专利名称：一种新型无功动态补偿装置的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种无功补偿装置，尤其是一种新型无功动态补偿装置。
背景技术：
在传统的无功动态补偿系统中，均采用分组投切，根据功率因数的控 制，分别投入不同的电容补偿组数，以达到无功功率最高化且不过补的效 果。这样就必须在一套装置中设置多个控制开关，因而使整套系统的体积 也偏大，并且在实际使用中时常造成部分容器组处在长期额定电压下工作， 而另一部分容器组则完全不工作。由于实际上存在的各电容器组的分工不 均衡，所以极易造成工作中的电容器组在额定电压下的过渡疲劳而出现， 出现故障。
实用新型内容
这本实用新型发明的的目的旨在提供一种新型无功动态补偿装置， 既能消除组成器件中的工作不均衡现象，同时也能造保证在安全运行前提 下的设备使用寿命。
上述发明目的通过以下技术方案得以实施
这种新型无功动态补偿装置，包括三相刀开关、熔断器、电流互感器、可控硅、电容器、电抗器，由刀开关依序和熔断器、电流互感器、可控硅、 电容器、电抗器组成输出电路，其特征在于所采用的可控硅为双向可控 硅，并且串接于电路中的双向可控硅的两个反并联单向可控硅的控制极闭 合连接成一回路后与控制单元相连接，同时电源刀开关其余B、 C两相串接 电路中的每一个双向可控硅的两个反并联单向可控硅的控制极也并联在A 相可控硅两控制极组成的回路中；另外设于A相电路中的电抗器的输出端 接入C电路的电流互感器与双向可控硅之间，设于B相电路中的电抗器的 输出端接入A电路的电流互感器与双向可控硅之间，设于C相电路中的电
抗器的输出端接入B电路的电流互感器与双向可控硅之间。
另外电容器组接成三角型接法,可控硅元件接入至三角型的角内。 根据以上技术方案提出的这种新型无功动态补偿装置，不仅能有效地 减少整个系统中的开关的设置数量、大大减小了整个装置的体积，而且通 过调整可控硅导通角、控制电容器的端电压，利用电容器容量与电容器端 电压的平方成正比的关系控制装置的补偿容量，达到最终无功动态补偿的 目的。
附图为本实用新型结构示意图。
图中1-刀开关2. 1~2.3-熔断器3. 1~3.3-电流互感器4. 1 4.3_ 双向可控硅5. 1 5.3-电容器6. 1~6.3-电抗器7-控制单元
具体实施方式
如图所示的这种新型无功动态补偿装置，包括三相刀开关8、熔断器
6. 1 6. 3、电流互感器5. 1~5. 3、可控硅4. 1 4. 3、电容器3. 1~3. 3、电抗 器2. 1~2.3，由每一相刀开关依序和对应的熔断器、电流互感器、可控硅、 电容器、电抗器组成单相输出电路，其特征在于所采用的可控硅为双向 可控硅，并且串接于A相输出电源电路中的双向可控硅4. 1的两个反并联 单向可控硅的控制极闭合连接成一回路后与控制单元1相连，同时电源刀 开关其余B、 C两相串接电路中的每一个双向可控硅的两个反并联单向可控 硅的控制极也并联在A相可控硅两控制极组成的回路中，由此组成动态电 压控制电路；另外设于A相电路中的电抗器2. 1的输出端接入C电路的电 流互感器5. 3与双向可控硅4. 3之间，设于B相电路中的电抗器2. 2的输 出端接入A电路的电流互感器5. 1与双向可控硅4. 1之间，设于C相电路 中的电抗器2. 3的输出端接入B电路的电流互感器5. 2与双向可控硅4. 2 之间。另外电容器组接成三角型接法，可控硅元件接入至三角型的角内；可 使可控硅的电流比角外减少V3倍。
根据以上技术方案提出的这种新型无功动态补偿装置，既能减少整个 装置中投切开关的设置数量，并且通过调整可控硅导通角、控制电容器运 行时的端电压，利用电容器容量与电容器端电压的平方成正比的关系控制 装置的补偿容量，降低了补偿装置的发热，达到最终无功动态补偿的目的 因此具有极好的实用价值。
权利要求1、一种新型无功动态补偿装置，包括三相刀开关(8)、熔断器(6.1～6.3)、电流互感器(5.1～5.3)、可控硅(4.1～4.3)、电容器(3.1～3.3)、电抗器(2.1～2.3)，由每一相刀开关依序和对应的熔断器、电流互感器、可控硅、电容器、电抗器组成单相输出电路，其特征在于所采用的可控硅为双向可控硅，并且串接于A相输出电源电路中的双向可控硅(4.1)的两个反并联单向可控硅的控制极闭合连接成一回路后与控制单元(1)相连，同时电源刀开关其余B、C两相串接电路中的每一个双向可控硅的两个反并联单向可控硅的控制极也并联在A相可控硅两控制极组成的回路中，由此组成动态电压控制电路；另外电容器组接成三角型接法，可控硅元件接入至三角型的角内。
专利摘要一种新型无功动态补偿装置，含三相刀开关、熔断器、电流互感器可控硅、电容器、电抗器，由每一相刀开关依序和熔断器、电流互感器、可控硅、电容器、电抗器组成单相输出电路，其所采用的可控硅为双向可控硅，并且串接于A相输出电源电路中的双向可控硅的两个反并连控制极闭合连接成一回路后与控制单元相连，同时电源刀开关其余B、C两相串接电路中的每一个双向可控硅的两个反并联控制极也并联在A相可控硅两控制极组成的回路中，与控制单元组成动态电压控制电路；另外电容器组接成△接法，可控硅元件接入至△角内，可使可控硅的电流比角外减少 3倍。
文档编号H02J3/18GK201328007SQ20082015742
公开日2009年10月14日 申请日期2008年12月19日 优先权日2008年12月19日
发明者侯军民, 孙玉鸿, 许光伟 申请人:上海追日电气有限公司