功耗控制电路和智能功率模块、变频家电的制作方法

功耗控制电路和智能功率模块、变频家电的制作方法
【专利摘要】本实用新型提供了一种功耗控制电路和智能功率模块、变频家电，其中功耗控制电路包括：低功耗开关元件，并联至智能功率模块中的任一IGBT管，以构成开关组件；切换控制模块，连接至所述智能功率模块对应的控制芯片，用于在接收到来自所述控制芯片的高频工作信号的情况下，仅使所述任一IGBT管或同时使所述任一IGBT管和所述低功耗开关元件处于工作状态，以及在接收到来自所述控制芯片的低频工作信号的情况下，仅使所述低功耗开关元件处于工作状态。所述智能功率模块，包括上述的功耗控制电路。所述变频家电，包括上述的智能功率模块。通过本实用新型的技术方案，能够在不同的工作频率下，采用不同的通断器件，从而有助于降低智能功率模块的功耗，且不会存在通断器件被过流击穿的风险。
【专利说明】功耗控制电路和智能功率模块、变频家电
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及功耗控制【技术领域】，具体而言，涉及一种功耗控制电路、一种智能功率模块和一种变频家电。
【背景技术】
[0002]智能功率模块，即IPM (Intelligent Power Module),是一种将电力电子和集成电路技术结合的功率驱动类产品。智能功率模块把功率开关器件和高压驱动电路集成在一起，并内藏有过电压、过电流和过热等故障检测电路。智能功率模块一方面接收MCU的控制信号，驱动后续电路工作，另一方面将系统的状态检测信号送回MCU。与传统的分立方案相t匕，智能功率模块以其高集成度、高可靠性等优势赢得越来越大的市场，尤其适合于驱动电机的变频器及各种逆变电源，是应用于变频调速、冶金机械、电力牵引、伺服驱动、变频家电的一种理想电力电子器件。
[0003]在相关技术中，智能功率模块100的电路结构如图1所示:
[0004]HVIC管1000的VCC端作为智能功率模块100的低压区供电电源正端VDD，VDD —般为15V ;同时，在所述HVIC管1000内部有自举电路，自举电路结构如下:
[0005]VCC端与UH驱动电路101、VH驱动电路102、WH驱动电路103、UL驱动电路104、VL驱动电路105、WL驱动电路106的低压区供电电源正端相连。
[0006]所述HVIC管1000的HINl端作为所述智能功率模块100的U相上桥臂输入端UHIN，在所述HVIC管1000内部与所述UH驱动电路101的输入端相连；所述HVIC管1000的HIN2端作为所述智能功率模块100的V相上桥臂输入端VHIN，在所述HVIC管1000内部与所述VH驱动电路102的输入端相连；所述HVIC管1000的HIN3端作为所述智能功率模块100的W相上桥臂输入端WHIN，在所述HVIC管1000内部与所述WH驱动电路103的输入端相连。
[0007]所述HVIC管1000的LINl端作为所述智能功率模块100的U相下桥臂输入端ULIN，在所述HVIC管1000内部与所述UL驱动电路104的输入端相连；所述HVIC管1000的LIN2端作为所述智能功率模块100的V相下桥臂输入端VLIN，在所述HVIC管1000内部与所述VL驱动电路105的输入端相连；所述HVIC管1000的LIN3端作为所述智能功率模块100的W相下桥臂输入端WLIN，在所述HVIC管1000内部与所述WL驱动电路106的输入端相连；在此，所述智能功率模块100的U、V、W三相的六路输入接收OV或5V的输入信号。
[0008]所述HVIC管1000的GND端作为所述智能功率模块100的低压区供电电源负端COM,并与所述UH驱动电路101、所述VH驱动电路102、所述WH驱动电路103、所述UL驱动电路104、所述VL驱动电路105、所述WL驱动电路106的低压区供电电源负端相连。
[0009]所述HVIC管1000的VBl端在所述HVIC管1000内部与所述UH驱动电路101的高压区供电电源正端相连，在所述HVIC管1000外部连接电容131的一端，并作为所述智能功率模块100的U相高压区供电电源正端UVB ;所述HVIC管1000的HOl端在所述HVIC管1000内部与所述UH驱动电路101的输出端相连，在所述HVIC管1000外部与U相上桥臂IGBT管121的栅极相连；所述HVIC管1000的VSl端在所述HVIC管1000内部与所述UH驱动电路101的高压区供电电源负端相连，在所述HVIC管1000外部与所述IGBT管121的射极、FRD管111的阳极、U相下桥臂IGBT管124的集电极、FRD管114的阴极、所述电容131的另一端相连，并作为所述智能功率模块100的U相高压区供电电源负端UVS。
[0010]所述HVIC管1000的VB2端在所述HVIC管1000内部与所述VH驱动电路102的高压区供电电源正端相连，在所述HVIC管1000外部连接电容132的一端，作为所述智能功率模块100的U相高压区供电电源正端VVB ;所述HVIC管1000的H02端在所述HVIC管1000内部与所述VH驱动电路102的输出端相连，在所述HVIC管1000外部与V相上桥臂IGBT管123的栅极相连；所述HVIC管1000的VS2端在所述HVIC管1000内部与所述VH驱动电路102的高压区供电电源负端相连，在所述HVIC管1000外部与所述IGBT管122的射极、FRD管112的阳极、V相下桥臂IGBT管125的集电极、FRD管115的阴极、所述电容132的另一端相连，并作为所述智能功率模块100的W相高压区供电电源负端VVS。
