专利名称：具有侧出气口的基板支撑件及方法
具有侧出气口的基板支撑件及方法
背景技术：
本发明的实施例涉及一种用于沉积及离子注入装置的基板支撑件以及相关方法。在电子电路、太阳能板及其它微电子器件的制造中，在基板上形成各种层结构及特征结构，如半导体晶片或玻璃面板。举例而言，介电材料、半导体材料及导电材料的层可沉积于基板上。某些层结构随后经处理而形成特征结构，如互联线、接触孔、栅极及其它等。 例如多晶硅材料的半导体层也可被沉积于基板上。半导体层随后被注入离子以形成N-型掺杂区域或P-型掺杂区域。举例而言，多晶硅可在沉积腔室内沉积。此后，在单独的离子注入腔室中执行离子注入处理，以形成具有期望轮廓与离子浓度的栅极与源极、漏极结构。 在该处理中，基板需要以盒体或通过机械手臂从一个腔室运送至另一个腔室。在此运送过程中，基板有可能被来自盒体、机械手臂或者甚至是来自洁净室环境中的颗粒物污染。已经开发出了既能够在沉积层结构中沉积半导体或其它材料，又能够注入离子的单一腔室。在这些处理中，半导体层沉积在基板上，并且使用离子注入处理将离子注入并掺杂进该沉积层或者在下面的基板。在该沉积及离子注入处理中，不同的处理气体或气体混合物可被用来提供沉积材料或者源核素。举例而言，该种腔室及各项处理在以下专利公开中有所描述共同转让的于2008年6月12日公开的、Le等人的发明名称为《等离子体浸没的离子注入方法(PLASMA IMMERSED ION IMPLANATAION)》的第 2008/0138967 Al 号美国专利公开；于2004年8月沈日公开的、Dan Maydan等人的发明名称为《使用等离子体浸没离子注入的绝缘体上覆硅结构的制造(FABRICATION OF SILIC0N-0N-INSULAT0R STRUCTURE USING PLASMA IMMERSION ION IMPLANATION)》的第 2004/0166612 Al 号美国专利公开；于2004年6月10日公开的、Kenneth Collins等人的发明名称为《使用具有低电离及最低等离子体电压的等离子体源的等离子体浸没离子注入处理(PLASMA IMMERSION ION IMPLANATAION PROCESS USING A PLASMA SOURCE HAVING LOW DIS S0CIATI0N AND LOW MINIMUM PLASMA VOLTAGE)》的第2004/0107909 Al号美国专利公开；以及于2003年12月 11日公开的、Kenneth Collins等人的发明名称为《具有磁性控制离子分配的外部激发环状等离子体源(EXTERNALLY EXCITED T0RR0IDAL PLASMA SOURCE WITH MAGNETIC CONTROL OF ION DISTRIBUTION)》的第 2003/0226641 Al 号美国专利公开。不过，虽然惯常的沉积及注入腔室提供了许多种不同材料的沉积以及离子注入的良好结果，但他们却无法总能提供某些材料的均勻沉积薄膜，或者是无法满足特别紧密的特征结构的容限。使用惯常的沉积及离子化腔室以均勻厚度沉积及注入离子于半导体薄膜中(如多晶硅)经常是有困难的。举例而言，已发现具有位于腔室底壁的气体输送通口的腔室会沉积有缺陷且不均勻的半导体层，其中基板安装在该腔室底壁上。由于伴随超大规模集成电路(ULSI)需要增加晶体管及电路的速度、密度，并改善可靠度，对微电子器件的要求不断增加，即使是沉积材料的厚度稍不均勻或离子浓度稍变，都是无法接受的。尤其是， 这些要求需要形成具有高精度及均勻性的特征结构。因此，需要一种改良的装置、系统及方法以沉积和/或注入材料到基板上。这些以及其它问题皆可由本发明的装置及方法予以解决。
