一种动触桥的制作方法
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及一种接触器的部件，更具体地说，它涉及一种接触器的动触桥。
【背景技术】
[0002]众所周知，在工作过程中，由电触头材料与铜基座连接而形成的触头组件及配置散热风机器件在电器中，主要担负通断电源及保护电器电路的作用。由于大电流通过接触桥时瞬间产生高温，热量无法及时散出，导致接触桥基体烧坏、基体变形、贵金属层脱落等。
[0003]在专利号为201220391618.1名称为《散热型电接触桥》的中国专利中公开了一种触桥的结构，通过在铜基体上设置数根散热加强筋来增加散热面积并且防止铜基体受热变形的状况，然而并没有从根本上解决当触桥在瞬间产生高温时(这个阶段由于高温时瞬间产生的，所以温度无法及时的通过散热加强筋散去）设置在铜基体上的贵金属层脱落的问题。
【实用新型内容】
[0004]针对现有技术存在的不足，本实用新型的目的在于提供一种能够有效防止设置在触桥上的贵金属脱落的动触桥。
[0005]为实现上述目的，本实用新型提供了如下技术方案:一种动触桥，包括铜基体、设于铜基体中部且凸起的支撑部、设于铜基体两端的贵金属层，所述铜基体的两端分别设有一面开口且于开口部的边缘设有向所述开口的中心延伸的防脱沿的防脱槽，所述贵金属层镀覆于所述防脱槽内。
[0006]通过采用上述技术方案，动触桥的一端为常闭触点，另一端为常开触点，通过支撑部实现动触桥的一端接通另一端断开的效果，且为了增加铜基体两端的导电接触能力，设置了导电性能优越的贵金属层，而当动触桥两端的导电贵金属层在断开或者闭合的瞬间会产生大电流，从而产生非常大的热，进而导致贵金属层和铜基体发生变形系数不同的形变，久而久之将会使得贵金属层脱落，这里通过设置带有防脱沿的防脱槽，将贵金属层设置在防脱槽内且被防脱沿限位住，进而使得贵金属层和铜基体的变形达到同步，不会轻易发生脱落的现象。
[0007]进一步优化为:所述贵金属层包括依次镀覆在防脱槽上的厚度为1-2.6μπι的纳米复合镀层和厚度为0.8-1. 5μπι的金镀层。
[0008]通过采用上述技术方案，金具有良好的抗氧化能力且导电性能非常强，但是直接镀在铜上镀覆能力较差，通过引入合适的中间过渡层，可以提高镀层的结合强度，减少镀层内应力，这里的纳米复合镀层可以选择SiC/Ni复合镀层，其中的纳SiC粒子可以强化Ni镀层进而来达到强化金镀层的目的，最终改善触头本体材料的力学性能，而又不影响其导电性，且金镀层的强化又为其的耐磨性能得到提升。
[0009]进一步优化为:所述纳米复合镀层的厚度为1.7μπι，金镀层的厚度为Ιμπι。
[0010]通过采用上述技术方案，这里将纳米复合镀层的厚度设为1.7μπι，纳米复合镀层可以选择SiC/Ni复合镀层，由于Ni可有效地防止基体元素透过Au镀层在表面富集，而造成镀层失去作用和意义，所以可以减薄镀金层厚度，使得金镀层的厚度设为Iym就能满足使用性能，又进一步的节约了成本。
[0011]进一步优化为:所述支撑部的截面呈“八”字形，且在支撑部之间设有横向设置的加强筋。
[0012]通过采用上述技术方案，将支撑部设为“八”字形，使得铜基体受热的时候，支撑部能够有良好的变形能力，防止应力的过于集中，且通过加强筋，能够增加支撑部的抗压能力，防止支撑部在长期的动作过程中被压扁，从而影响动触桥的翻动能力。
【附图说明】
[0013]图I为本实用新型实施例的整体示意图；
[0014]图2为图I的C-C剖视图；
[0015]图3为图2的A部放大图；
[0016]图4为图2的B部放大图；
[0017]图5为图I的D-D剖视图。
[0018]图中，1、铜基体；11、防脱沿;2、贵金属层；21、纳米复合镀层；22、金镀层;3、支撑部;4、加强筋。
【具体实施方式】
[0019]下面结合附图并通过具体实施例对实用新型作进一步详述，以下实施例只是描述性的，不是限定性的本实用新型的保护范围。
[0020]参见图I，为动触桥的整体外观图，包括铜基体1、设于铜基体I中部且凸起的支撑部3，且参见图2可以清楚的看到，支撑部3的截面呈“八”字形，且在支撑部3之间设有横向设置的加强筋4，将支撑部3设为“八”字形，使得铜基体I受热的时候，支撑部3能够有良好的变形能力，防止应力的过于集中，且通过加强筋4，能够增加支撑部3的抗压能力，防止支撑部3在长期的动作过程中被压扁，从而影响动触桥的翻动能力。