[0011]所述HVIC管1000的VB3端在所述HVIC管1000内部与所述WH驱动电路103的高压区供电电源正端相连，在所述HVIC管1000外部连接电容133的一端，作为所述智能功率模块100的W相高压区供电电源正端WVB ;所述HVIC管1000的H03端在所述HVIC管1000内部与所述WH驱动电路101的输出端相连，在所述HVIC管1000外部与W相上桥臂IGBT管123的栅极相连；所述HVIC管1000的VS3端在所述HVIC管1000内部与所述WH驱动电路103的高压区供电电源负端相连，在所述HVIC管1000外部与所述IGBT管123的射极、FRD管113的阳极、W相下桥臂IGBT管126的集电极、FRD管116的阴极、所述电容133的另一端相连，并作为所述智能功率模块100的W相高压区供电电源负端WVS。
[0012]所述HVIC管1000的LOl端与所述IGBT管124的栅极相连；所述HVIC管1000的L02端与所述IGBT管125的栅极相连；所述HVIC管1000的L03端与所述IGBT管126的栅极相连。
[0013]所述IGBT管124的射极与所述FRD管114的阳极相连，并作为所述智能功率模块100的U相低电压参考端UN ;所述IGBT管125的射极与所述FRD管115的阳极相连，并作为所述智能功率模块100的V相低电压参考端VN ;所述IGBT管126的射极与所述FRD管116的阳极相连，并作为所述智能功率模块100的W相低电压参考端WN。
[0014]所述IGBT管121的集电极、所述FRD管111的阴极、所述IGBT管122的集电极、所述FRD管112的阴极、所述IGBT管123的集电极、所述FRD管113的阴极相连，并作为所述智能功率模块100的高电压输入端P，P 一般接300V。
[0015]所述HVIC管1000的作用是:
[0016]VDD为所述HVIC管1000的供电电源正端，GND为所述HVIC管1000的供电电源负端(VDD-GND电压一般为15V)。VBl和VSl分别为U相高压区的电源的正极和负极，HOl为U相高压区的输出端；VB2和VS2分别为V相高压区的电源的正极和负极，H02为V相高压区的输出端；VB3和VS3分别为U相高压区的电源的正极和负极，H03为W相高压区的输出端；LOl、L02、L03分别为U相、V相、W相低压区的输出端。
[0017]将输入端HIN1、HIN2、HIN3和LIN1、LIN2、LIN3的O或5V的逻辑输入信号分别传到输出端H01、H02、H03和L01、L02、L03，其中，HOl是VSl或VS1+15V的逻辑输出信号、H02是VS2或VS2+15V的逻辑输出信号、H03是VS3或VS3+15V的逻辑输出信号，L01、L02、L03是O或15V的逻辑输出信号。
[0018]同时，同一相的输入信号不能同时为高电平，即HINl和LIN1、HIN2和LIN2、HIN3和LIN3不能同时为高电平。
[0019]所述智能功率模块100实际工作时的一种优选电路如图2所示:
[0020]UVB与UVS间外接电容135 ；VVB与VVS间外接电容136 ；WVB与WVS间外接电容137。在此，所述电容133、132、131主要起滤波作用，所述电容135、136、137主要起存储电
量作用。
[0021]UN、VN、WN相连，并连接电阻138的一端和MCU管200的Pin7 ;所述电阻138的另一端接COM。
[0022]所述MCU200的Pinl与所述智能功率模块100的UHIN端相连；所述MCU200的Pin2与所述智能功率模块100的VHIN端相连；所述MCU200的Pin3与所述智能功率模块100的WHIN端相连；所述MCU200的Pin4与所述智能功率模块100的ULIN端相连；所述MCU200的Pin5与所述智能功率模块100的VLIN端相连；所述MCU200的Pin6与所述智能功率模块100的WLIN端相连。
[0023]以U相为例说明智能功率模块100的工作状态:
[0024]1、当所述MCU200的管脚Pin4发出高电平信号时，所述MCU200的管脚Pinl必须发出低电平信号，信号使LINl为高电平、HINl为低电平，这时，LOl输出高电平而HOl输出低电平，从而所述IGBT管124导通而所述IGBT管121截止，VSl电压约为OV ；VCC向所述电容133及所述电容135充电，当时间足够长或使所述电容133及所述电容135充电前的剩余电量足够多时，VBl对VSl获得接近15V的电压。
[0025]2、当所述MCU200的管脚Pinl发出高电平信号时，所述MCU200的管脚Pin4必须发出低电平信号，信号使LINl为低电平、HINl为高电平，这时，LOl输出低电平而HOl输出高电平，从而所述IGBT管124截止而所述IGBT管121导通，从而VSl电压约为300V，VBl电压被抬高到315V左右，通过所述电容133及所述电容135的电量，维持U相高压区工作，如果HINl为高电平的持续时间足够短或所述电容133及所述电容135存储的电量足够多，VBl对VSl在U相高压区工作过程中的电压可保持在14V以上。
