用于高压应用的高频变压器的制作方法

文档序号:7422848阅读:164来源:国知局

专利名称::用于高压应用的高频变压器的制作方法
技术领域
:本发明涉及用于高压应用的高频变压器。
发明内容根据本发明,提供了一种包括初级绕组装置和次级绕组装置的变压器,该初级绕组装置包括第一多个磁路,该第一多个》兹路中的每个》兹路具有第二多匝,并被并联电连接起来,或由各自的电源装置供电;该次级绕组装置包括第三多个磁路,该第三多个磁路中的每个磁路具有第四多匝,并被串联电连接起来;其中通过单匝导电回路装置将初级绕组装置电磁耦合到次级绕组装置。方便地,初级绕组装置和次级绕组装置是同轴的。有利地,次级绕组装置的至少一个磁路设置有整流器装置和滤波器装置,以从变压器提供直流输出。方便地,次级绕组装置的至少一个磁路还设置有感应平滑滤波器装置。有利地,感应平滑滤波器装置是双绕电感器。方便地,用于第三多个磁路中的每个磁路的感应平滑滤波器装置具有公用芯。有利地,变压器还包括单臣导电回路装置中的电感装置。方便地,单匝导电回路装置包括与所述初级绕组装置和所述次级绕组装置同轴的管装置。优选地,单匝导电回路装置还包括成形的导电的端颊装置(cheekmeans)和基底装置(basemeans)。有利地,成形的导电的端颊装置设置有至少一个孔,用于使冷却流体流动穿过该孑L。方便地,第一多个磁路中的每个磁路、第二多个磁路中的每个磁路、整流器装置和滤波器装置被安装在各自的印刷电路板装置上。有利地,在各个印刷电路板装置上安装感应平滑滤波器装置。可替代地,初级绕组装置和次级绕组装置是并排的关系。方便地,次级绕组装置还包括超高压端绝缘装置。有利地,次级绕组装置布置成两组-兹路,使得次级电压基本上是从这两组》兹3各之间的次级绕组装置的中心抽出抽头。方便地,在初级绕组装置和次级绕组装置之间提供屏蔽装置。有利地,平滑感应滤波器芯子与初级绕组装置同轴地设置在初级绕组装置的内部。方便地,次级绕组装置的磁路的直径从次级绕组装置的高压端到低压端逐渐减小。可选地,初级绕组装置被划分成第一组》兹路和第二组;兹路,并且第一组磁路和第二组磁路布置成使得它们各自的轴线都与次级绕组装置的轴线共线,第一组磁路位于次级绕组装置的第一端,并且第二组磁路位于次级绕组装置的与第一端相对的第二端。有利地,耦合回路装置的回程路径由比该耦合回路装置的剩余部分更宽的带子形成。优选地,初级绕组装置和次级绕组装置中的至少一个包括单层绕组。现将参考附图通过举例的方式来描述本发明,在各附图中图la是根据本发明的变压器的第一实施方式的电路图;图lb是根据本发明的变压器的第二实施方式的电路图,该电路包括整流器和滤波器;图lc是根据本发明的变压器的第三实施方式的电路图,该电路包括整,危器和滤》皮器;图ld是根据本发明的包括整流器和滤波器的变压器的第四实施方式的电路图,该电路包括整流器和滤波器;图le是根据本发明的变压器的第五实施方式的电路图,该电路包括整流器和滤波器;图lf是根据本发明的变压器的第六实施方式的电路图,该电路包括整流器和滤波器;图lg是根据本发明的变压器的第七实施方式的电路图,其中第一多个磁路中的每一个由各自的电源单元供电;图2a是具有图lb中的电路图的变压器的示意性侧视图;图2b是图2a中的变压器的示意性端视图3是图2a和图2b的变压器的外部芯子半径固定情况下,场应力与内部芯子半径的曲线图。图4a是具有图lc中的电路图的变压器的示意性侧视图4b是图4a中的变压器的示意性端视图5a是具有图le中的电路图的变压器的示意性侧视图5b是图5a中的变压器的示意性端视图6是图5a和图5b中的变压器的绕组的图7是根据本发明的变压器的第七实施方式的电路图8是具有图7中的电路图的变压器的第一实施方式的变压器芯子和绕组的示意性端视图9是本发明的第八实施例的示意性平面图和端视图,以及沿次级绕组的电压曲线图10是本发明的第九实施例的示意性平面图和端视图,以及沿次级绕组的电压曲线图11是本发明的第十实施例的示意性平面图和端视图,以及沿次级绕组的电压曲线图12是本发明的第十一实施例的示意性平面图和端视图,以及沿次级绕组的电压曲线图13是具有图7中的电路图的变压器的第二实施例的示意性平面图和端视图,以及沿次级绕组的电压曲线图14是本发明的第十二实施例的示意性平面图和端视图,以及沿次级绕组的电压曲线图15是根据本发明部分组装的变压器的试验例子的图;以及图16是图15中的试验例子在完全组装起来后的图。