一种蓝光led用p-n电极的制作方法
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及一种蓝光LED用P-N电极，具体涉及一种在P-GaN电极和N-GaN电极，表面依次覆盖有Ag镀膜，Cr镀膜和Al镀膜的新型反射电极。
【背景技术】
[0002]发光二极管主要由PN结芯片、电极和光学系统组成。其发光过程包括三部分:正向偏压下的载流子注入、复合辐射和光能传输。微小的半导体晶片被封装在洁净的环氧树脂物中，当电子经过该晶片时，带负电的电子移动到带正电的空穴区域并与之复合，电子和空穴消失的同时产生光子。电子和空穴之间的能量(带隙)越大，产生的光子的能量就越高。光子的能量反过来与光的颜色对应，可见光的频谱范围内，蓝色光、紫色光携带的能量最多，桔色光、红色光携带的能量最少。由于不同的材料具有不同的带隙，从而能够发出不同颜色的光。蓝光LED就是发蓝颜色光的发光二极管。现在业界的蓝光LED芯片，电极一般使用Cr/Au、Cr/AI和Cr/Pt/Au作为电极的金属镀膜，Cr会吸收LED元件发射到金属电极部分的光，影响芯片亮度。但是现在业界对蓝光LED芯片的亮度要求较高。
【实用新型内容】
[0003]本实用新型克服现有技术的不足，所要解决的技术问题是减少Cr对LED元件发射到金属电极部分的光的吸收，提高芯片亮度。
[0004]为解决上述技术问题，本实用新型所采用的技术方案为:
[0005]通过溅镀或蒸镀方法在蓝光LED用P-N电极上，P-GaN电极和N-GaN电极表面依次镀有薄层Cr镀膜，Ag镀膜，Cr镀膜和Al镀膜。其中薄层Cr镀膜的厚度为ΙΟ-ΙΟΟΑ，Ag镀膜的厚度为1-5 kA，Cr镀膜的厚度为1-5 kA，Al镀膜的厚度为5_30 kA。
[0006]与现有技术相比本实用新型具有以下有益效果。
[0007]本申请对蓝光LED用P-N电极进行了改进，在P-GaN和N-GaN电极表面依次镀有薄层Cr镀膜，Ag镀膜，Cr镀膜和Al镀膜。覆盖在电极表面的Ag可以使金属电极下发射出的光被反射出去，从而提尚芯片壳度。
【附图说明】
[0008]下面结合附图对本实用新型做进一步详细的说明。
[0009]图1为传统P-GaN电极和N-GaN电极表面镀Cr/Al结构示意图。
[0010]图2为本发明P-GaN电极和N-GaN电极表面镀Ag/Cr/Al结构示意图。
[0011 ] 图中:I为P-GaN电极，2为N-GaN电极，3为薄层Cr镀膜，4为Ag镀膜，5为Cr镀膜，6为Al镀膜。
【具体实施方式】
[0012]以下结合具体实施例对本实用新型作进一步说明。
[0013]实施例1
[0014]P-GaN电极I和N-GaN电极2表面依次覆盖有薄层Cr镀膜3，Ag镀膜4，Cr镀膜5和Al镀膜6。其中薄层Cr镀膜3的厚度为10A，Ag镀膜4的厚度为5 kA, Cr镀膜5的厚度为lkA，Al镀膜6的厚度为5 kA。
[0015]实施例2
[0016]P-GaN电极I和N-GaN电极2表面依次覆盖有薄层Cr镀膜3，Ag镀膜4，Cr镀膜5和Al镀膜6。其中薄层Cr镀膜3的厚度为100A，Ag镀膜4的厚度为lkA，Cr镀膜5的厚度为5 kA, Al镀膜6的厚度为30 kA。
[0017]实施例3
[0018]P-GaN电极I和N-GaN电极2表面依次覆盖有薄层Cr镀膜3，Ag镀膜4，Cr镀膜5和Al镀膜6。其中薄层Cr镀膜3的厚度为90A，Ag镀膜4的厚度为3 kA, Cr镀膜5的厚度为2 kA, Al镀膜6的厚度为15 kA。
[0019]实施例4
[0020]P-GaN电极I和N-GaN电极2表面依次覆盖有薄层Cr镀膜3，Ag镀膜4，Cr镀膜5和Al镀膜6。其中薄层Cr镀膜3的厚度为70A，Ag镀膜4的厚度为2 kA, Cr镀膜5的厚度为4 kA, Al镀膜6的厚度为20 kA。
[0021]实施例5
[0022]P-GaN电极I和N-GaN电极2表面依次覆盖有薄层Cr镀膜3，Ag镀膜4，Cr镀膜5和Al镀膜6。其中薄层Cr镀膜3的厚度为60A，Ag镀膜4的厚度为2 kA, Cr镀膜5的厚度为2 kA, Al镀膜6的厚度为25 kA。
[0023]实施例6
[0024]P-GaN电极I和N-GaN电极2表面依次覆盖有薄层Cr镀膜3，Ag镀膜4，Cr镀膜5和Al镀膜6。其中薄层Cr镀膜3的厚度为80A，Ag镀膜4的厚度为2 kA, Cr镀膜5的厚度为3 kA, Al镀膜6的厚度为20 kA。
[0025]本实用新型可用其他的不违背本实用新型的精神或主要特征的具体形式来概述。因此，无论从哪一点来看，本实用新型的上述实施方案都只能认为是对本实用新型的说明而不能限制实用新型，权利要求书指出了本实用新型的范围，而上述的说明并未指出本实用新型的范围，因此，在与本实用新型的权利要求书相当的含义和范围内的任何变化，都应认为是包括在权利要求书的范围内。
【主权项】
1.一种蓝光LED用P-N电极，其特征在于，所述蓝光LED用P-N电极包括P-GaN电极(I), N-GaN电极(2 )，在P-GaN电极⑴和N-GaN电极(2 )上依次覆盖有薄层Cr镀膜(3 )，Ag镀膜(4)，Cr镀膜(5)和Al镀膜(6)，所述薄层Cr镀膜(3)的厚度为ΙΟ-ΙΟΟΑ。
2.根据权利要求1所述的一种蓝光LED用P-N电极，其特征在于，所述Ag镀膜(4)的厚度为1-5 kA?
3.根据权利要求1所述的一种蓝光LED用P-N电极，其特征在于，所述Cr镀膜(5)的厚度为1-5 kA?
4.根据权利要求1所述的一种蓝光LED用P-N电极，其特征在于，所述Al镀膜(6)的厚度为5 -30 kAo
【专利摘要】本实用新型涉及一种蓝光LED用P-N电极，具体涉及一种在P-GaN电极和N-GaN电极，表面依次覆盖有Ag镀膜，Cr镀膜和Al镀膜的新型反射电极；所要解决的技术问题是减少Cr对LED元件发射到金属电极部分的光的吸收，提高芯片亮度；采用的技术方案为：在蓝光LED用P-N电极上，P-GaN电极和N-GaN电极表面依次镀薄层Cr镀膜，Ag镀膜，Cr镀膜和Al镀膜。其中薄层Cr镀膜的厚度为10-100?，Ag镀膜的厚度为1-5k?，Cr镀膜的厚度为1-5k?，Al镀膜的厚度为5-30k?。
【IPC分类】H01L33-40
【公开号】CN204538075
【申请号】CN201520187515
【发明人】王传汉
【申请人】长治市华光光电科技集团有限公司
【公开日】2015年8月5日
【申请日】2015年3月31日