一种核电站用抗干扰型阻容吸收器的制作方法

文档序号:7488296阅读:567来源:国知局
专利名称:一种核电站用抗干扰型阻容吸收器的制作方法
技术领域
本实用新型涉及一种阻容吸收器,尤其是涉及一种核电站用抗干扰型阻容吸收
O
背景技术
GKC型系列高压开关机械特性测试仪是通用型的测试仪器,常用于各种电压等级的少油、多油、真空、六氟化硫等高压开关的机械特性参数测量。因6 IOKV的中低压开关设备通常安装在室内,所以IOKV电压等级的设备受静电影响相对也较弱。对于500KV的开关电器设备而言,开关虽处于停电检修状态,但是相邻间隔的高压静电、感应静电对检修人员及测试仪器的不利影响和干扰则不容忽视。由于GKC系列开关测试仪结构特殊性,存在一些技术缺陷。如很少采用抗干扰的屏蔽引线、内部的抗干扰电路不能做的很复杂,其内部电器元件耐压等级不高等。当在不同外部环境下使用时,若强电-弱电转换不当、光电转换不当,经常会出现测试仪器因不明原因失灵事件,轻则使测试结果失误,重则烧毁测试仪器或造成设备事故。因此发明一种可以与测试仪配套使用,且能消除高压静电干扰的的设备,是一个亟待解决的间题。

实用新型内容本实用新型的目的就是为了克服上述现有技术存在的缺陷而提供一种安全高、可靠性好,可有效抑制感应过电压的瞬间振荡、吸收静电高频电流,达到抗干扰的目的的核电站用抗干扰型阻容吸收器。本实用新型的目的可以通过以下技术方案来实现一种核电站用抗干扰型阻容吸收器,设置在高压开关与开关测试仪之间,其特征在于,该阻容吸收器包括塑料外壳、金属内壳、阻容吸收电路、输入引线和输出引线,所述的塑料外壳上设有进线口和出线口,所述的金属内壳设在塑料外壳内,所述的阻容吸收电路设在金属内壳内,阻容吸收电路与金属内壳间填充有阻燃环氧树脂,所述的输入引线一端连接阻容吸收电路,另一端从进线口引出,所述的输出引线一端连接阻容吸收电路,另一端从出线口引出。所述的阻容吸收电路包括电容Cl、电容C2、电容C3、电容C4、电容C5、电容C6、电容C7、电容C8、电容C9、电容C10、电容C11、电容C12 ;电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、电阻R6、电阻R7、电阻R8、电阻R9、电阻R10、电阻R11、电阻R12 ;压敏电阻VSR1、压敏电阻VSR2、压敏电阻VSR3 ;所述的电容Cl、电容C2、电容C4、电容C5、电容C6的一端均与高压开关的A相接口连接,电容Cl的另一端通过电阻Rl连接在高压开关的C相接口上,电容C2的另一端通过电阻R2连接在高压开关的B相接口上,电容C4的另一端通过电阻R4 接地,电容C5的另一端通过电阻R5接地,电容C6的另一端通过电阻R6接地;所述的压敏电阻VSRl的一端连接在高压开关的A相接口上,另一端接地;所述的电容C3、电容C7、电容C8、电容C9的一端均与高压开关的B相接口连接,电容C3的另一端连接在高压开关的C相接口上,电容C7的另一端通过电阻R7接地,电容C8的另一端通过电阻R8接地,电容C9 的另一端通过电阻R9接地;所述的压敏电阻VSR2的一端连接在高压开关的B相接口上,另一端接地;所述的电容C10、电容C11、电容C12的一端均与高压开关的C相接口连接,电容 ClO的另一端通过电阻RlO接地,电容Cll的另一端通过电阻Rll接地,电容C12的另一端通过电阻R12接地;所述的压敏电阻VSR3的一端连接在高压开关的C相接口上,另一端接地。所述的电容Cl、电容C2、电容C3为高压电容,电阻R1、电阻R2、电阻R3无感线性碳膜电阻,取三相平衡阻抗。