专利名称：驱动电路及显示装置的制作方法
技术领域：
本发明涉及利用驱动脉冲驱动电容性负载用的驱动电路及使用该驱动电路的显示装置。
背景技术：
驱动电容性负载的已有的驱动电路已知有例如驱动等离子体显示板的维持电极的维持驱动装置。
图13是表示已有的维持驱动装置的结构的电路图。如图13所示，维持驱动装置400包含回收电容器C11、再生线圈L11、开关SW11、SW12、SW21、SW22以及二极管D11、D12。
开关SW11连接于电源端子V4与节点N11之间，开关SW12连接于节点N11与接地端子之间。电源端子V4上施加电压Vsus。节点N11与例如480个维持电极连接，在图13中，表示出相当于多个维持电极与接地端子之间的总电容量的面板电容器Cp。
回收电容器C11连接于节点N13与接地端子之间。节点N13与N12之间串联连接开关SW21和二极管D11，节点N12与N13之间串联连接二极管D12和开关SW22。再生线圈L11连接于节点N12与节点N11之间。
图14是表示图13的维持驱动装置400在维持时间的动作的时序图。图14表示图13的节点N11的电压以及开关SW21、SW11、SW22、SW12的动作。
首先，在Ta期间，开关SW21导通，开关SW12截止。这时开关SW11、SW22截止。借助于此，利用再生线圈L11和面板电容器Cp产生的LC谐振，使节点N11的电压慢慢上升。接着，在Tb期间，开关SW21截止，开关SW11导通。以此使节点11的电压迅速上升，在Tc期间，节点N11的电压固定于Vsus。
接着，在Td期间，开关SW11截止，开关SW22导通。借助于此，利用再生线圈L11和面板电容器Cp产生的LC谐振，使节点N11的电压缓慢下降。其后，在Te期间，开关SW22截止，开关SW12导通，。借助于此，使节点N11的电压急剧下降，固定于接地电位。在维持时间反复进行上述动作，以此在多个维持电极上施加周期性的维持脉冲Psu。
如上所述，维持脉冲Psu的上升部分和下降部分由开关SW21或开关SW22导通的Ta、Td期间的LC谐振部分和开关SW11或开关SW12导通的Tb、Te期间的边缘部分构成。
上述开关SW11、SW12、SW21、SW22通常由作为开关元件的FET(场效应晶体管)构成，各FET在漏极与源极之间有寄生电容，连接于各FET的配线有电感成分。因此，在开关SW11等从截止改变为导通时，由于漏极-源极之间的电容和配线的电感成分导致LC谐振发生，该LC谐振导致发生不需要的电磁波辐射。
又，上述各二极管D11、D12也在阳极与阴极之间存在寄生电容，连接各二极管的配线也具有电感成分。因此开关SW11等从截止变成导通时，阳极与阴极之间的电容与配线的电感成分导致LC谐振发生，该LC谐振导致发生不需要的电磁波辐射还有，各FET的漏极-源极之间的电容量和各二极管的阳极-阴极之间的电容量与各配线的电感成分小，所以LC谐振的频率高，产生的电磁波频率也高。另一方面，根据电器产品管理法规定的辐射标准，对30MHz以上的高频电磁波规定了限制值。这样的高频电磁波辐射有可能对其他电子设备产生不良的电磁影响，所以希望能够抑制这种不需要的电磁波辐射。
发明内容
本发明的目的在于，提供能够抑制不需要的高频电磁波辐射的驱动电路及使用这种驱动电路的显示装置。
作为本发明的一种驱动电路是输出驱动脉冲，驱动电容性负载用的驱动电路，具备连接于将驱动脉冲提供给电容性负载用的脉冲供给线路上的电路、连接于电路上的配线部分、以及降低电路寄生电容与配线部分的电感成分的LC谐振的谐振频率的降频电路。
在这种驱动电路中，由于使得将驱动脉冲提供给电容性负载用的脉冲供给线路上连接的电路的寄生电容量与配线部分的电感成分的LC谐振的谐振频率降低，所以能够抑制不需要的高频电磁波辐射。
电路最好是包含将驱动脉冲施加于电容性负载用的开关电路。
在这种情况下，由于使得将驱动脉冲施加于电容性负载用的开关电路的寄生电容量与配线部分的电感成分的LC谐振的谐振频率降低，所以能够降低LC谐振产生的电磁波频率，能够抑制不需要的高频电磁波辐射。
最好是电容性负载包含具有多个电极的放电单元，开关电路包含在使放电单元点亮的维持时间里将维持脉冲施加于电容性负载用的维持脉冲用开关电路。
在这种情况下，由于在使放电单元点亮的维持时间里将维持脉冲施加于电容性负载用的维持脉冲用开关电路的寄生电容量与配线部分的电感成分的LC谐振的谐振频率被降低，所以能够在维持时间里降低LC谐振产生的电磁波频率，能够抑制不需要的高频电磁波辐射。
最好是电容性负载包含具有多个电极的放电单元，开关电路包含在对放电单元的电极的壁电荷进行调整的初始化期间对电容性负载施加初始化脉冲用的初始化脉冲用开关电路。
在这种情况下，在对放电单元的电极的壁电荷进行调整的初始化期间，对电容性电荷施加初始化脉冲用的初始化脉冲用开关电路的寄生电容量与配线部分的电感成分的LC谐振的谐振频率被降低，所以即使是施加初始化脉冲的驱动电路，也能够在维持时间里降低LC谐振产生的电磁波频率，能够抑制不需要的高频电磁波辐射。
开关电路最好是包含场效应晶体管。
在这种情况下，能够降低由场效应晶体管的漏极-源极间的电容引起的LC谐振的谐振频率。
电路最好是包含用于防止在其他电气元件上施加过电压的保护电路。
在这种情况下，用于防止在其他电气元件上施加过电压的保护电路的寄生电容量与配线部分的电感成分的LC谐振的谐振频率被降低，所以能够降低LC谐振产生的电磁波频率，能够抑制不需要的高频电磁波辐射。
保护电路最好是包含二极管。
在这种情况下，可以降低由二极管的阳极与阴极之间的电容引起的LC谐振的谐振频率。
降频电路最好是能够把LC谐振的谐振频率降低到30MHz以下。
在这种情况下，由于把LC谐振的谐振频率降低到小于30MHz，所以能够抑制频率在30MHz以上的电磁波辐射。
降频电路最好是包含并联连接于电气元件上的电容性元件。
在这种情况下，对电路的寄生电容并联附加了电容性元件的电容，LC谐振路径的电容量变大，能够降低LC谐振的谐振频率。
驱动电路最好是还包含提供规定电压的电压源，开关电路的一端连接于电压源，开关电路的另一端连接于配线部分。
在这种情况下，电源提供的电压通过开关电路和配线部分施加于电容性负载，可以利用该电压驱动电容性负载，所以能够在施加驱动脉冲时降低LC谐振的谐振频率，能够进一步抑制不需要的高频电磁波辐射。
