电流限制电路的制作方法
【专利摘要】本实用新型提供了一种电流限制电路，该电流限制电路包括：电流-电压转换电路，连接到所述电流镜像电路，以产生一个与所述镜像电流成比例的电压,其包括一个第五晶体管和一个电阻,电阻一端连接到电流镜像电路，另一端连接到第五晶体管的栅极和漏极，第五晶体管的源极与输出电压调整晶体管的源极连接；电压比较电路，与输出电压调整晶体管相同，连接到电流-电压转换电路和输出电压调整晶体管的控制端，用于将电流-电压转换电路产生的电压与一个阈值电压作比较，并在所述电流-电压转换电路产生的电压大于所述阈值电压时将所述控制端的电压限制在一个预定电压。通过本实用新型实施例无需采用负温度系数很大的电阻，即可实现较好的温度系数的电流限制值。
【专利说明】电流限制电路【技术领域】
[0001 ] 本实用新型涉及电子领域，具体涉及一种电流限制电路。
【背景技术】
[0002]随着便携式电子设备的广泛应用，便携设备中的电子元件设计的待机功耗要求越来越受到关注。用于便携设备的电池的电量往往十分有限，这要求不断降低便携设备的电子元件的静态电流。待机功耗这一指标对便携式电子设备的待机时间有着至关重要的影响。广泛应用于便携设备中的各种电源芯片，如电压调节器和DC-DC转换器，都需要不断减少其待机电流，即空载时电源芯片自身所消耗的静态电流。
[0003]例如，电压调节器一般包括参考电压源、误差放大器、输出电压调整元件、采样电阻、旁路元件等。误差放大器可以是一个比较器。参考电压源提供的基准电压施加到该比较器的反相输入端；利用采样电阻从输出电压获得的采样电压施加到该比较器的同相输入端，由此形成负反馈。基准电压与采样电压的差值经误差放大器放大后，对输出电压调整元件进行控制，从而稳定输出电压。输出电压调整元件通常可以采用双极型晶体管，也可以采用金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。
[0004]另外，上述电压调节器和DC-DC转换器一般都需要过流保护电路。过流保护电路也通常被称为电流限制电路，其功能是限制如上面提到的输出电压调整元件等功率器件在过载或短路时的电流，从而起到保护功率器件的作用。
[0005]图1，其中示出了一种现有技术的电流限制电路。其原理是通过电阻Rl上的电压是否达到MP4的导通电压，来控制电流输出，为了实现较好的温度系统，需要用负温度系数较大的电阻(Rl)与晶体管MP4的阈值电压温度系数相抵消。但有时受所采用的工艺限制，可能没有负温度系数足够大的电阻 ，这样就无法设计出较好温度系数的电流限制。
实用新型内容
[0006]因此，本实用新型的目的是提供一种具有较低静态电流消耗的用于电压调节器或DC-DC转换器的电流限制电路。该电流限制电路无需采用负温度系数很大的电阻，即可实现较好的温度系数的电流限制值。
[0007]本实用新型的第一方面，提供了一种用于电压调节器或DC-DC转换器的电流限制电路，该电压调节器或DC-DC转换器包括一个输出电压调整晶体管(MPass)，所述输出电压调整晶体管包括一个控制端(MPG)，所述电流限制电路包括:
[0008]与所述输出电压调整晶体管(MPass)相同的电流采样晶体管(MP1)，连接到所述输出电压调整晶体管(MPass)，使得流过所述电流采样晶体管(MPl)的电流与流过所述输出电压调整晶体管(MPass)的电流之比等于所述电流采样晶体管(MPl)的几何尺寸与所述输出电压调整晶体管(MPass)的几何尺寸之比；
[0009]电流镜像电路，连接到所述电流采样晶体管(MPl)，用于以流过所述电流采样晶体管的电流为参考电流产生一个与流过所述电流采样晶体管(MPl)的电流成比例的镜像电流；
