一种高可靠玻璃钝化高压硅堆的制作方法
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及高压硅堆技术领域，尤其涉及一种高可靠玻璃钝化高压硅堆。
【背景技术】
[0002]由于国内大部分高压硅堆均为塑料封装，产品可靠性不高，而且塑料结构的化学性能不稳定，在管芯台面腐蚀成型过程中，容易与混合酸反应，使管芯腐蚀过程不可控，增大了金属杂质离子的对台面的沾污。
【实用新型内容】
[0003]本实用新型主要是解决现有技术中所存在的技术问题，从而提供一种反向峰值电压高，封装体积小，可靠性高的高可靠玻璃钝化高压硅堆。
[0004]本实用新型的上述技术问题主要是通过下述技术方案得以解决的:
[0005]本实用新型提供的高可靠玻璃钝化高压硅堆，包括芯片和两个电极引线，两个所述电极引线对称的固定在所述芯片的两端，其中，所述芯片由多个管芯叠片烧结而成，所述电极引线包括引线和钨电极，所述引线和钨电极通过银铜焊片相互焊接连接，以及所述芯片的外表面还设有一玻璃层，所述玻璃层采用钝化玻璃粉制作而成。
[0006]进一步地，所述玻璃层的外表面周向上还设有一印章标志区和一负极标志，所述印章标志区和负极标志间隔分布。
[0007]进一步地，所述电极引线与所述芯片通过铝焊料焊接固定。
[0008]进一步地，所述钝化玻璃粉的型号为Q-8412，或其他可用于玻璃产品钝化生产的钝化玻璃粉。
[0009]本实用新型的有益效果在于:带有钨电极的电极引线由于其化学性能稳定，在芯片台面腐蚀成型过程中基本不与混合酸反应，使芯片腐蚀过程可控，减少金属杂质离子的对台面的沾污，大大降低了产品的常温、高温反向漏电流，可实现产品7500V下漏电流小于I yA，7500V、150°C下高温漏电流小于50 μΑ，同时采用与钨电极匹配的钝化玻璃粉涂粉成玻璃层，提高了产品的抗温度循环能力，可实现产品满足_55°C?175°C条件下500次温度循环的能力，同时产品可实现25A以上抗正向浪涌电流能力。
【附图说明】
[0010]为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0011]图1是本实用新型的高可靠玻璃钝化高压硅堆的结构示意图；
[0012]图2是本实用新型的高可靠玻璃钝化高压硅堆的管芯的结构示意图。
【具体实施方式】
[0013]下面结合附图对本实用新型的优选实施例进行详细阐述，以使本实用新型的优点和特征能更易于被本领域技术人员理解，从而对本实用新型的保护范围做出更为清楚明确的界定。
[0014]参阅图1-2所示，本实用新型的高可靠玻璃钝化高压硅堆，包括芯片I和两个电极引线2，两个电极引线2对称的固定在芯片I的两端，其中，芯片I由多个管芯3叠片烧结而成，电极引线2包括引线8和钨电极4，引线8和钨电极4通过银铜焊片相互焊接连接，以及芯片I及钨电极4的外表面还设有一玻璃层5，玻璃层5采用钝化玻璃粉制作而成。本实用新型中，带有钨电极4的电极引线2由于其化学性能稳定，在芯片I台面腐蚀成型过程中基本不与混合酸反应，使芯片I腐蚀过程可控，减少金属杂质离子的对台面的沾污，大大降低了产品的常温、高温反向漏电流，可实现产品7500V下漏电流小于I μ A，7500V、150°C下高温漏电流小于50 μ Α，同时采用与钨电极4匹配的钝化玻璃粉涂粉成玻璃层5，提高了产品的抗温度循环能力，可实现产品满足_55°C?175°C条件下500次温度循环的能力，同时产品可实现25A以上抗正向浪涌电流能力。
[0015]具体的，为了方便打出印章标志和区分正负极，玻璃层5的外表面周向上还设有一印章标志区6和一负极标志7，印章标志区6和负极标志7间隔分布。较佳的，电极引线2与芯片I通过铝焊料焊接固定。优选的，钝化玻璃粉的型号为Q-8412，或其他可用于玻璃产品钝化生产的钝化玻璃粉。
[0016]以上，仅为本实用新型的【具体实施方式】，但本实用新型的保护范围并不局限于此，任何不经过创造性劳动想到的变化或替换，都应涵盖在本实用新型的保护范围之内。因此，本实用新型的保护范围应该以权利要求书所限定的保护范围为准。
【主权项】
1.一种高可靠玻璃钝化高压硅堆，包括芯片(I)和两个电极引线(2)，其特征在于:两个所述电极引线(2)对称的固定在所述芯片(I)的两端，其中，所述芯片(I)由多个管芯(3)叠片烧结而成，所述电极引线(2)包括引线⑶和钨电极(4)，所述引线⑶和钨电极(4)通过银铜焊片相互焊接连接，以及所述芯片(I)及钨电极(4)的外表面还设有一玻璃层(5)，所述玻璃层(5)采用钝化玻璃粉制作而成。
2.如权利要求1所述的高可靠玻璃钝化高压硅堆，其特征在于:所述玻璃层(5)的外表面周向上还设有一印章标志区(6)和一负极标志(7)，所述印章标志区(6)和负极标志(7)间隔分布。
3.如权利要求1所述的高可靠玻璃钝化高压硅堆，其特征在于:所述电极引线(2)与所述芯片(I)通过铝焊料焊接固定。
4.如权利要求1所述的高可靠玻璃钝化高压硅堆，其特征在于:所述钝化玻璃粉的型号为 Q-8412。
【专利摘要】本实用新型公开了一种高可靠玻璃钝化高压硅堆，包括芯片和两个电极引线，两个所述电极引线对称的固定在所述芯片的两端，其中，所述芯片由多个管芯叠片烧结而成，所述电极引线包括引线和钨电极，所述引线和钨电极通过银铜焊片相互焊接连接，以及所述芯片的外表面还设有一玻璃层，所述玻璃层采用钝化玻璃粉制作而成。本实用新型带有钨电极的电极引线由于其化学性能稳定，在芯片台面腐蚀成型过程中基本不与混合酸反应，使芯片腐蚀过程可控，减少金属杂质离子的对台面的沾污，大大降低了产品的常温、高温反向漏电流，同时采用与钨电极匹配的钝化玻璃粉涂粉成玻璃层，提高了产品的抗温度循环能力。
【IPC分类】H01L23-498, H01L23-48, H01L23-15, H01L23-13
【公开号】CN204538012
【申请号】CN201520247306
【发明人】古进, 杨艳, 杨辉, 迟鸿燕, 杨彦闻
【申请人】中国振华集团永光电子有限公司（国营第八七三厂）
【公开日】2015年8月5日
【申请日】2015年4月22日