发明内容
一种用于处理腔室的基板支撑件，包括静电吸盘以及位于静电吸盘下方的气体分配器基板，其中静电吸盘具有以便接收该基板的接收表面。该气体分配器基板包括周围侧壁，该周围侧壁具有彼此互相隔开的复数个出气口，以便将处理气体从围绕基板的周边且以径向朝外的方向，引入处理腔室内。—种沉积材料于基板的方法，包括将基板固持于腔室内，并使处理气体从间隔的各点流入腔室内，各该间隔的点在基板周边外侧且邻接，并呈径向朝外方向。该处理气体系被施加能量以便将材料沉积于基板上。处理腔室能够沉积材料并将离子注入于基板上。该处理腔室包括外壳，所述外壳具有围壁以及用于在该外壳内接收基板的基板支撑件。该基板支撑件包括具有接收表面的静电吸盘，以便接收该基板；以及位于静电吸盘下方的气体分配器基板。该气体分配器基板包括周围侧壁，该周围侧壁具有彼此互相间隔开的复数个出气口，以便将处理气体从围绕基板的周边且以径向朝外的方向，引入该外壳内。等离子体产生系统对该处理气体施以能量，以形成能够沉积材料于基板上或将离子注入基板内的等离子体。排气装置被提供用来将处理气体排出该处理腔室。
在参考以下示出本发明实施例的说明、所附的权利要求书以及附图后，将会更加了解本发明的这些特征、方面及优点。不过，须了解的是每一特征均可一般性地适用于本发明，而非仅适用于特定的附图内容，且本发明包括这些特征的任何组合，其中图1是基板支撑件的一个实施例的横截面示意图，该基板支撑件包括静电吸盘及气体分配器基板；图2是基板支撑件的一个实施例的立体图，该基板支撑件包括静电吸盘及气体分配器基板；图3A是气体分配器基板的一个实施例的立体示意图，该气体分配器基板包括具有出气口阵列的周围侧壁，该出气口阵列可使气体相对于基板以径向朝外的方向流入腔室；图:3B是图3A所示的气体分配器基板的俯视图，其示出了可以向出气口供应处理气体的嵌入式环状进料通道；图4是本发明处理腔室一个实施例的部分剖面侧视示意图，该处理腔室能够沉积及注入离子到基板上；以及图5是图4所示的处理腔室的部分剖面立体示意图。实施方式根据本发明的沉积及离子注入系统的实施例能够在基板M上沉积层，并且以等离子体浸没离子注入处理将离子注入该基板M内。在一个实施例中，通过将含有沉积气体的处理气体供应至处理腔室60内，并形成该沉积气体的等离子体以在基板M上沉积层，来执行沉积处理。然后，在同一腔室60内，通过供应含有离子前驱物气体的不同处理气体进入处理腔室60内，并产生这些处理气体的等离子体，以便将离子自气体中分离出，来执行离子注入处理。通过跨离子的行进路径施加偏压电压，被分离出的离子朝着基板加速并被注入基板。该基板M包括一种半导体材料，诸如硅、多晶硅、锗、硅锗(silicon germanium)、 或化合物半导体。硅晶片可具有单个或大的硅晶体。示例性化合物半导体包括砷化镓。基板M可由半导体材料(如所示)制作，或者可具有在基板上面的半导体材料层(未示出)。 举例而言，含有介电性材料的基板M，例如面板或显示器，可具有沉积于基板上的半导体材料层，以作为基板的有源半导体层。适当的介电性材料包括硼磷硅玻璃、磷硅酸玻璃、硼硅玻璃以及磷硅酸玻璃。图1中示出了用于在处理腔室60内接收基板M的基板支撑件20的实施例。该基板支撑件20包括静电吸盘沈，该静电吸盘沈包括接收表面观，该接收表面观为与固持在吸盘沈上的基板M的形状与尺寸相匹配的圆盘形。该静电吸盘沈包括具有嵌入式电极36的介电盘32。该介电盘32最好是包括可渗透电磁能的材料，例如至少是氮化铝、氧化铝以及钛氧化物其中之一，且优选包括氮化铝。不过，该介电盘32也可包括其它材料，例如聚合物(举例而言，聚酰亚胺)。该介电盘32具有约5mm至15mm的厚度，例如约10mm。