所述的电容C4、电容C7、电容ClO为塑壳金属化聚丙烯膜X2安规电容,电阻R4、 R7、R10为金属膜电阻。所述的电容C5、电容C8、电容Cll为云母电容。所述的电容C6、电容C9、电容C12为高频陶瓷片电容。所述的输入引线为外层屏蔽接地的软铜线。所述的输出引线为外层屏蔽接地的软铜线。与现有技术相比,本实用新型具有以下优点1、安全高和可靠性好、与国产仪器的“抗干扰能力互补性强”正是本发明的突出优点(由于国产测试仪受设计成本、体积限制、现场复杂等诸多条件限制,致使电路设计上的抗干扰部分存在隐患)。2、使用带有外屏蔽层的多股软铜线作为测试引线,严谨的抗干扰电路设计和元器件选用,更适合野外作业时与测试仪器配合使用,可有效抑制感应过电压的瞬间振荡、吸收静电高频电流,达到抗干扰的目的。

图1为本发明的电路结构示意图。
具体实施方式

以下结合附图和具体实施例对本实用新型进行详细说明。实施例本发明是一款简单实用的抗干扰阻容吸收器。它采用安规电容、频率特性好的高频陶瓷电容和高压云母电容与无感线性电阻串并联方式接入测试回路,该吸收器在被试品和大地之间,增加了过压保护回路和泄放回路,将高压电流引入大地。再把不同频率的电压信号进行抗干扰降压处理后,接到测试仪的开关量引入接口上。只给仪器的端口提供一个 “高阻(断开)、低阻(闭合)”的低电压“开关量”信号。避免当开关处于由合到分状态突变时,在断口间产生的高压感应静电串入测试仪器内部,保护测试仪的内部回路。由于仪器的测试端口只需要开关量的状态,所以该阻容吸收电路的抑制谐振和消除谐波功能有助于提高国产GKC系列开关特性测试仪的抗静电干扰。如图1所示,一种核电站用抗干扰型阻容吸收器,设置在高压开关与开关测试仪之间,该阻容吸收器包括塑料外壳、金属内壳、阻容吸收电路、输入引线和输出引线。塑料外壳上设有进线口和出线口。金属内壳设在塑料外壳内,阻容吸收电路设在金属内壳内,阻容
4吸收电路与金属内壳间填充有阻燃环氧树脂,输入引线一端连接阻容吸收电路,另一端从进线口引出,输出引线一端连接阻容吸收电路,另一端从出线口引出。阻容吸收电路包括电容Cl、电容C2、电容C3、电容C4、电容C5、电容C6、电容C7、 电容C8、电容C9、电容C10、电容C11、电容C12 ;电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、 电阻R6、电阻R7、电阻R8、电阻R9、电阻R10、电阻R11、电阻R12 ;压敏电阻VSR1、压敏电阻 VSR2、压敏电阻VSR3。电容Cl、电容C2、电容C4、电容C5、电容C6的一端均与高压开关的A 相接口连接,电容Cl的另一端通过电阻Rl连接在高压开关的C相接口上,电容C2的另一端通过电阻R2连接在高压开关的B相接口上,电容C4的另一端通过电阻R4接地,电容C5 的另一端通过电阻R5接地,电容C6的另一端通过电阻R6接地。压敏电阻VSRl的一端连接在高压开关的A相接口上,另一端接地。电容C3、电容C7、电容C8、电容C9的一端均与高压开关的B相接口连接,电容C3的另一端连接在高压开关的C相接口上,电容C7的另一端通过电阻R7接地,电容C8的另一端通过电阻R8接地,电容C9的另一端通过电阻R9接地。 压敏电阻VSR2的一端连接在高压开关的B相接口上,另一端接地。电容C10、电容C11、电容 C12的一端均与高压开关的C相接口连接,电容ClO的另一端通过电阻RlO接地,电容Cll 的另一端通过电阻Rll接地,电容Cl2的另一端通过电阻Rl2接地。