专利名称：低功耗的高压电平移位电路的制作方法
技术领域：
本发明是一种高低压转换的电平移位电路，主要用于功率芯片低 压电平转换为高压电平驱动高压输出级为负载提供高压和大电流。工
作时，低压一般工作在5V以下(包括5V)，而高压可以从5V到IOOV， 甚至更高，输出级晶体管面积很小，转换速度很快，但是静态功耗很 低。
背景技术：
随着半导体行业的飞速发展，各类功率集成芯片的应用领域不断 扩大，例如交流电机的控制，平板显示器的驱动电路等，这些驱动芯 片都需要电平移位电路。
CMOS高压输出级由一个高压PMOS和NMOS晶体管组成。PMOS 管源级接电源，NMOS管源级接地，PMOS和NMOS管的漏极接在一 起作为输出级驱动负载，PMOS管开启时，NMOS管关断，为输出提 供高电压。相反，NMOS管开启时，PMOS管关断，为输出提供低电 压。PMOS和NMOS的开启和关闭由它们栅上的高压驱动电压控制， 通用的结构如图1， NMOS管的栅上直接加低压控制信号，PMOS管 的栅上加的是由电平移位电路产生的范围从0到VPP (高电压)的控 制信号。
而上述这种结构存在很多问题首先，由于输出级NMOS管的栅 上直接加低压控制信号，使得NMOS管的栅源电压很低，并且高压晶 体管的阈值一般高于普通的低压管，所以当NMOS管开启时，需要很 大的宽长比才能产生大的输出电流。其次，由于PMOS管栅上控制信 号的电压是从0到VPP变化，这就需要PMOS管能承受全部的高电压， 而在高低压兼容工艺中，随着工艺尺寸的不断变小，栅氧厚度不断变 薄，使得PMOS管很难满足可靠性的要求。
4本发明提供一种电平移位电路结构，这种电路结构可以很好的满 足可靠性的要求，同时可以大大降低输出级晶体管的宽长比，而且转 换速度很快，静态功耗很低，特别适合于需要高电压和较大驱动电流 的场合。
发明内容
(一) 要解决的技术问题
有鉴于此，本发明的主要目的在于提供一种电平移位电路，以满 足可靠性的要求，在保证同样输出级驱动电流的情况下降低输出级晶 体管的宽长比，提高转换速度，降低静态功耗。
(二) 技术方案
为达到上述目的，本发明提供了一种电平移位电路，该电路由第
一电压转换级l、第二电压转换级2和高压输出级3构成。
优选地，所述第一电压转换级1由四个高压晶体管HVPll、 HVP12、 HVNll、 HVN12和两个二级管D11、 D12构成；HVP11的源 极接电源，漏极接HVP12的栅极并且与Dl 1的N极接在一起作为HV11 节点；HVP12的源极接电源，漏极接HVP11的栅极并且与D12的N 极接在一起作为HV12节点；HVNU和HVN12的源极接地，漏极分 别接Dll和D12的P极，栅极分别接低压控制信号LV1、 LV2。
优选地，所述HV12节点的输出信号用于高压输出级3的PMOS 管的栅控制信号，所述低压控制信号LV1通过一个反向器产生低压控 制信号LV2，该反向器由两个低压管M1-1和Ml-2构成。
优选地，所述第一电压转换级1进一步包括6个高压管HVP13、 HVP14、 HVP15、 HVP16、 HVN13和HVN14，其中，HVP13禾Q HVP14 栅漏短接，HVP13的源极接VPP，漏极接HVP14的源极并与节点HV11 相连，HVP14的漏极接HVN13的漏极，HVN13的源极接地，栅极接 HVN11的栅极；HVP15和HVP16栅漏短接，HVP15的源极接VPP， 漏极接HVP16的源极并与节点HV12相连，HVP16的漏极接HVN14 的漏极，HVN14的源极接地，栅极接HVN12的栅极。
5优选地，所述第二电压转换级2由四个高压晶体管HVP21、 HVP22、 HVN21、 HVN22和两个二级管D21和D22构成；将二极管 D21和D22的N极接VPP， P极分别接高压管HVP21 、HVP22的源极， 将HVP21和HVP22的漏极分别与HVN21和HVN22的漏极相连，作 为电压节点HV21和HV22, HVP21和HVP22栅极分别与HVP22和 HVP21的漏极相连，HVN21和HVN22的源极接地，漏极分别接HVP21 和HVP22的漏极，栅极分别接低压控制信号LV3， LV4。
优选地，所述HV22节点的输出信号用于高压输出级3的NMOS 管的栅控制信号，所述低压控制信号LV3通过一个反向器产生低压控 制信号LV4，该反向器由两个低压管M2-l和M2-2构成。