[0010]电流-电压转换电路，连接到所述电流镜像电路，以产生一个与所述镜像电流成比例的电压，其包括一个第五晶体管(MP5)和一个电阻(R1)，所述电阻一端连接到所述电流镜像电路，另一端连接到所述第五晶体管(MP5)的栅极和漏极，所述第五晶体管(MP5)的源极与输出电压调整晶体管(MPass)的源极连接；
[0011]电压比较电路(MP4)，与所述输出电压调整晶体管(MPass)相同，连接到所述电流-电压转换电路和所述输出电压调整晶体管(MPass)的控制端(MPG)，用于将所述电流-电压转换电路产生的电压与一个阈值电压作比较，并在所述电流-电压转换电路产生的电压大于所述阈值电压时将所述控制端(MPG)的电压限制在一个预定电压。
[0012]进一步的，所述输出电压调整晶体管MPass和所述电流采样晶体管MPl为M0SFET，所述电流采样晶体管MPl的栅极和源极分别连接到所述输出电压调整晶体管MPass的栅极和源极，所述控制端MPG为所述输出电压调整晶体管MPass的栅极，所述几何尺寸为沟道宽长比。
[0013]进一步的，所述电流镜像电路包括两个相同的第一晶体管MNl和第三晶体管MN3，其中第一晶体管与所述电流采样晶体管MPl串联，第三晶体管丽3连接到所述电流-电压转换电路，并且第一晶体管MNl和第三晶体管MN3相连，使得所述镜像电流与流过所述电流采样晶体管MPl的电流之比等于第三晶体管MN3的几何尺寸与第一晶体管MNl的几何尺寸之比，其中所述第一和第三晶体管为栅极和源极分别相连的相同类型的M0SFET，所述几何尺寸为沟道宽长比。
[0014]进一步的，所述电流限制电路还包括源极分别连接到所述电流采样晶体管的漏极和所述输出电压调整晶体管的漏极的第二 P沟道MOS管MP2和第三P沟道MOS管MP3，用于使所述电流采样晶体管的漏极电压和所述输出电压调整晶体管的漏极电压相等，所述第二P沟道MOS管的栅极和漏极连接到所述第三P沟道MOS管MP3的栅极，其中所述电流限制电路还包括第二晶体管MN2，用于为所述第三P沟道MOS管MP3提供偏置电流，所述第二 P沟道MOS管MP2的漏极连接到所述第一晶体管MNl的漏极，所述第三晶体管丽3的栅极和源极分别连接到所述第一晶体管MNl的栅极和源极，所述第三晶体管MN3的漏极连接到所述第三P沟道MOS管MP3的漏极。
[0015]进一步的，所述第二晶体管MN2的沟道宽长比与所述第一晶体管MNl的沟道宽长比之比等于所述第二晶体管MN3和所述第一晶体管MNl的沟道宽长比之比。
[0016]进一步的，所述第五晶体管MP5与电压比较电路MP4为相同类型的M0SFET。
[0017]进一步的，所述第五晶体管MP5为PNP三极管。
[0018]进一步的，所述电压比较电路的源极连接到所述输出电压调整晶体管的源极。
[0019]另一方面，本实用新型实施例提供了包括本实用新型第一方面电流限制电路的电压调节器。
[0020]再一方面，本实用新型实施例提供了包括本实用新型第一方面的电流限制电路的DC-DC转换器。
[0021]通过本实用新型实施例提供电流限制电路，使用晶体管和电阻组合作为分压电路，控制另一个晶体管导通的方式对输出进行限流，由于一般PMOS的阈值电压都为负温度系数，即使不同阈值的PM0S，其阈值电压的温度系数都相似，所以阈值压差的温度系数很 小。从而无需采用负温度系数很大的电阻，即可实现较好的温度系数的电流限制值。
【专利附图】
【附图说明】
[0022]为了更清楚地说明本实用新型实施例中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0023]图1示出了一种现有技术的电流限制电路；
[0024]图2示出了根据本实用新型的一个优选实施方案的电流限制电路；
[0025]图3示出了另一种实施例的电流限制电路的结构图；
[0026]图4示出了包括图3中的电流限制电路的一个低压差线性稳压器；
[0027]图5示出了根据本实用新型的另一优选实施方案的电流限制电路。
