探针型波导微带转换装置的制造方法

文档序号:10956557阅读:481来源:国知局
探针型波导微带转换装置的制造方法
【专利摘要】本实用新型公开了一种探针型波导微带转换装置。该装置包括:波导,包括连通的第一波导、第二波导和连接第一波导与第二波导的渐变波导,其中,第一波导的一端开有第一开口,用于接收电磁波,在第二波导的侧壁开有第二开口,第一波导在垂直于波导内电磁波传播方向上的截面面积大于第二波导在垂直于波导内电磁波传播方向上的截面面积;以及探针型波导微带过渡电路,包括通过第二开口悬空置于波导内的第一部分和固定设置于波导外的第二部分。通过本实用新型,解决了相关技术中探针型波导微带转换装置对亚毫米波频段电磁波的损耗较大的问题。
【专利说明】
探针型波导微带转换装置
技术领域
[0001]本实用新型涉及电磁波领域,具体而言,涉及一种探针型波导微带转换装置。
【背景技术】
[0002]随着微波、毫米波收发系统的迅速发展,低成本、高可靠性的毫米波单片微波集成电路(Monolithic Microwave Integrated Circuit,简称MMIC)的使用也日趋广泛。工作在毫米波、亚毫米波频段的电路,传输线主要有波导和平面传输线两种。电路测试模块多采用波导结构,测试方便,且便于与其它有源、无源电路及天线等互联组成亚毫米波频段电路模块系统;而亚毫米波频段MMIC电路(也称TMIC)的信号传输线形式则多为平面传输线结构,平面传输线结构的端口一般为微带线(MS)或共面波导(CPW),在亚毫米波频段进行电路测试时,需要采用波导微带过渡电路实现电磁波的过渡,例如,从波导的TElO模式转换为微带的准TEM模式。目前,常用的过渡方式主要有三种:阶梯脊波导过渡、对脊鳍线过渡、耦合探针过渡。其中,耦合探针过渡结构简单、加工方便、装卸容易,使用最为广泛。探针型波导微带转换装置包括波导和介质基片,相关技术中波导通常采用矩形波导的结构,探针设置在介质基片上,但是,现有的矩形波导-介质基片的结构会增大亚毫米波频段电磁波,也即,频率在300GHz以上的电磁波的损耗,产生较大的插入损耗和回波损耗,导致可以转换的电磁波的带宽较窄的问题。
[0003]针对相关技术中探针型波导微带转换装置对亚毫米波频段电磁波的损耗较大的问题,目前尚未提出有效的解决方案。
【实用新型内容】
[0004]本实用新型的主要目的在于提供一种探针型波导微带转换装置,以解决相关技术中探针型波导微带转换装置对亚毫米波频段电磁波的损耗较大的问题。
[0005]为了实现上述目的,根据本实用新型的一个方面,提供了一种探针型波导微带转换装置。该装置包括:波导,包括连通的第一波导、第二波导和连接第一波导与第二波导的渐变波导,其中,第一波导的一端开有第一开口,用于接收电磁波,在第二波导的侧壁开有第二开口,第一波导在垂直于波导内电磁波传播方向上的截面面积大于第二波导在垂直于波导内电磁波传播方向上的截面面积;以及探针型波导微带过渡电路,包括通过第二开口悬空置于波导内的第一部分和固定设置于波导外的第二部分。
[0006]进一步地,第一波导为VDIWR2.8标准矩形波导,第二波导为矩形波导,第二波导在垂直于波导内电磁波传播方向上的矩形截面的窄边边长小于第一波导在垂直于波导内电磁波传播方向上的矩形截面的窄边边长,第二开口开设在第二波导矩形截面的宽边所在的侧壁上。
[0007]进一步地,探针型波导微带过渡电路的制作工艺与毫米波单片微波集成电路的制作工艺相同,探针型波导微带过渡电路包括:衬底基片,衬底基片的平面与波导内电磁波的传播方向平行,且衬底基片的法向与波导内电磁波的传播方向垂直;金属导带,集成在衬底基片的第一面,其中,金属导带包括扇形探针,与扇形探针相连接的阻抗变换微带线和与阻抗变换微带线相连接的微带传输线,其中,扇形探针为扇形金属层,探针型波导微带过渡电路的第一部分包括扇形探针;以及接地金属层,集成在衬底基片的第二面上除与扇形探针相对应的区域以外的区域,衬底基片的第一面和第二面相对。
[0008]进一步地,衬底基片为InP衬底基片,InP衬底基片为采用标准减薄工艺制作的矩形基片,基片厚度为0.05mm,金属导带的厚度为0.001mm,接地金属层的厚度为0.005_。
[0009]进一步地,微带传输线为标准50欧姆微带传输线。
[0010]进一步地,扇形探针的圆心角为90度。