优选地，所述第二电压转换级2进一步包括6个高压管HVP23、 HVP24、 HVP25、 HVP26、 HVN23禾口 HVN24，其中，HVP23禾口 HVP24 栅漏短接，HVP23的源极接VPP，漏极接HVP24的源极并与节点HV21 相连，HVP24的漏极接HVN23的漏极，HVN23的源极接地，栅极接 HVN22的栅极，HVP25和HVP26栅漏短接，HVP25的源极接VPP， 漏极接HVP26的源极并与节点HV22相连，HVP26的漏极接HVN24 的漏极，HVN24的源极接地，栅极接HVN21的栅极。
(三)有益效果
1、 本发明提供的这种电平移位电路，具有可靠性好，面积小，转 换速度快，静态功耗低的特点，适用于高压功率芯片。
2、 本发明提供的这种电平移位电路，全部采用CMOS技术，可 以方便的兼容标准低压CMOS工艺，而且具有开关速度快，功耗低的 优势。
3、 本发明提供的这种电平移位电路，输出级NMOS管的栅控制 信号由第二电压转换级2产生，可以产生电压从0到VHV22的控制信 号，VHV22可以为从0到VPP的任意电压，因此可以为输出级NMOS 管提供高于低压电源电压的驱动电压，用较小的面积产生和传统结构 相同的驱动电流。
4、 本发明提供的这种电平移位电路，输出级PMOS管的栅控制信
6号由第一电压转换级1产生，可以产生电压从VHV12到VPP的控制 信号，VHV12可以为从0到VPP的任意电压，因此能很好解决高低压 兼容工艺中随着尺寸减小所带来的可靠性问题。
5、 本发明提供的这种电平移位电路，通过调节二级管的个数和高 压管的尺寸，可以很好的适合各种工艺和驱动电压的要求。
6、 本发明提供的这种电平移位电路，可以为输出级的晶体管在状 态转换时提供很大的瞬态电流，实现快速转换。
7、 本发明提供的这种电平移位电路，整个电路的静态功耗很低。
8、 本发明提供的这种电平移位电路，可以适用于工作电压从十几 伏到几百伏的工艺，以及小尺寸的高低压兼容工艺中。
图1是目前通用的电平移位电路图2是本发明提供的第一种电平移位电路的电路图3是本发明提供的第二种电平移位电路的电路图4是依照本发明第一个实施例提供的电平移位电路的电路图5是依照本发明第二个实施例提供的电平移位电路的电路图。
具体实施例方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚明白，以下结合具 体实施例，并参照附图，对本发明进一步详细说明。
如图2所示，图2是本发明提供的第一种电平移位电路的电路图， 该电路由第一电压转换级1、第二电压转换级2和高压输出级3构成。
其中，第一电压转换级1由四个高压晶体管HVPll、 HVP12、 HVN11、HVN12和两个二级管D11、D12构成；HVP11的源极接电源， 漏极接HVP12的栅极并且与Dll的N极接在一起作为HV11节点； HVP12的源极接电源，漏极接HVP11的栅极并且与D12的N极接在 一起作为HV12节点，HV12节点的输出信号用于高压输出级3的 PMOS管的栅控制信号；HVN11和HVN12的源极接地，漏极分别接 D11和D12的P极，栅极分别接低压控制信号LV1、 LV2。低压控制信号LV1通过一个反向器产生低压控制信号.LV2，该反向器由两个低 压管M1-1和Ml-2构成。
此电路的功能为当LV1由低电平变为高电平时，HVNll管开启， HVN12管关闭，由于HVll到地的电压为VPP，大于二极管D11的反 向击穿电压，二极管反向击穿，HV11点电压开始降低，使得HVP12 开启，HV12点电压升高，将HVP11关闭，所以HVP12将HV12点电 压拉升到VPP;当LV1由高电平变为低压平时，HVN12管开启，HVNll 管关闭，HV12点到地的电压为VPP，远远大于二极管D12的反向击 穿电压，二极管D12反向击穿，HV12点电压开始降低，当此点电压 降到能使HVP11开启时，使得HV11点电压升高，从而将HVP12关 闭，此时由于二极管的反向击穿电流很大，可以迅速的将HV12拉低， 当HV12点电压降到接近D12的反向击穿电压时，二极管的电流迅速 变小，所以HV12点电压逐渐稳定在VHV12 (VHV12为所设计的高压 管HVP3的驱动电压)。