该介电盘32也可具有朝外延伸的阶梯状环形凸缘34。金属平板39可被结合至介电盘32的底部，以便于操作和确保将静电吸盘26紧固到在下面的结构。该金属平板39例如可由铝合金(例如铝和硅)制作，并且其中一种方式是由以铝渗入的多孔碳化硅制作。该静电吸盘沈的电极36是可充电的，并且可以是单极电极或双极电极。通常电极36是由金属构成。操作中，电极36可设有端子35，端子35连接电极电源37以接收电压，该电压可为交流电压或直流电压，用来给电极充电从而以静电固持该基板。该电极电源 37也可提供电极36射频功率，从而为处理腔室提供射频激发。在一个示范性实施例中，电极36包括钼丝网。基板支撑件20进一步包括位于静电吸盘沈下方的介电性台座38。在示出的方案中，该介电性台座38包括具有凸缘40的圆柱体以及斜坡侧壁42，该凸缘在静电吸盘沈的周边外侧延伸。例如在图2中所示，斜坡侧壁42的倾斜角度是从大约5°至大约15°。各凹孔44围绕该斜坡侧壁42间隔开，以作为例如螺丝及螺栓的紧固机构的存取点(access point)。该介电性台座38包括介电材料，以便使静电吸盘沈电性隔离支撑结构和/或下部腔室壁。一种情形是该介电性台座38包括例如聚碳酸酯的聚合物。在一个实施例中，该介电性台座38包括具有适当的强度及耐撞击特性的Lexan(TM，SABIC Innovative Plastics)0位于静电吸盘沈下方的气体分配器基板48包括周围侧壁50。该基板48包括具有中心轴52的圆盘形结构，该中心轴52是一旋转对称的轴线。举例而言，该气体分配器基板48可以是正圆柱体形状。该气体分配器基板48可以由导电体制成，以用作用于该处理腔室60的电极。例如，该气体分配器基板48可用作阴极。适当的金属包括不锈钢及铝。该气体分配器基板48也具有电连接器M以连接至基板电源55，从而保持该基板48相对于处理腔室60的围壁处在一电位(或为一电压、浮动电位或接地)。该气体分配器基板48包括彼此相隔开的复数个出气口 56，以便围绕基板M的周边59引入处理气体到处理腔室60内。出气口 56位于基板M的平面下方，且在大约或刚越过对应于基板M半径的径向距离处终止。在一个方案中，出气口 56在一定距离处终止，该距离超过从基板的中心61到基板M的周边59的径向距离，并且出气口 56所处高度低于基板M的平面的高度。出气口 56被定向成可将气体流型从围绕基板M的周边59释放且以径向朝外方向流动，如图3A中的箭头示意性所示的。出气口 56围绕气体分配器基板 48的周围侧壁50，按照从对称中心轴52测量从约5°至约45°的角度间隔开。这使得处理气体从围绕基板M的周边59径向间隔并且位于基板M下方的各点被导引。该气体分配器基板48可包括复数个出气口 56，例如从大约4个到大约100个出气口 56，或者甚至大约10个到大约20个出气口 56。在图;3B示意性示出的实施例中，气体分配器基板48包括了 12个出气口 56。围绕基板M的周边且从较低高度分配处理气体，能够将处理气体更为均勻地分配到基板对。不因作解释而受限，因为处理气体绕基板M的整个周边射入处理腔室60的外壳且维持在接近基板M处理温度的温度，所以认为会有较佳的沉积均勻性结果。由金属所制作的气体分配器基板48在短时间内即与处理腔室60的温度平衡，并且达到比基板M 高或低几度的温度。当气体流经基板48时，气体即被加热(或冷却)至大约与基板M同样的温度。将处理气体围绕基板M周边发射，且将所发射的气体维持在大概与基板M相同或稍低的温度，改善整个基板M的反应速率，并提供更均勻的材料沉积。此外，由于处理气流62被导引沿径向朝外方向远离基板表面，处理气体可散逸进腔室60而没有气流越过基板表面形成条纹。