专利名称：抑制浪涌电路的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种电路结构，具体为一种适用于有源功率因数 校正电路的抑制浪涌电路。
技术背景传统的有源功率因数校正电路(APFC)的电路结构如图1所示， 由储能电感L1A，高频大功率MOS管Ql，单向二极管D2，和滤波 电容C2组成一种升压式(BOOST)变换器电路，其中，储能电感 L1A与单向二极管D2串联，并与高频大功率MOS管Ql的漏极连 接，单向二极管Dl与储能电感L1A和单向二极管D2组成的串联电 路并联，并与滤波电容C2和电容C1构成整体回路。市电经整流后 的电压VIN，经过二极管Dl到滤波电容C2。由于电容C2在开机 瞬间的阻抗很小，几乎是短路，根据PU/R得出，当电压U—定时， 电阻R越小，电流I就越大。因此整个回路的电流很大，容易造成 二极管D1击穿。发明内容本实用新型的目的在于针对现有有源功率因数校正电路在开机 瞬间，二极管D1容易被击穿的缺陷，提供一种抑制浪涌电路，从而 防止开机瞬间二极管D1击穿，对电路实施有效的保护。本实用新型的技术方案如下 一种抑制浪涌电路，包括储能电感L1A,储能电感L1A与单向二极管D2串联，并与高频大功率MOS 管Ql的漏极连接，单向二极管Dl与储能电感L1A和单向二极管D2组成的串联电路并联，并与滤波电容C2和电容C1构成整体回路， 其特点在于，在单向二极管的输入端串联一个负温度系数热敏电阻 TH1。本实用新型在二极管D1的回路中串联一个热敏电阻TH1，当市 电经整流后的电压VIN，经TH1和D1流向C2，在开机瞬间，热敏 电阻TH1的阻抗很大，根据I-U/R得出，当电压U—定时，电阻R 越大，电流I就越小。因此整个回路的电流很小，可以保护二极管 Dl。
图1为传统有源功率因数校正电路的结构图。 图2为本实用新型的电路结构图。图3为负温度系数热敏电阻TH1的温度特性曲线与温度系数ci 的关系。
具体实施方式
如图2所示，本实用新型所提供的抑制浪涌电路包括储能电感 L1A，储能电感L1A与单向二极管D2串联，并与高频大功率MOS 管Ql的漏极连接，单向二极管Dl与储能电感L1A和单向二极管 D2组成的串联电路并联，并与滤波电容C2和电容Cl构成整体回路， 在单向二极管的输入端串联一个负温度系数热敏电阻TH1。当市电经 整流后的电压VIN，经TH1和D1流向C2，在开机瞬间，热敏电阻 TH1的阻抗很大，因此整个回路的电流很小，可以保护二极管D1。图3表示了温度系数热敏电阻TH1的温度特性曲线与温度系 数a的关系。当电源供给器开关打开时，经由交流线源上的阻抗值就 是电阻体的电阻值，如此就可以达到限制突波电流的目的。当电容器
开始充电时，电流开始流经热阻体，此时热阻体就会有发热现象产生， 由于热阻体本身具有负温度系数的特性，所以随着温度的升高阻值下降。
权利要求1.一种抑制浪涌电路，包括储能电感L1A，储能电感L1A与单向二极管D2串联，并与高频大功率MOS管Q1的漏极连接，单向二极管D1与储能电感L1A和单向二极管D2组成的串联电路并联，并与滤波电容C2和电容C1构成整体回路，其特征在于在单向二极管的输入端串联一个负温度系数热敏电阻TH1。
专利摘要本实用新型涉及一种电路结构，具体为一种适用于有源功率因数校正电路的抑制浪涌电路。该电路包括储能电感L1A，储能电感L1A与单向二极管D2串联，并与高频大功率MOS管Q1的漏极连接，单向二极管D1与储能电感L1A和单向二极管D2组成的串联电路并联，并与滤波电容C2和电容C1构成整体回路，在单向二极管的输入端串联一个负温度系数热敏电阻TH1。本实用新型可以防止开机瞬间二极管D1被击穿，对电路实施有效的保护。
文档编号H02M1/14GK201018407SQ20072000299
公开日2008年2月6日 申请日期2007年2月2日 优先权日2007年2月2日
发明者肖学文 申请人:深圳晶辰电子科技股份有限公司