微型封装自倍频激光器的制造方法

文档序号:8596697阅读:204来源:国知局
微型封装自倍频激光器的制造方法
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及一种激光器,具体地说,涉及一种微型封装自倍频激光器。
【背景技术】
[0002]随着现在科技的不断发展,激光的应用范围也在迅速扩展,例如:医疗仪器、建筑测量、指示、军事、航天等。这些方面的应用都要求激光器在尺寸和重量方面尽可能的小,并且输出光束质量近似TEMOO模输出。而目前市场上的激光器包括:激光二极管直接输出激光和激光二极管泵浦晶体输出激光。激光二极管直接输出激光光束质量差,发光点快慢轴不重合导致光束聚焦存在严重的像差,且对于蓝光和绿光激光二极管,成本较高,不能有效满足现有市场需求;激光二极管泵浦晶体输出激光,虽然在光束质量上优于激光二极管,且在蓝光和绿光波段,晶体输出激光成本较低,但是模组的尺寸无法与激光二极管比拟,在许多领域限制了该激光的应用。如果将微米级别的激光自倍频晶体与激光二极管管芯封装在同一散热热沉上,上述两种激光器存在的技术难点皆可解决。目前产生绿光的激光晶体都是采用两块组成,一块产生基频光,另一块产生倍频光。这两块晶体一般采用胶合或光胶的方式组合在一起,在激光二极管管芯发光点附近热沉温度很高,容易导致晶体开裂,且较高温度晶体非线性失配使晶体出光功率不高。而自倍频晶体融合基频晶体和倍频晶体为一体,并且晶体匹配角大,在较大温度范围内不存在非线性失配问题,完全可以将管芯和晶体封装在一更小尺寸热沉上。