[0011]进一步地,第二波导包括与第一开口相对的短路面,扇形探针的对称中心线与短路面的距离设置为波导内电磁波波长的I/4的奇数倍。
[0012]进一步地,该装置还包括:开窗腔,开窗腔通过第二开口与第二波导连通,用于固定探针型波导微带过渡电路,其中,探针型波导微带过渡电路通过导电胶与开窗腔的内壁固定连接,探针型波导微带过渡电路固定在第二波导矩形截面的宽边的1/2处。
[0013]进一步地,制成波导的材质为黄铜,且波导内壁镀金。
[0014]进一步地,波导内壁的表面粗糙度小于0.5。
[0015]本实用新型通过连通的第一波导、第二波导和连接第一波导与第二波导的渐变波导,以及包括通过第二开口悬空置于波导内的第一部分和固定设置于波导外的第二部分的探针型波导微带过渡电路,解决了相关技术中探针型波导微带转换装置对亚毫米波频段电磁波的损耗较大的问题,通过本实用新型中波导的渐变结构,达到了降低探针型波导微带转换装置对亚毫米波频段电磁波损耗的效果。
【附图说明】
[0016]构成本申请的一部分的附图用来提供对本实用新型的进一步理解,本实用新型的示意性实施例及其说明用于解释本实用新型,并不构成对本实用新型的不当限定。在附图中:
[0017]图1是根据本实用新型第一实施例的探针型波导微带转换装置的波导和探针型波导微带过渡电路的三维结构示意图;
[0018]图2是根据本实用新型第二实施例的探针型波导微带转换装置的波导和探针型波导微带过渡电路的三维结构示意图;
[0019]图3是根据本实用新型第二实施例的探针型波导微带转换装置的波导和探针型波导微带过渡电路的俯视图;
[0020]图4是根据本实用新型第二实施例的探针型波导微带转换装置的波导和探针型波导微带过渡电路的主视图;
[0021]图5是根据本实用新型实施例的背靠背探针型波导微带转换装置的主视图;
[0022]图6是根据本实用新型实施例的背靠背探针型波导微带转换装置的A-A处的剖视图;
[0023]图7是根据本实用新型实施例的背靠背探针型波导微带转换装置的后视图;
[0024]图8是根据本实用新型实施例的背靠背探针型波导微带转换装置的B-B处的剖视图;
[0025]图9是根据本实用新型实施例的背靠背探针型波导微带转换装置的上腔体的俯视图;
[0026]图10是根据本实用新型实施例的背靠背探针型波导微带转换装置的下腔体的俯视图;
[0027]图11是根据本实用新型实施例的背靠背探针型波导微带转换装置应用于290GHz-340GHz频段内回波损耗的仿真结果示意图;以及
[0028]图12是根据本实用新型实施例的背靠背探针型波导微带转换装置应用于290GHz-340GHz频段内插入损耗的仿真结果示意图。
【具体实施方式】
[0029]需要说明的是,在不冲突的情况下,本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。下面将参考附图并结合实施例来详细说明本实用新型。
[0030]为了使本技术领域的人员更好地理解本申请方案,下面将结合本申请实施例中的附图,对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本申请一部分的实施例,而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都应当属于本申请保护的范围。
[0031]需要说明的是,本申请的说明书和权利要求书及上述附图中的术语“第一”、“第二”等是用于区别类似的对象,而不必用于描述特定的顺序或先后次序。应该理解这样使用的数据在适当情况下可以互换,以便这里描述的本申请的实施例。此外,术语“包括”和“具有”以及他们的任何变形,意图在于覆盖不排他的包含。
[0032]本实用新型的实施例提供了一种探针型波导微带转换装置。
[0033]图1是根据本实用新型第一实施例的探针型波导微带转换装置的波导和探针型波导微带过渡电路的三维结构示意图。如图1所示,该探针型波导微带转换装置包括波导100和探针型波导微带过渡电路200。
