新型led覆晶芯片的制作方法
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及LED照明技术领域，尤其涉及一种新型LED覆晶芯片。
【背景技术】
[0002]LED产业是近几年最受瞩目的产业之一，发展至今，LED产品已具有节能、省电、高效率、反应时间快、寿命周期时间长、且不含汞、具有环保效益等优点。通常LED高功率产品输入功率绝大部分会转换为热能，一般而言，LED发光时所产生的热能若无法导出，将会使LED结面温度过高，影响产品生命周期、发光效率及稳定性等。目前覆晶式LED封装结构的散热途径，主要是藉由LED电极导线传导至系统电路板导出，能够较好的实现导热散热性會K。
[0003]一般的，对覆晶芯片均需要进行蚀刻以及包覆处理，通常的蚀刻方式为一次性对薄膜层蚀刻预定厚度，造成均匀很差，并且不一定蚀刻到基板；包覆处理时，芯片侧面包覆因制程设备极限问题造成包覆困难，易产生孔洞使用锡膏与银胶固晶因材料渗透造成漏电的问题，并且镀膜厚度，越厚镀膜时间越长，尤其侧壁镀膜速率与上层镀膜速率不一致，易造成上层厚度与侧面厚度差距很大，使整个LED覆晶芯片的性能大大折扣。有鉴于此，有必要对上述的LED覆晶芯片的制造方法进行进一步的改进。
【实用新型内容】
[0004]本实用新型所要解决的技术问题是:提供一种新型LED覆晶芯片，能够保证薄膜蚀刻的均匀性，芯片的侧面及顶部镀膜的厚度一致性好，LED覆晶芯片的制造效率高、电性能较佳。
[0005]为了解决上述技术问题，本实用新型采用的另一技术方案为:提供一种新型LED覆晶芯片，包括芯片本体，所述芯片本体包括基板层、第一绝缘层、透明导电层、DBR反射层、金属反射层、电极层以及薄膜绝缘层；所述电极层、第一绝缘层、金属反射层、DBR反射层、透明导电层以及基板层由上至下顺序设置；所述芯片本体一侧设置有蚀刻槽位，所述蚀刻槽位位于电极层、第一绝缘层、透明导电层、DBR反射层以及金属反射层上形成台阶状，所述蚀刻槽的底部分为覆盖部与切割部，靠近蚀刻槽的所述透明导电层、DBR反射层与金属反射层的端部与蚀刻槽的侧壁及底部覆盖部均覆盖有连成一体的薄膜绝缘层。
[0006]本实用新型的有益效果在于:区别于现有技术中的芯片侧面包覆因制程设备极限问题造成包覆困难，易产生孔洞使用锡膏与银胶固晶因材料渗透造成漏电的问题，本实用新型提供了一种新型LED覆晶芯片，包括基板层、第一绝缘层、透明导电层、DBR反射层、金属反射层、电极层以及薄膜绝缘层，该薄膜绝缘层对基材板进行覆膜处理，以保护各层端部结构，并且在基板层预留有切割部，该切割部不覆盖薄膜，切割芯片时因有未镀膜距离，不会因切割碰触镀膜层而破裂，便于切割，提高芯片的电性能。另外，本方案还具有生产效率高，适合工业生产的优点。
【附图说明】
[0007]图1为本实用新型的新型LED覆晶芯片的制造方法的流程图；
[0008]图2为本实用新型的新型LED覆晶芯片的分层示意图；
[0009]图3为本实用新型的新型LED覆晶芯片的结构图。
[0010]标号说明:
[0011]1、基板层； 2、第一绝缘层； 3、透明导电层；
[0012]4、DBR反射层；5、金属反射层； 6、薄膜绝缘层；
[0013]7、电极层； 8、切割部。
【具体实施方式】
[0014]为详细说明本实用新型的技术内容、所实现目的及效果，以下结合实施方式并配合附图予以说明。
[0015]本实用新型最关键的构思在于:本方案靠近蚀刻槽的所述透明导电层、DBR反射层与金属反射层的端部覆盖薄膜绝缘层，该薄膜绝缘层对基材板进行覆膜处理，以保护各层端部结构，并且在基板层预留有切割部，该切割部不覆盖薄膜，切割芯片时因有未镀膜距离，不会因切割碰触镀膜层而破裂，便于切割，提高芯片的电性能。
[0016]请参照图1，一种新型LED覆晶芯片的制造方法，包括如下步骤:
[0017]S01、准备一基材板，并在基材板上预设蚀刻位置；
[0018]S02、根据蚀刻位置第一次对基材板进行蚀刻处理，在蚀刻掉预设厚度后停止蚀刻操处理，在基材板上形成凹槽；
[0019]S03、根据基材上的凹陷部进行二次蚀刻处理，具体为，先对凹槽的侧壁进行预设厚度的蚀刻处理形成台阶状后，然后对凹槽的底部进行修正蚀刻处理，使预设厚度与修正蚀刻厚度之和为标准蚀刻厚度；
[0020]S04、对基材板进行覆膜处理，在凹槽底部中间设覆盖部以及切割部后，将薄膜覆盖于基板顶部、凹槽侧壁以及凹槽底部的覆盖部上；
[0021]S05、对基材板进行切割处理，以凹槽底部的切割部的中心线为切割线对基材板进行切割处理。
[0022]从上述描述可知，本实用新型的有益效果在于:区别于现有技术中的芯片侧面包覆因制程设备极限问题造成包覆困难，易产生孔洞使用锡膏与银胶固晶因材料渗透造成漏电的问题，本实用新型提供了一种新型LED覆晶芯片的制造方法，主要采用两次蚀刻处理，具体为:根据蚀刻位置第一次对基材板进行蚀刻处理，在蚀刻掉预设厚度后停止蚀刻操处理，在基材板上形成凹槽；根据基材上的凹陷部进行二次蚀刻处理，具体为，先对凹槽的侧壁进行预设厚度的蚀刻处理形成台阶状后，然后对凹槽的底部进行修正蚀刻处理，使预设厚度与修正蚀刻厚度之和为标准蚀刻厚度，能够提高蚀刻精度，保证薄膜蚀刻的均匀性；还采用对基材板进行覆膜处理，并预留有切割部不覆盖薄膜，切割芯片时因有未镀膜距离，不会因切割碰触镀膜层而破裂，便于切割，提高芯片的电性能。
[0023]作为一实施例，所述步骤S02中“第一次对基材板进行蚀刻处理”的蚀刻深度为5um-6um。应该指出上述的深度只是一种实施方式，并不局限