【发明内容】

[0003]本实用新型克服上述缺陷,提供了一种将激光自倍频晶体与激光二极管管芯有效的封装在同一热沉上,生产出小尺寸、高光束质量的全新概念微型封装自倍频激光器。
[0004]本实用新型的微型封装自倍频激光器的技术方案是这样的:其包括激光二极管管芯、自倍频晶体、热沉,激光二极管管芯和自倍频晶体间隔一定距离固定在一个热沉上。
[0005]优化地,自倍频晶体输入端镀有基频光和倍频光高反膜,输出端镀有基频光高反膜和倍频光增透膜。
[0006]优化地,自倍频晶体较宽的一侧镀金属膜,镀金属膜的一面固定在热沉上。
[0007]优化地,自倍频晶体的输入端和激光二极管管芯的距离设置为小于等于I毫米,且使激光二极管管芯发光光束方向垂直于晶体输入端。
[0008]优化地,自倍频晶体设置为微米级别。
[0009]优化地,激光二极管管芯设置为单管LD。
[0010]本技术方案的微型封装自倍频激光器,激光二极管管芯和自倍频晶体间隔一定距离固定在一个热沉上,本技术方案在不改变激光二极管外形尺寸的前提下,将激光二极管管芯与微米级别自倍频晶体封装在同一热沉上,极大的减小了现有激光模组尺寸大的问题,在目前小型激光器市场上存在很大的需求;目前绿光和蓝光激光二极管价格较高,在短时间内,难以降低成本,而本发明涉及的微型封装激光器所用物料市场价格低廉,并且可以大批量的生产,可以替代绿蓝激光二极管。
[0011]本技术方案的微型封装自倍频激光器在自倍频晶体输入端镀有基频光和倍频光高反膜,输出端镀有基频光高反膜和倍频光增透膜,晶体端面可以直接作腔镜,这样的光处理效果非常好。
[0012]本技术方案微型封装自倍频激光器自倍频晶体较宽的一侧镀金属膜,镀金属膜的一面固定在热沉上,自倍频晶体较宽的一侧镀金属膜,镀金属膜的一面固定在热沉上,两者连接处热沉表面粗糙度小,有利于晶体废热的快速散掉。
[0013]本技术方案微型封装自倍频激光器自倍频晶体的输入端和激光二极管管芯的距离设置为小于等于I毫米,且使激光二极管管芯发光光束方向垂直于晶体输入端,晶体长度根据管芯发光功率和最终输出激光功率确定,激光二极管管芯发出的较差光束质量的激光耦合进晶体后,经自倍频晶体自身组成的谐振腔振荡,输出高光束质量的TEMOO模。
[0014]本技术方案微型封装自倍频激光器,自倍频晶体设置为微米级别,可以有效的抑制激光腔多个模式振荡,可以实现单模激光和低噪声输出。
[0015]本实用新型的微型封装自倍频激光器实现了小尺寸、高光束质量的新概念激光器,可以替代市场上价格较高的激光二极管,比如绿蓝激光二极管。
【附图说明】
[0016]图1是本实用新型的微型封装自倍频激光器的结构示意图;
[0017]图2是本实用新型的实施例1的结构示意图。
[0018]1-激光二极管管芯、2-自倍频晶体、3-热沉、4-正负极。
【具体实施方式】
[0019]实施例1:
[0020]本实施例的微型封装自倍频激光器其包括激光二极管管芯1、自倍频晶体2、热沉3,激光二极管管芯I和自倍频晶体2间隔一定距离固定在一个热沉3上。自倍频晶体输入端镀有基频光和倍频光高反膜,输出端镀有基频光高反膜和倍频光增透膜。自倍频晶体较宽的一侧镀金属膜,镀金属膜的一面固定在热沉上。自倍频晶体的输入端和激光二极管管芯的距离设置为等于I毫米,且使激光二极管管芯发光光束方向垂直于晶体输入端。自倍频晶体设置为微米级别。激光二极管管芯设置为单管LD,封装形式设置为C-mount,如图所示,下方设置正负极4。
[0021]实施例2:
[0022]本实施例和实施例1的区别在于,本实施例的自倍频晶体的输入端与激光二极管管芯的距离设置为0.9毫米,封装形式设置为TO封装。
[0023]实施例3:
[0024]实施例3和实施例1的区别在于,本实施例的自倍频晶体的输入端的激光二极管管芯的距离设置为0.8毫米,封装形式设置为TO封装。
[0025]以上所述仅为本实用新型的优选实施方式,本实用新型的保护范围并不仅限于上述实施方式,凡是属于本实用新型原理的技术方案均属于本实用新型的保护范围。对于本领域的技术人员而言,在不脱离本实用新型的原理的前提下进行的若干改进或润饰,这些改进和润饰也应视为本实用新型的保护范围。
【主权项】
1.一种微型封装自倍频激光器,其特征在于:其包括激光二极管管芯、自倍频晶体、热沉,激光二极管管芯和自倍频晶体间隔一定距离固定在一个热沉上。
2.根据权利要求1所述的微型封装自倍频激光器,其特征在于,自倍频晶体输入端镀有基频光和倍频光高反膜,输出端镀有基频光高反膜和倍频光增透膜。
3.根据权利要求1所述的微型封装自倍频激光器,其特征在于,自倍频晶体较宽的一侧镀金属膜,镀金属膜的一面固定在热沉上。
4.根据权利要求1所述的微型封装自倍频激光器,其特征在于,自倍频晶体的输入端和激光二极管管芯的距离设置为小于等于I毫米,且使激光二极管管芯发光光束方向垂直于晶体输入端。
5.根据权利要求1所述的微型封装自倍频激光器,其特征在于,自倍频晶体设置为微米级别。
6.根据权利要求1所述的微型封装自倍频激光器,其特征在于,激光二极管管芯设置为单管LD。
【专利摘要】本实用新型涉及一种激光器,具体地说,涉及一种微型封装自倍频激光器,本实用新型提供了一种将激光自倍频晶体与激光二极管管芯有效的封装在同一热沉上,生产出小尺寸、高光束质量的全新概念微型封装自倍频激光器,其包括激光二极管管芯、自倍频晶体、热沉,激光二极管管芯和自倍频晶体间隔一定距离固定在一个热沉上,本实用新型的微型封装自倍频激光器实现了小尺寸、高光束质量的新概念激光器,可以替代市场上价格较高的激光二极管,比如绿蓝激光二极管。
【IPC分类】H01S5-06, H01S5-022, H01S5-10
【公开号】CN204304217
【申请号】CN201420714026
【发明人】马长勤, 于祥升
【申请人】青岛镭创光电技术有限公司
【公开日】2015年4月29日
【申请日】2014年11月25日
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