[0026]实际应用中，特别是在变频空调的应用中，MCU200会根据环境变化而采用不同的算法控制智能功率模块100的通断，使变频压缩机工作在不同的频率下:
[0027]当智能功率模块100通断很快时，压缩机工作在高频下，这时，智能功率模块100内部的六枚IGBT管(如IGBT管121至IGBT管126)需要流过较大的电流；当智能功率模块100通断较慢时，压缩机工作在低频下，这时，智能功率模块100内部的六枚IGBT管流过较小的电流。
[0028]对于压缩机低频工作的状态，往往是希望获得低功耗，而使用IGBT管作为通断元件时，由于IGBT管的拖尾效应，造成通断元件的开关损耗不可能很低，从而使智能功率模块100的损耗也不可能做得很低。
[0029]如果使用无拖尾效应的MOS管替代IGBT管，在压缩机低频工作时确实可以降低通断损耗和系统功耗，但是由于MOS管电流能力的限制，当压缩机进入高频工作状态时，过大的电流会超出MOS管可承受的电流范围而造成MOS管过流烧毁，严重时还会引起火灾。
[0030]在相关技术中，通过改善IGBT管的拖尾效应来降低智能功率模块的低频工作损耗实现，但这种特殊工艺使得IGBT管的生产成本非常高，不适合在变频空调等民用领域推广。
[0031]因此，如何降低智能功率模块在低频工作时的损耗，并避免高频工作时的过流风险，且生产成本适用于民用领域，成为目前亟待解决的技术问题。
实用新型内容
[0032]本实用新型旨在至少解决现有技术或相关技术中存在的技术问题之一。
[0033]为此，本实用新型的一个目的在于提出了一种功耗控制电路。
[0034]本实用新型的另一个目的在于提出了一种智能功率模块。
[0035]本实用新型的又一个目的在于提出了一种变频家电。
[0036]为实现上述目的，根据本实用新型的第一方面的实施例，提出了一种功耗控制电路，包括:低功耗开关元件，并联至智能功率模块中的任一 IGBT管，以构成开关组件；切换控制模块，连接至所述智能功率模块对应的控制芯片，用于在接收到来自所述控制芯片的高频工作信号的情况下，仅使所述任一 IGBT管或同时使所述任一 IGBT管和所述低功耗开关元件处于工作状态，以及在接收到来自所述控制芯片的低频工作信号的情况下，仅使所述低功耗开关元件处于工作状态。
[0037]在该技术方案中，通过使低功耗开关元件和IGBT管并联构成开关组件，并在智能功率模块处于低频时仅使低功耗开关元件处于工作状态，从而能够避免IGBT管的拖尾效应而导致不必要的工作损耗，有助于降低智能功率模块的整体功耗。
[0038]同时，通过在智能功率模块处于高频时，使得IGBT管处于工作状态，从而避免低功耗开关元件被过流击穿，有助于确保智能功耗模块的安全性。
[0039]其中，低功耗开关元件具体可以为MOS管，比如NMOS管等，从而既能够承受智能功率模块处于低频工作状态下的电流强度，又由于不具有拖尾效应而有效降低通断损耗和系统损耗。
[0040]另外，根据本实用新型上述实施例的功耗控制电路，还可以具有如下附加的技术特征:
[0041]根据本实用新型的一个实施例，优选地，若所述切换控制模块在接收到所述高频工作信号的情况下仅使所述任一 IGBT管处于工作状态，则所述切换控制模块包括:开关电路，连接至所述控制芯片和信号源，用于在接收到所述高频工作信号的情况下导通，以使所述信号源接地，以及在接收到所述低频工作信号的情况下断开，以使所述信号源输出至状态控制电路；所述状态控制电路，所述状态控制电路的控制端连接在所述信号源和所述开关电路之间，用于在所述开关电路导通的情况下，控制所述任一 IGBT管处于工作状态，以及在所述开关电路截止的情况下，控制所述低功耗开关元件处于工作状态。
[0042]在该技术方案中，通过设置开关电路，将智能功率模块的工作频率变化反映至状态控制电路的输入信号变化，从而能够准确控制IGBT管及低功耗开关元件的工作状态。
[0043]作为一种较为优选的实施方式，所述状态控制电路包括:模拟开关，所述模拟开关包括:控制件，连接至所述信号源和所述开关电路之间，在所述开关电路导通的情况下生成第一切换信号、在所述开关电路断开的情况下生成第二切换信号；受控件，所述受控件的一端连接至所述开关组件对应的信号输入端，所述受控件的另一端在接收到所述第一切换信号的情况下连接至第一驱动电路、在接收到所述第二切换信号的情况下连接至第二驱动电路；其中，所述第一驱动电路用于对所述任一 IGBT管进行驱动、所述第二驱动电路用于对所述低功耗开关元件进行驱动。
[0044]在该技术方案中，可以分别采用独立的驱动电路来实现对IGBT管和低功耗开关元件的驱动，因而可以通过对信号输入端与第一驱动电路或第二驱动电路的连接控制，从而确保在智能功率模块处于不同工作频率下时，能够准确切换至相应的驱动电路，以驱动IGBT管或低功耗开关元件进入工作状态。
[0045]当IGBT管和低功耗开关元件采用独立的驱动电路时，由于低功耗开关元件所需的驱动电压和电流较小(相对于IGBT管)，因而相应的第二驱动电路的驱动能力可以更小、内部的驱动元件的尺寸也可以更小，从而有助于缩小第二驱动电路的占用面积，降低智能功率模块的生产成本。