压敏电阻VSR3的一端连接在高压开关的C相接口上,另一端接地。图1中电容Cl、电容C2、电容C3采用耐压IOKV的1 μ F高压电容,R1、R2、R3采用 220 ( Ω/lw)无感线性碳膜电阻,取三相平衡阻抗,避免因某个单相电压的幅值升高而产生中性点偏移,并吸收高压静电脉冲的能量,使测试信号不会产生突变。电容C4、电容C7、电容ClO采用0. 0022 μ F塑壳金属化聚丙烯膜Χ2安规电容,耐压275V/AC,泄放电阻R4、泄放电阻R7、泄放电阻RlO用12 Ω的金属膜电阻,主要作用是跨接在感应线路和大地之间,降低感应电压的尖顶波幅值,将感应电流泄放到大地。电容C5、电容C8、电容Cll用3300pF的云母电容,耐压160V/AC,泄放电阻R5、泄放电阻R8、泄放电阻Rll阻值为75 Ω,针对高次谐波电压电流对地泄放。电容C6、电容C9、电容C12采用IOOpF高频陶瓷片电容,耐压400V/ AC,泄放电阻R6、泄放电阻R9、泄放电阻R12阻值为50 Ω,将高倍频感应电流分量对地泄放。 VSR是工作阀值50V的压敏电阻,其工作电压3倍于仪器输入端口的VCC,是保护仪器端口的最后一道防线。通过不同材质、不同容量的电容对静电脉冲敏感度的相互配合,将不同倍频的静电脉冲通过泄放电阻接入大地,从而提高回路的抗静电干扰性能。阻容吸收器的输入、输出引线均采用带有外层屏蔽接地的多股软铜线,整体封装在0. 8mm金属壳内,并以阻燃环氧树脂填充,接线端子及公共接地端子分别焊接引出。在工频时,以1 μ F高压电容为例,电容的容抗为Xc = 1/2 π fC,Xc = 1/2X3. 14Χ50Χ1Χ1(Γ6,约为3184. 71 Ω。电容与电阻串联后的阻抗为3192. 3欧姆。该吸收回路的设计目的是衰耗静电感应电流和旁路泄放高压静电,元件的选择和电路设计远大于测试仪的输入阻抗即可。断路器工作在开关状态,在断口打开时,测得阻容吸收电路的直流电阻+⑴,在断口闭合时测得阻容吸收电路的直流电阻为0。当被试设备进行位置转换操作时,阻容吸收回路满足测试仪输入端的开关量转换要求。现场以高频电压表实际测试,使用阻容吸收器前测得500KV变电站内断路器引下线的感应电压在300V/ AC 1500V/AC间无规律波动,经阻容吸收电路滤波后,实测电压在5V/AC 12V/AC之间变化。吸收降压效果明显。[0027]现场测试现场测试时,先将阻容吸收器和测试仪器接地,并连接公共端屏蔽线。然后将A、 B、C三相屏蔽引线一端接在断路器断口上,另一端接至阻容吸收器的输入端。阻容吸收器的输出经屏蔽引线接至GKC开关机械特性测试仪的断口信号输入端。确认接线正确后,按照测试仪的使用说明进行操作。2006年10月,华润电力登封有限公司#1机组(300MW)B级检修。在北京ABB产 HPL系列断路器特性测试中,应用“抗干扰阻容吸收器”成功地解决了因测试仪器受到变电站内高压静电干扰,开关特性测试仪不能正常测量高压开关机械特性的技术难题。
权利要求1.一种核电站用抗干扰型阻容吸收器,设置在高压开关与开关测试仪之间,其特征在于,该阻容吸收器包括塑料外壳、金属内壳、阻容吸收电路、输入引线和输出引线,所述的塑料外壳上设有进线口和出线口,所述的金属内壳设在塑料外壳内,所述的阻容吸收电路设在金属内壳内,阻容吸收电路与金属内壳间填充有阻燃环氧树脂,所述的输入引线一端连接阻容吸收电路,另一端从进线口引出,所述的输出引线一端连接阻容吸收电路,另一端从出线口引出。
