单多晶硅片通用型承载石墨框的制作方法
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及承载光伏硅片的石墨框技术领域，尤其是一种关于上镀膜、且用于承载不同尺寸、不同倒角硅片的单多晶通用型石墨框。
【背景技术】
[0002]目前，上镀膜石墨框根据硅片的外观尺寸做出相应的直角、倒角形状，用于承载不同尺寸的倒角单晶、多晶硅片。针对单多晶硅片承载的要求，通常采用两种设计，第一种设计是针对倒角单晶硅片、多晶硅片分别设计石墨框，生产使用时需要根据不同的产品做相应的切换。第二种设计是在石墨框内部同时做出直角、固定倒角形状，生产单多晶产品时，不需要做任何切换。
[0003]针对第一种设计，当内部形状为直角的石墨框承载倒角硅片时，由于四个角有镂空，会发生正面绕射现象;而当内部形状为倒角的石墨框承载直角硅片时，由于内部尺寸小于娃片，娃片不能被固定。
[0004]而第二种设计既可以承载倒角单晶，也可以承载直角多晶，但是无法承载不同倒角尺寸的单晶，如果为了满足多种尺寸的倒角需求将倒角尺寸设计过小，大倒角硅片放置在石墨框上，四个角位置不能充分填充，同样会产生绕射、框印现象。
[0005]见附图1和附图2，适用于直角硅片的石墨框，载片数是4x6共24片，石墨框每个单元大小为158mm xl58mm，内部是152mm xl52mm的面积为空，四周连接部分为3mm宽的下沉凹槽。
[0006]见附图3和附图4，适用于倒角硅片的石墨框，载片数是4x6共24片，石墨框每个单元大小为158mm xl58mm、倒角Φ 202mm,内部是152mm xl52mm、倒角Φ 196mm的面积为空，四周连接部分为3mm宽的下沉凹槽。
【实用新型内容】
[0007]本实用新型要解决的技术问题是:提供一种单多晶通用型承载石墨框，根据硅片尺寸、外形的变化，设计相应的模块组用于承载不同的硅片，既可以承载倒角硅片也可以承载直角硅片，同时可以承载不同倒角尺寸的硅片，承载任何尺寸、任何形状的硅片时，都不会发生绕射、框印或不能被固定现象。
[0008]本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是:一种单多晶硅片通用型承载石墨框，具有框体，所述框体上矩阵式排列承载硅片的相同尺寸的沉孔，所述沉孔具有放置硅片的沉台，在所述沉孔的沉台上分别都设置有环绕于硅片四周的衬框，所述衬框具有适配于沉孔上口部轮廓的外轮廓和适配于硅片外轮廓的内轮廓。
[0009]为了使衬框能稳定的安装在框体沉孔内，所述框体上沉孔口部四边上均设有槽，在所述衬框上具有与所述槽相配的榫。
[0010]本实用新型的有益效果是:该石墨框可以根据不同尺寸、不同形状的硅片分别设计具有不同内轮廓的衬框，根据使用需求分别放置在石墨框的沉孔中、并通过榫和槽进行固定，防止衬框的晃动，使得该石墨框既可以承载倒角硅片也可以承载直角硅片，同时可以承载不同倒角尺寸的硅片，减少石墨框的使用数量，针对不同形状的硅片无需准备不同的石墨框，降低石墨框的使用成本，提高石墨框的使用率，硅片尺寸、倒角形状发生更改时，无需准备新石墨框，只需更换相应衬框即可。
【附图说明】
[0011]下面结合附图和实施例对本实用新型进一步说明。
[0012]图1是适用于直角硅片石墨框的结构示意图；
[0013]图2是图1中的局部放大图；
[0014]图3是适用于倒角硅片石墨框的结构示意图；
[0015]图4是图3中的局部放大图；
[0016]图5是本实用新型的结构不意图；
[0017]图6是图5中的局部放大图；
[0018]图7是适用于承载方形硅片的衬框结构示意图；
[0019]图8是适用于承载Φ200倒角单晶的衬框结构示意图；
[0020]图9是适用于承载Φ210倒角单晶的衬框结构示意图；
[0021 ]图10是承载方形硅片的石墨框效果图；
[0022]图11是图10中的局部放大图；
[0023]图12是承载Φ200倒角单晶的石墨框效果图；
[0024]图13是图12中的局部放大图；
[0025]图14是承载Φ210倒角单晶的石墨框效果图；
[0026]图15是图14中的局部放大图。
[0027]图中:1、框体，2、沉孔，3、沉台，4、衬框，5、槽，6、榫。
【具体实施方式】
[0028]实施例一:
[0029]见图5、图6、图7、图10和图11，本实用新型单多晶硅片通用型承载石墨框，石墨框内部可承载硅片的数量是4x6的共计24片，具有石墨框框体I，石墨框框体I上矩阵式排列承载硅片的相同尺寸的沉孔2，沉孔2具有放置硅片的沉台3，在沉孔2的沉台3上分别都设置有环绕于硅片四周的衬框4，衬框4具有适配于沉孔2上口部轮廓的外轮廓和适配于硅片外轮廓的内轮廓，沉孔2 口部轮廓为直角矩形、内部轮廓为带倒角的矩形，沉孔2 口部大小为162mm xl62mm，内部大小为152mm xl52mm、倒角Φ 196mm的面积为空，四周连接部分的沉台3宽度为3mm。框体I上沉孔2 口部四边上均设有槽5，且槽5均设在沉孔2 口部四边的中心位置处，槽的尺寸为Imm x2mm，在衬框4上具有与槽5相配的榫6。衬框4通过槽5和榫6的配合固定在沉孔2中。