[0034]波导100用于定向引导电磁波,该实施例提供的波导100包括连通的第一波导101、第二波导103和用于连接第一波导与第二波导的渐变波导102,其中,第一波导101的一端开有第一开口 104,用于接收电磁波,第一波导101在垂直于波导100内电磁波传播方向上的截面面积大于第二波导103在垂直于波导100内电磁波传播方向上的截面面积。通过渐变结构的波导可以降低波导对亚毫米频段电磁波的损耗,进而拓宽了探针型波导微带转换装置可以应用的电磁波的频带。波导100具有在探针型波导微带转换装置内部的管型腔体结构,通过第一开口 104与探针型波导微带转换装置的外部连通,电磁波通过第一开口 104进入波导中传播。
[0035]探针型波导微带过渡电路200可以用于将波导100内的电磁波从波导的TElO模式转换为微带的准TEM模式,其中,在第二波导103的侧壁开有第二开口 105,探针型波导微带过渡电路200包括通过第二开口 105悬空置于波导100内的第一部分和固定设置于波导100外的第二部分。探针型波导微带过渡电路200的第一部分与波导100的内壁不接触,探针型波导微带过渡电路200通过第二部分与波导100相对固定,固定方法可以是采用胶类等方式固定在波导100外。
[0036]优选地,该实施例的波导100可以采用如下结构:
[0037]第一波导101是VDIWR2.8标准矩形波导,第二波导103为矩形波导,第二波导103在垂直于波导100内电磁波传播方向上的矩形截面的窄边边长小于第一波导101在垂直于波导100内电磁波传播方向上的矩形截面的窄边边长,第二开口 105开设在第二波导103矩形截面的宽边所在的侧壁上。
[0038]优选地,该实施例的探针型波导微带过渡电路200可以采用与毫米波单片微波集成电路相同的制作工艺制作,探针型波导微带过渡电路200包括衬底基片、金属导带和接地金属层。其中,衬底基片的平面与波导100内电磁波的传播方向平行,且衬底基片的法向与波导100内电磁波的传播方向垂直;金属导带集成在衬底基片的第一面,其中,金属导带包括扇形探针,与扇形探针相连接的阻抗变换微带线和与阻抗变换微带线相连接的微带传输线,其中,扇形探针为扇形金属层,探针型波导微带过渡电路200的第一部分包括扇形探针;接地金属层集成在衬底基片的第二面上除与扇形探针相对应的区域以外的区域,其中,衬底基片的第一面和第二面相对。扇形探针相当于一个接收天线,可以将第二波导中的电磁能量耦合传输到微带线上。通过扇形探针的扇形结构,可以更好的将波导100中的电磁波耦合到探针上,降低了亚毫米波频段电磁波的损耗。通过波导的渐变结构和扇形探针结构,可以降低探针型波导微带转换装置对亚毫米波频段电磁波损耗,拓宽探针型波导微带转换装置应用频带。
[0039]优选地,衬底基片可以是磷化铟(InP)衬底基片,InP衬底基片可以是采用标准减薄工艺制作的矩形基片,InP衬底基片的介电常数为12.5,具体参数可以设置为:基片厚0.05mm,金属导带厚0.0Olmm,接地金属层厚0.005_。
[0040]优选地,微带传输线可以采用标准50欧姆微带传输线。
[0041]优选地,扇形探针的圆心角可以是90度。
[0042]优选地,第二波导103具有与第一开口104相对的短路面106,扇形探针的对称中心线与短路面106的距离设置为波导100内电磁波波长的I/4的奇数倍。
[0043]优选地,该装置还可以包括开窗腔300。开窗腔300通过第二开口 105与第二波导103连通,用于固定探针型波导微带过渡电路200,其中,探针型波导微带过渡电路200通过导电胶与开窗腔300的内壁固定连接,探针型波导微带过渡电路200固定在第二波导103矩形截面的宽边的1/2处。
[0044]优选地,制成波导100的材质可以采用黄铜,并将波导100内壁镀金。
[0045]优选地,对波导100内壁的表面粗糙度的加工要求可以是表面粗糙度小于0.5。
[0046]本实用新型第一实施例提供的探针型波导微带转换装置,通过连通的第一波导、第二波导和连接第一波导与第二波导的渐变波导,以及包括通过第二开口悬空置于波导内的第一部分和固定设置于波导外的第二部分的探针型波导微带过渡电路,解决了相关技术中探针型波导微带转换装置对亚毫米波频段电磁波的损耗较大的问题,通过本实用新型中波导的渐变结构,达到了降低探针型波导微带转换装置对亚毫米波频段电磁波损耗,拓宽探针型波导微带转换装置应用频带的效果。
[0047]图2是根据本实用新型第二实施例的探针型波导微带转换装置的波导和探针型波导微带过渡电路的三维结构示意图。该实施例可以作为上述第一实施例的一个优选实施例。如图2所示,该探针型波导微带转换装置包括波导100、探针型波导微带过渡电路200和开窗腔300。
