能降低电池内阻的太阳能电池电极的制作方法

文档序号:8715851阅读:243来源:国知局
能降低电池内阻的太阳能电池电极的制作方法
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及太阳能电池领域,特别是涉及能降低电池内阻的太阳能电池电极。
【背景技术】
[0002]在石油、煤炭、天然气等传统能源面临枯竭以及环境污染、温室效应、海平面上升等问题日益加剧的背景下,使用太阳能发电,因其高效、普遍、清洁,得到各国政府的政策大力支持,近几年增长迅速。在各种太阳电池中,晶体硅太阳电池近几年一直占据太阳电池市场的90%以上。晶体硅太阳电池市场广阔,但太阳电池生产商也越来越多,市场竞争日益激烈。以技术进步提高电池转换效率寻求成本优势已经成为众多太阳电池生产商的共识。太阳能电池的内阻越大,对电流的抑制作用越强,太阳能电池的效率越低。
【实用新型内容】
[0003]本实用新型的目的在于克服现有技术的不足,提供一种能降低电池内阻的太阳能电池电极,采用石墨烯薄膜作为电极载体,利用石墨烯薄膜电阻率极低的优点,可极大地降低了太阳能电池电极的内阻,提高太阳能电池的效率。
[0004]本实用新型的目的是通过以下技术方案来实现的:能降低电池内阻的太阳能电池电极,它由石墨烯薄膜构成,石墨烯薄膜两侧的下部涂覆有活性物质层,所述的活性物质层包括电极材料和电极粘接剂。
[0005]所述的石墨烯薄膜两侧的活性物质层的上侧边缘到石墨烯薄膜的上侧边缘均裸
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[0006]所述的石墨烯薄膜两侧的活性物质层的上侧边缘到石墨烯薄膜的上侧边缘的裸露宽度均为11?13mm。
[0007]所述的电极材料为铬锆铜或氧化铝铜。
[0008]所述的石墨烯薄膜的原子层数为四层、六层或八层。
[0009]本实用新型的有益效果是:
[0010](I)采用石墨烯薄膜作为电极载体,由于石墨烯薄膜的电阻率极低,几乎不会带入电阻,极大地降低了太阳能电池电极的内阻;
[0011](2)在石墨烯两侧涂有电极材料可最大程度的增加电极与外壳的接触面积,改善了太阳能电池承受电流的能力;
[0012](3)电极材料选用价格低廉的铬锆铜或氧化铝铜,降低了成本,有利于太阳能电池的推广。
【附图说明】
[0013]图1为本实用新型能降低电池内阻的太阳能电池电极的结构示意图;
[0014]图中,1-石墨烯薄膜,2-活性物质层。
【具体实施方式】
[0015]下面结合附图进一步详细描述本实用新型的技术方案,但本实用新型的保护范围不局限于以下所述。
[0016]如图1和图2所示,能降低电池内阻的太阳能电池电极,它由石墨烯薄膜I构成,石墨烯薄膜I两侧的下部涂覆有活性物质层2,所述的活性物质层包括电极材料和电极粘接剂。石墨烯薄膜I的导热系数高达5300 ff/m.K,常温下其电子迀移率超过15000 cm2/V *s,而电阻率只约10-8 Ω.ηι,采用石墨稀薄膜I作为电极载体,可极大地降低了太阳能电池电极的内阻,提高太阳能电池的效率。
[0017]所述的石墨烯薄膜I两侧的活性物质层2的上侧边缘到石墨烯薄膜I的上侧边缘均裸露。
[0018]所述的石墨烯薄膜I两侧的活性物质层2的上侧边缘到石墨烯薄膜I的上侧边缘的裸露宽度均为11?13mm。
[0019]所述的电极材料2为铬锆铜或氧化铝铜,铬锆铜具有优良的导电性、良好的高温机械性能、较高的硬度和强度,是一种优异的电极材料,同时其价格便宜,有利于在保证性能的前提下降低太阳能电池的价格,氧化铝铜也具有类似的优点。在对成本价格不太敏感时,还可以选用金、银和钼等贵金属作为电极材料。
[0020]所述的石墨烯薄膜I的原子层数为四层、六层或八层。
【主权项】
1.能降低电池内阻的太阳能电池电极,其特征在于:它由石墨烯薄膜(I)构成,石墨烯薄膜(I)两侧的下部涂覆有活性物质层(2),所述的活性物质层包括电极材料和电极粘接剂。
2.根据权利要求1所述的能降低电池内阻的太阳能电池电极,其特征在于:所述的石墨烯薄膜(I)两侧的活性物质层(2)的上侧边缘到石墨烯薄膜(I)的上侧边缘均裸露。
3.根据权利要求2所述的能降低电池内阻的太阳能电池电极,其特征在于:所述的石墨烯薄膜(I)两侧的活性物质层(2)的上侧边缘到石墨烯薄膜(I)的上侧边缘的裸露宽度均为11?13mm。
4.根据权利要求1所述的能降低电池内阻的太阳能电池电极,其特征在于:所述的电极材料为铬锆铜或氧化铝铜。
5.根据权利要求1所述的能降低电池内阻的太阳能电池电极,其特征在于:所述的石墨烯薄膜(I)的原子层数为四层、六层或八层。
【专利摘要】本实用新型公开了一种能降低电池内阻的太阳能电池电极,它由石墨烯薄膜(1)构成,石墨烯薄膜(1)两侧的下部涂覆有活性物质层(2),所述的活性物质层包括电极材料和电极粘接剂。本实用新型采用石墨烯薄膜作为电极载体,利用石墨烯薄膜电阻率极低的优点,可极大地降低了太阳能电池电极的内阻,提高太阳能电池的效率。
【IPC分类】H01L31-0224
【公开号】CN204424270
【申请号】CN201520157074
【发明人】刘兴翀, 魏欣, 魏泽忠
【申请人】成都格莱飞科技股份有限公司
【公开日】2015年6月24日
【申请日】2015年3月19日
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