[0046]作为另一种较为优选的实施方式，所述状态控制电路包括:模拟开关，所述模拟开关包括:控制件，连接至所述信号源和所述开关电路之间，在所述开关电路导通的情况下生成第三切换信号、在所述开关电路断开的情况下生成第四切换信号；受控件，所述受控件的一端连接至驱动电路的一端，所述受控件的另一端在接收到所述第三切换信号的情况下连接至所述任一 IGBT管、在接收到所述第四切换信号的情况下连接至所述低功耗开关元件；其中，所述驱动电路的另一端连接至所述开关组件对应的信号输入端，用于对所述任一IGBT管或所述低功耗开关元件进行驱动。
[0047]在该技术方案中，IGBT管和低功耗开关元件也可以采用同一驱动电路进行驱动，则可以通过对IGBT管或低功耗开关元件与该驱动电路的连接控制，从而确保在智能功率模块处于不同工作频率下时，能够准确切换至相应的通断器件，以驱动IGBT管或低功耗开关元件进入工作状态。
[0048]根据本实用新型的另一个实施例，若所述切换控制模块在接收到所述高频工作信号的情况下同时使所述任一 IGBT管和所述低功耗开关元件处于工作状态，则所述切换控制模块包括:电压输出电路，连接至所述控制芯片，用于在接收到所述高频工作信号的情况下输出第一电压，以及在接收到所述低频工作信号的情况下输出第二电压；状态控制电路，连接至所述电压输出电路，用于在所述第一电压处于第一数值范围的情况下，控制所述任一 IGBT管和所述低功耗开关元件处于工作状态，以及在所述第二电压处于第二数值范围内的情况下，控制所述低功耗开关元件处于工作状态；其中，所述第一数值范围是指大于第一预设电压值，所述第二数值范围是指大于第二预设电压值且小于或等于所述第一预设电压值。
[0049]在该技术方案中，通过对输出电压的调节和控制，即高频下(接收到高频工作信号)输出第一电压、低频下(接收到低频工作信号)输出第二电压，能够将智能功率模块的工作频率变化反映至输出电压的数值变化，则结合对输出电压所处的数值范围判断，即可准确控制IGBT管及低功耗开关元件的工作状态。
[0050]在上述技术方案中，优选地，所述电压输出电路包括:第一电阻和第二电阻，所述第一电阻和所述第二电阻依次串联在信号源和地之间；开关器件和第三电阻，所述开关器件与所述第三电阻串联后，并联于所述第二电阻的两端，所述开关器件还连接至所述控制芯片，用于在接收到所述高频工作信号的情况下导通，以及在接收到所述低频工作信号的情况下截止。
[0051]在该技术方案中，通过控制开关器件的导通或截止，使得第三电阻的工作状态发生变化，即开关器件导通时，由第二电阻和第三电阻并联后，串联于第一电阻；而开关器件截止时，仅由第一电阻和第二电阻串联，从而控制输出电压的数值发生变化。
[0052]在上述技术方案中，优选地，所述状态控制电路包括:第一电压比较器，所述第一电压比较器的第一输入端连接至所述第一电阻和所述第二电阻的公共端、第二输入端输入所述第一预设电压值，用于在所述第一电压处于第一数值范围的情况下，输出第一启动信号；第二电压比较器，所述第二电压比较器的第一输入端连接至所述第一电阻和所述第二电阻的公共端、第二输入端输入所述第二预设电压值，用于在所述第二电压处于第二数值范围的情况下，输出第二启动信号；第一逻辑电路，所述第一逻辑电路的第一输入端连接至所述第一电压比较器的输出端、第二输入端连接至所述开关组件对应的信号输入端、输出端连接至第一驱动电路，用于在接收到所述第一启动信号的情况下，将来自所述信号输入端的信号输出至所述第一驱动电路；第二逻辑电路，所述第二逻辑电路的第一输入端连接至所述第二电压比较器的输出端、第二输入端连接至所述信号输入端、输出端连接至第二驱动电路，用于在接收到所述第二启动信号的情况下，将来自所述信号输入端的信号输出至所述第二驱动电路；其中，所述第一驱动电路用于对所述任一 IGBT管进行驱动、所述第二驱动电路用于对所述低功耗开关元件进行驱动。
[0053]在该技术方案中，可以分别采用独立的驱动电路来实现对IGBT管和低功耗开关元件的驱动，因而可以控制是否将信号输入端的信号输出至第一驱动电路或第二驱动电路，从而确保在智能功率模块处于不同工作频率下时，能够准确地将信号输入端的信号输出至相应的驱动电路，以驱动IGBT管或低功耗开关元件进入工作状态。
[0054]同样地，当IGBT管和低功耗开关元件采用独立的驱动电路时，由于低功耗开关元件所需的驱动电压和电流较小(相对于IGBT管)，因而相应的第二驱动电路的驱动能力可以更小、内部的驱动元件的尺寸也可以更小，从而有助于缩小第二驱动电路的占用面积，降低智能功率模块的生产成本。
[0055]在上述技术方案中，优选地，所述第一逻辑电路和所述第二逻辑电路为逻辑和的门电路。
[0056]根据本实用新型第二方面的实施例，提出了一种智能功率模块，包括如上述技术方案中任一项所述的功耗控制电路。
[0057]根据本实用新型第三方面的实施例，提出了一种变频家电，包括如上述技术方案所述的智能功率模块，比如变频空调、变频冰箱、变频洗衣机等。
[0058]通过以上技术方案，能够在不同的工作频率下，采用不同的通断器件，从而有助于降低智能功率模块的功耗，且不会存在通断器件被过流击穿的风险。
[0059]本实用新型的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本实用新型的实践了解到。
【专利附图】

【附图说明】
[0060]本实用新型的上述和/或附加的方面和优点从结合下面附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解，其中:[0061]图1示出了相关技术中的智能功率模块的结构示意图；