在各附图中,相似的参考标记指示相似的部件。具体实施例方式变压器具有初级绕组和次级绕组。参见图la中的根据本发明的变压器101的基本电路,初级绕组11包括第一多个(Npc个)并联连接的磁路111,每个磁路具有相同的匝数iipc。次级绕组12包括第二多个(Nsc个)串联连接的磁路121,其中每个磁路具有相同的匝数nsc,Nsc不需要是与Npc相同的数字。所有的初级磁路111和次级磁路121都通过单匝低电阻回路13连接起来,该单匝低电阻回路13将所有初级磁路111和次级磁路121电磁耦合在一起。复合组件101的初级电压、次级电压、初级电流和次级电流之间存在以下关系关于从初级到次级的升压比Vload=Nsc.Vse其中,Vload是Nsc个次级绕组12两端的总电压,Vsc是每个次级绕组12rbn:口i"'旬口v/工,71NpcNscviooP=vpri.7=vsc.7"pcIJsc其中,Vk)Op是单匝低电阻回路13两端的电压,并且Vpri是并联的每个初级绕组111两端的电压,这样,代换了VscNpcVloadNscV.并且因而Vload、T"sc-=Npc--Vpric关于从次级到初级的电流比其中,Iloop是单匝低电阻回路13中的电流,Iload是次级绕组121中的电流,并且IpC是每个初级绕组111中的电流。并且Ipri=Npc.Ipc其中,IFJ是Npc个初级绕组111中的电流的和,因此,代换了Ipe:并且,因此Iload一c!pri—"sc.NPC因此,可看出,从已知的变压器可预料到Vload一IpriVphIload各比率与次级绕组或芯子121的数目Nsc无关。其它已知变压器规则如相对于任何变压器一样适用,诸如阻抗变换和并联电感。这样,实际上,图la的电路图代表了具有一定数量的多个磁路的变压器。参考图lb,变压器102被示为与图la所示的变压器101相类似,但在变压器102中,Nsc个次级绕组121中的每一个都分别设置有各自的BiVn整流器24和dv虑波器23,使得变压器102的输出被整流,以提供直流输出。这是众所周知的能满足高压直流需求的最高效的方式。半导体二极管是用于这种应用的高效整流器,但每个这种半导体二极管都要受到最高电压的限制,例如,最高电压约为2000V。这样,对于30kV的系统,就至少需要15个半导体二极管。通过为每个二极管24提供单独的绕组121,自然发生了共享,并且避免了对用于确保共享的复杂高损耗网络的需要。将会理解,更进一步的优点是在变压器结构内不可避免的许多寄生电容被充电到固定的直流电压,而不再受高频交变电压的支配。这减小了动态电容,并降低了与电介质有关的损耗。因而,所描述的多芯121变压器的优点是该变压器理想地适用于多个整流器24的方法。在高压应用情况中,必须使用许多半导体装置获得适当的额定电压,因此必须考虑各部件发生故障的风险。在利用本发明的多芯方法时,短路故障仅会使单个芯短路,因而系统能够用剩余的芯继续工作,直至达到停止工作的适当服务间隔并进行修理为止。就可靠性而言,这是非常有价值的特性。在利用传统的变压器时,单个整流器的整流器故障可能会使整个系统4f止工作。图lc示出了根据本发明第三实施方式的变压器103的电路图,该变压器103在每个次级线圈121的输出电路中使用L^感应平滑滤波器25,这种滤波器的适用性在本领域中是公知的。图ld示出了第四实施方式104的电路图,该实施方式用L^双绕电感器26代替感应平滑滤波器25,这有助于进一步减少之前在本文中描述的寄生电容的影响,因为单个扼流结构26的各部分在绕组之间具有直流电压,而不是交变电压。