再者，将处理气体导引离开基板M，会将从腔室壁及组件表面剥落的残留颗粒物推走，而避免了这些剥落的颗粒物掉到并污染基板表面。况且，由于是沿水平方向而不是沿传统的垂直方向导引气流62 (传统的垂直方向导引如设在腔室60的下壁上的垂直式定位的喷头分配器或气孔)，较少的颗粒物会飘升而飘浮越过基板表面。该气体分配器基板48的各出气口 56具有选定的形状及尺寸，以使得处理气体能够以足够高的流速通过。不过，出气口 56也应具有足够小的直径，以便减少或者甚至避免处理气体回流入出气口 56内，并避免等离子体在出气口 56的内部空间放电或形成电弧。出气口 56的适当尺寸包括从大约Imm至大约IOmm的直径。在一个示例性实施例中，出气口 56的口径尺寸从大约1. 2mm至大约1. 4mm，或甚至是大约1. 25mm。该气体分配器基板48包括环状进料通道58，以向出气口 56提供处理气体。该环状进料通道58包括气体连接器64，以接收处理气体并向环状进料通道58提供处理气体。 举例而言，该气体连接器64能够连接位于处理腔室60内的气体进给口(未示出)。如图 1所示，可以通过在气体分配器基板坯68的底侧66加工出一环形槽，而在气体分配器基板 48内形成环状进料通道58。接着，可通过在基板坯68上方缝焊下方平板70，而封锁环形槽，以形成具有环状进料通道58的气体分配器基板48。该环状进料通道58具有足以以基本均勻的压力给每个出气口 56提供处理气体的横截面。在一个实施例中，该环状进料通道 58包括一矩形横截面，该矩形横截面宽约2mm至约20mm或者甚至是约6mm，且深约5mm至约25mm，或者甚至是约13mm。该基板支撑件20可用来在基板处理设备100的处理腔室60内固持基板M。该基板处理设备100既可将材料沉积在基板M上，也可离子化等离子体并形成注入到基板 M中的离子。离子能够在沉积处理之前或沉积处理过程当中被注入基板。图4及图5示出可被用来实施离子注入并在基板M上形成层的基板处理设备100。举例而言，该处理腔室60可被用来在基板M上沉积多晶硅层。一个适于实施本发明的合适的处理腔室60是 P3i 反应器，其可由设于美国加州圣克拉拉市(Santa Clara)的应用材料公司(Applied Materials, Inc.)取得。然而，其它腔室及处理也可利用具有气体分配器基板48的基板支撑件20，并且本申请权利要求的范围不应受限于示例性实施例中的腔室、装置以及此处所叙述的其它组件。在P3i腔室中，一转动的环状场在腔室中再生含氧气体的等离子体。这些氧离子通常被以大约50eV(电子伏特)到大约500eV的离子注入能量注入。而在另外的情形中，可施加诸如射频或直流偏压的加速等离子体至处理区附近的电极，以产生等离子体。该处理腔室60包括具有底部124、顶部126、及侧壁122的腔室主体102，而该底部124、顶部1 及侧壁122围绕出处理区域104。基板支撑件组件从腔室主体102的底部1 被支撑，且适于接收可供处理的基板M。该基板支撑件20也可包括其它组件，例如可移动式台座、举升销组件、一个或多个气体馈入装置(feedthrough)以及电连接器(未示出)。气体分配板130可选地耦接至面对基板支撑件20的腔室主体102的顶部126。气源 152耦接至该气体分配板130以提供气态前驱化合物，以用于基板M上执行的处理。处理腔室60的排气装置125包括在腔室主体102内的泵送口 132，该泵送口耦接至真空泵134。 该真空泵134经节流阀136耦接至该泵送口 132。该处理腔室60进一步包括等离子体产生系统190，以便对处理气体施加能量，而产生能够在基板M上沉积材料或将离子注入基板M的等离子体。