[0062]图2示出了相关技术中的对智能功率模块进行时序控制时的结构示意图；
[0063]图3A示出了根据本实用新型的一个实施例的功耗控制电路的结构示意图；
[0064]图3B示出了根据本实用新型的另一个实施例的功耗控制电路的结构示意图；
[0065]图4示出了根据本实用新型的一个实施例的智能功率模块的结构示意图；
[0066]图5示出了根据本实用新型的一个实施例的功耗控制电路的具体结构示意图；
[0067]图6A是图5所示实施例的一种【具体实施方式】的结构示意图；
[0068]图6B是图5所示实施例的另一种【具体实施方式】的结构示意图；
[0069]图6C是图5所示实施例对应的智能功率模块的结构示意图；
[0070]图7示出了根据本实用新型的另一个实施例的功耗控制电路的具体结构示意图；
[0071]图8是图7所示实施例的一种【具体实施方式】的结构示意图；
[0072]图9A是图7所示实施例对应的智能功率模块的结构示意图；
[0073]图9B是图9A所示的智能功率模块中的输出选通电路的结构示意图。
【具体实施方式】
[0074]为了能够更清楚地理解本实用新型的上述目的、特征和优点，下面结合附图和【具体实施方式】对本实用新型进行进一步的详细描述。需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请的实施例及实施例中的特征可以相互组合。
[0075]在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本实用新型，但是，本实用新型还可以采用其他不同于在此描述的其他方式来实施，因此，本实用新型的保护范围并不限于下面公开的具体实施例的限制。
[0076]一、整体结构
[0077]在相关技术中，智能功率模块都采用IGBT管作为通断器件，但一方面，IGBT管的拖尾效应导致其低频下的开关损耗过高，另一方面，若直接使用低功耗开关元件，则由于高频下的电流过大而容易损毁低功耗开关元件，甚至引发火灾等危险状况。
[0078]因此，为了解决开关损耗和过流风险等多方面的问题，图3A示出了根据本实用新型的一个实施例的功耗控制电路的结构示意图。
[0079]如图3A所示，根据本实用新型的一个实施例的功耗控制电路，包括:低功耗开关元件111’，并联至智能功率模块(比如图1所示的智能功率模块100)中的任一 IGBT管(图3A所示为IGBT管121),以构成开关组件(图中未具体标示)；切换控制模块304,连接至所述智能功率模块对应的控制芯片(如MCU)，用于在接收到来自所述控制芯片的高频工作信号的情况下，仅使所述任一 IGBT管或同时使所述任一 IGBT管和所述低功耗开关元件111’处于工作状态，以及在接收到来自所述控制芯片的低频工作信号的情况下，仅使所述低功耗开关元件111’处于工作状态。
[0080]在该技术方案中，通过使低功耗开关元件111’和IGBT管并联构成开关组件，并在智能功率模块处于低频时仅使低功耗开关元件111’处于工作状态，从而能够避免IGBT管的拖尾效应而导致不必要的工作损耗，有助于降低智能功率模块的整体功耗。
[0081]同时，通过在智能功率模块处于高频时，使得IGBT管处于工作状态，从而避免低功耗开关元件111’被过流击穿，有助于确保智能功耗模块的安全性。[0082]其中，低功耗开关元件111’具体可以为MOS管，比如NMOS管等，从而既能够承受智能功率模块处于低频工作状态下的电流强度，又由于不具有拖尾效应而有效降低通断损耗和系统损耗。
[0083]在图3A中，具体以如图1所示的U相上桥臂的IGBT管121为例进行了说明；但实际上，显然可以对智能功率模块中的V相、W相上桥臂的IGBT管122、IGBT管123进行相同的功耗控制，还可以对U相、V相和W相下桥臂的IGBT管124、IGBT管125和IGBT管126进行相同的功耗控制。
[0084]下面结合图3B，仍以U相为例，对下桥臂的连接结构进行详细说明。其中，图3B示出了根据本实用新型的另一个实施例的功耗控制电路的结构示意图。
[0085]如图3B所示，在本实用新型的另一个实施例中，也可以针对U相下桥臂的IGBT管124进行功耗控制。具体地，可以将低功耗开关元件114’并联至IGBT管124两端，从而由IGBT管124和低功耗开关元件114’构成一个开关组件(图中未具体标示)。
[0086]基于上述结构，端口 ISO的输入信号对应于具体的工作频率，并进而由切换控制模块306控制IGBT管124和低功耗开关元件114’是否进入工作状态，若进入工作状态，则由端口 LINl输入的信号进行通断控制。
[0087]对应于图3A和图3B所示的结构，图4示出了根据本实用新型的一个实施例的智能功率模块的结构示意图。
[0088]如图4所示，根据本实用新型的一个实施例的智能功率模块4100中，输出选通电路4400的电源正端VCC端作为所述智能功率模块4100的低压区供电电源正端VDD，VDD —般为15V。
