书及其等同变化的限制。
【主权项】
1. 一种工件支撑件，其包括： 容器，其包括顶部内壁及底部内壁，其中所述顶部内壁部署成与所述底部内壁相对，其 中在所述顶部内壁与所述底部内壁之间界定内部腔室，其中所述容器进一步包括支撑表 面，该支撑表面配置成支撑其上的工件； 板件，其定位于内部腔室内，其中所述板件将所述内部腔室大体上划分成界定于所述 板件与所述顶部内壁之间的顶部腔室以及界定于所述板件与所述底部内壁之间底部腔室， 并且所述顶部腔室与所述底部腔室绕所述板件的外围彼此流体耦接； 第一锥体，其界定于所述顶部内壁及所述板件的顶部部分中的一个或多个中，其中所 述第一锥体跨所述顶部腔室的径向横截面提供基本上恒定的容积； 第二锥体，其界定于所述底部内壁及所述板件的底部部分中的一个或多个中，其中所 述第二锥体跨所述底部腔室的径向横截面提供基本上恒定的容积； 第一端口，其界定于所述板件的中心部分中，其中所述第一端口将所述顶部腔室流体 耦接至第一流体通道；以及 第二端口，其界定于所述容器的底部部分中，其中所述第二端口将所述底部腔室流体 耦接至第二流体通道。2. 如权利要求1所述的工件支撑件，其中所述第一锥体呈线性。3. 如权利要求1所述的工件支撑件，其中所述顶部腔室大体上呈圆锥状。4. 如权利要求1所述的工件支撑件，其中所述支撑表面大体上呈平面。5. 如权利要求1所述的工件支撑件，其中所述容器包括与其热耦接的静电夹钳，其中所 述静电夹钳的夹紧表面大体上界定所述支撑表面。6. 如权利要求1所述的工件支撑件，其中所述第一锥体及所述第二锥体中的一个或多 个呈阶梯状。7. 如权利要求6所述的工件支撑件，其中所述第二锥体呈线性。8. 如权利要求6所述的工件支撑件，其中所述底部腔室大体上呈圆锥状。9. 如权利要求6所述的工件支撑件，其中所述第一锥体及所述第二锥体彼此成镜像。10. 如权利要求1所述的工件支撑件，其中热传导路径界定于所述支撑表面与所述内部 腔室之间。11. 如权利要求1所述的工件支撑件，其中流体路径界定于所述内部腔室内，其中所述 第一锥体及所述第二锥体大体上提供流过所述内部腔室的恒定质量流。12. 如权利要求1所述的工件支撑件，其中所述第一流体通道及所述第二流体通道同 轴。13. -种工件支撑件，其包括： 容器，其中该容器大体上为圆柱形且包括顶部内壁及底部内壁，其中在所述顶部内壁 与所述底部内壁之间界定内部腔室，并且支撑表面与所述容器的顶部外部部分相关联，其 中所述支撑表面配置成支撑其上的工件； 板件，其定位于内部腔室内，其中所述板件将所述内部腔室大体上划分成界定于所述 板件与所述顶部内壁之间的顶部腔室以及界定于所述板件与所述底部内壁之间底部腔室， 并且所述顶部腔室与所述底部腔室绕所述板件的外围彼此流体耦接； 第一锥体，其界定于所述顶部内壁及所述板件的顶部部分中的一个或多个中，其中所 述第一锥体跨所述顶部腔室的径向横截面提供基本上恒定的容积； 第二锥体，其界定于所述底部内壁及所述板件的底部部分中的一个或多个中，其中所 述第二锥体跨所述底部腔室的径向横截面提供基本上恒定的容积； 第一端口，其界定于所述板件的中心部分中，其中所述第一端口将所述顶部腔室流体 耦接至第一流体通道；以及 第二端口，其界定于所述容器的底部部分中，其中所述第二端口将所述顶部腔室流体 耦接至第二流体通道。14. 如权利要求13所述的工件支撑件，进一步包括静电夹钳，其中所述静电夹钳的夹紧 表面大体上界定所述支撑表面。15. 如权利要求13所述的工件支撑件，其中所述第一锥体及所述第二锥体中的一个或 多个呈阶梯状。16. -种热工件支撑系统，其包括： 容器，其包括顶部内壁及底部内壁，其中在所述顶部内壁与所述底部内壁之间界定内 部腔室，其中所述容器进一步包括支撑表面，该支撑表面配置成支撑其上的工件； 板件，其定位于内部腔室内，其中所述板件将所述内部腔室大体上划分成界定于所述 板件与所述顶部内壁之间的顶部腔室以及界定于所述板件与所述底部内壁之间底部腔室， 并且所述顶部腔室与所述底部腔室绕所述板件的外围彼此流体耦接； 第一锥体，其界定于所述顶部内壁及所述板件的顶部部分中的一个或多个中，其中所 述第一锥体跨所述顶部腔室的径向横截面提供基本上恒定的容积； 第二锥体，其界定于所述底部内壁及所述板件的底部部分中的一个或多个中，其中所 述第二锥体跨所述底部腔室的径向横截面提供基本上恒定的容积； 第一端口，其界定于所述板件的中心部分中，其中所述第一端口将所述顶部腔室流体 耦接至第一流体通道； 第二端口，其界定于所述容器的底部部分中，其中所述第二端口将所述底部腔室流体 耦接至第二流体通道； 栗，其中所述栗的进口流体耦接至所述第一流体通道及所述第二流体通道中的一个流 体通道，并且所述栗的出口流体耦接至所述第一流体通道及所述第二流体通道中的另一个 流体通道；以及 热单元，其流体耦接至所述第一流体通道及所述第二流体通道中的一个流体通道，其 中所述热单元包括加热器及冷却器中的一个或多个，其配置成分别加热及冷却部署于所述 第一流体通道及所述第二流体通道内的流体。17. 如权利要求16所述的热工件支撑系统，进一步包括控制器，其配置成基于对所述栗 及所述热单元中的一个或多个的控制，控制所述工件与所述容器之间的热传递。18. 如权利要求16所述的热工件支撑系统，其中所述容器进一步包括静电夹钳，其中所 述静电夹钳的夹紧表面大体上界定所述支撑表面。19. 如权利要求16所述的热工件支撑系统，其中所述第一锥体及所述第二锥体中的一 个或多个呈阶梯状。20. 如权利要求16所述的热工件支撑系统，其中流体路径界定于所述内部腔室内，其中 所述第一锥体及所述第二锥体大体上提供流过所述内部腔室的恒定质量流。
【文档编号】H01L21/67GK106062940SQ201580007872
【公开日】2016年10月26日
【申请日】2015年2月6日
【发明人】威廉·戴维斯·李
【申请人】艾克塞利斯科技公司