在图le中,示出了第五实施方式105的电流图,该第五实施方式使用公用-兹芯27,该公用,兹芯27穿过所有类似于第三实施例中的绕组的感应平滑滤波器单绕线绕组28,下面相对于组装技术进一步讨论这种情况。类似地,在图lf中,示出了第六实施方式106的电流图,该第六实施方式使用公用磁芯27,该公用磁芯27穿过所有类似于第四实施例中的绕组的感应平滑滤波器双绕绕组29。图lg是第七实施方式107的电路图,该实施方式中,不是将所有初级绕组lll并联连接,而是,每个初级绕组都由各自的电源29,psul至psuN,来供电。每个电源单元29被适当地设计成使得各电源单元对回路表现出相对较低的阻抗,并且剩余的电源补足所需的电力输入,使得如果一个电源发生故障,系统的总体性能不会受到不良影响。可替代地,在系统中安装备用电源单元29,该备用电源单元29仅在其它电源单元中的一个发生故障时才^皮启动。所有电源单元都在具有添加了适当相位的对称交流输出的情况下工作,所有电源单元都在具有共同输出电流的情况下工作,并且所有电源单元都#皮同步。每个电源单元模块之间的Vpc的较小电压变化可以被容许,并且总电压V,。。p是各个Vpc输出的总和。电源单元全部都从直流链路并联地进行工作,所有正极被并联连接,并且所有负极被并联连接。可以采用电源单元的被本领域技术人员周知的许多种替换实施方式。图2a和图2b中示出了本发明第二实施方式102的图lb中所示电路图的实现,其中,处于低压的初级环111被放置成与在高电压下工作的次级环121同轴,并且初级环111^皮至少部分地》文置在次级环121内,如本文的例子1中所示。这种系统的关4建优点在于电压绝缘必需品位于直径较大并且表面相当光滑的结构之间。这是^f艮理想的,因为随着电压的升高,避免能造成相当急剧的场增强的尖峰点是很重要的,因为相当急剧的场增强可能导致因电压击穿造成的故障。随着电压升高,何种情况能被认为是"尖峰点,,变得很重要。参考图3,Epk是峰值电场,V=100kV是外直径为r的内环111和内直径11=100mm的外环121之间的电压。V:=100R:=100r:=1,2..90图3中用线301示出了在较大环121的直径R保持恒定的R400mm的情况下的此函数。将会注意到,对于较小的环111的直径r非常小的情况,尽管各环之间的距离比r的值较大时的距离大,但电场升高到非常高的值。并非不可预料的是,如果r趋近于R,那么随着各表面变得越来越靠近,电场再次升高。对于给定值R^100mm,当r二37mm时,产生最小的电场应力,产生的2.72kV/mm的场应力恰好低于常温常压下干燥空气的约为3kV/mm的击穿值。本发明的关键优点是能够为给定电压选择电场最小化的半径r和R。环形芯子(toroidalcores)111、121的大小优选地选择成使得用于初级芯子111和次级芯子121的所需绕组可以通过单层绕组实现。这是最理想的情况,但并不是必须的,也可以使用多层绕组。单层绕组的优点是导线中的涡电流损耗被最小化,因为在其它情况下多个层可能会使涡电流损耗复合到非常高的程度。同样,因为单个芯子上的电压低,绕组可直接置于通常在环形芯子上可见的塑料面层之上。该装置不再需要存在于芯子和绕组之间的复杂的绝缘系统。并且,由于利用单层绕组,将单层绕组置于环上的实际缠绕操作是在变压器缠绕操作中的一个最简单且成本最低的处理。对芯子材料、操作频率和个体芯子尺寸的选择是通过基于Iload和Vloop为每个单独芯子进行的计算来确定的。在这点上,假设每个单独的环具有单匝绕组,应用标准的计算方法。可以预料到,当芯子材料是铁氧体材料或者纳米晶材料时,装置具有相应的有益效果。ii再次参考图2a和图2b,示出了具有五个单独的次级环121的组件作为例子,但可以使用其它数目的环,甚至是30个或40个环。每个次级线圈121安装在印刷电路板3上,该印刷电路板3上还安装了Brn整流器24和CN滤波电容器23。为了电压隔离,在各个电路板3之间存在很小的间隔。因为各个次级线圈121被串联连接起来,所以可以使用小的连接器系统6,使得多个PCB可以被插接到一起,从而使组装更容易。