用于半导体等离子体设备中的水平调整装置的制造方法
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及一种能够用于半导体等离子体设备中的水平调整装置。
【背景技术】
[0002]现有等离子体半导体工艺设备，通常是使用表面平整的喷淋头作为上极板和表面平整的加热盘做为下电极，在上下极板间施加电压，形成等离子体来进行薄膜沉积。
[0003]在上述工艺过程中，影响工艺产品质量的关键是上下极板间的平行，其直接影响工艺过程中薄膜的致密性和均匀性。在半导体工艺设备中，需要定期对加热盘、喷淋板、陶瓷环等硬件进行拆卸清洗和更换，每次拆装都需要重新对设备进行水平度的调整。
[0004]目前，传统的调节工艺设备水平度的方法精度较低，水冷块和支撑座之间采用碟簧连接会降低设备的稳定性，导致的均匀性降低问题会越发显著。因此，需要设计一种新型的水平调整装置，提高工艺产品的均匀性，以适应技术不断提高的需要。
【实用新型内容】
[0005]针对上述现有技术的不足，本实用新型提供了用于半导体等离子体设备中的水平调整装置。
[0006]为实现上述目的，本实用新型采用的技术方案是:用于半导体等离子体设备中的水平调整装置，包括三角水冷块和三角支撑座，两者大小和形状相同，并通过锁紧螺母和调整螺栓连接。所述的锁紧螺母和调整螺栓与三角水冷块和三角支撑座接触的面为球面。
[0007]优选的，所述的锁紧螺母和调整螺栓固定在三角水冷块三个顶点处。
[0008]优选的，所述三角支撑座通过内壁螺纹与调整螺栓连接。
[0009]优选的，所述调整螺栓的螺纹调整精度为0.5_。
[0010]本实用新型利用调整螺栓带动上方水冷块，进而使加热盘的水平度发生改变，避免了调平误差，锁紧螺母与调整螺栓和支撑座、水冷块的接触面为球面，增大了接触面积，使设备更加稳定，提高了工艺质量和产能。
【附图说明】
[0011]图1是本实用新型的结构示意图。
[0012]图2是锁紧螺母和调整螺栓的结构示意图。
【具体实施方式】
[0013]下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清晰、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。
[0014]如图1所示:用于半导体等离子体设备中的水平调整装置，包括三角水冷块2和三角支撑座3，两者大小和形状相同，并通过锁紧螺母1和调整螺栓4连接。三角水冷块与加热盘固定连接。所述的锁紧螺1母和调整螺栓4与三角水冷块和三角支撑座接触的面为球面5，使接触面时刻为点接触，能提高设备的稳定性，并且避免调平误差，节约调平时间，从而提高了工艺质量和产能。三角水冷块与调整螺栓之间留有一定缝隙。锁紧螺母1和调整螺栓4固定在三角水冷块2三个顶点处，使三角水冷块2和三角支撑座3长期保持稳定。水平调整装置固定于反应腔体下方滑台上，通过三点进行调节，可调整三点不在一条直线上。
[0015]三角支撑座在三个方向设有通孔，3个通孔的位置不在同一条直线上，通孔内壁设有螺纹，调整螺栓下端可旋入支撑座通孔内，与通孔内壁螺纹配合。调整螺栓的下端突出部分为六角形螺栓，通过旋转六角形螺栓，使螺栓可沿轴向升降。与三角支撑座同样的三角水冷块在三个方向上设有通孔，与三个调整螺栓上端以间隙形式配合，使调整螺栓直接穿过通孔，上端以锁紧螺母锁紧。
[0016]本实用新型的水平调节装置在使用时，可通过调节调整螺栓下端的六角形部分，使某一方向上的调整螺栓和支撑座产生相对位移，调整螺栓带动上方水冷块发生位移，进而起到调节与水冷块相接的加热盘的水平度。
【主权项】
1.用于半导体等离子体设备中的水平调整装置，其特征在于:包括三角水冷块和三角支撑座，两者大小和形状相同，并通过锁紧螺母和调整螺栓连接，所述的锁紧螺母和调整螺栓与三角水冷块和三角支撑座接触的面为球面。2.如权利要求1所述的用于半导体等离子体设备中的水平调整装置，其特征在于:所述的锁紧螺母和调整螺栓固定在三角水冷块三个顶点处。3.用于半导体等离子体设备中的水平调整装置，其特征在于:所述三角支撑座通过内壁螺纹与调整螺栓连接。4.用于半导体等离子体设备中的水平调整装置，其特征在于:所述调整螺栓的螺纹调整精度为0.5mm。
【专利摘要】用于半导体等离子体设备中的水平调整装置，包括三角水冷块和三角支撑座，两者大小和形状相同，并通过锁紧螺母和调整螺栓连接。所述的锁紧螺母和调整螺栓与三角水冷块和三角支撑座接触的面为球面。本实用新型利用调整螺栓带动上方水冷块，进而使加热盘的水平度发生改变，避免了调平误差，锁紧螺母与调整螺栓和支撑座、水冷块的接触面为球面，增大了接触面积，使设备更加稳定，提高了工艺质量和产能。
【IPC分类】H01J37/20
【公开号】CN205081088
【申请号】CN201520805580
【发明人】王燚, 范川, 周仁, 刘忆军, 吴梦瑶
【申请人】沈阳拓荆科技有限公司
【公开日】2016年3月9日
【申请日】2015年10月16日