此电路可以为高压输出级3中HVP3的栅极提供可控的VHV12到 VPP的驱动信号，因此HVP3最大栅极耐压VPMAX只要大于VPP与 VHV12的差，即能满足可靠性要求，同时由于二极管反向击穿电流很 大，而当节点HV12的电压上升到接近二极管反向击穿电压时，电流 迅速减小，因此可以实现很快的转换速度，同时静态功耗很小。
第二电压转换级2由四个高压晶体管HVP21、 HVP22、 HVN21、 HVN22和两个二级管D21和D22构成；将二极管D21和D22的N极 接VPP， P极分别接高压管HVP21 、HVP22的源极，将HVP21和HVP22 的漏极分别与HVN21和HVN22的漏极相连，作为电压节点HV21和 HV22, HVP21和HVP22栅极分别与HVP22和HVP21的漏极相连， HVN21和HVN22的源极接地，漏极分别接HVP21和HVP22的漏极， 栅极分别接低压控制信号LV3， LV4， HV22节点的输出信号用于高压 输出级3的NMOS管的栅控制信号。低压控制信号LV3通过一个反向 器产生低压控制信号LV4，该反向器由两个低压管M2-1和M2-2构成。
此电路的功能为当LV3由高电平变为低电平时，HVN22管开启， HVN21管关闭，HV22点电压开始降低，使得HVP21开启，HV21点电压升高，将HVP22关闭，所以HVN22将HV22点电压拉低到0; 当LV3由低电平变为高压平时，HVN21管开启，HVN22管关闭，HV21 点电压开始降低，当HV21点电压降到能使HVP22开启时，HV22点 电压升高，使得HVP21关闭，从而HVN21可以快速的将HV21点电 压拉低，HVP22完全开启，此时由于二极管:D22反向击穿电流很大， HV22点电压开始迅速的升高，当HV22点电压升高到接近D22的反 向击穿电压时，二极管的电流迅速变小，所以HV22点电压逐渐稳定 在VHV22 (VHV22为所设计的高压管HVP3的驱动电压)。
第二电压转换级2可以为高压输出级3中HVN3栅级提供范围从 0到VHV22控制信号，所以HVN3的最大栅极耐压VNMAX只要大 于VHV22与0之差，就可以满足可靠性要求。
本发明的电路结构，可以用于各种不同的高压工艺中，用于各种 VPP的工作电压，在不同的工艺中，根据VPP工作电压，高压NMOS 管和高压PMOS管的最大栅极耐压，以及二极管的反向击穿电压的不 同，可以通过串联二极管的方式，为输出级NMOS管产生O到VHV22 的控制电压，为PMOS管产生VHV12到VPP的控制电压，这里电压 差(VHV22-0)和(VPP-VHV12)可以是二极管反向击穿电压的一倍 (用一个二极管的情况)，或者两倍(用两个二极管正反相串联使用的 情况)，或者是几倍(用几个二极管正反相串联使用的情况)。
同时在上述电路结构的基础上，可以通过如下的方法使电压差 (VHV22-0)禾P (VPP-VHV12)在0到VPP的范围内任意可调，可满 足各种工艺和电路要求。
如图3所示，图3是本发明提供的第二种电平移位电路的电路图。 在第一电压转'换级1的结构中，进一步增加了 6个高压管HVP13、 HVP14、 HVP15、 HVP16、 HVN13和HVN14。其中，HVP13禾B HVP14 栅漏短接，HVP13的源极接VPP，漏极接HVP14的源极并与节点HVll 相连，HVP14的漏极接HVN13的漏极，HVN13的源极接地，栅极接 HVN11的栅极；HVP15和HVP16栅漏短接，HVP15的源极接VPP， 漏极接HVP16的源极并与节点HV12相连，HVP16的漏极接HVN14
9接HVN12的栅极。
此电路的功能为当LV1从低点平变为高电平时，HVN11和 HVN13管开启，HVN12管和HVN14管关闭，由于HV11到地的电压 为VPP，远远大于二极管Dll的反向击穿电压，二极管反向击穿，HVll 点电压开始降低，使得HVP12开启，HV12点电压升高，将HVP11关 闭，HVP12将HV12点电压拉升到VPP。