一种应用于机械设计技术领域的二级mos晶体管的制作方法
【技术领域】
的二级MOS晶体管技术领域
[0001]本实用新型属于机械技术领域，具体涉及一种应用于机械设计技术领域的二级MOS晶体管。
【背景技术】
[0002]目前，我国MOS晶体管行业发展迅速，用于晶体管的设备也多种多样，但是仍然面临着很多方面的挑战，需求寻找满足客户的解决方案。申请号:201210238234.0的中国专利文献报道了一种应用于机械设计技术领域的二级MOS晶体管，具体内容为:本实用新型涉及机械设计技术领域，具体涉及一种应用于机械设计技术领域的二级MOS晶体管。本实用新型要克服现有技术存在的拆装更换不方便和工作效率低的问题，现采用的技术方案是:一种应用于机械设计技术领域的二级MOS晶体管，包括MOS晶体管集成电路、双极性晶体管、参杂类源漏区，所述MOS晶体管集成电路末端面安装有漏源电压区；所述漏源电压区上端面设置有沟道通电电阻;所述沟道通电电阻外部有MOS管导通工作区；所述MOS管导通工作区镶嵌着MOS管导通非饱和区；所述MOS管导通非饱和区通过导线连接着扩展栅导电沟道;所述扩展栅导电沟道下端设置着正电荷空穴。与现有技术相比，本实用新型的优点是:更换方便，使用简便，提高了工作效率。本新型结构含有上述专利有的优点，但是上述专利对自动机配件未结合实际生产线，做到自动控制。综上所述，所以我设计了一种应用于机械设计技术领域的二级MOS晶体管。
【发明内容】
[0003]为了解决上述存在的问题，本实用新型提供一种应用于机械设计技术领域的二级MOS晶体管。
[0004]本实用新型是通过以下技术方案实现:
[0005]—种应用于机械设计技术领域的二级MOS晶体管，包括MOS晶体管集成电路、双极性晶体管、参杂类源漏区，所述MOS晶体管集成电路末端面安装有漏源电压区；所述漏源电压区上端面设置有沟道通电电阻;所述沟道通电电阻外部有MOS管导通工作区；所述MOS管导通工作区镶嵌着MOS管导通非饱和区；所述MOS管导通非饱和区通过导线连接着扩展栅导电沟道;所述扩展栅导电沟道下端设置着正电荷空穴。
[0006]作为本实用新型的进一步优化方案，所述的一种应用于机械设计技术领域的二级MOS晶体管，其特征在于:所述正电荷空穴设置在所述晶体管反形材料的旁边;所述晶体管反形材料旁安装有开关电感电流线。
[0007]作为本实用新型的进一步优化方案，所述开关电感电流线通过导线与二氧化硅式电介物质互相连接;所述二氧化硅式电介物质连接离子化杂质原子;所述离子化杂质原子上端设置着所述双极性晶体管。
[0008]与现有的技术相比，本实用新型的有益效果是:本实用新型结构简单、设计合理、操作简便，有效的将自动机结合生产实际，实现了机械高端技术，而且生产成本较低，适合运用推广。
【附图说明】
[0009]图1是本实用新型的结构主视图；
[0010]图2是本实用新型的结构左视图。
[0011]图中:1、M0S晶体管集成电路;2、双极性晶体管;3、参杂类源漏区；4、漏源电压区；
5、沟道通电电阻；6、M0S管导通工作区；7、M0S管导通非饱和区；8、扩展栅导电沟道;9、正电荷空穴；1、晶体管反形材料；11、开关电感电流线；12、二氧化硅式电介物质；13、离子化杂质原子;14、栅极氧化层。
【具体实施方式】
[0012]下面结合附图与【具体实施方式】对本实用新型作进一步详细描述:
[0013]如图1、图2所示，一种应用于机械设计技术领域的二级MOS晶体管，包括MOS晶体管集成电路(I)、双极性晶体管(2)、参杂类源漏区(3)，所述MOS晶体管集成电路(I)末端面安装有漏源电压区(4);所述漏源电压区(4)上端面设置有沟道通电电阻(5);所述沟道通电电阻(5)外部有MOS管导通工作区(6);所述MOS管导通工作区(6)镶嵌着MOS管导通非饱和区