[0048]波导100包括连通的第一波导101、第二波导103和用于连接第一波导101与第二波导103的渐变波导102,第一波导101在垂直于波导100内电磁波传播方向上的截面面积大于第二波导103在垂直于波导100内电磁波传播方向上的截面面积。第一波导101为VDI WR2.8标准矩形波导,第二波导103为矩形波导,第二波导103在垂直于波导100内电磁波传播方向上的矩形截面的窄边边长小于第一波导101在垂直于波导100内电磁波传播方向上的矩形截面的窄边边长,可选地,第一波导101和第二波导103的宽边边长可以相等。VDI WR2.8标准矩形波导在垂直于波导100内电磁波传播方向上的矩形截面的宽边边长为0.71mm,窄边边长为0.355mm,可选地,第二波导103在垂直于波导100内电磁波传播方向上的矩形截面的宽边边长也为0.71mm,窄边边长为0.295mm,沿电磁波传播方向上的长度为1mm,渐变波导102沿电磁波传播方向上的长度为1.19mm,第一波导101的一端开有第一开口 104,用于接收电磁波,第一开口 104的长度和宽度分别与第一波导101在垂直于波导100内电磁波传播方向上的矩形截面的宽边边长和窄边边长相同,第二波导103包括与第一开口 104相对的短路面106,由于机械加工的限制,短路面106适于采用圆弧加工,因此,设置短路面106为直径与第二波导103在垂直于波导100内电磁波传播方向上的矩形截面的窄边边长相等的圆弧面,也即,短路面106为直径0.295mm的半圆结构。
[0049]第二波导103矩形截面的宽边所在的侧壁上开设有第二开口105,第二开口 105为矩形开口,第二开口 105的长度为0.2mm,宽度为0.34mm,开窗腔300通过第二开口 105与第二波导103连通,用于固定探针型波导微带过渡电路,开窗腔300为一个矩形腔和半圆柱腔相交的腔体,其中,矩形腔的第一边和第二边的长度分别与第二开口 105的长度和宽度相同,第三边的长度为0.19mm。波导100腔体的加工材质为黄铜,且波导100内壁镀金,波导100内壁的表面粗糙度小于0.5。
[0050]探针型波导微带过渡电路的制作工艺与MMIC相同。探针型波导微带过渡电路包括衬底基片、金属导带和接地金属层。图3是根据本实用新型第二实施例的探针型波导微带转换装置的波导和探针型波导微带过渡电路的俯视图。如图3所示,衬底基片201放置在开窗腔300中,衬底基片201上设置有金属导带,金属导带包括扇形探针202,与扇形探针相连接的阻抗变换微带线203和与阻抗变换微带线相连接的微带传输线204。图4是根据本实用新型第二实施例的探针型波导微带转换装置的波导和探针型波导微带过渡电路的主视图。开窗腔300的半圆柱腔用于放置与微带传输线204相连接的线路。
[0051]探针型波导微带过渡电路用于将波导100内的电磁波从波导的TElO模式转换为微带的准TEM模式,包括通过第二开口 105悬空置于波导100内的第一部分和固定设置于波导100外的第二部分。其中,探针型波导微带过渡电路的第二部分通过导电胶与开窗腔300的内壁固定连接,探针型波导微带过渡电路固定在第二波导103矩形截面的宽边的1/2处,第二开口 105的一边开设在第二波导103矩形截面的宽边的1/2处,第二开口 105与波导100内电磁波的传播方向平行的边的中心点距短路面1060.317mm,也即,扇形探针202中心线到短路面106之间的距离为0.317mm。其中,0.317mm是波导100波长的1/4的奇数倍。扇形探针202中心线到短路面106之间的距离为1/4波导波长的奇数倍可以保证插入波导100内的金属微带所在的位置为电场最强处,更有利于电磁波能量的耦合,从而减小损耗,增加带宽。作为优选的实施方式,选择1/4波长可以使本实用新型的转换装置尺寸更小,便于集成和小型化。
[0052 ]衬底基片201的平面与波导100内电磁波的传播方向平行,且衬底基片201的法向与波导100内电磁波的传播方向垂直。衬底基片201为InP衬底基片201,InP衬底基片201为采用标准减薄工艺制作的矩形基片,介电常数为12.5,基片厚度为0.05mm,与波导100内电磁波传播方向平行的边的长度为0.32mm,探针型波导微带过渡电路的第一部分与波导100内电磁波传播方向垂直的边长为0.238mm,探针型波导微带过渡电路的第二部分与波导100内电磁波传播方向垂直的边长为0.39mm。金属导带集成在衬底基片201的第一面,厚度为