当LV1变为低压平时，HVN12 管和HVN14管开启，HVN11管和HVN13管关闭，HV12点到地的电 压为VPP，远远大于二极管D12的反向击穿电压，二极管D12反向击 穿，HV12点电压开始降低，当此点电压降到能使HVPll开启时，使 得HV11点电压升高，从而将HVP12关闭，此时由于二极管的反向击 穿电流很大，可以迅速的将HV12拉低，当HV12点电压降到接近D12 的反向击穿电压时，二极管的电流迅速变小，此时HVP15和HVP16 组成的支路可以继续将HV12点电压拉低，调整到稳定电压VHV12， 因此第一电压转换级1可以为输出级HVP3的栅极提供范围从VHV12 到VPP的控制信号，而VHV12可以通过调整二极管的串联数量，以 及HVP15 (HVP13)和HVP16 (HVP14)的宽度比(选用相同沟道长 度的情况)，来调整出需要的电压，虽然在稳定态时存在HVP15和 HVP16以及HVP13和HVP14的通路电流，但是由于快速的状态转换 主要由二极管支路来实现，HVP15和HVP16以及HVP13和HVP14 的支路主要实现电压的小范围调整，因而通路电流很小，从而电路工 作时静态功耗依然很低。
第二电压转换级2的也通过上面的方法，进一步增加6个高压管 HVP23、 HVP24、 HVP25、 HVP26、 HVN23禾口 HVN24。其中，HVP23 和HVP24栅漏短接，HVP23的源极接VPP，漏极接HVP24的源极并 与节点HV21相连，HVP24的漏极接HVN23的漏极，HVN23的源极 接地，栅极接HVN22的栅极，HVP25和HVP26栅漏短接，HVP25的 源极接VPP，漏极接HVP26的源极并与节点HV22相连，HVP26的漏 极接HVN24的漏极，HVN24的源极接地，栅极接HVN21的栅极。
此电路的功能为当LV3从高点平变为低电平时，HVN22和 HVN24管开启，HVN21和HVN23管关闭，HV22点电压开始降低，
10使得HVP21开启，HV21点电压升高，将HVP22关闭，所以HVN22 将HV22点电压拉低到0;当LV3由低电平变为高压平时，HVN21管 和HVN23管开启，HVN22管和HVN24管关闭，HV21点电压开始降 低，当HV21点电压降到能使HVP22开启时，HV22点电压升高，使 得HVP21关闭，从而HVN21可以快速的将HV21点电压拉低，HVP22 完全幵启，此时由于二极管D22反向击穿电流很大，HV22点电压开 始迅速的升高，当HV22点电压升高到接近D22的反向击穿电压时， 二极管的电流迅速变小，此时HVP25和HVP26组成的支路可以继续 将HV22点电压拉高，调整到稳定电压VHV22,可以为输出级的HVN3 产生范围从0到VHV22的电压，VHV22同样可以通过调整二极管的 串联数量，以及HVP25 (HVP23)和HVP26 (HVP24)的宽度比(选 用相同沟道长度的情况)，来调整出需要的电压。虽然在稳定态时存在 HVP25和HVP26以及HVP23和HVP24的通路电流，但是由于快速的 状态转换主要由二极管支路来实现，HVP25和HVP26以及HVP23和 HVP24的支路主要实现电压的小范围调整，因而通路电流很小，从而 电路工作时静态功耗依然很低。
如图4所示，图4是依照本发明第一个实施例提供的电平移位电 路的电路图。在该具体的实施例中，假设高压电源VPP等于60V，低 压电源VDD为5V，高压P管HVP3和N管HVN3栅极的最大承受电 压为25V， 二极管的反向击穿电压为12V，可以用三个二极管串联。
第一电压转换级l由四个高压晶体管HVPll、 HVP12、 HVNll、 HVN12和六个二级管Dll、 D12、 D13、 D14、 D15、 D16构成。HVP11 的源极接电源，漏极接HVP12的栅极并且与Dll的N极接在一起作 为HV11节点，HVP12的源极接电源，漏极接HVP11的栅极并且与 D14的N极接在一起作为HV12节点，此节点输出信号用于输出级3 的PMOS管的栅控制信号，Dll的P极接D12的N极，D12的P极接 D13的N极，D14的P极接D15的N极，D15的P极接D16的N极， HVN11和HVN12的源极接地，漏极分别接D13和D16的P极，栅极 分别接低压控制信号LV1， LV2， LV1通过一个反向器产生LV2，这个 反向器由两个低压管Ml-l和Ml-2组成。HV12的输出电压范围为36V至lj60V，所以高压管HVP3栅上的最大电压差为24V，小于25V，因 而不用担心HVP3管栅极会被击穿。
