一种带吸收回路的开关电源电路的制作方法
【专利摘要】一种带吸收回路的开关电源电路，其特征在于，电源输出接变压器T1初级线圈的一端，变压器T1初级线圈的另一端接MOS管U1的漏极，MOS管U1的栅极接入控制电路，MOS管U1的源极接地，MOS管U1的漏极同时通过串联的电阻R1和电容C1接地，变压器T1次级线圈的一端接功率二极管的阳极，功率二极管的阴极接控制电路实现输入与输出电压的检测，功率二极管的阴极同时接电容Cout的一端，电容Cout的另一端与变压器T1次级线圈的另一端均接地，本发明由于增加吸收回路，会有效降低MOS管的漏压，保证了MOS的可靠性。
【专利说明】—种带吸收回路的开关电源电路
【技术领域】
[0001]本发明涉及开关电源二极管管电压应力控制【技术领域】，特别涉及一种带吸收回路的开关电源电路。
【背景技术】
[0002]对于一般的开关电源典型电路而言，在二极管关闭和导通的瞬间，由于寄生电容的关系，会在二极管的两端产生高的电压尖峰，易造成MOS被击穿导致电路失效。
【发明内容】
[0003]为了克服上述现有技术的不足，本发明的目的在于提供一种带吸收回路的开关电源电路，通过RC组成吸收回路，减小MOS管的电压应力。
[0004]为了实现上述目的，本发明采用的技术方案是:
[0005]一种带吸收回路的开关电源电路，其特征在于，电源输出接变压器Tl初级线圈的一端，变压器Tl初级线圈的另一端接MOS管Ul的漏极，MOS管Ul的栅极接入控制电路，MOS管Ul的源极接地，MOS管Ul的漏极同时通过串联的电阻Rl和电容Cl接地，变压器Tl次级线圈的一端接功率二极管的阳极，功率二极管的阴极接控制电路实现输入与输出电压的检测，功率二极管的阴极同时接电容Cout的一端，电容Cout的另一端与变压器Tl次级线圈的另一端均接地。
[0006]与现有技术相比，本发明由于增加吸收回路，会有效降低MOS管的漏压，保证了MOS的可靠性。本方案中的吸收回路由RC组成，其中C的耐压要高于二极管并留有一定裕量。
【专利附图】
【附图说明】
[0007]附图为本发明的结构示意图。
【具体实施方式】
[0008]下面结合附图和实施例对本发明进行更详尽的说明。
[0009]如图所示，本发明为一种带吸收回路的开关电源电路，其特征在于，电源输出接变压器Tl初级线圈的一端，变压器Tl初级线圈的另一端接MOS管Ul的漏极，MOS管Ul的栅极接入控制电路，MOS管Ul的源极接地，MOS管Ul的漏极同时通过串联的电阻Rl和电容Cl接地，变压器Tl次级线圈的一端接功率二极管的阳极，功率二极管的阴极接控制电路实现输入与输出电压的检测，功率二极管的阴极同时接电容Cout的一端，电容Cout的另一端与变压器Tl次级线圈的另一端均接地。
[0010]本方案中的开关电源BUCK电源，其中的Dl为功率二极管，由于MOS管Ul的开关作用，电感电流跟随着开关进行变换，在电感电流突然变换的瞬间，Tl上会产生极高的电压脉冲，导致MOS管在关断的瞬间承受的耐压很高，高电压产生的时候其电压会达到输入Vin的2倍以上，但其持续时间较短，RC吸收回路的存在，使得脉冲产生时，RC回路导通，将脉冲电压钳位在Vin的2倍左右，不至于损坏MOS管
[0011]对比原方案与本方案，原方案中，由于没有吸收回路的存在，Tl产生的高电压脉冲，只能依靠MOS管的寄生电容来吸收，其吸收能力有限，电压会很高，没有固定在2倍Vin的大小，MOS管很容易损坏。本方案中Cl的作用是并联在MOS管寄生电容上，电容增大后，对于高频的脉冲电流阻抗很低，将这部分的能量导入到GND，从而降低了 MOS管的应力。
【权利要求】
1.一种带吸收回路的开关电源电路，其特征在于，电源输出接变压器Tl初级线圈的一端，变压器Tl初级线圈的另一端接MOS管Ul的漏极，MOS管Ul的栅极接入控制电路，MOS管Ul的源极接地，MOS管Ul的漏极同时通过串联的电阻Rl和电容Cl接地，变压器Tl次级线圈的一端接功率二极管的阳极，功率二极管的阴极接控制电路实现输入与输出电压的检测，功率二极管的阴极同时接电容Cout的一端，电容Cout的另一端与变压器Tl次级线圈的另一端均接地。
【文档编号】H02M1/34GK103840649SQ201210489143
【公开日】2014年6月4日 申请日期:2012年11月26日 优先权日:2012年11月26日
【发明者】杨立斌 申请人:西安威正电子科技有限公司