最好是压源包含提供使驱动脉冲上升用的第1电压的第1电压源和提供使驱动脉冲下降的、比第1电压低的第2电压的第2电压源，开关电路包含一端连接于第1电压源的第1开关元件和一端连接于第2电压源的第2开关元件，配线部分包含一端连接于第1开关元件的另一端的第1配线部分、和一端连接于第2开关元件的另一端，另一端连接于第1配线部分的另一端的第2配线部分，降频电路包含与第1开关元件并联连接的第1电容性元件和与第2开关元件并联连接的第2电容性元件。
在这种情况下，可以通过第1开关元件及第1配线部分提供第1电压使驱动脉冲上升，通过第2开关元件及第2配线部分提供第2电压使驱动脉冲下降。又，可以利用第1及第2电容性元件使LC谐振电路的电容量变大，降低各开关元件及配线部分引起的LC谐振的谐振频率。其结果是，可以使驱动脉冲上升及下降，同时可以降低LC谐振的谐振频率，可以进一步抑制不需要的高频电磁波辐射。
最好是驱动电路还包含一端连接于电容性负载的电感元件和从电容性负载回收电荷的回收用电容性元件，开关电路包含一端连接于电感元件的另一端的单向导通元件和一端与单向导通元件的另一端连接的开关元件，配线部分的一端与开关元件的另一端连接，配线部分的另一端与回收用电容性元件的一端连接，降频电路包含与开关元件并联连接的电容性元件。
在这种情况下，电感元件与电容性负载的LC谐振能够使驱动脉冲上升或下降，同时能够利用回收用电容性元件从电容性负载回收电荷，因此能够减少驱动电路的功率消耗。又，利用电容性元件使LC谐振路径的电容加大，可以降低开关元件及配线部分引起的LC谐振的谐振频率，因此能够抑制不需要的高频电磁波辐射。
最好是驱动电路还包含一端连接于电容性负载的电感元件和从电容性负载回收电荷的回收用电容性元件，开关电路包含一端连接于回收用电容性元件的一端的开关元件和一端与开关元件的另一端连接的单向导通元件，配线部分的一端与单向导通元件的另一端连接，配线部分的另一端与电感元件的另一端连接，降频电路包含与单向导通元件并联连接的电容性元件。
在这种情况下，电感元件与电容性负载的LC谐振能够使驱动脉冲上升或下降，同时能够利用回收用电容性元件从电容性负载回收电荷，因此能够减少驱动电路的功率消耗。又，利用电容性元件使LC谐振路径的电容加大，可以降低单向导通元件及配线部分引起的LC谐振的谐振频率，因此能够抑制不需要的高频电磁波辐射最好是驱动电路还包含提供规定电压的电压源、一端连接于电容性负载的电感元件、从电容性负载回收电荷的回收用电容性元件和连接回收用电容性元件与电感元件用的连接电路，保护电路保护一端连接于电压源，另一端与连接电路的电感元件一侧的一端连接的单向导通元件，降频电路包含与单向导通元件并联连接的电容性元件。
在这种情况下，利用单向导通元件可以防止电源向连接电路提供过电压。又，电感元件与电容性负载的LC谐振能够使驱动脉冲上升或下降，同时能够利用回收用电容性元件从电容性负载回收电荷，因此能够减少驱动电路的功率消耗。又，利用电容性元件使LC谐振路径的电容加大，可以降低单向导通元件及配线部分引起的LC谐振的谐振频率，因此能够抑制不需要的高频电磁波辐射。
作为本发明的另一种的显示装置，包含具备由多个电极构成的多个电容性负载的显示面板和输出驱动脉冲，驱动显示面板的电容性负载的驱动电路，驱动电路具备连接于将驱动脉冲提供给电容性负载用的脉冲供给线路上的电路、连接于电路上的配线部分、以及降低电路寄生电容与配线部分的电感成分的LC谐振的谐振频率的降频电路。
在这种显示装置中，由于使得将驱动脉冲提供给电容性负载用的脉冲供给线路上连接的电路的寄生电容量与配线部分的电感成分的LC谐振的谐振频率降低，所以即使是对显示面板的多个电容性负载进行驱动，也能够抑制驱动电路产生的不需要的高频电磁波辐射，能够抑制显示装置发生的不需要的高频电磁波辐射。
电路最好是包含将驱动脉冲施加于电容性负载用的开关电路。
在这种情况下，由于使得将驱动脉冲施加于电容性负载用的开关电路的寄生电容量与配线部分的电感成分的LC谐振的谐振频率降低，所以能够降低LC谐振产生的电磁波频率，能够抑制显示装置发生的不需要的高频电磁波辐射。
最好是电容性负载包含由多个电极构成的放电单元，开关电路包含在使放电单元点亮的维持时间里将维持脉冲施加于电容性负载用的维持脉冲用开关电路。
在这种情况下，由于在使放电单元点亮的维持时间里将维持脉冲施加于电容性负载用的维持脉冲用开关电路的寄生电容量与配线部分的电感成分的LC谐振的谐振频率被降低，所以能够在维持时间里降低LC谐振产生的电磁波频率，能够抑制显示装置发生的不需要的高频电磁波辐射。
最好是电容性负载包含由多个电极构成的放电单元，开关电路包含在对放电单元的电极的壁电荷进行调整的初始化期间对电容性负载施加初始化脉冲用的初始化脉冲用开关电路。
在这种情况下，在对放电单元的电极的壁电荷进行调整的初始化期间，对电容性负载施加初始化脉冲用的初始化脉冲用开关电路的寄生电容量与配线部分的电感成分的LC谐振的谐振频率被降低，所以即使是用施加初始化脉冲的驱动电路，也能够在维持时间里降低LC谐振产生的电磁波频率，能够抑制显示装置发生的不需要的高频电磁波辐射。
电路最好是包含用于防止在其他电气元件上施加过电压的保护电路。
在这种情况下，用于防止在其他电气元件上施加过电压的保护电路的寄生电容量与配线部分的电感成分的LC谐振的谐振频率被降低，所以能够降低LC谐振产生的电磁波频率，能够抑制显示装置发生的不需要的高频电磁波辐射。
降频电路最好能够把LC谐振的谐振频率降低到30MHz以下。
在这种情况下，由于把LC谐振的谐振频率降低到小于30MHz，所以能够抑制显示装置发生的频率在30MHz以上的电磁波辐射。
图1是使用本发明第1实施例的维持驱动装置的等离子体显示装置的结构方框图。
图2是表示图1所示的PDP中的扫描电极及维持电压的驱动电压的一个例子的时序图。
图3是表示本发明第1实施例的图1所示的维持驱动装置的结构的电路图。
图4是表示在FET的漏极-源极之间连接电容器的情况下和不连接电容器的情况下漏极-源极之间的电压与电容量的关系图。
图5是图1所示的等离子体显示装置发射出的电磁波辐射的电平与频率的关系图。
图6是表示本发明第2实施例的维持驱动装置的结构的电路图。
图7是用于说明图6所示的维持驱动装置在维持期间的动作的时序图。
图8是表示本发明第3实施例的维持驱动装置的结构的电路图。
图9是表示本发明第4实施例的维持驱动装置的结构的电路图。
图10是用于说明图9所示的维持驱动装置在维持期间的动作的时序图。
图11是表示本发明第5实施例的维持驱动装置的结构的电路图。