2.根据权利要求1所述的一种核电站用抗干扰型阻容吸收器,其特征在于,所述的阻容吸收电路包括电容Cl、电容C2、电容C3、电容C4、电容C5、电容C6、电容C7、电容C8、电容 C9、电容C10、电容C11、电容C12 ;电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、电阻R6、电阻 R7、电阻R8、电阻R9、电阻R10、电阻R11、电阻R12 ;压敏电阻VSI 1、压敏电阻VSR2、压敏电阻VSR3 ;所述的电容Cl、电容C2、电容C4、电容C5、电容C6的一端均与高压开关的A相接口连接,电容Cl的另一端通过电阻Rl连接在高压开关的C相接口上,电容C2的另一端通过电阻R2连接在高压开关的B相接口上,电容C4的另一端通过电阻R4接地,电容C5的另一端通过电阻R5接地,电容C6的另一端通过电阻R6接地;所述的压敏电阻VSRl的一端连接在高压开关的A相接口上,另一端接地;所述的电容C3、电容C7、电容C8、电容C9的一端均与高压开关的B相接口连接,电容C3的另一端连接在高压开关的C相接口上,电容C7的另一端通过电阻R7接地,电容C8的另一端通过电阻R8接地,电容C9的另一端通过电阻R9 接地;所述的压敏电阻VSR2的一端连接在高压开关的B相接口上,另一端接地;所述的电容C10、电容C11、电容C12的一端均与高压开关的C相接口连接,电容ClO的另一端通过电阻RlO接地,电容Cll的另一端通过电阻Rll接地,电容C12的另一端通过电阻R12接地; 所述的压敏电阻VSR3的一端连接在高压开关的C相接口上,另一端接地。
3.根据权利要求2所述的一种核电站用抗干扰型阻容吸收器,其特征在于,所述的电容Cl、电容C2、电容C3为高压电容,电阻Rl、电阻R2、电阻R3无感线性碳膜电阻。
4.根据权利要求2所述的一种核电站用抗干扰型阻容吸收器,其特征在于,所述的电容C4、电容C7、电容ClO为塑壳金属化聚丙烯膜X2安规电容,电阻R4、电阻R7、电阻RlO为金属膜电阻。
5.根据权利要求2所述的一种核电站用抗干扰型阻容吸收器,其特征在于,所述的电容C5、电容C8、电容Cll为云母电容。
6.根据权利要求2所述的一种核电站用抗干扰型阻容吸收器,其特征在于,所述的电容C6、电容C9、电容C12为高频陶瓷片电容。
7.根据权利要求1所述的一种核电站用抗干扰型阻容吸收器,其特征在于,所述的输入引线为外层屏蔽接地的软铜线。
8.根据权利要求1所述的一种核电站用抗干扰型阻容吸收器,其特征在于,所述的输出引线为外层屏蔽接地的软铜线。
专利摘要本实用新型涉及一种核电站用抗干扰型阻容吸收器,设置在高压开关与开关测试仪之间,该阻容吸收器包括塑料外壳、金属内壳、阻容吸收电路、输入引线和输出引线,所述的塑料外壳上设有进线口和出线口,所述的金属内壳设在塑料外壳内,所述的阻容吸收电路设在金属内壳内,阻容吸收电路与金属内壳间填充有阻燃环氧树脂,所述的输入引线一端连接阻容吸收电路,另一端从进线口引出,所述的输出引线一端连接阻容吸收电路,另一端从出线口引出。与现有技术相比,本实用新型安全高、可靠性好,可有效抑制感应过电压的瞬间振荡、吸收静电高频电流,达到抗干扰的目的。
文档编号H02B3/00GK202190011SQ20112026718
公开日2012年4月11日 申请日期2011年7月26日 优先权日2011年7月26日
发明者王迅 申请人:中电华元核电工程技术有限公司
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