0.001mm,其中,扇形探针202为扇形金属层,探针型波导微带过渡电路的第一部分包括扇形探针202。扇形探针202的圆心角为90度,半径为0.152mm,阻抗变换微带线203的宽度为
0.022mm,长度为0.145mm,微带传输线204为标准50欧姆微带传输线,微带传输线204的宽度为0.036mm。接地金属层厚度为0.005mm,集成在衬底基片201的第二面上除与扇形探针202相对应的区域以外的区域,衬底基片201的第一面和第二面相对,也即,在衬底基片201的第二面上与扇形探针202相对应的区域无金属层,衬底基片201的第二面通过导电胶与开窗腔300固定,导电胶的厚度为0.007_。金属导带和接地金属层的材质可以是金。
[0053]综上,扇形探针202相当于一个接收天线,扇形探针202通过波导100宽壁上的波导窗进入波导100,当电磁波由波导100转换至微带线时,利用一段起耦合作用的扇形探针202把波导100中的电磁场能量耦合到扇形探针202上,然后经过一段高阻抗微带线变换到标准50欧姆微带线,从而实现将波导100中的TElO工作模式转换为微带线的准TEM工作模式。该实施例通过对探针和波导的关键尺寸参数进行优化,采用渐变的波导结构和扇形的探针结构,增加了频带带宽,减小了损耗。
[0054]传统的探针型波导微带过渡电路常采用低介电常数材料(如Rogers5880等)作为衬底基片来实现低损耗的转换,因此金属导带与芯片的连接只能采用金丝键合形式的混合集成方式。当频率上升至亚毫米波频段时,金丝键合方式连接由于高频寄生将引入较大的损耗而不再适用。该实施例通过直接与InP基TMIC芯片集成,消除了金丝键合在亚毫米波频段所带来的寄生影响。
[0055]为便于实际测试,将本实用新型第二实施例提供的探针型波导微带转换装置加工成背靠背结构的探针型波导微带转换装置,背靠背探针型波导微带转换装置包括两个波导腔和两个探针型波导微带过渡电路,两个探针型波导微带过渡电路通过标准50欧姆微带传输线连接,背靠背探针型波导微带转换装置的微带线全长为0.5_。背靠背探针型波导微带转换装置可以将电磁波从波导的TElO模式转换为微带的准TEM模式,再从微带的准TEM模式转换为波导的TElO模式。
[0056]图5是根据本实用新型实施例的背靠背探针型波导微带转换装置的主视图。如图5所示,背靠背探针型波导微带转换装置的一个波导通过第一开口 104’与外界连通。
[0057]图6是根据本实用新型实施例的背靠背探针型波导微带转换装置的A-A处的剖视图。如图6所示,该背靠背探针型波导微带转换装置包括波导100’、波导100”、开窗腔300’和开窗腔300” ο
[0058]图7是根据本实用新型实施例的背靠背探针型波导微带转换装置的后视图。如图7所示,背靠背探针型波导微带转换装置的一个波导通过第一开口 104”与外界连通。
[0059]图8是根据本实用新型实施例的背靠背探针型波导微带转换装置的B-B处的剖视图。该背靠背探针型波导微带转换装置包括上腔体和下腔体两个部件。
[0060]图9是根据本实用新型实施例的背靠背探针型波导微带转换装置的上腔体的俯视图。如图9所示,该背靠背探针型波导微带转换装置的上腔体包括波导100’的上半部分、波导100”的上半部分、开窗腔300’的上半部分和开窗腔300”的上半部分。
[0061]图10是根据本实用新型实施例的背靠背探针型波导微带转换装置的下腔体的俯视图。如图10所示,该背靠背探针型波导微带转换装置的下腔体包括波导100’的下半部分、波导100”的下半部分、开窗腔300’的下半部分和开窗腔300”的下半部分。
[0062]图11是根据本实用新型实施例的背靠背探针型波导微带转换装置应用于290GHz-340GHz频段内回波损耗的仿真结果示意图。图12是根据本实用新型实施例的背靠背探针型波导微带转换装置应用于290GHz-340GHz频段内插入损耗的仿真结果示意图。如图11和图12所示,在295GHz-335GHz的亚毫米波频段范围内,本实用新型实施例的背靠背探针型波导微带转换装置获得了良好的输入输出反射性能,且损耗小。对于单个的探针型波导微带转换装置,其性能指标为图11和图12中示出的仿真指标的一半,损耗小,应用的频带范围宽。