[0089]所述输出选通电路4400的第一输入端HINl作为所述智能功率模块4100的U相上桥臂输入端UHIN ;所述输出选通电路4400的第二输入端HIN2作为所述智能功率模块4100的V相上桥臂输入端VHIN ;所述输出选通电路4400的第三输入端HIN3作为所述智能功率模块4100的W相上桥臂输入端WHIN ;所述输出选通电路4400的第四输入端LINl作为所述智能功率模块4100的U相下桥臂输入端ULIN ;所述输出选通电路4400的第五输入端LIN2作为所述智能功率模块4100的V相下桥臂输入端VLIN ;所述输出选通电路4400的第六输入端LIN3作为所述智能功率模块4100的W相下桥臂输入端WLIN ;同时，所述输出选通电路4400的第七输出端SW作为所述智能功率模块4100的异常反馈端ISO。
[0090]所述输出选通电路4400的电源负端GND与所述米样电阻4301的另一端相连,并作为所述智能功率模块4100的最低电压参考点N。
[0091]所述输出选通电路4400的U相高压区供电电源正端VBl与电容4133的一端相连，并作为所述智能功率模块4100的U相高压区供电电源正端UVB ;所述输出选通电路4400的U相高压区供电电源负端VSl与所述电容4133的另一端相连，并作为所述智能功率模块4100的U相高压区供电电源负端UVS0
[0092]所述输出选通电路4400的V相高压区供电电源正端VB2与电容4132的一端相连，并作为所述智能功率模块4100的V相高压区供电电源正端VVB ;所述输出选通电路4400的V相高压区供电电源负端VS2与所述电容4132的另一端相连，并作为所述智能功率模块4100的V相高压区供电电源负端VVS。
[0093]所述输出选通电路4400的W相高压区供电电源正端VB3与电容4131的一端相连，并作为所述智能功率模块4100的W相高压区供电电源正端WVB ;所述输出选通电路4400的W相高压区供电电源负端VS3与所述电容4131的另一端相连，并作为所述智能功率模块4100的W相高压区供电电源负端WVS。
[0094]所述输出选通电路4400的最高电压参考端P作为所述智能功率模块4100的最高电压参考点P。
[0095]二、切换控制模块
[0096]实施例一:切换控制模块306在接收到所述第一信号的情况下仅使所述任一 IGBT管处于工作状态。
[0097](一)模块构成
[0098]对应于图4所示的智能功率模块，图5示出了根据本实用新型的一个实施例的功耗控制电路的具体结构示意图。
[0099]如图5所示，根据本实用新型的一个实施例，优选地，切换控制模块304可以包括:开关电路3042，图中以NMOS管为例进行说明，该NMOS管的栅极通过ISO端口连接至控制芯片、漏极连接至电流信号源、衬底与源极相连并接地，用于在接收到所述高频工作信号的情况下导通，以使所述信号源接地，以及在接收到所述低频工作信号的情况下断开，以使所述电流信号源输出至状态控制电路3044 ;所述状态控制电路3044，所述状态控制电路3044的控制端连接在所述电流信号源和所述开关电路3042之间，用于在所述开关电路3042导通的情况下，控制所述任一 IGBT管处于工作状态，以及在所述开关电路3042截止的情况下，控制所述低功耗开关元件111’处于工作状态。
[0100]在该技术方案中，通过设置开关电路3042，将智能功率模块的工作频率变化反映至状态控制电路3044的输入信号变化，从而能够准确控制IGBT管及低功耗开关元件111’的工作状态。
[0101](二)电路结构
[0102]实施方式一
[0103]图6A是图5所示实施例的一种【具体实施方式】的结构示意图。
[0104]如图6A所示，根据本实用新型的一种优选实施方式，所述状态控制电路3044包括:模拟开关，所述模拟开关包括:控制件，连接至所述信号源(比如上述的电流信号源)和所述开关电路3042之间，在所述开关电路3042导通的情况下生成第一切换信号、在所述开关电路3042断开的情况下生成第二切换信号；受控件，所述受控件的一端连接至所述开关组件对应的信号输入端(如图6A所示的HINl端口)，所述受控件的另一端在接收到所述第一切换信号的情况下连接至第一驱动电路4409、在接收到所述第二切换信号的情况下连接至第二驱动电路4410 ;其中，所述第一驱动电路4409用于对所述任一 IGBT管4121进行驱动、所述第二驱动电路4410用于对所述低功耗开关元件4111进行驱动。
[0105]在该技术方案中，可以分别采用独立的驱动电路来实现对IGBT管4121和低功耗开关元件4111的驱动，因而可以通过对信号输入端与第一驱动电路4409或第二驱动电路4410的连接控制，从而确保在智能功率模块4100处于不同工作频率下时，能够准确切换至相应的驱动电路，以驱动IGBT管4121或低功耗开关元件4111进入工作状态。
[0106]当IGBT管4121和低功耗开关元件4111采用独立的驱动电路时，由于低功耗开关元件4111所需的驱动电压和电流较小(相对于IGBT管4121)，因而相应的第二驱动电路4410的驱动能力可以更小、内部的驱动元件的尺寸也可以更小，从而有助于缩小第二驱动电路4410的占用面积，降低智能功率模块4100的生产成本。
[0107]实施方式二
[0108]图6B是图5所示实施例的另一种【具体实施方式】的结构示意图。
[0109]如图6B所示，根据本实用新型的另一种优选实施方式，所述状态控制电路3044包括:模拟开关，所述模拟开关包括:控制件，连接至所述信号源(比如上述的电流信号源)和所述开关电路3062之间，在所述开关电路3062导通的情况下生成第三切换信号、在所述开关电路3062断开的情况下生成第四切换信号；受控件，所述受控件的一端连接至驱动电路4409’的一端，所述受控件的另一端在接收到所述第三切换信号的情况下连接至所述任
