一种高密度大功率led的封装结构的制作方法
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及LED的封装结构，尤其涉及一种高密度大功率LED的封装结构。
【背景技术】
[0002]在大功率LED光源的工业应用中，对LED的功率需求日益提高，提高单位面积的LED功率也是现今LED封装业界的一个课题。现今应用中的常规做法是将一颗或多颗大功率LED晶片封装在陶瓷支架或特殊材料的LED封装支架上，然后在支架上将LED晶片的电极引出，形成一颗可以供LED应用工程师使用的LED。这种做法的弊端是这种陶瓷或特殊材料的LED封装支架的制作工艺复杂，必须由专业的行业供应商才能够提供，成本相对较高，但更为突出的弊端是一个LED支架上不能集成更多的大功率LED晶片，也就不能提高单位面积的光功率，因为支架的体积较小，受到其结构的限制，其散热面积有限，如果内部封装了更多的大功率LED晶片，大功率LED工作时产生的大量热量不能及时散出，结果是轻则会影响LED的使用寿命，重则会烧坏整颗LED。
【实用新型内容】
[0003]本实用新型所要解决的技术问题在于:提供一种高密度大功率LED的封装结构，LED工作时产生的热量可以快速的释放，提高了 LED芯片集成度，延长了 LED芯片的使用寿命，提尚了单位面积的光功率。
[0004]为解决上述技术问题，本实用新型提出了一种高密度大功率LED的封装结构，包括封装基座，所述封装基座的侧壁上设有绝缘部件，所述封装基座的顶部设有LED芯片以及用于反射光线的反射件。
[0005]进一步地，所述封装基座为封装铜板，所述绝缘部件为设置在封装铜板两侧侧壁上的绝缘树脂板。
[0006]进一步地，所述封装铜板的上设有至少一个冷却油道，所述绝缘树脂板上设有与冷却油道相对应的冷却孔。
[0007]进一步地，所述反射件为从封装基座的顶面向上延伸的反射板。
[0008]进一步地，所述LED芯片位于反射板的同一侧。
[0009]进一步地，所述反射板的横截面呈梯形状。
[0010]上述技术方案至少具有如下有益效果:本实用新型采用在封装基座的侧壁上设有绝缘部件，在封装基座的顶部设有LED芯片以及用于反射光线的反射件，在封装基座的端面上可以集成更多的LED芯片，LED芯片工作时产生的热量可以通过封装基座的大面积散热面快速的释放，提高了 LED芯片集成度，延长了 LED芯片的使用寿命，提高了单位面积的光功率。
【附图说明】
[0011]图1是本实用新型高密度大功率LED的封装结构不带绝缘部件的结构示意图。
[0012]图2是本实用新型高密度大功率LED的封装结构中绝缘部件的结构示意图。
[0013]图3是本实用新型高密度大功率LED的封装结构的结构示意图。
【具体实施方式】
[0014]需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。下面结合附图对本实用新型做进一步描述。
[0015]如图1、图3所示，本实用新型高密度大功率LED的封装结构，包括封装基座1、绝缘部件2、LED芯片3以及反射件4，其中，
[0016]封装基座I为封装铜板，如图1所示，封装铜板的上设有两个个冷却油道11。
[0017]绝缘部件2为设置在封装铜板两侧侧壁上的绝缘树脂板，如图2所示，在绝缘树脂板上设有与冷却油道11相对应的冷却孔21。
[0018]LED芯片3安装在封装基座I的顶部，并且位于反射板的同一侧。
[0019]反射件4用于反射光线，垂直于封装基座I的顶面向上延伸设置，如图1所示，将反射板的横截面设计成梯形状，这样可以扩大光线的反射角度。
[0020]本实用新型采用在封装基座I的侧壁上设有绝缘部件2，在封装基座I的顶部设有LED芯片3以及用于反射光线的反射件4，在封装基座I的端面上可以集成更多的LED芯片3，LED芯片3工作时产生的热量可以通过封装基座I的大面积散热面快速的释放，提高了LED芯片3集成度，延长了 LED芯片3的使用寿命，提高了单位面积的光功率。
[0021]以上所述是本实用新型的【具体实施方式】，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型原理的前提下，还可以做出若干修改，这些修改也视为本实用新型的保护范围。
【主权项】
1.一种高密度大功率LED的封装结构，其特征在于，包括封装基座，所述封装基座的侧壁上设有绝缘部件，所述封装基座的顶部设有LED芯片以及用于反射光线的反射件。2.如权利要求1所述的高密度大功率LED的封装结构，其特征在于，所述封装基座为封装铜板，所述绝缘部件为设置在封装铜板两侧侧壁上的绝缘树脂板。3.如权利要求2所述的高密度大功率LED的封装结构，其特征在于，所述封装铜板的上设有至少一个冷却油道，所述绝缘树脂板上设有与冷却油道相对应的冷却孔。4.如权利要求1所述的高密度大功率LED的封装结构，其特征在于，所述反射件为从封装基座的顶面向上延伸的反射板。5.如权利要求4所述的高密度大功率LED的封装结构，其特征在于，所述LED芯片位于反射板的同一侧。6.如权利要求4所述的高密度大功率LED的封装结构，其特征在于，所述反射板的横截面呈梯形状。
【专利摘要】本实用新型公开了一种高密度大功率LED的封装结构，包括封装基座，封装基座的侧壁上设有绝缘部件，封装基座的顶部设有LED芯片以及用于反射光线的反射件。本实用新型在封装基座的端面上可以集成更多的LED芯片，LED芯片工作时产生的热量可以通过封装基座的大面积散热面快速的释放，提高了LED芯片集成度，延长了LED芯片的使用寿命，提高了单位面积的光功率。
【IPC分类】H01L33/64, H01L33/60, H01L33/52
【公开号】CN204885218
【申请号】CN201520452901
【发明人】张炳忠
【申请人】深圳宝族实业有限公司
【公开日】2015年12月16日
【申请日】2015年6月26日