[0063]以上所述仅为本实用新型的优选实施例而已,并不用于限制本实用新型,对于本领域的技术人员来说,本实用新型可以有各种更改和变化。凡在本实用新型的精神和原则之内,所作的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本实用新型的保护范围之内。
【主权项】
1.一种探针型波导微带转换装置,其特征在于,包括: 波导(100),包括连通的第一波导(101)、第二波导(103)和连接所述第一波导(101)与所述第二波导(103)的渐变波导(102),其中,所述第一波导(101)的一端开有第一开口(104),用于接收电磁波,在所述第二波导(103)的侧壁开有第二开口(105),所述第一波导(101)在垂直于所述波导(100)内电磁波传播方向上的截面面积大于所述第二波导(103)在垂直于所述波导(100)内电磁波传播方向上的截面面积;以及 探针型波导微带过渡电路(200),包括通过所述第二开口(105)悬空置于所述波导(100)内的第一部分和固定设置于所述波导(100)外的第二部分。2.根据权利要求1所述的装置,其特征在于,所述第一波导(101)为VDIWR2.8标准矩形波导,所述第二波导(103)为矩形波导,所述第二波导(103)在垂直于所述波导(100)内电磁波传播方向上的矩形截面的窄边边长小于所述第一波导(101)在垂直于所述波导(100)内电磁波传播方向上的矩形截面的窄边边长,所述第二开口(105)开设在所述第二波导(103)矩形截面的宽边所在的侧壁上。3.根据权利要求1所述的装置,其特征在于,所述探针型波导微带过渡电路(200)的制作工艺与毫米波单片微波集成电路的制作工艺相同,所述探针型波导微带过渡电路(200)包括: 衬底基片,所述衬底基片的平面与所述波导(100)内电磁波的传播方向平行,且所述衬底基片的法向与所述波导(100)内电磁波的传播方向垂直; 金属导带,集成在所述衬底基片的第一面,其中,所述金属导带包括扇形探针,与所述扇形探针相连接的阻抗变换微带线和与所述阻抗变换微带线相连接的微带传输线,其中,所述扇形探针为扇形金属层,所述探针型波导微带过渡电路(200)的第一部分包括所述扇形探针;以及 接地金属层,集成在所述衬底基片的第二面上除与所述扇形探针相对应的区域以外的区域,所述衬底基片的第一面和所述第二面相对。4.根据权利要求3所述的装置,其特征在于,所述衬底基片为InP衬底基片,所述InP衬底基片为采用标准减薄工艺制作的矩形基片,基片厚度为0.05mm,所述金属导带的厚度为.0.001mm,所述接地金属层的厚度为0.005mm。5.根据权利要求3所述的装置,其特征在于,所述微带传输线为标准50欧姆微带传输线。6.根据权利要求3所述的装置,其特征在于,所述扇形探针的圆心角为90度。7.根据权利要求3所述的装置,其特征在于,所述第二波导(103)包括与所述第一开口(104)相对的短路面(106),所述扇形探针的对称中心线与所述短路面(106)的距离设置为所述波导(100)内电磁波波长的I/4的奇数倍。8.根据权利要求2所述的装置,其特征在于,所述装置还包括: 开窗腔(300),所述开窗腔(300)通过所述第二开口(105)与所述第二波导(103)连通,用于固定所述探针型波导微带过渡电路(200),其中,所述探针型波导微带过渡电路(200)通过导电胶与所述开窗腔(300)的内壁固定连接,所述探针型波导微带过渡电路(200)固定在所述第二波导(103)矩形截面的宽边的1/2处。9.根据权利要求1所述的装置,其特征在于,制成所述波导(100)的材质为黄铜,且所述波导(100)内壁镀金。10.根据权利要求9所述的装置,其特征在于,所述波导(100)内壁的表面粗糙度小于.0.5.
【文档编号】H01P1/16GK205646074SQ201620229135
【公开日】2016年10月12日
【申请日】2016年3月23日
【发明人】许靓, 姚鸿飞, 丁芃, 苏永波, 金智
【申请人】中国科学院微电子研究所
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