第二电压转换级2的大体结构与第一电压转换级1相似，主要不 同的是，也用六个二极管，D21、 D22、 D23、 D24、 D25和D26。将二 极管D21和D24的N极接VPP， P极分别接D22和D25的N极，D22 和D25的P极分别接D23和D26的N极，D23和D26的P极分别接 高压管HVP21， HVP22的源极，将HVP21禾H HVP22的漏极分别与 HVN21和HVN22的漏极相连，作为电压节点HV21和HV22， HVP21 和HVP22栅极分别与HVP22和HVP21的漏极相连，HVN21和HVN22 的源极接地，栅极分别接低压控制信号LV3和LV4， LV3通过一个反 向器产生LV4，这个反向器由两个低压管M2-l和M2-2组成。HV22 节点的输出信号用于高压输出级3的NMOS管的栅控制信号。第二电 压转换级2可以为HVN3栅级提供范围从0到24V的控制信号，所以 高压管HVP3栅上的最大电压差为24V，小于25V，因而不用担心HVN3 管栅极被击穿。
如图5所示，图5是依照本发明第二个实施例提供的电平移位电 路的电路图。在该具体的实施例中，假设高压电源VPP等于40V，低 压电源VDD为5V，高压P管HVP3和N管HVN3的栅最大承受电压 为25V， 二极管的反向击穿电压为12V，可以用两个二极管串联。第 一电压转换级1由十个高压晶体管HVPll、 HVP12、 HVP13、 HVP14、 HVP15、 HVP16、 HVNll、 HVN12 、 HVN13、 HVN14和四个二级管 Dll、 D12、 D13、 D14构成。HVP11的源极接电源，漏极接HVP12 的栅极，并且与Dll的N极接在一起作为HV11节点。HVP12的源极 接电源，漏极接HVPll的栅极并且与DD的N极接在一起作为HV12 节点。此HV12节点输出信号用于高压输出级3的PMOS管的栅控制 信号。D11的P极接D12的N极，D13的P极接D14的N极，HVN11 和HVN12的源极接地，漏极分别接D12和D14的P极，栅极分别接 低压控制信号LV1， LV2。 LV1通过一个反向器产生LV2，这个反向器 由两个低压管Ml-l和Ml-2组成。HVP13禾G HVP14栅漏短接，HVP13 的源极接VPP，漏极接HVP14的源极并与节点HV11相连，HVP14的漏极接HVN13的漏极，HVN13的源极接地，栅极接HVN11的栅极， HVP15和HVP16栅漏短接，HVP15的源极接VPP，漏极接HVP16的 源极并与节点HV12相连，HVP16的漏极接HVN14的漏极，HVN14 的源极接地，栅极接HVN12的栅极。调整HVP15 (HVP13)和HVP16 (HVP14)的宽度比(选用相同沟道长度)，使其稳定电压在20V。当 LV1由高电平变为低电平时，二极管支路快速的将HV12节点的电压 拉低到24V，然后HVP15和HVP16继续将HV12节点的电压拉低到 稳定电压20V，所以HV12的输出电压范围为20V到40V，高压管HVP3 栅上的最大电压差为20V，小于25V，因而不用担心HVP3管栅极被 击穿。
第二电压转换级2用四个二极管，D21、 D22、 D23和D24，将二 极管D21和D23的N极接VPP， P极分别接D22和D24的N极，D22 和D24的P极分别接高压管HVP21、 HVP22的源极，将HVP21和 HVP22的漏极分别与HVN21和HVN22的漏极直接相连，作为电压节 点HV21禾卩HV22， HV22与输出级HVN3的栅极相连，6个高压管 HVP23、 HVP24、 HVP25、 HVP26、 HVN23和HVN24的连接方法与 第一电压转换级1相似，主要不同是HVN23的栅接与HVN22的栅极 相连，HVN24的栅接与HVN21的栅极相连。调整HVP25 (HVP23) 和HVP26 (HVP24)的宽度比(选用相同沟道长度)，使其稳定电压在 20V。当LV3由低电平变为高压平时，二极管支路快速的将HV22节 点的电压拉高到16V，然后HVP25和HVP26继续将HV22节点的电 压拉高到稳定电压20V，所以HV22的输出电压范围为0到20V，第 二电压转换级2可以为HVN3栅级提供范围从0到20V的控制信号， 所以高压管HVP3栅上的最大电压差为20V，小于25V，因而不用担 心HVN3管栅极被击穿。