该等离子体产生系统190 包括一对分开的外部折返(reentrant)导管140、140’，该导管安装在腔室主体102的顶部 126的外侧。第一及第二导管140、140’分别耦接开口 198、196及192、194。外部折返导管 140,140'的正交构形使得等离子体被均勻分配于整个处理区域104。透磁性的环状铁心 142、142’围绕着相对应的折返导管140、140’区段。一对导电性铁心144、144’经由各个阻抗匹配电路或组件148、148’而耦接至各个射频等离子体源功率产生器146、146’。每一个外部折返导管140、140’都是中空的导电管，该导电管分别被一对绝缘环状环150、150’中断，各绝缘环状环150、150’在各外部折返导管140、140’的两端间中断一另外连续电通路。该等离子体产生系统190进一步包括射频等离子体偏压功率产生器154，该功率产生器通过阻抗匹配电路或元件156耦接至该基板支撑件20，以便控制被注入基板表面的离子的能量。举例而言，射频的功率可被耦接至静电吸盘26的电极36，或耦接至也可在腔室60内作为电极用的气体分配器基板48，或者可耦接至嵌入式电极36及气体分配器基板 48 二者。请往回参考图4，含有从处理气体源152供应的气态化合物的处理气体被引入处理区域104内。处理气体可经由该气体分配器基板48或经由在上方的气体分配平板130 或经由该基板48及该平板130 二者被引入处理区域104内。该处理气体源152可提供不同的处理气体以用来处理基板对，例如在基板M上沉积一层，或通过等离子体浸没离子注入处理将离子注入基板M。处理气体源152可被用来提供具有相同或不同气体成分的处理气体至该气体分配器基板48以及在上方的气体分配平板130。举例而言，第一处理气体成分可被提供至该气体分配器基板48，而第二处理气体成分被提供至在上方的气体分配平板 130。此外，该处理气体源152可提供具有相同或不同流速的处理气体流速至该气体分配器基板48以及在上方气体分配平板130。举例而言，处理气体的第一流速可被提供至该气体分配器基板48，而处理气体的第二流速可被提供至在上方的气体分配平板130。
可供硅或多晶硅沉积的处理气体可包括诸如硅烷基气体以及氢气的沉积气体。适当的硅烷基气体的范例包括但不限于单硅烷(SiH4)、二硅乙烷(Si2H6)、四氟化硅(SiF4)、四氯化硅(SiCl4)、及二氯硅烷(SiH2Cl2)等。硅烷基气体以及氢气的气体比率被维持以控制混合气体的反应行为，从而使得被沉积的多晶硅薄膜内有期望的结晶比率。在一个实施例中，硅烷基气体是单硅烷(S^)，该单硅烷以至少约0. 2slm/m2的流速被供应，并且以至少约lOslm/m2的流速供应氢气。或者，单硅烷气体以及氢气气体的混合气体可以以下条件被供应在从约1托(Torr)至约100托的处理压力(例如，大约3托至大约20托)下，单硅烷气体对氢气的气体的体积流量比率为从约1 20至约1 200。该沉积气体也可包括一种或多种惰性气体，例如(但并不限定为)稀有气体，如氩、氦及氙等。该惰性气体可以在从大约1 10至大约2 1的惰性气体与氢气的流量比率下被供应。在一个实施例中，通过流动15SCCm的硅烷气体、大约50至大约60sCCm的氧气、大约300Sccm的氩气，且施加大约200瓦的射频偏压，将二氧化硅层沉积于离子注入薄膜上。 该沉积发生大约1分钟至大约2分钟，并且沉积大约50埃至大约60埃厚度的二氧化硅覆