(7);所述MOS管导通非饱和区(7)通过导线连接着扩展栅导电沟道(8);所述扩展栅导电沟道(8)下端设置着正电荷空穴(9)。所述正电荷空穴(9)设置在所述晶体管反形材料(10)的旁边;所述晶体管反形材料(10)旁安装有开关电感电流线(U)。所述开关电感电流线(11)通过导线与二氧化硅式电介物质(12)互相连接;所述二氧化硅式电介物质(12)连接着所述离子化杂质原子(13);所述离子化杂质原子(13)上端设置着所述双极性晶体管(2)。所述双极性晶体管(2)上端面连接着所述参杂类源漏区(3);所述参杂类源漏区(3)末端面连接有栅极氧化层(14)。
[0014]所述MOS晶体管集成电路末端面安装有漏源电压区；所述漏源电压区上端面设置有沟道通电电阻;所述沟道通电电阻外部有MOS管导通工作区；所述MOS管导通工作区镶嵌着MOS管导通非饱和区；所述MOS管导通非饱和区通过导线连接着扩展栅导电沟道;所述扩展栅导电沟道下端设置着正电荷空穴。
[0015]以上显示和描述了本实用新型的基本原理、主要特征和优点。本行业的技术人员应该了解，本实用新型不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是说明本实用新型的原理，在不脱离本实用新型精神和范围的前提下，本实用新型还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本实用新型范围内。本实用新型要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。
【主权项】
1.一种应用于机械设计技术领域的二级MOS晶体管，其特征在于:包括MOS晶体管集成电路、双极性晶体管、参杂类源漏区，所述MOS晶体管集成电路末端面安装有漏源电压区；所述漏源电压区上端面设置有沟道通电电阻;所述沟道通电电阻外部有MOS管导通工作区；所述MOS管导通工作区镶嵌着MOS管导通非饱和区；所述MOS管导通非饱和区通过导线连接着扩展栅导电沟道;所述扩展栅导电沟道下端设置着正电荷空穴。2.根据权利要求1所述的一种应用于机械设计技术领域的二级MOS晶体管，其特征在于:所述正电荷空穴设置在所述晶体管反形材料的旁边;所述晶体管反形材料旁安装有开关电感电流线。3.根据权利要求2所述的一种应用于机械设计技术领域的二级MOS晶体管，其特征在于:所述开关电感电流线通过导线与二氧化娃式电介物质互相连接;所述二氧化娃式电介物质连接离子化杂质原子;所述离子化杂质原子上端设置着所述双极性晶体管。4.根据权利要求3所述的一种应用于机械设计技术领域的二级MOS晶体管，其特征在于;所述双极性晶体管上端面连接着所述参杂类源漏区；所述参杂类源漏区末端面连接有栅极氧化层。
【专利摘要】本实用新型公开了一种应用于机械设计技术领域的二级MOS晶体管，包括MOS晶体管集成电路、双极性晶体管、参杂类源漏区，所述MOS晶体管集成电路末端面安装有漏源电压区；所述漏源电压区上端面设置有沟道通电电阻；所述沟道通电电阻外部有MOS管导通工作区；所述MOS管导通工作区镶嵌着MOS管导通非饱和区；所述MOS管导通非饱和区通过导线连接着扩展栅导电沟道；所述扩展栅导电沟道下端设置着正电荷空穴。本实用新型结构简单、设计合理、操作简便，有效的将MOS管结合生产实际，实现了高科技水平，而且生产成本较低，适合运用推广。
【IPC分类】H01L29/70, H01L29/78, H01L29/06
【公开号】CN205264707
【申请号】CN201520459942
【发明人】黎国伟
【申请人】广州贝禾电子科技有限公司
【公开日】2016年5月25日
【申请日】2015年7月1日