[0021]参见图5，所述铜基体I的两端分别设有一面开口且于开口部的边缘设有向所述开口的中心延伸的防脱沿11的防脱槽，所述贵金属层2镀覆于所述防脱槽内，动触桥的一端为常闭触点，另一端为常开触点，通过支撑部3实现动触桥的一端接通另一端断开的效果，且为了增加铜基体I两端的导电接触能力，设置了导电性能优越的贵金属层2，而当动触桥两端的导电贵金属层2在断开或者闭合的瞬间会产生大电流，从而产生非常大的热，进而导致贵金属层2和铜基体I发生变形系数不同的形变，久而久之将会使得贵金属层2脱落，这里通过设置带有防脱沿11的防脱槽，将贵金属层2设置在防脱槽内且被防脱沿11限位住，进而使得贵金属层2和铜基体I的变形达到同步，不会轻易发生脱落的现象。
[0022]参见图3和图4，可以看到贵金属层2为依次镀覆在防脱槽内的纳米复合镀层21和金镀层22，金具有良好的抗氧化能力且导电性能非常强，但是直接镀在铜上镀覆能力较差，通过引入合适的中间过渡层，可以提高镀层的结合强度，减少镀层内应力，这里的纳米复合镀层21可以选择SiC/Ni复合镀层，其中的纳SiC粒子可以强化Ni镀层进而来达到强化金镀层22的目的，最终改善触头本体材料的力学性能，而又不影响其导电性，且金镀层22的强化又为其的耐磨性能得到提升;并且为了减省金的用量，这里将纳米复合镀层21的厚度设为1.7μπι，纳米复合镀层21可以选择SiC/Ni复合镀层，由于Ni可有效地防止基体元素透过Au镀层在表面富集，而造成镀层失去作用和意义，所以可以减薄镀金层厚度，使得金镀层22的厚度设为Iym就能满足使用性能，又进一步的节约了成本。
[0023]其中的电镀工艺如下：
[0024]复合电镀采用稳压直流电源，电镀过程中采用恒温磁力搅拌，使固体微粒均匀、充分悬浮在镀液中；阳极选用规格为IcmXlcm的铂片，阳极与工件间距离维持在4-5cm，保证两者间形成稳定的镀液层和保持较为稳定的电流密度及电压。
[0025]制备纳米SiC/Ni复合镀液，对纳米SiC颗粒进行表面处理后配置纳米SiC/Ni复合镀液，其中，基础镀液选用瓦特型镀镍溶液，SiC浓度为6?9g/L ;对纳米SiC颗粒进行表面处理包括将纳米SiC颗粒放入稀NaOH溶液中煮沸10?30min ;然后放入体积比为I : I的盐酸水溶液中进行超声浸泡，超声功率为300?500W，浸泡时间为10?20min ;最后用去离子水清洗至中，放入真空干燥箱烘干备用。
[0026]首先将清洗活化后的铜基体I作为阴极带电置于纳米SiC/Ni复合电镀液中，SiC/Ni复合镀液温度50°C，搅拌速度200rpm，电流密度40Am/cm2，其纳米SiC浓度6g/L，电镀时间lOmin，铜基体I的防脱槽镀制上一层均匀的纳米SiC/Ni复合镀层4，然后将所得镀件快速地置于镀金液中通电，镀液温度40°C，搅拌速度lOOrpm，电流密度30mA/cm2，电镀时间15min，在纳米SiC/Ni复合镀层上镀制一层均匀的金镀层225，从而铜基体I的防脱槽得到纳米SiC/Ni和金双镀层，最后将电镀完毕的镀件超声清洗，除去浮在镀层上的粒子。
[0027]以上所述仅是本实用新型的优选实施方式，本实用新型的保护范围并不仅局限于上述实施例，凡属于本实用新型思路下的技术方案均属于本实用新型的保护范围。应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型原理前提下的若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本实用新型的保护范围。
【主权项】
1.一种动触桥，包括铜基体、设于铜基体中部且凸起的支撑部、设于铜基体两端的贵金属层，其特征在于，所述铜基体的两端分别设有一面开口且于开口部的边缘设有向所述开口的中心延伸的防脱沿的防脱槽，所述贵金属层镀覆于所述防脱槽内。2.根据权利要求I所述的一种动触桥，其特征在于，所述贵金属层包括依次镀覆在防脱槽上的厚度为I-2. 6μπι的纳米复合镀层和厚度为0.8-1. 5μπι的金镀层。3.根据权利要求2所述的一种动触桥，其特征在于，所述纳米复合镀层的厚度为1.7μπι，金镀层的厚度为Iym。4.根据权利要求3所述的一种动触桥，其特征在于，所述支撑部的截面呈“八”字形，且在支撑部之间设有横向设置的加强筋。
【专利摘要】本实用新型公开了一种动触桥，包括铜基体、设于铜基体中部且凸起的支撑部、设于铜基体两端的贵金属层，所述铜基体的两端分别设有一面开口且于开口部的边缘设有向所述开口的中心延伸的防脱沿的防脱槽，所述贵金属层镀覆于所述防脱槽内，当动触桥两端的导电贵金属层在断开或者闭合的瞬间会产生大电流，从而产生非常大的热，进而导致贵金属层和铜基体发生变形系数不同的形变，久而久之将会使得贵金属层脱落，这里通过设置带有防脱沿的防脱槽，将贵金属层设置在防脱槽内且被防脱沿限位住，进而使得贵金属层和铜基体的变形达到同步，不会轻易发生脱落的现象。
【IPC分类】H01H1/20
【公开号】CN205159117
【申请号】CN201520890015
【发明人】范康康
【申请人】温州铁通电器合金实业有限公司
【公开日】2016年4月13日
【申请日】2015年11月9日