【具体实施方式】
[0028]下面通过附图和实施例，对本实用新型的技术方案做进一步的详细描述。
[0029]根据本实用新型的电流限制电路适用于输出电压调整元件为晶体管的电压调节器或DC-DC转换器等电路，在本文中，术语“晶体管”包括双极性晶体管和MOSFET。
[0030]如图2所示，其中示出了本实用新型的一个优选实施方案的电流限制电路，该电流限制能电路包括一个由MOSFET MPl构成的电流采样电路，MOSFET MPl用于对流过该电流限制电路的电压调节器或DC-DC转换器等电路的输出电压调整元件MPass (图2中未示出，参见图4中虚线框以外的部分)的电流进行采样，流过MOSFET MPl的电流与流过该输出电压调整元件MPass的电流成一定比例。MOSFET MPl是一个与输出电压调整元件MPass类型相同的M0SFET，在该实施例中，MOSFET MPl和该输出电压调整元件MPass均为P沟道MOSFET。该输出电压调整元件MPass连接在输入电压和输出电压之间，其控制端，即其栅极MPG，与相应的误差放大器EA的输出端和该电流限制电路连接，其源极连接到输入电源VCC0 (图2中未示出，参见图4中虚线框以外的部分)M0SFET MPl的栅极和源极分别用于与该输出电压调整元件的栅极MPG和源极连接。根据MOSFET的漏极电流特性，在MOSFET MPl和该输出电压调整元件MPass的开启电压UGS (th)等参数相同的情况下，流过MOSFET MPl的电流与流过该输出电压调整元件MPass的电流之比等于MPl的沟道宽长比与MPass的沟道宽长比之比。因此，通过选择MOSFET MPl和该输出电压调整元件的几何尺寸，可以方便地改变流过他们的电流之比。优选的，选择MOSFET MPl和该输出电压调整元件的沟道宽长t匕，使得流过MOSFET MPl的电流小于流过该输出电压调整元件的电流的千分之一。
[0031]图2所示的电流限制电路还包括一个电流镜像电路。一个电流-电压转换电路和一个电压比较电路。其中，电流镜像电路连接到电流采样电路，用于以流过所述电流采样电路的电流为参考电流产生一个与流过所述电流采样电路的电流成比例的镜像电流。电流-电压转换电路连接到电流镜像电路，以产生一个与镜像电流成比例的电压。电压比较电路连接到电流-电压转换电路和上述输出电压调整晶体管的控制端，用于将电流-电压转换电路产生的电压与一个阈值电压作比较，并在电流-电压转换电路产生的电压大于该阈值电压时，将控制端的电压限制在一个预定电压。[0032]在图2所示的实施例中，电流镜像电路由两个与MOSFET MPl类型不同的MOSFETMN3 和 MNl 组成，即 MOSFET MN3 和 MNl 均为 N 沟道 M0SFET，其中 MOSFET MNl 与 MOSFET MPl串联，其漏极连接到MOSFET MPl的漏极。电流-电压转换电路(1-V converter)由一个电阻Rl和一个MOSFET MP5构成1，电压比较电路由MOSFET MP4组成，电阻Rl连接在丽3的漏极和MP5的漏极之间，MP5的栅极和漏极连接在一起，形成二极管的连接方式，MP5的源极与MP4的源极都连接在电源VCC，MP4的漏极连接到控制端MPG，栅极连接到丽3的漏极，用于在MOSFET MP4的栅极和源极之间提供偏置电压。MOSFET MP4把电阻Rl和MP5上的电压降与其阈值电压，即其开启电压的绝对值IVGS (th)MP4 |，相比较，根据比较结果决定是否把MPG节点的电压拉高。MOSFET丽I的栅极和漏极点列在一起，形成二极管连接方式，MOSFET MNl的源极和衬底点解至公共的地节点。MOSFET MN3的栅极连接至MOSFET MNl的栅极，MOSFET丽3的源极和衬底连接到MOSFET丽I的源极，MOSFET丽3的漏极连接到电阻Rl的与MOSFET MP4的栅极连接的一端。MOSFET MP4的源极和衬底连接到MOSFET MPl的源极，MOSFET MP4的漏极连接到MOSFET MPl的栅极。