一IGBT管4121、在接收到所述第四切换信号的情况下连接至所述低功耗开关元件4111 ;其中，所述驱动电路4409’的另一端连接至所述开关组件对应的信号输入端(如图6B所示的HINl端口)，用于对所述任一 IGBT管4121或所述低功耗开关元件4111进行驱动。
[0110]在该技术方案中，IGBT管4121和低功耗开关元件4111也可以采用同一驱动电路4409’进行驱动，则可以通过对IGBT管4121或低功耗开关元件4111与该驱动电路4409’的连接控制，从而确保在智能功率模块4100处于不同工作频率下时，能够准确切换至相应的通断器件，以驱动IGBT管4121或低功耗开关元件4111进入工作状态。
[0111](三)整体电路结构
[0112]图6C是图5所示实施例对应的智能功率模块的结构示意图。
[0113]如图6C所示，可以针对智能功率模块4100中的每个IGBT管都采用如图6A所示的实施方式，实现功耗控制；当然，本领域技术人员应该理解的是，这里采用图6A所示的实施方式仅用于举例说明，显然可以采用其他任一方式，比如图6B所示的实施方式等，同样能够用于实现对智能功率模块4100的功耗控制。
[0114]具体地，图6C所示的智能功率模块4100中的输出选通电路4400的结构可以为:
[0115]所述输出选通电路4400的SW端与NMOS管4404的栅极相连，所述NMOS管4404的衬底与源极相连并接GND端，所述NMOS管4404的漏极与电流源4403的正端、模拟开关4408的控制端相连，所述电流源4403的负端接所述输出选通电路4400的VCC端，所述模拟开关4408的固定端与所述输出选通电路4400的HINl端相连，所述模拟开关4408的高电平选通端与UH驱动电路4409的输入端相连，所述模拟开关4408的低电平选通端与UH驱动电路4410的输入端相连，所述UH驱动电路4409和所述UH驱动电路4410的低压区供电电源正端与所述输出选通电路4400的VCC端相连，所述UH驱动电路4409和所述UH驱动电路4410的低压区供电电源负端与所述输出选通电路4400的GND端相连，所述UH驱动电路4409和所述UH驱动电路4410的高压区供电电源正端与所述输出选通电路4400的VBl端相连，所述UH驱动电路4409和所述UH驱动电路4410的高压区供电电源负端与所述输出选通电路4400的VSl端相连，所述UH驱动电路4409的输出端与所述输出选通电路4400的UHOl端相连，所述UH驱动电路4410的输出端与所述输出选通电路4400的UH02端相连。
[0116]所述输出选通电路4400的SW端与NMOS管4504的栅极相连，所述NMOS管4504的衬底与源极相连并接GND端，所述NMOS管4504的漏极与电流源4503的正端、模拟开关4508的控制端相连，所述电流源4503的负端接所述输出选通电路4400的VCC端，所述模拟开关4508的固定端与所述输出选通电路4400的HIN2端相连，所述模拟开关4508的高电平选通端与VH驱动电路4509的输入端相连，所述模拟开关4508的低电平选通端与VH驱动电路4510的输入端相连，所述VH驱动电路4509和所述VH驱动电路4510的低压区供电电源正端与所述输出选通电路4400的VCC端相连，所述VH驱动电路4509和所述VH驱动电路4510的低压区供电电源负端与所述输出选通电路4400的GND端相连，所述VH驱动电路4509和所述VH驱动电路4510的高压区供电电源正端与所述输出选通电路4400的VB2端相连，所述VH驱动电路4509和所述VH驱动电路4510的高压区供电电源负端与所述输出选通电路4400的VS2端相连，所述VH驱动电路4509的输出端与所述输出选通电路4400的VHOl端相连，所述VH驱动电路4510的输出端与所述输出选通电路4400的VH02端相连。
[0117]所述输出选通电路4400的SW端与NMOS管4604的栅极相连，所述NMOS管4604的衬底与源极相连并接GND端，所述NMOS管4604的漏极与电流源4603的正端、模拟开关4608的控制端相连，所述电流源4603的负端接所述输出选通电路4400的VCC端，所述模拟开关4508的固定端与所述输出选通电路4400的HIN3端相连，所述模拟开关4608的高电平选通端与WH驱动电路4609的输入端相连，所述模拟开关4608的低电平选通端与WH驱动电路4610的输入端相连，所述WH驱动电路4609和所述WH驱动电路4610的低压区供电电源正端与所述输出选通电路4400的VCC端相连，所述WH驱动电路4609和所述WH驱动电路4610的低压区供电电源负端与所述输出选通电路4400的GND端相连，所述WH驱动电路4609和所述VH驱动电路4610的高压区供电电源正端与所述输出选通电路4400的VB3端相连，所述WH驱动电路4609和所述WH驱动电路4610的高压区供电电源负端与所述输出选通电路4400的VS3端相连，所述WH驱动电路4609的输出端与所述输出选通电路4400的WHOl端相连，所述WH驱动电路4610的输出端与所述输出选通电路4400的WH02端相连。