盖层ο适当的离子注入处理气体的例子，除了其它的外还包括&H6、BF3> SiH4, SiF4, PH3、 P2H5、PO3、PF3、PF5以及CF4。注入的离子取决于基板M的半导体材料类型或者是沉积于基板 24上的半导体层类型。举例而言，包括硅晶片的基板M的源极区与漏极区能够注入η-型与P-型掺质。当被注入硅中时，适当的η-型掺质离子例如至少包括磷、砷及锑三者之一。 而适当的P-型掺质离子例如至少包括硼、铝、镓、铟及铊其中的一种。举例而言，源极区可通过将P-型掺质(如硼)注入含有硅的半导体材料而形成；而漏极区可通过将η-型掺质 (如砷或磷)注入含有硅的半导体材料而形成。源极区与漏极区在二者的边界处形成P-N 结。在一个实施例中，这些离子被以从Ix 1014atomS/Cm2至约Ix 1017atOmS/Cm2的剂量注入半导体材料中。该离子注入层可被曝露于其它处理气体中，以将层沉积于该基板M的离子注入层上。举例而言，该注入层可曝露于含氧气体，以沉积氧化物层，或是曝露于含有硅、氧、氮、 碳以它们组合物的气体。可被引入腔室60内的适当气体包括含硅气体、含氧气体、含氮气体、以及含碳气体。适当的含氮气体范例包括氨、胼、有机胺、有机胼、有机二嗪(organic diazines)、叠氮硅烷(silylazides)、硅烷基胼、叠氮化氢(hydrogen azide)、氢氰酸、原子氮、氮、苯胼、偶氮叔丁烷(azotertbutane)、叠氮乙烷(ethylazide)、它们衍生物或者组合。碳源包括有机硅烷、乙基、丙基、丁基的相应炔烃、烯烃及烷烃。这些碳源包括甲基硅烷、 二甲基甲硅烷、乙基硅烷、甲烷、乙烯、乙炔、丙烷、丙烯、丁炔以及其它。层形成气体可随载气供应至腔室。在一个实施例中，氩气被用来作为载气，且以大约300sCCm的流速供应。在化学气相沉积(CVD)当中，可供应大约200瓦至大约2000瓦的射频功率。处理气体可被射频等离子体源功率发生器146、146’施加能量，以便在处理腔室 60内形成等离子体，并且处理气体可自电力施加器(power applicator)耦合至管道140、 140’内供应的气体，以便经由管道140、140’及处理区域104，产生循环等离子体流封闭环状路径。管道140、140’的等离子体流可以各射频等离子源功率产生器146、146’的频率震荡(例如反方向)，该频率或相同或彼此稍有差别。
在等离子体浸没的离子注入中，等离子体源功率产生器146、146’被操作以分离从处理气体源152供应的处理气体，并且在基板M的表面产生期望的离子通量(ion flux)。 射频等离子体偏压功率产生器154的功率被控制在经选定的电平，在该电平，由处理气体所分离的离子能量可被加速朝向基板M的表面且以所期望的离子浓度注入于基板M顶表面下方期望的深度。受控的射频等离子体源功率及射频等离子体偏压功率的组合，在处理腔室60中具有充足的动量以及期望的离子分配的气体混合物中，将离子分离。离子被偏压并朝着基板表面被驱动，藉以将离子以期望的离子浓度、分布以及自基板M表面的深度，注入基板M内。此外，受控的离子能量与来自所供应的处理气体中的不同类型的离子核素，便于离子注入基板M内形成期望的器件结构，例如在基板M上的栅极结构与源极/ 漏极区域。虽然已经示出并说明了本发明的实施范例，但是本领域的普通技术人员可以想到其它结合了本发明或者落在本发明范围内的实施例。此外，术语以下、以上、底部、顶部、上方、下方、第一与第二以及其它相对性或位置性的术语是关于附图中的示例性实施例描述的并且能够互换。因此，所附的权利要求书不应受限于此处为描述本发明而所叙述的优选方案、材料或空间配置。
权利要求
1.一种用于在处理腔室内接收基板的基板支撑件，所述基板包括周边，所述基板支撑件包括(a)静电吸盘，所述静电吸盘具有接收表面，以便接收所述基板；以及(b)位于所述静电吸盘下方的气体分配器基板，所述气体分配器基板包括周围侧壁，所述周围侧壁具有彼此互相隔开的的复数个出气口，以便将处理气体从围绕基板周边且以径向朝外的方向，引入所述处理腔室内。