[0033]如此，流过MOSFET MNl的电流等于流过MOSFET MPl的电流，流过MOSFET MN3的电流与流过MOSFET丽I的电流之比等于丽3的沟道宽长比与丽I的沟道宽长比之比。
[0034]MPl与MPass的电流成比例关系，MPl的电流与MPass的电流之比等于MPl和MPass的沟道宽长比之比(例如比例关系为1: K)，则MPl的电流Impi等于(1/K).1o，其中Impi为MPl的漏极电流，1为MPass的电流。丽I和丽3构成电流镜，为了简化描述，假设其宽长比为1:1:1。根据KCL定律，MPl的漏极电流等于丽I的漏极电流。因此丽3的漏极电流也等于(1/Κ).Ιο。MP4和MP5采用阈值电压不同的晶体管，例如MP4为阈值电压绝对值较大的5VPMOS, MP5为阈值电压绝对值较小的1.8V或1.2V PMOS,并满足| V(th)Mp41 > | V(th)Mp51。当MP4导通时，电流限制电路对MPass进行限流，所以可以推知:IW3.Rl+ IV
(th)Mp5 I I V(th)Mp4 ，其中
1_:3为MN3的漏极电流,V(th)Mp5为晶体管MP5的阈值电压,V(th)Mp4为晶体管MP4的阈值电压。
[0035]由此可得:Imn3=( I (th)mp4 I " I (th)mp5 I ) /町。发生电流限制时 Iq=K.( | (th)mp4 | ~ | (th)mp5 | ) /Rlo由于一般PMOS的阈值电压都为负温度系数，即使不同阈值的PM0S，其阈值电压的温度系数都相似，所( (th) mp4 I I (th)mp5 的温度系数很小。从而无需采用负温度系数很大的R1，即可实现较好的温度系数的电流限制值。
[0036]现在参照图3和4，图3示出了图2中的电流限制电路的一种改进形式，图4示出了包括图3中的电流限制电路的一个低压差线性稳压器，低压差线性稳压器是电压调节器中的一种。与图2中的电流限制电路相比，图3所示的改进形式的电流限制电路增加了两个 P 沟道 MOSFET MP2、MP3 和一个 N 沟道 MOSFET MN2。MOSFET MP2 串联连接在 MOSFET MPl和丽I之间，其源极连接到MOSFET MPl的漏极，其漏极连接到MOSFET丽I的漏极，其栅极连接到MOSFET MP3的栅极。MOSFET MP3的栅极和漏极连接在一起，MOSFET MP3的源极连接到采用图3的电流限制电路的电压调节器或DC-DC转换器等电路的输出电压调整元件Mpass(图3中未示出，参见图4中虚线框以外的部分)的漏极。MOSFET丽2的栅极和源极分别连接到MOSFET丽I的栅极和源极，MOSFET丽2的漏极连接到M0SFETMP3的漏极。MOSFET MN2与MOSFET MNl连接成电流镜像电路，用于为MOSFET MP3提供偏置电流。MOSFETMP2和MP3用来限制MOSFET MPl的漏极电压与输出电压调整元件的漏极电压相等，以使流过MOSFET MPl的电流与流过输出电压调整元件的电流之间的比例关系更精确。[0037]在该实施例中，MP2和MP3构成放大电路，调整MP2的源极电压与MP3的源极电压相等，即MPl的漏极电压等于V。节点电压。这样MPl与MPass的电流成比例关系，沟道宽长比之比的比例关系，MPl的电流与MPass的电流之比等于MPl和MPass的沟道宽长比之比(例如比例关系为1:K)，则MPl的电流Impi等于(1/Κ)*Ιο，其中Impi为MPl的漏极电流，1为MPass的电流。丽1、丽2和丽3构成电流镜，为了简化描述，假设其沟道宽长比为1:1:1。