图12是表示本发明第6实施例的扫描驱动装置的结构的电路图。
图13是已有的维持驱动装置的结构的电路图。
图14是表示图13所示的维持驱动装置在维持期间的动作的时序图。
具体实施例方式
作为本发明的驱动电路的一个例子，下面对使用于等离子体显示装置的维持驱动装置进行说明。本发明的驱动电路只要是驱动电容性负载的驱动电路，同样也可以适用于其他装置。例如可以适用于等离子体显示板、液晶显示器、电致发光显示器等显示装置的驱动电路。又，在将本发明的驱动电路使用于等离子体显示板的情况下，可以使用于AC型或DC型等任何一种等离子体显示板的驱动电路，对地址电极、维持电极、以及扫描电极中的任何一种电极的驱动电路都适用，但是使用于维持电极和扫描电极的驱动装置更加合适。
图1是使用本发明第1实施例的维持驱动装置的等离子体显示装置的结构方框图。图1的等离子体显示装置包含PDP(等离子体显示板)1、数据驱动装置2、扫描驱动装置3、多个扫描驱动装置IC(电路)3a以及维持驱动装置4。
PDP1包含多个地址电极(数据电极)11、多个扫描电极12、以及多个维持电极13。多个地址电极11排列于画面的垂直方向上，多个扫描电极12和多个维持电极13排列于画面的水平方向上。又，多个维持电极13连接在一起。地址电极11、扫描电极12、以及维持电极13的各交点上形成放电单元，各放电单元构成画面上的像素。
数据驱动装置2连接于PDP1的多个地址电极11上。多个扫描驱动装置IC3a连接于扫描驱动装置3。各扫描驱动装置IC3a上连接着PDP1的多个扫描电极12。维持驱动装置4连接于PDP1的多个维持电极13上。
数据驱动装置2在写入期间根据图像数据将写入脉冲加在PDP1的相应的地址电极11上。多个扫描驱动装置IC3a由扫描驱动装置3驱动，在写入期间，一边使移位脉冲SH在垂直扫描方向上位移，一边依序在PDP1的多个扫描电极12上加上写入脉冲。以此在相应的放电单元进行地址(address)放电。
又，多个扫描驱动装置IC3a在维持期间将周期性维持脉冲施加于PDP1的多个扫描电极12上。而维持驱动装置4在维持期间同时在PDP1的多个维持电极13加上与扫描电极12的维持脉冲有180°相位偏差的维持脉冲。以此在相应的放电单元进行维持放电。
图2是表示图1的PDP中的扫描电极12及维持电极13的驱动电压的一个例子的时序图。
在初始化和写入期间，同时在多个扫描电极12加以初始化脉冲(set up脉冲)Pset。然后在多个扫描电极12上依序施加写入脉冲Pw。以此在PDP1的相应的放电单元引起地址放电。
接着，在维持期间对多个扫描电极12周期性施加维持脉冲Psc，在多个维持电极13周期性施加维持脉冲Psu。维持脉冲Psu的相位与维持脉冲Psc的相位偏差180°。以此接着地址放电继续产生维持放电。
下面对图1所示的维持驱动装置4进行说明。图3是表示图1所示的维持驱动装置4的结构的电路图。
图3的维持驱动装置4包含作为开关元件的n沟道型的FET(场效应晶体管，下称“晶体管”)Q1～Q4、电容器C1、C2、回收电容器Cr、再生线圈L以及二极管D1、D2。
晶体管Q1一端连接于电源端子V1，另一端通过配线L1连接于节点N1，栅极输入控制信号S1。晶体管Q1在漏极-源极之间有作为寄生电容的CP1，晶体管Q1在漏极-源极之间并联连接电容器C1。电源端子V1上施加电压Vsus。
晶体管Q2一端通过配线12连接于节点N1，另一端连接于接地端子，栅极上输入控制信号S2。晶体管Q2在漏极-源极之间有作为寄生电容的CP2，晶体管Q2在漏极-源极之间并联连接电容器C2。
节点N1连接于例如480个维持电极13，在图3中表示出相当于多个维持电极13与接地端子之间的总电容量的面板电容器Cp。
回收电容器Cr连接于节点N3与接地端子之间。晶体管Q3及二极管D1串联连接于节点N3与节点N2之间。二极管D2及晶体管Q4串联连接于节点N2与节点N3之间。晶体管Q3的栅极输入控制信号S3，晶体管Q4的栅极输入控制信号S4。再生线圈L连接于节点N2与节点N1之间。
在本实施例中，晶体管Q1、Q2相当于电路、开关电路及维持脉冲用开关电路，配线L1、L2相当于配线部分，电容器C1、C2相当于降频电路，电源端子V1及接地端子相当于电压源。又，晶体管Q1相当于第1开关元件，晶体管Q2相当于第2开关元件，配线L1相当于第1配线部分，配线L2相当于第2配线部分，电容器C1相当于第1电容性元件，电容器C2相当于第2电容性元件，电源端子V1相当于第1电压源，接地端子相当于第2电压源。
下面对如上所述构成的维持驱动装置4在维持期间的动作加以说明。
首先，控制信号S2为低电平，晶体管Q2截止，控制信号S3为高电平，晶体管Q3导通。这时，控制信号S1处于低电平，晶体管Q1截止，控制信号S4处于低电平，晶体管Q4截止。因此回收电容器Cr通过晶体管Q3和二极管D1连接于再生线圈L，再生线圈L和面板电容器Cp产生的LC谐振使节点N1的电压平滑上升。这时回收电容器Cr的电荷通过晶体管Q3、二极管D1和再生线圈L向面板电容器Cp放出。
又，这时通过晶体管Q3、二极管D1和再生线圈L流动的电流不仅流入面板电容器Cp，而且通过配线L1流过晶体管Q1的漏极-源极之间的电容CP1及电容器C1，同时通过配线L2流往晶体管Q2的漏极-源极之间的电容CP2及电容器C2。因此配线L1、L2的各电感成分与晶体管Q1、Q2的各漏极-源极之间的电容CP1、CP2及电容器C1、C2产生LC谐振。
但是，在本实施例中对该LC谐振的作出贡献的电容量是漏极-源极之间的电容CP1、CP2及电容器C1、C2各个相加的电容量，因此其谐振频率比只有漏极-源极之间的电容CP1、CP2的谐振的频率低。具体地说，为了使LC谐振的频率小于30MHz，将各电容器C1、C2的电容量设定为各晶体管Q1、Q2的漏极-源极之间的电容CP1、CP2的电容量的例如5～10倍左右。
在这里，作为一个例子，对在FET的漏极-源极之间并联连接2000pF的电容器的情况下漏极-源极之间的电容量与漏极-源极之间的电压的关系加以说明。图4是在FET并联连接和不连接2000pF的电容器的情况下漏极-源极之间的电容量Cds(pF)与漏极-源极之间的电压Vds(V)的关系图。图4中，FET的漏极-源极之间不连接电容器的情况用虚线表示，并联连接2000pF的电容器的情况用实线表示。
