专利名称：一种过流保护电路的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种保护电路，尤其是涉及一种过流保护电路。
背景技术：
目前，车载电子产品的保护形式越来越多，保护电路也层出不穷，以智能芯片居 多，并得到了大量应用，但是由于其核心技术多掌握在集成芯片厂商的手中，价格昂贵，严 重影响了企业的竞争力，所以一些相对简单可靠性高的电路更适合当前国内市场的发展趋 势。另外，许多智能芯片的保护措施都是利用对温度的检测，根据过流中芯片的温度 保护，当温度降下来后，重新开始工作，这就造成了芯片反复在过流与保护过程工作，增大 了过流时的功耗。
发明内容本实用新型的目的就是为了克服上述现有技术存在的缺陷而提供一种电路结构 简单、成本低廉、大大减小了过流时的功耗的过流保护电路。本实用新型的目的可以通过以下技术方案来实现一种过流保护电路，其特征在于，包括一级驱动电路、低电平驱动电路、二极管D3， 所述的二极管D3的阴极与低电平驱动电路连接，所述的二极管D3的阳极与一级驱动电路 连接，所述的一级驱动电路与低电平驱动电路连接。所述的一级驱动电路包括三极管Q1、电阻R1、电阻R2、二极管D1、稳压管D2、电容 Cl ；所述的三极管Ql包括发射极、集电极、基极，所述的发射极与电源连接，所述的集 电极与二极管Dl的阳极连接，所述的基极通过电阻Rl与稳压管D2的阴极连接，所述的基 极通过电阻R2与电源连接，所述的基极与二极管Dl的阴极连接；所述的稳压管D2的阳极与二极管D3的阳极连接；所述的电容Cl 一端接在稳压管D2的阳极与二极管D3的阳极之间，另一端接地。所述的低电平驱动电路包括MOS管Q2、电阻R3、电阻R4、稳压管D5 ；所述的MOS管Q2包括源极、漏极、栅极，所述的源极接地，所述的漏极与二极管D3 的阴极连接，所述的栅极与稳压管D5的阴极连接，所述的栅极通过电阻R4接地，所述的栅 极通过电阻R3接在三极管Ql的集电极与二极管Dl的阳极之间。所述的三极管Ql为PNP型三极管。所述的MOS管Q2为N沟道MOS管。与现有技术相比，本实用新型具有以下优点1、电路结构简单，成本低廉。2、此过流保护电路属于自锁式，当负载过流发生后，电路自动切断输出，直到重新 启动后方可恢复工作，这样大大减小了过流时的功耗。[0018]3、可通过调整二级管的值，灵活地改变过流大小。
图1为本实用新型的电路图。
具体实施方式
以下结合附图和具体实施例对本实用新型进行详细说明。实施例如图1所示，一种过流保护电路，其特征在于，包括一级驱动电路1、低电平驱动电 路2、二极管D3，所述的二极管D3的阴极与低电平驱动电路2连接，所述的二极管D3的阳 极与一级驱动电路1连接，所述的一级驱动电路1与低电平驱动电路2连接。所述的一级驱动电路1包括三极管Q1、电阻R1、电阻R2、二极管D1、稳压管D2、电 容Cl ；所述的三极管Ql包括发射极、集电极、基极，所述的发射极与电源连接，所述的集电 极与二极管Dl的阳极连接，所述的基极通过电阻Rl与稳压管D2的阴极连接，所述的基极 通过电阻R2与电源连接，所述的基极与二极管Dl的阴极连接；所述的稳压管D2的阳极与 二极管D3的阳极连接；所述的电容Cl 一端接在稳压管D2的阳极与二极管D3的阳极之间， 另一端接地。所述的三极管Ql为PNP型三极管。所述的低电平驱动电路2包括MOS管Q2、电阻R3、电阻R4、二极管D5 ；所述的MOS 管Q2包括源极、漏极、栅极，所述的源极接地，所述的漏极与二极管D3的阴极连接，所述的 栅极与二极管D5的阴极连接，所述的栅极通过电阻R4接地，所述的栅极通过电阻R3接在 三极管Ql的集电极与二极管Dl的阳极之间。所述的MOS管Q2为N沟道MOS管。负载load接在二极管D3的阴极与MOS管Q2的漏极之间。本实用新型电路工作原理当负载load正常时，通电瞬间，由于电容Cl两端电压不能突变，所以稳压管D2开 始工作，将电压稳定在所选值，促使三极管Ql开始工作，输出高电平驱动后级的N沟道MOS 管Q2稳定工作，由于N沟道MOS管0^2)的强下拉，使得二极管D3将稳压管D2阳极电位箝 位在低电平，稳压管D2工作，保证这个电路正常工作。当负载变化时，造成流过N沟道MOS管Q2电流过大，MOS管Q2内部等效为一定值 电阻，使得N沟道MOS管Q2漏极电压升高，经过二极管D3箝位，则一级驱动电路中稳压管 D2阳极电压升高，从而停止工作，那么三极管Ql也就停止对MOS管Q2的驱动，电路处于关 断保护。
权利要求1.一种过流保护电路，其特征在于，包括一级驱动电路、低电平驱动电路、二极管D3， 所述的二极管D3的阴极与低电平驱动电路连接，所述的二极管D3的阳极与一级驱动电路 连接，所述的一级驱动电路与低电平驱动电路连接。
2.根据权利要求1所述的一种过流保护电路，其特征在于，所述的一级驱动电路包括 三极管Ql、电阻Rl、电阻R2、二极管Dl、稳压管D2、电容Cl ；所述的三极管Ql包括发射极、集电极、基极，所述的发射极与电源连接，所述的集电极 与二极管Dl的阳极连接，所述的基极通过电阻Rl与稳压管D2的阴极连接，所述的基极通 过电阻R2与电源连接，所述的基极与二极管Dl的阴极连接；所述的稳压管D2的阳极与二极管D3的阳极连接；所述的电容Cl 一端接在稳压管D2的阳极与二极管D3的阳极之间，另一端接地。
3.根据权利要求1所述的一种过流保护电路，其特征在于，所述的低电平驱动电路包 括MOS管Q2、电阻R3、电阻R4、稳压管D5 ；所述的MOS管Q2包括源极、漏极、栅极，所述的源极接地，所述的漏极与二极管D3的阴 极连接，所述的栅极与稳压管D5的阴极连接，所述的栅极通过电阻R4接地，所述的栅极通 过电阻R3接在三极管Ql的集电极与二极管Dl的阳极之间。
4.根据权利要求2所述的一种过流保护电路，其特征在于，所述的三极管Ql为PNP型 三极管。
5.根据权利要求3所述的一种过流保护电路，其特征在于，所述的MOS管Q2为N沟道 MOS 管。
专利摘要本实用新型涉及一种过流保护电路，包括一级驱动电路、低电平驱动电路、二极管D3，所述的二极管D3的阴极与低电平驱动电路连接，所述的二极管D3的阳极与一级驱动电路连接，所述的一级驱动电路与低电平驱动电路连接。与现有技术相比，本实用新型具有电路结构简单、成本低廉、大大减小了过流时的功耗等优点。
文档编号H02H3/08GK201821077SQ20102053792
公开日2011年5月4日 申请日期2010年9月21日 优先权日2010年9月21日
发明者李兵, 邓卓瑛, 邵巍 申请人:上海航天汽车机电股份有限公司