根据KCL定律，MPl的漏极电流等于丽I的漏极电流。因此丽3的漏极电流也等于(1/Κ)*Ιο。MP4和ΜΡ5采用阈值电压不同的晶体管(例如MP4为阈值电压绝对值较大的5VPM0S，MP5为阈值电压绝对值较小的1.8V或1.2VPM0S),并满足| (th)mp41 > | (th)mp51。当MP4导通时，电流限制电路对MPass进行限流，所以可以推知:Imn3.Rl+1 Vthp51 = | Vthp41，其中Iw3为丽3的漏极电流，Vthp5为晶体管MP5的阈值电压，Vthp4为晶体管MP4的阈值电压。由此可
<守.工丽3 ( I V(th)mp4 I I V(th)mp5
)/Rl。发生电流限制时 IO K.( I V(th)mp4 I I V(th)mp5 |)/R1。由于一般PMOS的阈值电压都为负温度系数，即使不同阈值的PM0S，其阈值电压的温度系数都相似，所以Iv (th) mp4 I I V(th)mp5 的温度系数很小。从而无需采用负温度系数很大的R1，即可实现较好的温度系数的电流限制值。
[0038]图3所示的电流限制电路的其他方面均与图2所示的电流限制电路相同，这里不再赘述。
[0039]除了虚线框以内的电流限制电路以外，图4所示的低压差线性稳压器还包括一个误差放大器EA、一个连接在输入电压VCC和输出电压Vo之间的输出电压调整兀件MPass (图4中其为一个P沟道MOSFET)、分别连接在输出电压调整元件MPass的漏极和误差放大器EA的同相输入端之间和误差放大器EA的同相输入端和公共的地节点之间的两个电阻Rfl和Rf2。误差放大器EA的反相输入端连接到一个参考电压源Ref，其输出端连接到输出电压调整元件MPass的控制端，即MOSFET MPass的栅极MPG。MOSFET MPass的栅极还连接到该低压差线性稳压器的电流限制电路，其源极连接到输入电压VCC。另外，负载RL和旁路电容Co连接在输出电压Vo和公共的地节点之间。通过反馈回路利用误差放大器EA对输出电压调整元件MPass进行控制以控制输出电压No是本领域已知的，这里不再进行赘述。
[0040]现在参照图5，图5示出了根据本实用新型的另一优选实施方案的电流限制电路，与图3相比，MP5被替换成了 PNP三极管，发生电流限制时 10=K.(11 v(th)mp41 -Vbe )/Rl。其中V(th)mp4为晶体管MP4的阈值电压，Vbe为PNP三极管MP5的基极-发射极电压，Rl为电阻Rl的电阻值。由于PNP的Vbe—般也为负温度系数，所以可以有效的与|V(th)mp4|的负温度系数相抵消，而(Ivah)mp41-V1J具有较好的温度系数。MP5也可以被替换为较低阈值的NMOS或NPN管。其余工作方式，均与前述的实施例类似，因此不多赘述。
[0041]专业人员应该还可以进一步意识到，结合本文中所公开的实施例描述的各示例的单元及算法步骤，能够以电子硬件、计算机软件或者二者的结合来实现，为了清楚地说明硬件和软件的可互换性，在上述说明中已经按照功能一般性地描述了各示例的组成及步骤。这些功能究竟以硬件还是软件方式来执行，取决于技术方案的特定应用和设计约束条件。专业技术人员可以对每 个特定的应用来使用不同方法来实现所描述的功能，但是这种实现不应认为超出本实用新型的范围。
[0042]以上所述的【具体实施方式】，对本实用新型的目的、技术方案和有益效果进行了进一步详细说明，所应理解的是，以上所述仅为本实用新型的【具体实施方式】而已，并不用于限定本实用新型的保护范围，凡在本实用新型的精神和原则之内，所做的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。
【权利要求】