如图4所示，一旦在FET的漏极-源极之间并联连接2000pF的电容器，与不连接的情况相比，漏极-源极之间的电容量Cds增加。在本实施例的情况下，图3所示的晶体管Q1、Q2的漏极-源极之间的电压Vds约为200V，因此将2000pF的电容器并联连接于各晶体管Q1、Q2的漏极-源极之间，以此使各晶体管Q1、Q2的漏极-源极之间的电容量Cds比没有连接电容器的情况增加约10倍左右。
如上所述，在晶体管Q1、Q2的漏极-源极之间并联连接电容器C1、C2，以使晶体管Q3从截止变成导通时发生的、配线L1、L2的电感成分与晶体管Q1、Q2的漏极-源极之间的电容CP1、CP2及电容器C1、C2产生的LC谐振的谐振频率小于30MHz，可以抑制30MHz以上的不需要的电磁波辐射。
接着，控制信号S1变成高电平，晶体管Q1导通，控制信号S3变成低电平，晶体管Q3截止。因此，节点N1连接于电源端子V1，节点N1的电压急剧上升，固定于电压Vsus。
这时，从电源端子V1通过晶体管Q1流动的电流不仅流入面板电容器Cp，而且也通过配线L1、L2流入晶体管Q2的漏极-源极之间的电容CP2及电容器C2。因此，配线L1、L2的电感成分与晶体管Q2的漏极-源极之间的电容CP2及电容器C2产生LC谐振。
在这种情况下，也与上面所述相同，对该LC谐振有贡献的电容是漏极-源极之间的电容CP2与电容器C2相加的电容量，因此晶体管Q1从截止变成导通时发生的、配线L1、L2的电感成分与晶体管Q2的漏极-源极之间的电容CP2及电容器C2产生的LC谐振的谐振频率小于30MHz，可以抑制30MHz以上的不需要的电磁波辐射。
接着，控制信号S1变成低电平，晶体管Q1截止，控制信号S4变成高电平，晶体管Q4导通。因此回收电容器Cr通过二极管D2及晶体管Q4连接于回收电感L，回收电感L及面板电容器Cp引起的LC谐振使节点N1的电压缓慢下降。这时存储于面板电容器Cp的电荷通过再生线圈L、二极管D2、以及晶体管Q4存储于回收电容器Cr，电荷被回收。
又，这时，从面板电容器Cp流出的电流不仅通过再生线圈L、二极管D2、及晶体管Q4流入回收电容器Cr，而且也通过配线L1、L2流入晶体管Q1、Q2的漏极-源极之间的电容CP1、CP2及电容器C1、C2。因此，配线L1、L2的电感成分与晶体管Q1、Q2的漏极-源极之间的电容CP1、CP2及电容器C1、C2产生LC谐振。
在这种情况下，也与上面所述相同，对该LC谐振有贡献的电容是漏极-源极之间的电容CP1、CP2与电容器C1、C2相加的电容量，因此晶体管Q4从截止变成导通时发生的、配线L1、L2的电感成分与晶体管Q1、Q2的漏极-源极之间的电容CP1、CP2及电容器C1、C2产生的LC谐振的谐振频率小于30MHz，可以抑制30MHz以上的不需要的电磁波辐射。
接着，控制信号S2变成高电平，晶体管Q2导通，控制信号S4变成低电平，晶体管Q4截止。因此节点N1连接于接地端子，节点N1的电压急剧下降。固定于接地电位。
这时，通过晶体管Q2流向接地端子的电流不仅从面板电容器Cp流入，而且也通过配线L1、L2从晶体管Q1的漏极-源极之间的电容CP1及电容器C1流入。因此，配线L1、L2的电感成分与晶体管Q1的漏极-源极之间的电容CP1及电容器C1产生LC谐振。
在这种情况下，也与上面所述相同，对该LC谐振有贡献的电容是漏极-源极之间的电容CP1与电容器C1相加的电容量，因此晶体管Q2从截止变成导通时发生的、配线L1、L2的电感成分与晶体管Q1的漏极-源极之间的电容CP1及电容器C1产生的LC谐振的谐振频率也小于30MHz，可以抑制30MHz以上的不需要的电磁波辐射在维持期间反复进行上述动作，以此在多个维持电极13周期性施加与图14所示的已有的维持脉冲Psu相同波形的维持脉冲Psu，同时抑制30MHz以上的不需要的电磁波辐射。
下面对如上所述在晶体管Q1、Q2上并联连接电容器C1、C2的情况下的电磁波辐射电平降低效果进行说明。图5是图1所示的等离子体显示装置发射出的电磁波辐射的电平与频率的关系图。在图5，实线表示将电容器C1、C2并联连接于晶体管Q1、Q2的漏极-源极之间的情况，虚线表示没有连接电容器C1、C2的情况。
如图5所示，在没有连接电容器C1、C2的情况下，电磁波的辐射电平在比30MHz高的频率f0达到峰值，30MHz以上的区域的电磁波辐射电平较高。而在将电容器C1、C2并联连接于晶体管Q1、Q2的漏极-源极之间的情况下，谐振频率从f0下降到f1，在比30MHz低的频率f1达到峰值。因此，30MHz以上区域的电磁波辐射电平十分低，可以充分抑制30MHz以上的不需要的电磁波辐射。
如上所述，在本实施例中，由于在晶体管Q1、Q2的漏极-源极之间并联连接电容器C1、C2，可以使晶体管Q1～Q4从截止变成导通时发生的LC谐振的谐振频率向小于30MHz的低频率方向移动。因此可以抑制30MHz以上的高频电磁波辐射。
下面对图1所示的作为维持驱动装置4使用的其他维持驱动装置加以说明。图6是表示本发明第2实施例的维持驱动装置的结构的电路图。
图6所示的维持驱动装置4a与图3所示的维持驱动装置4的差异在于，省略电容器C1、C2，附加与晶体管Q3、Q4并联连接的容器C3、C4。其他方面与图3所示的维持驱动装置4相同，相同的部分标以相同的符号，下面省略其详细说明。
如图6所示，电容器C3并联连接于晶体管Q3的漏极-源极之间，电容器C4并联连接于晶体管Q4的漏极-源极之间。晶体管Q3的一端通过配线L3连接于节点N3，晶体管Q4的一端通过配线L4连接于节点N3。而且，配线L3及配线L4是指晶体管Q3及晶体管Q4的漏极-源极之间的全部配线。晶体管Q3在漏极-源极之间有寄生电容即电容CP3，晶体管Q4在漏极-源极之间有寄生电容即电容CP4。二极管D1在阳极-阴极之间有寄生电容即电容CP5，二极管D2在阳极-阴极之间有寄生电容即电容CP6。
在本实施例中，晶体管Q3、Q4相当于电路、开关电路及维持脉冲用开关电路，配线L3、L4相当于配线部分，电容器C3、C4相当于降频电路，再生线圈L相当于电感元件，回收电容器Cr相当于回收用的电容性元件，二极管D1、D2相当于单向导通元件，晶体管Q3、Q4相当于开关元件。
下面对如上所述构成的维持驱动装置4a在维持期间的动作加以说明。图7是用于说明图6所示的维持驱动装置4a在维持期间的动作用的时序图。在图7中，表示出晶体管Q1～Q4输入的控制信号S1～S4及节点N1～N3的各电压。图6所示的维持驱动装置4a的基本动作与图3所示的维持驱动装置4相同，因此下面只对LC谐振发生机制等不同点进行详细说明。