[0030]其中，衬框4的口部轮廓为直角矩形，衬框4的内轮廓为直角矩形，沉孔2的口部轮廓尺寸略大于衬框4的口部轮廓尺寸，衬框4的内轮廓尺寸略大于硅片的外轮廓尺寸。该石墨框可以承载直角硅片。
[0031]实施例二:
[0032]见图5、图6、图8、图12和图13，本实用新型单多晶硅片通用型承载石墨框，石墨框内部可承载硅片的数量是4x6的共计24片，具有石墨框框体I，石墨框框体I上矩阵式排列承载硅片的相同尺寸的沉孔2，沉孔2具有放置硅片的沉台3，在沉孔2的沉台3上分别都设置有环绕于硅片四周的衬框4，衬框4具有适配于沉孔2上口部轮廓的外轮廓和适配于硅片外轮廓的内轮廓，沉孔2 口部轮廓为直角矩形、内部轮廓为带倒角的矩形，沉孔2 口部大小为162mm xl62mm，内部大小为152mm xl52mm、倒角Φ 196mm的面积为空，四周连接部分的沉台3宽度为3mm。框体I上沉孔2 口部四边上均设有槽5，且槽5均设在沉孔2 口部四边的中心位置处，槽的尺寸为Imm x2mm，在衬框4上具有与槽5相配的榫6。衬框4通过槽5和榫6的配合固定在沉孔2中。
[0033]其中，衬框4的口部轮廓为直角矩形，衬框4的内轮廓为带倒角的矩形，沉孔2的口部轮廓尺寸略大于衬框4的口部轮廓尺寸，衬框4的内轮廓尺寸略大于硅片的外轮廓尺寸。该石墨框可以承载Φ 200倒角单晶。
[0034]实施例三:
[0035]见图5、图6、图9、图14和图15，本实用新型单多晶硅片通用型承载石墨框，石墨框内部可承载硅片的数量是4x6的共计24片，具有石墨框框体I，石墨框框体I上矩阵式排列承载硅片的相同尺寸的沉孔2，沉孔2具有放置硅片的沉台3，在沉孔2的沉台3上分别都设置有环绕于硅片四周的衬框4，衬框4具有适配于沉孔2上口部轮廓的外轮廓和适配于硅片外轮廓的内轮廓，沉孔2 口部轮廓为直角矩形、内部轮廓为带倒角的矩形，沉孔2 口部大小为162mm xl62mm，内部大小为152mm xl52mm、倒角Φ 196mm的面积为空，四周连接部分的沉台3宽度为3mm。框体I上沉孔2 口部四边上均设有槽5，且槽5均设在沉孔2 口部四边的中心位置处，槽的尺寸为Imm x2mm，在衬框4上具有与槽5相配的榫6。衬框4通过槽5和榫6的配合固定在沉孔2中。
[0036]其中，衬框4的口部轮廓为直角矩形，衬框4的内轮廓为带倒角的矩形，沉孔2的口部轮廓尺寸略大于衬框4的口部轮廓尺寸，衬框4的内轮廓尺寸略大于硅片的外轮廓尺寸。该石墨框可以承载Φ 210倒角单晶。
[0037]石墨框内部可承载硅片的数量是4x6的共计24片，也可根据设备腔体的大小，把载板内部结构载片数做修改，如改成6x6或5x7等。
[0038]该石墨框可以根据不同尺寸、不同形状的硅片分别设计具有不同内轮廓的衬框4，根据使用需求分别放置在石墨框的沉孔2中、并通过榫6和槽5进行固定，防止衬框4的晃动，使得该石墨框既可以承载倒角硅片也可以承载直角硅片，同时可以承载不同倒角尺寸的硅片。
【主权项】
1.一种单多晶硅片通用型承载石墨框，具有框体(I)，所述框体(I)上矩阵式排列承载硅片的相同尺寸的沉孔(2)，所述沉孔(2)具有放置硅片的沉台(3)，其特征在于:在所述沉孔(2)的沉台(3)上分别都设置有环绕于硅片四周的衬框(4)，所述衬框(4)具有适配于沉孔(2)上口部轮廓的外轮廓和适配于硅片外轮廓的内轮廓。2.根据权利要求1所述的单多晶硅片通用型承载石墨框，其特征在于:所述框体(I)上沉孔(2) 口部四边上均设有槽(5)，在所述衬框(4)上具有与所述槽(5)相配的榫(6)。
【专利摘要】本实用新型涉及承载光伏硅片的石墨框技术领域，尤其是一种关于上镀膜、且用于承载不同尺寸、不同倒角硅片的单多晶通用型石墨框，具有框体，框体上矩阵式排列承载硅片的相同尺寸的沉孔，沉孔具有放置硅片的沉台，在沉孔的沉台上分别都设置有环绕于硅片四周的衬框，衬框具有适配于沉孔上口部轮廓的外轮廓和适配于硅片外轮廓的内轮廓。该单多晶通用型石墨框结构，根据硅片尺寸、外形的变化，设计相应的模块组用于承载不同的硅片，既可以承载倒角硅片也可以承载直角硅片，同时可以承载不同倒角尺寸的硅片。
【IPC分类】H01L21/673
【公开号】CN205211719
【申请号】CN201521001529
【发明人】李慧, 董建文
【申请人】常州天合光能有限公司
【公开日】2016年5月4日
【申请日】2015年12月7日