回路电压被降低很多,因此与各次级线圈相比,各初级线圈111可以更接近地放在一起,甚至可以彼此相接触。在图2b的端^L图中示出了初级线圈lll和次级线圈121之间的径向间距8,该径向间距8可以^皮:没计成用于实现所需的耐压值(voltageholdoff),如本文之前详细描述的那样。将所有芯子链接起来的回路13由轴向穿过初级线圈或次级线圈的中心导电管4和成形的导电的端颊和基底5形成。为了满足冷却和耐压值增强需求,可通过已知方法将该系统浸到流体中。在高频下使用系统并且在电流透入深度很低的情况下,例如,在铜中在20kHz时约0.46mm,利用薄壁管4和端颊和基底的表面积很大的平坦结构是最适当的。对于中心导体4,沿着管长度方向的多个小管和/或槽也可改善电流分布并可以降低管的AC电阻,这是合乎需要的。可在端颊5中设置孔29,使得如图2a所示,在需要时,流体流9可被引导贯穿该组件,以用来冷却变压器。图4a和图4b示出了系统103,其中PCB3添加了图lc和图ld中示出的LN电感器25。图5a和图5b示出了利用图le和图lf中的电路的本发明的实施例105、106,其中,线圈111、121没有缠绕成环,而是缠绕成传统的形式。然后,可由一个环位于另一个环内部的环组件制成的合适的绝缘芯子可被用作公用-兹路。通过将各环^L置成一个位于另一个的内部,可产生面积非常大的-兹路,这对于高电流滤波器应用是很理想的。这种类型的磁路最好与使用特定形式的磁材料的铁氧体或铁压粉芯子一起使用,而不是与条带缠绕的芯子一起使用。图6中示出了实施例105、106的部件的图片。在图片中心示出的芯子61和右手侧的芯子62每一个都示出了分别穿过环的导线(绕组)611、621_—这是使用这种芯子的常规方式。通过将一组较小的芯子62放到一组较大的芯子61的内部,可制成面积较大的长磁芯63。导线(绕组)631缠绕在外芯子61的外径周围。这种结构具有大的空隙,并因而具有较低的^t,这是DC电源滤波扼流圈最希望实现的。对于可放到彼此内部的芯子的数目和組套的高度并没有理论上的限制。与铁氧体或铁粉制成的大圆柱体相比,这种方法使成本P条低了很多。如本领域技术人员已知的那样,在任何变压器中,初级和次级之间的耦合并不完全,这种变压器也不例外。但,不完全性或如通常知道的漏电感与利用传统变压器获得的不完全性或漏电感在数量级上相类似。在一些变压器中,希望故意造成漏电感,而利用本发明的变压器,可以最高效的方式引入这种漏电感。图7示出了本发明第七实施例107的电路图,该实施例在回路中故意引入了电感71,L—Loop。初级Vp—Loop和次级Vs—loop两端的回路中的电压在基础设计中是实质相同的,但现在因此是不同的,并且通过利用V_Loop的不同值对初级线圈111和次级线圈121进行计算。参考图8的端视图,可以在初级绕组和次级绕组是同轴的变压器中,通过在初级线圈111和次级线圈121之间的柱状间隔8中插入》兹性材料81,来实现L_Loop71。绝缘间隔8必须被设定成能达到所需耐压值,或者磁性材料81可以是具有很高的耐压能力的一类铁氧体。某些镍锌铁氧体可以可靠地耐受高达2kV/mm的电压,因此可以制造出利用磁性材料作为高压绝缘体和^磁芯的具有漏电感的变压器。参考图9,将理解,线圈lll、121并不必须是同轴的,还可以如本发明第八实施例108所示那样是并排的。对于高压输出(此处考虑的所有系统都是这种情况),线圈中的线性梯度将导致一端处具有高压,使得需要超高压绝缘体91。这增大了回路长度。应注意,各初级线圈111具有相同的直径,在此处和以下描述中,术语"线圈"表示带有绕组的环;因为具有超高压系统,与其它情况相比,初级线圏需要的电压间隙较小。参考图10,对于第九实施例109中的更高的电流应用,可通过将这两组次级线圈布置成使得高压处于这两组的中心来使用两组次级线圈121,如附图所示。通过使用两组线圏121用于次级绕组,高压点可显示在中心处。这大大简化了超高压绝缘设计,并导致与之前的实施例108相比,次级系统更小,即更短。并联的次级线圈121也增大了电流能力。