首先，晶体管Q4的漏极-源极之间的电容CP4及配线L4的电感成分引起的LC谐振是在晶体管Q4处于截止状态，而且晶体管Q4的漏极-源极之间发生急剧的电压变化的情况下发生的。具体地说，漏极-源极之间的电容CP4及配线L4的电感成分引起的LC谐振是在图7所示的时刻t1、t2发生的。
在时刻t1，控制信号S3变成高电平，晶体管Q3导通，在节点N2的电位从0V上升到节点N3的电位约Vsus/2是瞬间发生LC谐振。这时，高频电流通过二极管D2的阳极-阴极之间的电容CP6、晶体管Q4的漏极-源极之间的电容CP4及配线L4，从节点N2流向节点N3。因此晶体管Q4的漏极-源极之间的电容CP4及配线L4的电感成分引起高频LC谐振，产生高频电磁波辐射。
又，在时刻t2，节点N1的电位由于再生线圈L及平板电容Cp引起LC谐振而开始从峰值电压下降，一旦流入再生线圈L的电流方向逆转，从节点N1流向节点N2，二极管D1就不导通，因此电流路径被截断，节点N2的电位急剧向节点N1的电位上升。这时，二极管D1的阳极-阴极之间的电容CP5等连接于节点N2的杂散电容及再生线圈L产生LC谐振，在节点N2的电位一边阻尼振荡(ringing)一边上升的瞬间发生高频LC谐振。
这时，二极管D2导通，高频电流通过晶体管Q4的漏极-源极之间的电容CP4与配线L4从节点N2流向节点N3。因此，晶体管Q4的漏极-源极之间的电容CP4及配线L4的电感成分产生高频LC谐振，发生高频电磁波辐射。
但是在本实施例中，由于电容器C4并联连接于晶体管Q4，对晶体管Q4的漏极-源极之间的电容CP4及配线L4的电感成分产生的LC谐振有贡献的电容是晶体管Q4的漏极-源极之间的电容CP4与电容器C4的电容量的相加，所以其谐振频率比只是由漏极-源极之间的电容CP4引起的谐振的谐振频率低。具体地说，设定电容器C4的电容量，使该LC谐振的谐振频率小于30MHz，抑制30MHz以上的不需要的电磁波辐射。
接着，晶体管Q3的漏极-源极之间的电容CP3及配线L3的电感成分产生的LC谐振在晶体管Q3处于截止状态，并且晶体管Q3的漏极-源极之间电压发生急剧变化的情况下发生。具体地说，在图7所示的时刻t3、t4，漏极-源极之间的电容CP3及配线L3的电感成分产生LC谐振。
在时刻t3，维持脉冲Psu上升时的电力再生时期结束，控制信号S1变成高电平，晶体管Q1导通，从电源端子V1的电压Vsus被施加于节点N2的状态出发，控制信号S4变成高电平，晶体管Q4导通，节点N2的电位从Vsus下降到节点N3的电位约Vsus/2的瞬间发生LC谐振。
这时，高频电流通过配线L3、晶体管Q3的漏极-源极之间的电容CP3及二极管D1的阳极-阴极之间的电容CP5，从节点N3流向节点N2。因此，晶体管Q3的漏极-源极之间的电容CP3及配线L3的电感成分引起高频LC谐振，产生高频电磁波辐射。
又，在时刻t4，维持脉冲Psu下降时的电力再生时期结束，流往再生线圈L的电流的方向逆转，从节点N2流往节点N1，二极管D2变成不导通，因此电流路径中断，节点N2的电位急剧向节点N1的电位下降。这时，二极管D2的阳极-阴极之间的电容CP6等连接于节点N2的杂散电容及再生线圈L产生LC谐振，在节点N2的电位一边阻尼振荡(ringing)一边下降的瞬间发生高频LC谐振。
这时，二极管D1导通，高频电流通过配线L3及晶体管Q3的漏极-源极之间的电容CP3从节点N3流向节点N2。因此，晶体管Q3的漏极-源极之间的电容CP3及配线L3的电感成分产生高频LC谐振，发生高频电磁波辐射。
但是，在本实施例中，对由电容器C3并联连接于晶体管Q3，晶体管Q3的漏极-源极之间的电容CP3及配线L3的电感成分产生的LC谐振有贡献的电容是晶体管Q3的漏极-源极之间的电容CP3与电容器C3的电容量的和，因此其谐振频率比只有漏极-源极之间的电容CP3引起谐振时的谐振频率低。具体地说，设定电容器C3的电容量，使该LC谐振的谐振频率小于30MHz，抑制30MHz以上的不需要的电磁波辐射。
如上所述，本实施例也是电容器C3、C4并联连接于晶体管Q3、Q4的漏极-源极之间，因此可以使配线L3、L4的电感成分与晶体管Q3、Q4的漏极-源极之间的电容CP3、CP4产生的LC谐振的谐振频率移动到小于30MHz的低频，因此能够抑制30MHz以上的高频电磁波辐射。
图8是表示本发明第3实施例的维持驱动装置的结构的电路图。图8所示的维持驱动装置4b与图3所示的维持驱动装置4的不同点在于，省略电容器C1、C2，附加并联连接于二极管D1、D2的电容器C5、C6，其他方面与图3所示的维持驱动装置4相同，因此相同的部分标以相同的符号，下面省略其详细说明。如图8所示，电容器C5并联连接于二极管D1的阳极-阴极之间，电容器C6并联连接于二极管D2的阳极-阴极之间。二极管D1的阴极通过配线L5连接于节点N2，二极管D2的阳极通过配线L6连接于节点N2。二极管D1的阳极-阴极之间有寄生电容即电容CP5，二极管D2的阳极-阴极之间有寄生电容即电容CP6。还有，晶体管Q3、Q4也与第2实施例一样在具有寄生电容CP3、CP4。
在本实施例中，二极管D1、D2相当于电路、开关电路及维持脉冲用开关电路，配线L5、L6相当于配线部分，电容器C5、C6相当于降频电路，再生线圈L相当于电感元件，回收电容器Cr相当于回收用的电容性元件，二极管D1、D2相当于单向导通元件，晶体管Q3、Q4相当于开关元件。
下面对如上所述构成的维持驱动装置4b在维持期间的动作加以说明。图8所示的维持驱动装置4b的基本动作与图3和图6所示的维持驱动装置4、4a相同，因此下面只对LC谐振的发生机制等不同点进行详细说明。
首先，二极管D1的阳极-阴极之间的电容CP5及配线L5的电感成分引起的LC谐振是在二极管D1处于截止状态，而且二极管D1的阳极-阴极之间发生急剧的电压变化的情况下发生的。具体地说，阳极-阴极之间的电容CP5及配线L5的电感成分引起的LC谐振是在图7所示的时刻t2、t3发生的。
在时刻t2，控制信号S3变成高电平，晶体管Q3导通，节点N2的电位与节点N3的电位约Vsus/2相同，节点N1的电位由于再生线圈L及平板电容Cp产生的LC谐振而从峰值电压开始下降，一旦流入再生线圈L的电流方向逆转，从节点N1流向节点N2，二极管D1就不导通，因此电流路径被截断，节点N2的电位急剧向节点N1的电位上升。这时，二极管D1的阳极-阴极之间的电容CP5等连接于节点N2的杂散电容及再生线圈L产生LC谐振，在节点N2的电位一边阻尼振荡一边上升的瞬间发生高频LC谐振。
