过电保护装置制造方法
【专利摘要】本发明提供一种过电保护装置，其连接于电源输入端与负载端之间；且所述过电保护装置包括开关模块、过电流控制模块与过电压控制模块，所述开关模块包括第一端、控制端与第二端，且所述第二端连接负载端，当控制端输入开控制信号时，第一端与第二端导通；而当控制端输入关控制信号时，第一端与第二端断开；所述过电流控制模块连接于电源输入端与第一端之间，当负载端的电流超出设定值时，过电流控制模块处于断路状态；所述过电压控制模块连接电源输入端、第一端、控制端，过电压控制模块根据电源输入端与第一端的电压信号输出开控制信号或关控制信号至控制端。本发明中开关模块可完全切断负载端的供电路径，避免能源浪费。
【专利说明】过电保护装置
【【技术领域】】
[0001]本发明涉及一种过电保护装置，特别是一种可完全切断供电路径的过电保护装置。
【【背景技术】】
[0002]如图1所示，现有的过电保护装置连接于电源输入端100与负载端101之间，负载端101接入负载103且电源输入端100接通电源104后，电源104、RU R2及负载103构成回路，有微小的电流经过R1、R2及负载103，通过电流传感器105用于侦测负载103的电流大小，当电流传感器105侦测到负载103的电流为正常范围时，控制开关106闭合，R2短路，电源输入端100向负载103正常供电；而当电流传感器105侦测到负载103的电流过大或过小时，控制开关106断开，但是，仍有微小的电流经Rl、R2流经负载103，因此，现有的过电保护装置不可完全切断供电路径，造成能源浪费。
【
【发明内容】
】
[0003]本发明的主要目的在于提供一种可完全切断供电路径的过电保护装置。
[0004]本发明提供一种过电保护装置，其连接于电源输入端与负载端之间；且所述过电保护装置包括开关模块、过电流控制模块与过电压控制模块，所述开关模块包括第一端、控制端与第二端，且所述第二端连接负载端，当控制端输入开控制信号时，第一端与第二端导通；而当控制端输入关控制信号时，第一端与第二端断开；所述过电流控制模块连接于电源输入端与第一端之间，当负载端的电流超出设定值时，过电流控制模块处于断路状态；所述过电压控制模块连接电源输入端、第一端、控制端，过电压控制模块根据电源输入端与第一端的电压信号输出开控制信号或关控制信号至控制端。
[0005]特别地，所述开关模块包括NMOS元件与PMOS元件，PMOS元件的S极为第一端，PMOS元件的D极为第二端，NMOS元件的G极为控制端，NMOS元件的S极接地，NMOS元件的D极连接PMOS元件的G极。
[0006]特别地，所述过电流控制模块为可回复保险丝。
[0007]特别地，所述过电压控制模块包括侦测芯片与D型正反器，侦测芯片连接电源输入端并根据电源输入端的电信号输出侦测信号至D型正反器，D型正反器根据侦测信号与第一端的电信号输出开控制信号或关控制信号至控制端，当电源输入端的电信号正常且第一端的电信号正常时，开控制信号为低电平信号；
[0008]而当电源输入端的电信号不正常或第一端的电信号不正常时，开控制信号为高电平?目号。
[0009]特别地，所述PMOS元件的G极与所述PMOS元件的S极之间连接双向击穿二极管。
[0010]特别地，所述过电保护装置设于充电器内。
[0011]与现有技术相比较，本发明中开关模块可完全切断负载端的供电路径，避免能源浪费。【【专利附图】
【附图说明】】
[0012]图1为现有过电保护装置的电路方框图。
[0013]图2为本发明过电保护装置的电路方框图。
【【具体实施方式】】
[0014]请参阅图2所示，本发明提供一种过电保护装置，其连接于电源输入端200与负载端201之间；负载端201接入负载203且电源输入端200接通电源204 ;于本实施例中，所述过电保护装置设于充电器内。所述过电保护装置包括开关模块30、过电流控制模块40与过电压控制模块50，所述开关模块30包括第一端31、控制端32与第二端33，且所述第二端33连接负载端201,当控制端32输入开控制信号时，第一端31与第二端33导通；而当控制端32输入关控制信号时，第一端31与第二端33断开；所述过电流控制模块40连接于电源输入端200与第一端31之间，当负载端201的电流超出设定值时,过电流控制模块40处于断路状态；于本实施例中，所述过电流控制模块40为可回复保险丝。