对于这些实施例,初级回路管4的直径可以比之前描述的实施例中的大,以便在需要时减小铜损。如图11和图12所示,可以对机械布置作出小的改动。这是因为,各初级线圈111之间的间隙通常远小于次级线圈121之间所需的间隙。参考图11,实现耦合回路13的装置的设计可利用具有由更宽的、可能接地的带子131形成的回程路径的线性导体。支持初级侧电源的电子设备可被安装在带子的与绕组相对的一侧上。对这个带子进行水(或空气)冷却允许带子形成转换器的电源电子设备系统的中心机械分界面。参考图12,图11的实施例110可^皮适配成与图9的第八实施例108相似的结构。这改变了装置的纵;廣比。更宽的带子132可有助于稍稍减小电阻,但需要更多的接合处。对于初级结构,连接方法是很重要的,并且当功率/频率等高线升高时,这可能变成弱环。然而,现在可以在初级线圈系统111和次级线圈系统121之间安装屏蔽122。参考图13,图7中所示的电路可替代地通过在初级回路上安装芯子71来实现,该芯子71被安装在初级线圏111的内部。这产生了与图7中的电路相同的等同电路,但并不增加回路长度。在很多情况下,回路级别的相对较低的电感可通过利用在回路一部分上滑动的低Ur芯子来实现。参考图14,在本发明的第十一个实施例中,任何前述实施例可净皮适配成利用次级线圈121的直径随着电压梯度的升高而增大或随着电压梯度的降低而减小的结构。然而,尽管芯子损耗可能被减小,但这样的实施例需要制造更多个不同尺寸的线圏。在所有前述的非同轴的实施例中,各次级线圏121可以直接串联连接起来,或者每个次级线圏可具有整流器系统,如同轴的实施例那样。如果需要,这个整流器系统可以是电桥或电压倍增配置。代替单个管,回路13可由数个小管形成,使得回路的表面积被增大,因而降低AC电阻效应。初级线圈111可如所需那样被布置成串联的和/或并联的组。方便的作法是将所有初级线圈都设置成并联,并利用同一个绕组作为次级线圈,因而减小了各部分的差异,并使制造的同类线圈的数量提高了两倍。对于更高的功率,包括控制和初级侧电源电子设备的完整模块可以被并联。通过针对每个并联的模块调整触发器的时间,可得到很高的波紋频率。这种功率更高的系统可利用低存储能量来操作,因而避免了对通常被称为短路器(crowbar)的能量分流器的需要。如上所述,也可以使用次级侧平滑电感器。一些实施例需要这种电感器,并且一些实施例可从这种电感器获得有益效果。该电感器通常被称为扼流输入滤波器。如果需要这样的结构,那么该结构可以很容易被适配成适合本文描述的方法。每个次级线圈和整流器具有相关的更小的电感器系统,这些电路元件被串耳关连接。这并不排除利用单个更大的电感器来代替。然而,随着频率升高,更大的电感器可能会被证明很难与足够低的寄生电容一起建立。利用多个更小的电感器减小了动态电容。对于线圈组件提出的可能数量构造优点等同地适用于输出电感器。输出电感器的一个重要状况是对于某些拓朴,峰值电压可能超过了平均输出电压相当大的程度。这使得超高压设计更有希望。实例1变压器被构造成具有两个同轴安装的磁路,其中一个^兹路位于另一个^兹路的内部。外部芯子TX87/54/14被缠绕了73匝表面涂覆ptfe镀有19/0.2mm银的铜线。内部芯子TN36/23/15被缠绕了34匝同样的导线。该系统与用1oz/f^包铜的板和50^iM铜制造的单匝结构互连。图15和图16中的图片示出了组装技术。图15示出了在最终安装单匝耦合系统之前各个芯子的位置。图16示出了最终的组件。利用低电平RF电桥对该单元进行测试。在10kHz时,每个绕组的串联电感和串联电阻如下夕卜部Ls=10.23mHRs=15.76R内部Ls=2.3ImHRs=4.41R基于电感比率平方根的比率是2.104,基于各匝的值为2.147,这在测量误差内。漏电感是在其它线圈终端祐:短^各的情况下在一个线圈上检测到的。<table>tableseeoriginaldocumentpage15</column></row><table>这些结果证明在外部线圏内安装内部线圈可制造出能正常工作的设备,并证明该结构的较大直径形成了最适于高压应用的构造技术。