这时，二极管D1处于逆偏置的状态而截止，而晶体管Q3导通，因此高频电流通过配线L5及二极管D1的阳极-阴极之间的电容CP5与从节点N2流向节点N3。因此，二极管D1的阳极-阴极之间的电容CP5及配线L5的电感成分产生高频LC谐振，发生高频电磁波辐射。
又，在时刻t3，维持脉冲Psu上升时的电力再生时期结束，控制信号S1变成高电平，晶体管Q1导通，从电源端子V1的电压Vsus被施加于节点N2的状态出发，控制信号S4变成高电平，晶体管Q4导通，节点N2的电位从Vsus下降到节点N3的电位约Vsus/2的瞬间发生LC谐振。
这时，高频电流通过晶体管Q3的漏极-源极之间的电容CP3、二极管D1的阳极-阴极之间的电容CP5及配线L5从节点N3流向节点N2。因此，二极管D1的阳极-阴极之间的电容CP5及配线L5的电感成分引起高频LC谐振，产生高频电磁波辐射但是，在本实施例中，对由电容器C5并联连接于二极管D1，二极管D1的阳极-阴极之间的电容CP5及配线L5的电感成分产生的LC谐振有贡献的电容是二极管D1的阳极-阴极之间的电容CP5与电容器C5的电容量的和，因此其谐振频率比只有阳极-阴极之间的电容CP5引起谐振时的谐振频率低。具体地说，设定电容器C5的电容量，使该LC谐振的谐振频率小于30MHz，抑制30MHz以上的不需要的电磁波辐射。
接着，二极管D2的阳极-阴极之间的电容CP6及配线L6的电感成分产生的LC谐振是在二极管D2处于截止状态，而且二极管D2的阳极-阴极之间发生急剧的电压变化的情况下发生的。具体地说，漏极-源极之间的电容CP6及配线L6的电感成分引起的LC谐振是在图7所示的时刻t1、t4发生的。
在时刻t1，控制信号S3变成高电平，晶体管Q3导通，在节点N2的电位从0V上升到节点N3的电位约Vsus/2的瞬间发生LC谐振。这时，高频电流通过配线L6、二极管D2的阳极-阴极之间的电容CP6及晶体管Q4的漏极-源极之间的电容CP4，从节点N2流向节点N3。因此二极管D2的阳极-阴极之间的电容CP6及配线L6的电感成分产生LC谐振，产生高频电磁波辐射。
又，在时刻t4，维持脉冲Psu下降时的电力再生时期结束，流往再生线圈L的电流的方向逆转，从节点N2流往节点N1，二极管D2变成不导通，因此电流路径中断，节点N2的电位急剧向节点N1的电位下降。这时，二极管D2的阳极-阴极之间的电容CP6等连接于节点N2的杂散电容及再生线圈L产生LC谐振，在节点N2的电位一边阻尼振荡(ringing)一边下降的瞬间发生高频LC谐振。
这时，二极管D2处于逆偏置的状态而截止，而晶体管Q4导通，因此高频电流通过二极管D2的阳极-阴极之间的电容CP6及配线L6从节点N3流向节点N2。因此，二极管D2的阳极-阴极之间的电容CP6及配线L6的电感成分产生高频LC谐振，发生高频电磁波辐射。。
但是在本实施例中，由于电容器C6并联连接于二极管D2，对二极管D2的阳极-阴极之间的电容CP6及配线L6的电感成分产生的LC谐振有贡献的电容是二极管D2的阳极-阴极之间的电容CP6与电容器C6的电容量的和，所以其谐振频率比只是由阳极-阴极之间的电容CP6引起的谐振的谐振频率低。具体地说，设定电容器C6的电容量，使该LC谐振的谐振频率小于30MHz，抑制30MHz以上的不需要的电磁波辐射。
如上所述，本实施例也是电容器C5、C6并联连接于二极管D1、D2的阳极-阴极之间，因此可以使配线L5、L6的电感成分与二极管D1、D2的阳极-阴极之间的电容CP5、CP6产生的LC谐振的谐振频率移动到小于30MHz的低频。因此能够抑制30MHz以上的高频电磁波辐射。
图9是表示本发明第4实施例的维持驱动装置的结构的电路图。
图9所示的维持驱动装置4c与图3所示的维持驱动装置4的不同点在于，省略电容器C1、C2，在电源端子V1与节点N2之间附加二极管D3及电容器C7，在节点N2与接地端子之间附加二极管D4及电容器C8，其他方面与图3所示的维持驱动装置4相同，因此相同的部分标以相同的符号，下面省略其详细说明。
如图9所示，二极管D3阴极连接于电源端子V1，阳极通过配线L7连接于节点N2。二极管D3的阳极-阴极之间有寄生电容即电容CP7，二极管D3的阳极-阴极之间并联连接电容器C7。
又，二极管D4的阴极配线L8连接于节点N2，阳极连接于接地端子。二极管D4的阳极-阴极之间有寄生电容即电容CP8，二极管D4的阳极-阴极之间并联连接电容器C8。
二极管D3、D4是为限流目的而附加的，在晶体管Q3、Q4耐压低的情况下，保护晶体管Q3、Q4，使其免受其耐压以上的电压的损害。因此二极管D3通常处于截止状态，只有在节点N2的电位高于Vsus时导通，二极管D4通常处于截止状态，只有在节点N2的电位低于0伏特时导通，因此节点N2的电位被限制于0V～Vsus之间的范围内。
在本实施例中，二极管D3、D4相当于电路及保护电路，配线L7、L8相当于配线部分，电容器C7、C8相当于降频电路，电源端子V1及接地端子相当于电压源，再生线圈L相当于电感元件，回收电容器Cr相当于回收用的电容性元件，晶体管Q3、Q4及二极管D1、D2相当于连接电路，二极管D3、D4相当于单向导通元件，电容器C7、C8相当于电容性元件。
下面对如上所述构成的维持驱动装置4c在维持期间的动作加以说明。图10是用于说明图9所示的维持驱动装置4c在维持期间的动作的时序图。在图10中，表示出输入晶体管Q1～Q4的控制信号S1～S4及各节点N1～N3的电压。还有，图9所示的维持驱动装置4c的基本动作与图3和图6所示的维持驱动装置4、4a相同，因此下面只对LC谐振的发生机制等不同点进行详细说明。
首先，二极管D3的阳极-阴极之间的电容CP7及配线L7的电感成分引起的LC谐振是在二极管D3处于截止状态，而且二极管D3的阳极-阴极之间发生急剧的电压变化的情况下发生的。在这里，二极管D3的阴极一侧的电位利用电源端子V1固定于Vsus，因此，在节点N2的电位发生变化的所有的时间，二极管D3的阴极-阳极之间的电压发生变化。
具体地说，如图10所示，晶体管Q3导通，节点N2的电位从0V向约Vsus/2上升的瞬间即时刻t1、上升时的电力再生期间结束，节点N2的电位向Vsus上升的瞬间即时刻t2、晶体管Q4导通，节点N2的电位从Vsus向约Vsus/2下降的瞬间即时刻t3、下降时的电力再生期间结束，节点N2的电位向0V下降的瞬间即时刻t4各时刻，二极管D3的阴极-阳极之间的电压发生变化。这时，高频电流流入阴极-阳极之间的电容器CP7，二极管D3的阴极-阳极之间的电容器CP7及配线L7的电感成分产生高频LC谐振，辐射高频电磁波。