1.用于电压调节器或DC-DC转换器的电流限制电路，该电压调节器或DC-DC转换器包括一个输出电压调整晶体管MPass，所述输出电压调整晶体管包括一个控制端MPG，所述电流限制电路包括: 与所述输出电压调整晶体管MPass相同的电流采样晶体管MP1，连接到所述输出电压调整晶体管MPass，使得流过所述电流采样晶体管MPl的电流与流过所述输出电压调整晶体管MPass的电流之比等于所述电流采样晶体管MPl的几何尺寸与所述输出电压调整晶体管MPass的几何尺寸之比； 电流镜像电路，连接到所述电流采样晶体管MP1，用于以流过所述电流采样晶体管的电流为参考电流产生一个与流过所述电流采样晶体管MPl的电流成比例的镜像电流； 电流-电压转换电路，连接到所述电流镜像电路，以产生一个与所述镜像电流成比例的电压，其包括一个第五晶体管MP和一个电阻R1，所述电阻一端连接到所述电流镜像电路，另一端连接到所述第五晶体管MP5的栅极和漏极，所述第五晶体管MP5的源极与输出电压调整晶体管MPass的源极连接； 电压比较电路MP4，与所述输出电压调整晶体管MPass相同，连接到所述电流-电压转换电路和所述输出电压调整晶体管MPass的控制端MPG，用于将所述电流-电压转换电路产生的电压与一个阈值电压作比较，并在所述电流-电压转换电路产生的电压大于所述阈值电压时将所述控制端MPG的电压限制在一个预定电压。
2.根据权利要求1所述的电流限制电路，其特征在于，所述输出电压调整晶体管MPass和所述电流采样晶体管MPl为MOSFET，所述电流采样晶体管MPl的栅极和源极分别连接到所述输出电压调整晶体管MPass的栅`极和源极，所述控制端MPG为所述输出电压调整晶体管MPass的栅极，所述几何尺寸为沟道宽长比。
3.根据权利要求1所述的电流限制电路，其特征在于，所述电流镜像电路包括两个相同的第一晶体管丽I和第三晶体管丽3，其中第一晶体管与所述电流采样晶体管MPl串联，第三晶体管丽3连接到所述电流-电压转换电路，并且第一晶体管MNl和第三晶体管丽3相连，使得所述镜像电流与流过所述电流采样晶体管MPl的电流之比等于第三晶体管MN3的几何尺寸与第一晶体管MNl的几何尺寸之比，其中所述第一和第三晶体管为栅极和源极分别相连的相同类型的MOSFET，所述几何尺寸为沟道宽长比。
4.根据权利要求3所述的电流限制电路，其特征在于，所述电流限制电路还包括源极分别连接到所述电流采样晶体管的漏极和所述输出电压调整晶体管的漏极的第二 P沟道MOS管MP2和第三P沟道MOS管MP3，用于使所述电流采样晶体管的漏极电压和所述输出电压调整晶体管的漏极电压相等，所述第二 P沟道MOS管的栅极和漏极连接到所述第三P沟道MOS管MP3的栅极，其中所述电流限制电路还包括第二晶体管丽2，用于为所述第三P沟道MOS管MP3提供偏置电流，所述第二 P沟道MOS管MP2的漏极连接到所述第一晶体管丽I的漏极，所述第三晶体管MN3的栅极和源极分别连接到所述第一晶体管MNl的栅极和源极，所述第三晶体管丽3的漏极连接到所述第三P沟道MOS管MP3的漏极。
5.根据权利要求4所述的电流限制电路，其特征在于，所述第二晶体管丽2的沟道宽长比与所述第一晶体管MNl的沟道宽长比之比等于所述第二晶体管MN3和所述第一晶体管丽I的沟道宽长比之比。
6.如权利要求1所述的电流限制电路，其特征在于，所述第五晶体管MP5与电压比较电路MP4为相同类型的MOSFET。
7.如权利要求1所述的电流限制电路，其特征在于，所述第五晶体管MP5为PNP三极管。
8.根据权利要求1所述的电流限制电路，其特征在于，所述电压比较电路的源极连接到所述输出电压调整晶体管 的源极。
【文档编号】H02H9/02GK203536947SQ201320594162
【公开日】2014年4月9日 申请日期:2013年9月25日 优先权日:2013年9月25日
【发明者】王钊 申请人:无锡中星微电子有限公司