尽管本发明是结合具体实施例来表述的，本领域的技术人员在以 上说明的基础上显然还能看出许多选择，修改和变更。因此，所有这 些选择，修改和变更都应该被纳入附带的权利要求书的含义和范围之 内。
1权利要求
1、一种电平移位电路，其特征在于，该电路由第一电压转换级(1)、第二电压转换级(2)和高压输出级(3)构成。
2、 根据权利要求l所述的电平移位电路，其特征在于，所述第一 电压转换级(1)由四个高压晶体管HVPll、 HVP12、 HVNll、 HVN12 和两个二级管Dll、 D12构成；HVP11的源极接电源，漏极接HVP12 的栅极并且与Dll的N极接在一起作为HV11节点；HVP12的源极接 电源，漏极接HVP11的栅极并且与D12的N极接在一起作为HV12 节点；HVN11和HVN12的源极接地，漏极分别接Dll和D12的P极， 栅极分别接低压控制信号LV1、 LV2。
3、 根据权利要求2所述的电平移位电路，其特征在于，所述HV12 节点的输出信号用于高压输出级(3)的PMOS管的栅控制信号，所述 低压控制信号LV1通过一个反向器产生低压控制信号LV2，该反向器 由两个低压管Ml-l和Ml-2构成。
4、 根据权利要求2所述的电平移位电路，其特征在于，所述第一 电压转换级(1)进一步包括6个高压管HVP13、 HVP14、 HVP15、 HVP16、 HVN13和HVN14，其中，HVP13和HVP14栅漏短接，HVP13 的源极接VPP，漏极接HVP14的源极并与节点HV11相连，HVP14 的漏极接HVN13的漏极，HVN13的源极接地，栅极接HVN11的栅极； HVP15和HVP16栅漏短接，HVP15的源极接VPP，漏极接HVP16的 源极并与节点HV12相连，HVP16的漏极接HVN14的漏极，HVN14 的源极接地，栅极接HVN12的栅极。
5、 根据权利要求l所述的电平移位电路，其特征在于，所述第二 电压转换级(2)由四个高压晶体管HVP21、 HVP22、 HVN21、 HVN22 和两个二级管D21和D22构成；将二极管D21和D22的N极接VPP， P极分别接高压管HVP21、 HVP22的源极，将HVP21和HVP22的漏 极分别与HVN21和HVN22的漏极相连，作为电压节点HV21和HV22， HVP21和HVP22栅极分别与HVP22和HVP21的漏极相连，HVN21 和HVN22的源极接地，漏极分别接HVP21和HVP22的漏极，栅极分别接低压控制信号LV3， LV4。
6、 根据权利要求5所述的电平移位电路，其特征在于，所述HV22 节点的输出信号用于高压输出级(3)的NMOS管的栅控制信号，所 述低压控制信号LV3通过一个反向器产生低压控制信号LV4，该反向 器由两个低压管M2-l和M2-2构成。
7、 根据权利要求5所述的电平移位电路，其特征在于，所述第二 电压转换级(2)进一步包括6个高压管HVP23、 HVP24、 HVP25、 HVP26、 HVN23和HVN24，其中，HVP23和HVP24栅漏短接，HVP23 的源极接VPP，漏极接HVP24的源极并与节点HV21相连，HVP24 的漏极接HVN23的漏极，HVN23的源极接地，栅极接HVN22的栅极， HVP25和HVP26栅漏短接，HVP25的源极接VPP，漏极接HVP26的 源极并与节点HV22相连，HVP26的漏极接HVN24的漏极，HVN24 的源极接地，栅极接HVN21的栅极。
全文摘要
本发明公开了一种电平移位电路，该电路由第一电压转换级(1)、第二电压转换级(2)和高压输出级(3)构成。第一电压转换级(1)和第二电压转换级(2)分别为输出级PMOS和NMOS晶体管提供可以根据应用任意调节的栅级驱动信号，从而使高压输出级(3)可以为负载提供很高的电压和很大的电流。电平移位电路的转换速度很快，静态功耗很低，而且面积较小。这种电平移位电路可以应用于电机驱动，平版显示，打印机驱动等高压驱动芯片中，特别适合于特征尺寸不断缩小的高低压兼容工艺和高压，大电流的应用中。
文档编号H02M3/155GK101515755SQ20081005788
公开日2009年8月26日 申请日期2008年2月20日 优先权日2008年2月20日
发明者波 杜, 涛 范 申请人:中国科学院微电子研究所