但是在本实施例中，由于电容器C7并联连接于二极管D3，对二极管D3的阳极-阴极之间的电容CP7及配线L7的电感成分产生的LC谐振有贡献的电容是二极管D3的阳极-阴极之间的电容CP7与电容器C7的电容量的和，所以其谐振频率比只是由阳极-阴极之间的电容CP7引起的谐振的谐振频率低。具体地说，设定电容器C7的电容量，使该LC谐振的谐振频率小于30MHz，抑制30MHz以上的不需要的电磁波辐射。
其次，二极管D4的阳极-阴极之间的电容CP8及配线L8的电感成分引起的LC谐振是在二极管D4处于截止状态，而且二极管D4的阳极-阴极之间发生急剧的电压变化的情况下发生的。在这里，二极管D4的阳极侧的电位利用接地端子固定于0伏特，所有在节点N2的电位发生变化的所有的时间，二极管D3的阳极-阴极之间的电压发生变化。
因此，与二极管D3相同，在上述的t1～t4的各时刻二极管D4的阳极-阴极之间的电压发生变化。这时，高频电流流入阳极-阴极之间的电容CP8，二极管D4的阳极-阴极之间的电容CP8及配线L8的电感成分引起高频LC谐振，辐射高频电磁波。
但是在本实施例中，由于电容器C8并联连接于二极管D4，对二极管D4的阳极-阴极之间的电容CP8及配线L8的电感成分产生的LC谐振有贡献的电容是二极管D4的阳极-阴极之间的电容CP8与电容器C8的电容量的和，所以其谐振频率比只是由阳极-阴极之间的电容CP8引起的谐振的谐振频率低。具体地说，设定电容器C8的电容量，使该LC谐振的谐振频率小于30MHz，抑制30MHz以上的不需要的电磁波辐射。
如上所述，本实施例也是电容器C7、C8并联连接于二极管D3、D4的阳极-阴极之间，因此可以使配线L7、L8的电感成分与二极管D3、D4的阳极-阴极之间的电容CP7、CP8产生的LC谐振的谐振频率移动到小于30MHz的低频。因此能够抑制30MHz以上的高频电磁波辐射。
图11是表示本发明第5实施例的维持驱动装置的结构的电路图。
图11所示的维持驱动装置4d与图3所示的维持驱动装置4的不同点在于，与图8及图9所示的维持驱动装置4b、4c一样附加二极管D3、D4以及电容器C5、C6，其他方面与图3所示的维持驱动装置4相同，因此相同的部分标以相同的符号，下面省略其详细说明。
本实施例与第1、3、4实施例一样，电容器C1、C2、C5～C8并联连接于晶体管Q1、Q2及二极管D1～D4，因此可以得到第1、3、4各实施例的效果，可以使各LC谐振的谐振频率移动到小于30MHz的低频，能够进一步抑制30MHz以上的高频电磁波辐射。还有，各实施例的组合不受上述实施例的特别限制，可以有各种组合，同样可以得到组合的各实施例的效果。
还有在上述各说明中，将维持驱动装置作为驱动电路的一个例子加以说明，但是对于扫描驱动装置，也和上面所述一样可以适用本发明，在那样的情况下也能够得到相同的效果。下面叙述例如将本发明适用于图1所示的扫描驱动装置3的情况。
图12是表示本发明第6实施例的扫描驱动装置的结构的电路图。
图12所示的所示的扫描驱动装置3与图3所示的维持驱动装置4的不同点在于，为了在初始化期间产生初始化脉冲Pset，附加由晶体管Q31～Q36、电容器C31～C34、电阻R31、R32电源Vc1、Vc2以及电源端子V31构成的初始化电路，同时还附加用于保护的二极管D3～D5，其他方面与图3所示的维持驱动装置4相同，因此相同的部分标以相同的符号，下面省略其详细说明。
如图12所示，晶体管Q31的一端连接于电源端子V31，另一端通过配线L31连接于节点N1，其栅极连接于节点N31。晶体管Q31的漏极-源极之间有寄生电容即电容CP31，晶体管Q31的漏极-源极之间并联连接电容器C31。电容器33连接于电源端子V31与节点N31之间。电源端子V31上施加初始(set-up)电压Vset。
晶体管Q33的一端通过电源Vc1连接于节点N1，另一端连接于电阻R31的一端，其栅极输入控制信号S31。电阻R31的另一端连接于节点N31。晶体管Q35的一端连接于节点N31，另一端连接于节点N1，其栅极输入控制信号S31。
晶体管Q32的一端连接于接地端子，另一端通过配线L32连接于节点N1，其栅极连接于节点N32。晶体管Q32在漏极-源极之间有作为寄生电容的CP32，晶体管Q32在漏极-源极之间并联连接电容器C32。电容器C34连接于节点N1与节点N32之间。
晶体管Q34一端通过电源Vc2连接于接地端子，另一端连接于电阻R32的一端，其栅极上输入控制信号S32。电阻R32的另一端连接于节点N32。晶体管Q36的一端连接于节点N32，另一端连接于接地端子，其栅极上输入控制信号S32。又，二极管D5与晶体管Q1间的连接点和节点N2之间、节点N2和接地端子之间、以及电源端子V1和晶体管Q1之间，连接用于保护的二极管D3～D5。
在本实施例中，晶体管Q31、Q32相当于电路、开关电路及初始化脉冲用开关电路，配线L31、L32相当于配线部分，电容器C31、C32相当于降频电路，电源端子V31及接地端子相当于电压源。又，晶体管Q31相当于第1开关元件，晶体管Q32相当于第2开关元件，配线L31相当于第1配线部分，配线L32相当于第2配线部分，电容器C31相当于第1电容性元件，电容器C32相当于第2电容性元件，电源端子V31相当于第1电压源，接地端子相当于第2电压源。
下面对如上所述构成的初始化电路的动作加以说明。扫描驱动装置3在维持期间的动作与图10所示相同。
首先，在初始化脉冲Pset的电位为0伏特时晶体管Q31、Q32均处于截止状态。亦即控制信号S31、S32均为高电平，晶体管Q35、Q36导通，晶体管Q31、Q32的栅极-源极之间的电压为0伏特，晶体管Q31、Q32均处于截止状态。
接着，一旦控制信号S31为低电平，晶体管Q35截止，晶体管Q31的栅极与节点N1脱离。这时，晶体管Q33导通，电流就以由电容C33与电阻R31决定的时间常数从电源端子V31流入晶体管Q31的栅极，晶体管Q31的栅极电位开始上升。
在这一状态，一旦节点N31的电压达到晶体管Q31能够导通的电平，晶体管Q31就导通，晶体管Q31的源极电位即节点N1的电位就开始慢慢上升。节点N1的电位一上升，电压Vc1的电位也随着其上升而升高，晶体管Q33继续处于导通状态。其结果是，节点N1的电位达到饱和，等于电源端子V31的初始电压Vset。