2.如权利要求1所述的支撑件，其中所述气体分配器基板包括旋转对称轴，且所述出气口按照从所述旋转对称轴测量从大约5°至大约45°的角度，围绕所述周围侧壁彼此互相间隔开。
3.如权利要求1所述的支撑件，其中所述出气口的尺寸从大约Imm至大约10mm。
4.如权利要求1所述的支撑件，其中所述气体分配器基板包括供应处理气体至所述出气口的环状进料通道。
5.如权利要求4所述的支撑件，其中所述处理腔室包括气体进给口，并且所述环状进料通道包括气体连接器，以便连接到所述气体进给口。
6.如权利要求1所述的支撑件，其中所述气体分配器基板包括正圆柱体。
7.如权利要求6所述的支撑件，其中所述正圆柱体由金属构成。
8.如权利要求7所述的支撑件，其中所述处理腔室包括围壁及电源，且其中所述气体分配器基板包括电连接器以连接至电源或接地，从而将所述基板维持在相对于所述处理腔室的所述围壁的一电位。
9.如权利要求1所述的支撑件，至少包括下列之一(a)介电性台座，所述介电性台座位于所述静电吸盘与所述气体分配器基板之间；或(b)介电性台座，所述介电性台座包括位于所述静电吸盘与所述气体分配器基板之间的聚合物。
10.一种在处理腔室内沉积材料于基板上的方法，所述基板具有周边，且所述方法包括(a)将所述基板固持在所述腔室中；(b)使处理气体流入所述腔室中(i)自所述基板周边外侧周围的间隔开的各点，及( )在一径向朝外方向；以及(c)施加能量于所述处理气体，以便将材料沉积于所述基板上。
11.如权利要求10所述的方法，包括从围绕所述基板周边间隔开并且分开约5°至约 45°的径向角度的各点，引入所述处理气体。
12.如权利要求12所述的方法，进一步包括在所述材料沉积于所述基板上之前或者在所述材料沉积于所述基板上期间，将离子植入所述基板。
13.—种能够沉积材料并注入离子于基板中的处理腔室，所述基板具有周边，且所述处理腔室包括(a)具有围壁的外壳；(b)基板支撑件，用于接收基板于所述外壳内，所述基板支撑件包括(i)静电吸盘，所述静电吸盘具有接收表面，以便接收所述基板；及( )位于所述静电吸盘下方的气体分配器基板，所述气体分配器基板包括周围侧壁， 所述周围侧壁具有彼此互相隔开的复数个出气口，以便将处理气体从围绕所述基板的周边且以径向朝外的方向，引入所述外壳内；(c)等离子体产生系统，所述等离子体产生系统对所述处理气体施以能量以成等离子体，所述等离子体能够沉积材料于所述基板上或将离子植入所述基板内；以及(d)排气装置，所述排气装置将所述处理气体排出所述处理腔室。
14.如权利要求13所述的腔室，其中所述气体分配器基板包括旋转对称轴，且所述出气口按照从所述旋转对称轴测量从大约5°至45°的角度，围绕所述周围侧壁彼此互相间隔开。
15.如权利要求13所述的腔室，其中所述气体分配器基板至少包括下列之一(a)环状进料通道，所述环状进料通道供应处理气体至所述气体出口；或(b)金属正圆柱体，以及电连接器，以连接至电源或接地。
全文摘要
一种用于处理腔室的基板支撑件，包括静电吸盘以及位于该静电吸盘下方的气体分配器基板，其中静电吸盘具有接收表面以接收该基板。该气体分配器基板包括具有复数个出气口的周围侧壁，这些出气口彼此间隔开，以便从围绕该基板的周边且以径向朝外的方向将处理气体导入该处理腔室。
文档编号H02N13/00GK102396060SQ201080017094
公开日2012年3月28日 申请日期2010年4月23日 优先权日2009年4月24日
发明者J·A·马林, M·孚德, M·维尔莱卡尔, S·D·麦克莱兰 申请人:应用材料公司