还可以通过在内部线圈和外部线圈之间的空间中?1入》兹性材料来对初级与次级之间的漏电感进行控制。因而,可以存在三个同心安装的分离磁路。如果被安装在流体中,该构造通过强制流体沿中心流而使自身适合于经过线圈的强制对流。权利要求1.一种变压器,包括初级绕组装置和次级绕组装置,该初级绕组装置包括第一多个磁路,该第一多个磁路中的每个磁路具有第二多匝,并被并联电连接或由各自的电源装置供电;该次级绕组装置包括第三多个磁路,该第三多个磁路中的每个磁路具有第四多匝,并被串联电连接;其中通过单匝导电回路装置将所述初级绕组装置电磁耦合到所述次级绕组装置。2.如权利要求1所述的变压器,其中所述初级绕组装置和所述次级绕组装置是同轴的。3.如权利要求2所述的变压器,其中所述次级绕组装置的至少一个磁路设置有整流器装置和滤波器装置,以从变压器提供直流输出。4.如权利要求3所述的变压器,其中所述次级绕组装置的至少一个磁路还设置有感应平滑滤波器装置。5.如权利要求4所述的变压器,其中所述感应平滑滤波器装置是双绕电感器。6.如权利要求4或5所述的变压器,其中所述第三多个磁路中的每个磁路的所述感应平滑滤波器装置具有公用芯。7.如权利要求1所述的变压器,还包括单匝导电回路装置中的电感装置。8.如权利要求2至7中任一项所述的变压器,其中所述单匝导电回路装置包括与所述初级绕组装置和所述次级绕组装置同轴的管装置。9.如权利要求8所述的变压器,其中所述单匝导电回路装置还包括成形的导电的端颊装置和基底装置。10.如权利要求9所述的变压器,其中所述成形的导电的端颊装置设置有用于供冷却流体流过的至少一个孔。11.如权利要求3所述的变压器,其中,所述第一多个磁路中的每个磁路、所述第二多个磁路中的每个磁路、所述整流器装置和所述滤波器装置被安装在各自的印刷电路板装置上。12.如权利要求11所述的变压器,其中在各个印刷电路板装置上安装有感应平滑滤波器装置。13.如权利要求1所述的变压器,其中所述初级绕组装置和所述次级绕组装置是并排关系。14.如权利要求13所述的变压器,其中所述次级绕组装置还包括超高压端绝缘装置。15.如权利要求13所述的变压器,其中所述次级绕组装置布置成两组磁路,使得次级电压基本上从所述两组-兹路之间的所述次级绕组装置的中心处抽头抽出。16.如权利要求13所述的变压器,其中在所述初级绕组装置和所述次级绕组装置之间提供屏蔽装置。17.如权利要求13或15所述的变压器,其中所述平滑感应滤波器芯子与所述初级绕组装置同轴地设置在所述初级绕组装置的内部。18.如权利要求13所述的变压器,其中所述次级绕组装置的磁路的直径从所述次级绕组装置的高压端到低压端逐渐减小。19.如权利要求1所述的变压器,其中所述初级绕组装置被划分成第一组磁路和第二组磁路,并且所述第一组磁路和第二组磁路布置成使得它们各自的轴线与所述次级绕组装置的轴线共线,并使得所述第一组磁路位于所述次级绕组装置的第一端,所述第二组;兹^^位于所述次级绕组装置的与所述第一端相反的第二端。20.如权利要求19所述的变压器,其中耦合回路装置的回程路径由比所述耦合回路装置的剩余部分更宽的带子形成。21.如前述权利要求中任一项所述的变压器,其中所述初级绕组装置和所述次级绕组装置中的至少一个包括单层绕组。全文摘要变压器(101)包括初级绕组(11)和次级绕组(12),初级绕组具有第一多个磁路(111),第一多个磁路中的每个磁路都具有第二多匝并被并联电连接,次级绕组具有第三多个磁路(121),第三多个磁路中的每个磁路都具有第四多匝并被串联电连接。初级绕组(11)通过单匝导电回路(13)与次级绕组(12)电磁耦合。文档编号H02M7/493GK101681717SQ200880017771公开日2010年3月24日申请日期2008年3月19日优先权日2007年3月29日发明者罗伯特·理查德森申请人:E2V技术(英国)有限公司
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