接着，一旦使控制信号S31回到高电平，晶体管Q35就导通，晶体管Q31的栅极电位一下子就变成与源极电位相等，晶体管Q31截止。如果在该动作之后立即使控制信号为低电平。则晶体管Q36截止，同时晶体管Q34导通，晶体管Q32的栅极电位以由电阻R32及电容C32决定的时间常数开始上升。
在这种状态下，晶体管Q32的栅极电位一旦上升到规定的电位，晶体管Q32开始导通，因此在节点N1积累的电荷通过晶体管Q32缓慢放电，节点N1的电压最后下降到0伏特。
如图2所示，在初始化期间利用上述动作以斜坡波形从0伏特上升到电压Vset，又以斜坡波形从Vset下降到0伏特，输出三角波形的初始化脉冲Pset。
这样，晶体管Q31、Q32在初始化期间使用于发生初始化脉冲Pset，并且晶体管Q31、Q32连接于面板电容器Cp的充电和放电的电流流过的电流供给路径的节点N1，在初始化期间以外的期间，被置于经常截止的状态。因此，晶体管Q31、Q32的漏极-源极之间的电容CP31、CP32作为负载连接于节点N1。
在这里，晶体管Q31、Q32的一端的电位为固定电位、即电压Vset或接地电位，因此一旦节点N1的电位发生变化，高频电流就流入漏极-源极之间的电容CP31、CP32。特别是在维持脉冲Psc上升时的电力再生期间起到被箝位于Vsus的瞬间、即时刻t2刚过时，以及在维持脉冲Psc下降时的电力再生期间起到被箝位于接地电位的瞬间、即时刻t4刚过时，流过高频电流。因此晶体管Q31、Q32的漏极-源极之间的电容CP31、CP32及配线L31、L32产生的高频LC谐振，辐射高频电磁波但是在本实施例中，由于电容器C31、C32并联连接于晶体管Q31、Q32，对晶体管Q31、Q32的漏极-源极之间的电容CP31、CP32及配线L31、L32的电感成分产生的LC谐振有贡献的电容是晶体管Q31、Q32的漏极-源极之间的电容CP31、CP32及电容器C31、C32分别相加的电容量，所以其谐振频率比只是由漏极-源极之间的电容CP31、CP32引起的谐振的谐振频率低。具体地说，设定电容器C31、C32的电容量，使这些LC谐振的谐振频率小于30MHz，抑制30MHz以上的不需要的电磁波辐射。
如上所述，本实施例也是电容器C31、C32并联连接于晶体管Q31、Q32的漏极-源极之间，因此可以使配线L31、L32的电感成分与晶体管Q31、Q32的漏极-源极之间的电容CP31、CP32产生的LC谐振的谐振频率移动到小于30MHz的低频。因此能够抑制30MHz以上的高频电磁波辐射。
权利要求
1.一种驱动电路，驱动具有电极的显示面板，其特征在于，具备用于从显示面板的电极回收电荷的回收用电容性元件、与所述回收用电容性元件连接的开关电路、与所述开关电路连接的配线部分、以及与所述开关电路并联连接并且用以降低所述开关电路的寄生电容与所述配线部分的电感成分的LC谐振的谐振频率的降频电路，通过所述开关电路以及所述配线部分从所述回收用电容性元件向所述显示面板的电极供给电荷，将电荷从所述显示面板的电极回收至所述回收用电容性元件。
2.一种驱动电路，驱动具有电极的显示面板，其特征在于，具备用于从显示面板的电极回收电荷的回收用电容性元件、与所述回收用电容性元件连接的开关电路、与所述开关电路连接的第1配线部分、与所述开关电路并联地连接于所述电容性元件并且用以降低所述开关电路的寄生电容与所述配线部分的电感成分的LC谐振的谐振频率的降频电路，通过所述开关电路以及所述配线部分从所述回收用电容性元件向所述显示面板的电极供给电荷，将电荷从所述显示面板的电极回收至所述回收用电容性元件。
3.一种驱动电路，驱动具有电极的显示面板，其特征在于，具备用于从显示面板的电极回收电荷的回收用电容性元件、与所述回收用电容性元件连接的晶体管、与所述晶体管连接的配线部分、并联连接在所述晶体管的源极与漏极之间的降频电路，通过所述晶体管及所述配线部分从所述回收用电容性元件向所述显示面板的电极供给电荷，将电荷从所述显示面板的电极回收至所述回收用电容性元件。
4.一种驱动电路，驱动具有电极的显示面板，其特征在于，具备用于从显示面板的电极回收电荷的回收用电容性元件、与所述回收用电容性元件连接的晶体管、与所述晶体管连接的配线部分、在所述晶体管的源极与漏极之间并联地连接于电容性元件的降频电路，通过所述晶体管及所述配线部分从所述回收用电容性元件向所述显示面板的电极供给电荷，将电荷从所述显示面板的电极回收至所述回收用电容性元件。
5.一种显示装置，具备具有电极的显示面板、以及驱动所述显示面板的电极的驱动电路，其特征在于，所述驱动电路包含用于从显示面板的电极回收电荷的回收用电容性元件、与所述回收用电容性元件连接的开关电路、与所述开关电路连接的配线部分、与所述开关电路并联连接并且用以降低所述开关电路的寄生电容与所述配线部分的电感成分的LC谐振的谐振频率的降频电路，通过所述开关电路以及所述配线部分从所述回收用电容性元件向所述显示面板的电极供给电荷，将电荷从所述显示面板的电极回收至所述回收用电容性元件。
6.一种显示装置，具备具有电极的显示面板、以及驱动所述显示面板的电极的驱动电路，其特征在于，所述驱动电路包含用于从显示面板的电极回收电荷的回收用电容性元件、与所述回收用电容性元件连接的开关电路、与所述开关电路连接的第1配线部分、与所述开关电路并联地连接于电容性元件并且用以降低所述开关电路的寄生电容与所述配线部分的电感成分的LC谐振的谐振频率的降频电路，通过所述开关电路以及所述配线部分从所述回收用电容性元件向所述显示面板的电极供给电荷，将电荷从所述显示面板的电极回收至所述回收用电容性元件。
全文摘要
驱动电容性负载(Cp)的驱动电路中，通过晶体管(Q3)、二极管(D1)及再生线圈(L)流动的电流流向配线(L1、L2)，利用配线(L1、L2)的电感成分与晶体管(Q1、Q2)的各漏极－源极之间的电容产生LC谐振。在晶体管(Q1、Q2)的漏极－源极之间并联连接电容器(C1、C2)以增加漏极－源极之间的总电容量，使谐振频率下降，以抑制会对其他电子设备产生影响的频带的不需要的电磁波辐射。
文档编号H02M7/538GK1519803SQ20041000550
公开日2004年8月11日 申请日期2000年11月1日 优先权日1999年11月9日
发明者木子茂雄, 庄司秀彦, 彦, 平, 桥口淳平 申请人:松下电器产业株式会社