一种led封装结构的制作方法
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及半导体发光二极管领域，特别涉及一种LED封装结构。
【背景技术】
[0002]LED芯片是通过在PN结上加正向电流，自由电子与空穴复合而发光，直接将电能转化为光能，它作为一种新的照明光源材料被广泛应用着，它具有反应速度快、抗震性好、寿命长、节能环保等优点而快速发展，目前已被广泛应用于景观美化及室内外照明等领域。
[0003]现有的LED芯片有三种结构:正装芯片、倒装芯片和垂直芯片。其中倒装芯片和垂直芯片因具有较好的散热能力和较高的出光效率而被广泛的应用。而倒装芯片和垂直芯片的传统封装工艺都是将芯片直接通过共晶焊接的方式固定在支架上，但是由于LED芯片中GaN材料与非陶瓷支架的热膨胀系数相差很大，所以在LED器件长时间的使用过程中容易使得LED芯片产生裂纹，最终导致LED器件失效。因此，有必要提供一种新的LED封装结构和制作方法来解决上述问题。
【发明内容】
[0004]针对现有技术的不足，本实用新型的目的是提供一种LED封装结构，该结构能够有效的改善LED芯片和支架之间热膨胀系数严重不匹配所带了的问题，延长LED的使用寿命O
[0005]为了实现上述目的，本实用新型提供一种LED封装结构，包括支架，支架上固有LED芯片，其特征在于，在支架和LED芯片之间有一层低膨胀系数的底板，该底板上设有与LED芯片电极位置相对应的导电孔，实现LED芯片与支架的电连接。
[0006]优选地，所述底板的膨胀系数介于GaN材料的膨胀系数和支架的膨胀系数之间。
[0007]优选地，所述底板的膨胀系数为2~8PPM。
[0008]本实用新型通过在LED芯片和支架之间增加了一层低膨胀系数的底板，有效的改善了改善LED芯片和支架之间热膨胀系数严重不匹配所带了的问题，延长LED的使用寿命。
【附图说明】
[0009]图1为本发明一种LED封装结构示意图。
【具体实施方式】
[0010]为了使本发明所解决的技术问题、技术方案及有益效果更加清楚明白，以下结合附图对本发明进行进一步的详细说明。
实施例
[0011]将一层低膨胀系数的底板2 (膨胀系数为2~8PPM)采用银胶或锡膏固定在支架I上，底板2上面设有与LED倒装芯片3的电极4位置相对应的导电孔5，将LED倒装芯片3通过锡膏或锡金焊接在该底板2上，实现LED倒装芯片3与支架I的电连接，如图1所示，最后点荧光胶形成白光LED。
[0012]以上所述，仅为本实用新型中的【具体实施方式】，但本实用新型的保护范围并不局限于此，任何熟悉该技术的人在本实用新型中所揭露的技术范围内，可轻易想到的变换或替换都应涵盖在本实用新型的保护范围之内。因此，本实用新型的保护范围应该以权利要求书的保护范围为准。
【主权项】
1.一种LED封装结构，包括支架，支架上固有LED芯片，其特征在于，在支架和LED芯片之间有一层低膨胀系数的底板，该底板上设有与LED芯片电极位置相对应的导电孔，实现LED芯片与支架的电连接。2.根据权利要求1所述的一种LED封装结构，其特征在于所述底板的膨胀系数介于GaN材料的膨胀系数和支架的膨胀系数之间。3.根据权利要求2所述的一种LED封装结构，其特征在于所述底板的膨胀系数为2~8PPMo
【专利摘要】本实用新型公开了一种LED封装结构，包括支架，支架上固有LED芯片，其特征在于，在支架和LED芯片之间有一层低膨胀系数的底板，该底板上设有与LED芯片电极位置相对应的导电孔，实现LED芯片与支架的电连接。本实用新型通过在LED芯片和支架之间增加了一层低膨胀系数的底板，有效的改善了改善LED芯片和支架之间热膨胀系数严重不匹配所带了的问题，延长LED的使用寿命。
【IPC分类】H01L33/48, H01L33/62
【公开号】CN204680688
【申请号】CN201520209479
【发明人】张智聪
【申请人】江西省晶瑞光电有限公司
【公开日】2015年9月30日
【申请日】2015年4月9日