专利名称：两个不通电源系统之间的双向传输接口电路的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种接口电路，尤其涉及一种两个不通电源系统之间的双向传输接口 电路。
背景技术：
由图1可见其中1端和2端分别连接两套不通的电源系统(VCC1和VCC2)，传输 原理为以从1端向2端传输为例，传输低电平时，1节点被外接的open-drain N管驱动拉 到地，由于Ml管是导通的，并且其导通电阻远小于R2，所以2点也被拉到地，也就是低电平 被传输到了 2点；当外接的open-drain N管驱动被关断后，1、2两节点分别被Rl、R2拉到 各自的电源电压，从而完成了高电平的传输。数据从2端向1端的传输过程与此相同。但这种结构有个缺点，就是传输管Ml栅压的选取问题，假设Ml栅压为VCC2，当 VCC2 > VCCl+Vth(Ml)，从1端向2端传输高电平时1点能被拉高到VCCl，传输管Ml —直处 于导通状态，于是2点受VCCl的牵制不能被拉到VCC2 了，这样高电平无法有效传输，同时 从VCC2到VCCl之间形成了一条电流通路，如图2所示，这种现象是不希望发生的。为了避 免这种情况的发生Ml的栅端应该连接VCC1、VCC2中的电压较低者，但对于不同的应用场合 VCCl与VCC2的大小是不确定的，这样就需要额外的比较判断电路先比较VCCl与VCC2的大 小然后选择较小者作为Ml的栅压，从而使得电路变得复杂了。
发明内容
本发明需要解决的技术问题是提供了一种两个不通电源系统之间的双向传输接 口电路，旨在解决上述的问题。为了解决上述技术问题，本发明是通过以下技术方案实现的本发明包括连接第一电源电压的第一电阻和连接第二电源电压的第二电阻；还 包括第一 NMOS管和第二 NMOS管；第一 NMOS管和第二 NMOS管的栅极分别与第一电源电压 和第二电源电压相连，第一 NMOS管的源极与第一电阻的一端相连，第一 NMOS管的漏极与第 二 NMOS管的源极相连，第二 NMOS管的漏极与第二电阻的一端相连。与现有技术相比，本发明的有益效果是利用较低的成本，使得高电平能有效传 输。
图1是现有技术中两个不通电源系统之间的双向传输接口电路图；图2是图1中Ml栅压为VCC2电路图；图3是本发明结构示意图。
具体实施例方式下面结合附图与具体实施方式
对本发明作进一步详细描述
由图3可见本发明包括连接第一电源电压VCCl的第一电阻Rl和连接第二电源电压VCC2的第二电阻R2 ；还包括第一匪OS管Ml和第二匪OS管M2 ；第一匪OS管Ml禾口 第二 NMOS管M2的栅极分别与第一电源电压VCCl和第二电源电压VCC2相连，第一 NMOS管 Ml的源极与第一电阻Rl的一端相连，第一 NMOS管Ml的漏极与第二 NMOS管M2的源极相 连，第二 NMOS管M2的漏极与第二电阻R2的一端相连。本发明用两个NMOS管(M1、M2)串联传输数据，M1、M2的栅端分别接VCCl和VCC2， 当VCC2 > VCCl+Vth (Ml)，传输高电平时，1点电压通过Rl被拉到VCC1，2点被拉到VCC2，M2 管导通，3点电压会被拉到VCC2-Vth (M2)，Ml管栅源电压差为零，处于截止状态，这样就不 会形成从VCC2到VCCl之间的通路，2点也就不会受到VCCl的影响而顺利的被拉到VCC2。
权利要求
一种两个不通电源系统之间的双向传输接口电路，包括连接第一电源电压的第一电阻和连接第二电源电压的第二电阻；其特征在于还包括第一NMOS管和第二NMOS管；第一NMOS管和第二NMOS管的栅极分别与第一电源电压和第二电源电压相连，第一NMOS管的源极与第一电阻的一端相连，第一NMOS管的漏极与第二NMOS管的源极相连，第二NMOS管的漏极与第二电阻的一端相连。
全文摘要
本发明涉及一种两个不通电源系统之间的双向传输接口电路，包括连接第一电源电压的第一电阻和连接第二电源电压的第二电阻；还包括第一NMOS管和第二NMOS管；第一NMOS管和第二NMOS管的栅极分别与第一电源电压和第二电源电压相连，第一NMOS管的源极与第一电阻的一端相连，第一NMOS管的漏极与第二NMOS管的源极相连，第二NMOS管的漏极与第二电阻的一端相连；本发明的有益效果是利用较低的成本，使得高电平能有效传输。
文档编号H02J4/00GK101841168SQ20091004787
公开日2010年9月22日 申请日期2009年3月20日 优先权日2009年3月20日
发明者张远斌, 戴忠伟 申请人:广芯电子技术(上海)有限公司