高可靠性片式瓷介电容器的制造方法
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及电子元件技术领域，具体涉及一种高可靠性片式瓷介电容器。
【背景技术】
[0002]目前生产的瓷介电容器均是将两个引脚焊接于陶瓷芯片的表面，再在陶瓷芯片外包覆一层绝缘材料层。包覆于绝缘材料外壳内的引脚直接焊接于陶瓷芯片的内电极上，而绝缘材料外壳外的引脚部分则向绝缘材料外壳的同一平面折弯。这种带长引脚的瓷介电容器产品不能适用于表面安装，同时，适于表面安装的瓷介电容器产品强度较差，受外力及产品应力影响容易产生开裂或破碎等缺陷。
【实用新型内容】
[0003]本实用新型针对现有技术存在之缺失，提供一种内部结构稳定，外部焊接方便牢固的高可靠性片式瓷介电容器。
[0004]为达上述目的，本实用新型采用的技术方案如下:
[0005]一种高可靠性片式瓷介电容器，包括陶瓷芯片、绝缘材料外壳和与陶瓷芯片焊接固定的两个引脚，所述引脚由绝缘材料外壳分隔成内封部和外伸部，所述内封部与外伸部通过连接段相连，所述引脚的内封部包括焊接段和由外折段、远离段以及内折段构成的折弯段，所述焊接段的焊接面与陶瓷芯片的被内电极贴合，所述折弯段与陶瓷芯片之间形成有填充空间，所述引脚的外伸部包括斜向下的支撑段和从支撑段的底部横向向外延伸出的焊脚段。
[0006]作为一种优选方案，所述引脚的外折段由焊接段末端处向陶瓷芯片表面外折，在外折段末端横向延伸出远离段，内折段从远离段的末端处折向连接段，并与连接段相连。
[0007]作为一种优选方案，所述引脚的折弯段与陶瓷芯片之间的填充空间内填充有绝缘材料。
[0008]作为一种优选方案，所述焊脚段上设有开槽。
[0009]作为一种优选方案，所述开槽贯通到支撑段下部。
[0010]作为一种优选方案，所述焊脚段为无开槽的平板结构
[0011]作为一种优选方案，所述填充空间为陶瓷芯片的表面与远离段之间的空间，所述陶瓷芯片的表面到远离段的距离为0?3mm。
[0012]作为一种优选方案，所述陶瓷芯片到远离段的距离为0.1?1mm。
[0013]本实用新型与现有技术相比具有明显的优点和有益效果，具体而言，通过对引脚的内封部折弯，形成焊接段和折弯段，折弯段与陶瓷芯片之间有填充空间，当绝缘材料对电容器进行封装时，绝缘材料可进入到填充空间内，能对电容器内部的引脚起到更好的定位作用，可提高引脚与陶瓷芯片焊接结构的稳定性。其填充空间高度只有0.1?1_，高度小，结构紧凑，有利于缩小产品的整体体积。通过对引脚外伸部折弯，形成支撑段和焊脚段，其焊脚段向外折弯延伸，可便于SMT贴装，并可方便电容器与其他元件连接的焊接操作。同时在焊脚段设有开槽，在焊接时，焊锡可流入到开槽的空间内，增大了焊锡与焊接面的接触面积，使电容器焊接得更为稳固。
[0014]为更清楚地阐述本实用新型的结构特征、技术手段及其所达到的具体目的和功能，下面结合附图与具体实施例来对本实用新型作进一步详细说明:
【附图说明】
[0015]图1是本实用新型之实施例的剖视图；
[0016]图2是本实用新型之实施例的引脚结构放大图；
[0017]图3是本实用新型之实施例的俯视图；
[0018]图4是本实用新型之另一实施例的俯视图；
[0019]附图标识说明:
[0020]10、陶瓷芯片，20、绝缘材料外壳，30、引脚，
[0021]40、连接段，11、被内电极 31、内封部，
[0022]32、外伸部，311、焊接段， 312、外折段，
[0023]313、远离段，314、内折段，315、焊接面，
[0024]321、支撑段，322、焊脚段，323、开槽，
[0025]50，填充空间。
【具体实施方式】
[0026]下面结合附图对本实用新型进一步说明:
[0027]首先参照图1和图2所示，一种高可靠性片式瓷介电容器，包括陶瓷芯片10、绝缘材料外壳20和与陶瓷芯片10焊接固定的两个引脚30。所述引脚30被绝缘材料外壳20分隔成内封部31和外伸部32，所述内封部31与外伸部32通过连接段40相连。所述引脚的内封部31包括焊接段311和由外折段312、远离段313以及内折段314构成的折弯段。所述焊接段311的焊接面315与陶瓷芯片10的被内电极11贴合，所述折弯段与陶瓷芯片10之间形成有填充空间50，所述填充空间50为陶瓷芯片10的表面与远离段313之间的空间，所述陶瓷芯片10的表面到远离段313的距离为0?3mm，最好为0.1?1mm。所述填充空间50内填充有绝缘材料，由于绝缘材料可进入到填充空间50内，能对电容器内部的引脚起到更好的定位作用，可提高引脚30与陶瓷芯片10焊接结构的稳定性。且其填充空间50的高度只有0.1?1mm，高度小，结构紧凑，有利于缩小产品的整体体积。
[0028]其中，所述引脚30的外折段312由焊接段311末端处向陶瓷芯片10表面外折，在外折段312末端横向延伸出远离段313，内折段314从远离段313的末端处折向连接段40，并与连接段40相连。
[0029]所述引脚的外伸部32包括斜向下的支撑段321和从支撑段321的底部横向向外延伸出的焊脚段322。其焊脚段322向外折弯，可便于SMT贴装，并可方便电容器与其他元件连接的焊接操作。
[0030]如图3所示，所述焊脚段322上设有开槽323，所述开槽323最好贯通到支撑段321下部。在焊接时，焊锡可流入到开槽323的空间内，增大了焊锡与焊接面的接触面积，使电容器焊接得更为稳固、可靠。
[0031]图4所示的是本实用新型的另一实施例，其与前述实施例的区别在于，所述焊脚段322为无开槽的平板结构，焊接时，焊脚段322平贴于所连接的元件表面。
[0032]以上所述，仅是本实用新型的较佳实施例而已，并不用以限制本实用新型，故凡是依据本实用新型的技术实际对以上实施例所作的任何修改、等同替换、改进等，均仍属于本实用新型技术方案的范围内。
【主权项】
1.一种高可靠性片式瓷介电容器，包括陶瓷芯片、绝缘材料外壳和与陶瓷芯片焊接固定的两个引脚，所述引脚由绝缘材料外壳分隔成内封部和外伸部，所述内封部与外伸部通过连接段相连，其特征在于:所述引脚的内封部包括焊接段和由外折段、远离段以及内折段构成的折弯段，所述焊接段的焊接面与陶瓷芯片的被内电极贴合，所述折弯段与陶瓷芯片之间形成填充空间，所述引脚的外伸部包括斜向下的支撑段和从支撑段的底部横向向外延伸出的焊脚段。2.根据权利要求1所述的高可靠性片式瓷介电容器，其特征在于:所述引脚的外折段由焊接段末端处向陶瓷芯片表面外折，在外折段末端横向延伸出远离段，内折段从远离段末端处折向连接段，并与连接段相连。3.根据权利要求1所述的高可靠性片式瓷介电容器，其特征在于:所述引脚的折弯段与陶瓷芯片之间的填充空间内填充有绝缘材料。4.根据权利要求1所述的高可靠性片式瓷介电容器，其特征在于:所述焊脚段上设有开槽。5.根据权利要求4所述的高可靠性片式瓷介电容器，其特征在于:所述开槽贯通到支撑段下部。6.根据权利要求1所述的高可靠性片式瓷介电容器，其特征在于:所述焊脚段为无开槽的平板结构。7.根据权利要求1所述的高可靠性片式瓷介电容器，其特征在于:所述填充空间为陶瓷芯片的表面与远离段之间的空间，所述陶瓷芯片的表面到远离段的距离为0?3mm。8.根据权利要求7所述的高可靠性片式瓷介电容器，其特征在于:所述陶瓷芯片到远离段的距离为0.1?lmm0
【专利摘要】本实用新型涉及电子元件领域，公开了一种高可靠性片式瓷介电容器，包括陶瓷芯片、绝缘材料外壳和与陶瓷芯片焊接的两个引脚，所述引脚由绝缘材料外壳分隔成内封部和外伸部，所述内封部与外伸部通过连接段相连，所述引脚的内封部包括焊接段和由外折段、远离段以及内折段构成的折弯段，所述焊接段的焊接面与陶瓷芯片的被内电极贴合，所述折弯段与陶瓷芯片之间形成填充空间，所述引脚的外伸部包括斜向下的支撑段和从支撑段的底部横向延伸出的焊脚段，该焊脚段上设有开槽，通过以上设计可有效避免电容器内部引脚的焊接结构松动的情况，同时使得电容器外部引脚在与其他元件连接时焊接更为方便、可靠。
【IPC分类】H01G4/224, H01G4/228
【公开号】CN205016385
【申请号】CN201520320448
【发明人】罗世勇, 施砚馨, 赵俊斌, 罗致成
【申请人】广东南方宏明电子科技股份有限公司
【公开日】2016年2月3日
【申请日】2015年5月18日