所述过电压控制模块50连接电源输入端200、第一端31、控制端32，过电压控制模块50根据电源输入端200与第一端31的电压信号输出开控制信号或关控制信号至控制端32。于本实施例中，所述开关模块30包括NMOS元件34与PMOS元件35，PMOS元件35的S极为第一端，PMOS元件35的D极为第二端，NMOS元件34的G极为控制端，NMOS元件34的S极接地，NMOS元件34的D极连接PMOS元件35的G极。且所述PMOS元件35的G极与所述PMOS元件35的S极之间连接双向击穿二极管36及电阻37。所述过电压控制模块50包括侦测芯片51与D型正反器52，侦测芯片51连接电源输入端200并根据电源输入端200的电信号输出侦测信号至D型正反器52，D型正反器52根据侦测信号与第一端31的电信号输出开控制信号或关控制信号至控制端32。 [0015]若负载端201的电流未超出设定值，过电流控制模块40处于通路状态；同时，电源输入端200的电压信号正常且第一端31的电压信号正常,开控制信号为低电平信号，NMOS元件34导通，PMOS元件35导通，即，第一端31与第二端33之间导通，电源204与负载203之间构成回路，电源204为负载203正常供电。
[0016]若负载端201的电流超出设定值，过电流控制模块40处于断路状态，电源204与负载203之间未构成回路，电源204不会为负载203供电。
[0017]若负载端201的电流未超出设定值，过电流控制模块40处于通路状态；但是，电源输入端200的电压信号不正常或第一端31的电压信号不正常，开控制信号为高电平信号，NMOS元件34截止，PMOS元件35截止，即，第一端31与第二端33之间断开，电源204与负载203之间未构成回路，电源204不会为负载203供电。
[0018]综上所述，当第一端31的的电流或电压信号均正常且电源输入端200的电压信号正常时，电源204与负载203之间构成回路；其余情况下，利用开关模块30与过电流控制模块40完全切断负载端201的供电路径，避免能源浪费。
[0019]以上所述，仅为本发明的【具体实施方式】，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本【技术领域】的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应以权利要求的保护范围为准。
【权利要求】
1.一种过电保护装置，其连接于电源输入端与负载端之间；其特征在于所述过电保护装置包括: 开关模块，其包括第一端、控制端与第二端，且所述第二端连接负载端， 当控制端输入开控制信号时，第一端与第二端导通；而当控制端输入关控制信号时，第一端与第二端断开； 过电流控制模块，其连接于电源输入端与第一端之间，当负载端的电流超出设定值时，过电流控制模块处于断路状态； 过电压控制模块，其连接电源输入端、第一端、控制端，过电压控制模块根据电源输入端与第一端的电压信号输出开控制信号或关控制信号至控制端。
2.根据权利要求1所述的过电保护装置，其特征在于:所述开关模块包括NMOS元件与PMOS元件，PMOS元件的S极为第一端，PMOS元件的D极为第二端，NMOS元件的G极为控制端，NMOS元件的S极接地，NMOS元件的D极连接PMOS元件的G极。
3.根据权利要求2所述的过电保护装置，其特征在于:所述过电流控制模块为可回复保险丝。
4.根据权利要求3所述的过电保护装置，其特征在于:所述过电压控制模块包括侦测芯片与D型正反器，侦测芯片连接电源输入端并根据电源输入端的电信号输出侦测信号至D型正反器，D型正反器根据侦测信号与第一端的电信号输出开控制信号或关控制信号至控制端，当电源输入端的电信号正常且第一端的电信号正常时，开控制信号为低电平信号；而当电源输入端的电信号不正常或第一端的电信号不正常时，开控制信号为高电平信号。
5.根据权利要求4所述的过电保护装置，其特征在于:所述PMOS元件的G极与所述PMOS元件的S极之间连接双向击穿二极管。
6.根据权利要求5所述的过电保护装置，其特征在于:所述过电保护装置设于充电器内。
【文档编号】H02H3/08GK103972858SQ201310036881
【公开日】2014年8月6日 申请日期:2013年1月30日 优先权日:2013年1月30日
【发明者】蔡圣世, 林炳立, 江贤亮 申请人:昆达电脑科技(昆山)有限公司, 神达电脑股份有限公司