[0118]所述输出选通电路4400的SW端与NMOS管4704的栅极相连，所述NMOS管4704的衬底与源极相连并接GND端，所述NMOS管4704的漏极与电流源4703的正端、模拟开关4708的控制端相连，所述电流源4703的负端接所述输出选通电路4400的VCC端，所述模拟开关4708的固定端与所述输出选通电路4400的LINl端相连，所述模拟开关4708的高电平选通端与UL驱动电路4709的输入端相连，所述模拟开关4708的低电平选通端与UL驱动电路4710的输入端相连，所述UL驱动电路4709和所述UL驱动电路4710的低压区供电电源正端与所述输出选通电路4400的VCC端相连，所述UL驱动电路14709和所述UL驱动电路24710的低压区供电电源负端与所述输出选通电路4400的GND端相连，所述UL驱动电路14709的输出端与所述输出选通电路4400的ULOl端相连，所述UL驱动电路24710的输出端与所述输出选通电路4400的UL02端相连。
[0119]所述输出选通电路4400的SW端与NMOS管4804的栅极相连，所述NMOS管4804的衬底与源极相连并接GND端，所述NMOS管4804的漏极与电流源4803的正端、模拟开关4808的控制端相连，所述电流源4803的负端接所述输出选通电路4400的VCC端，所述模拟开关4808的固定端与所述输出选通电路4400的LIN2端相连，所述模拟开关4808的高电平选通端与VL驱动电路4809的输入端相连，所述模拟开关4808的低电平选通端与VL驱动电路4810的输入端相连，所述VL驱动电路4809和所述VL驱动电路4810的低压区供电电源正端与所述输出选通电路4400的VCC端相连，所述VL驱动电路4809和所述VL驱动电路4810的低压区供电电源负端与所述输出选通电路4400的GND端相连，所述VL驱动电路4809的输出端与所述输出选通电路4400的VLOl端相连，所述VL驱动电路4810的输出端与所述输出选通电路4400的VL02端相连。
[0120]所述输出选通电路4400的SW端与NMOS管4904的栅极相连，所述NMOS管4904的衬底与源极相连并接GND端，所述NMOS管4904的漏极与电流源4903的正端、模拟开关4908的控制端相连，所述电流源4903的负端接所述输出选通电路4400的VCC端，所述模拟开关4908的固定端与所述输出选通电路4400的LIN3端相连，所述模拟开关4908的高电平选通端与WL驱动电路4909的输入端相连，所述模拟开关4808的低电平选通端与WL驱动电路4910的输入端相连，所述WL驱动电路4909和所述WL驱动电路4910的低压区供电电源正端与所述输出选通电路4400的VCC端相连，所述WL驱动电路4909和所述WL驱动电路4910的低压区供电电源负端与所述输出选通电路4400的GND端相连，所述WL驱动电路4909的输出端与所述输出选通电路4400的WLOl端相连，所述WL驱动电路4910的输出端与所述输出选通电路4400的WL02端相连。
[0121]所述UHOl端与IGBT管4121的栅极相连，所述UH02端与NMOS管4111的栅极相连；所述IGBT管4121的集电极与所述高压匪OS管4111的漏极相连并接所述输出选通电路4400的P端，所述IGBT管4121的射极与所述高压NMOS管4111的衬底和源极相连并接所述输出选通电路4400的VSl端；所述VHOl端与IGBT管4122的栅极相连，所述VH02端与NMOS管4112的栅极相连；所述IGBT管4122的集电极与所述高压NMOS管4112的漏极相连并接所述输出选通电路4400的P端，所述IGBT管4122的射极与所述高压NMOS管4112的衬底和源极相连并接所述输出选通电路4400的VS2端；所述WHOl端与IGBT管4123的栅极相连，所述WH02端与NMOS管4113的栅极相连；所述IGBT管4123的集电极与所述高压NMOS管4113的漏极相连并接所述输出选通电路4400的P端，所述IGBT管4123的射极与所述高压NMOS管4113的衬底和源极相连并接所述输出选通电路4400的VS3端。
[0122]所述ULOl端与IGBT管4124的栅极相连，所述UL02端与NMOS管4114的栅极相连；所述IGBT管4124的集电极与所述高压匪OS管4114的漏极相连并接所述输出选通电路4400的VSl端，所述IGBT管4124的射极与所述高压NMOS管4114的衬底和源极相连并接所述输出选通电路4400的UN端；所述VLOl端与IGBT管4125的栅极相连，所述VL02端与NMOS管4115的栅极相连；所述IGBT管4125的集电极与所述高压NMOS管4115的漏极相连并接所述输出选通电路4400的VS2端，所述IGBT管4124的射极与所述高压NMOS管4115的衬底和源极相连并接所述输出选通电路4400的VN端；所述孔01端与IGBT管4125的栅极相连，所述WL02端与NMOS管4115的栅极相连；所述IGBT管4125的集电极与所述高压NMOS管4115的漏极相连并接所述输出选通电路4400的VS3端，所述IGBT管4125的射极与所述高压NMOS管4115的衬底和源极相连并接所述输出选通电路4400的WN端。
[0123](四)工作原理
[0124]由于三个上桥臂的结构和参数完全一致、三个下桥臂的结构和参数完全一致，并且上桥臂和下桥臂在选通原理上完全一致，因而下面以U相上桥臂为例，具体说明本实用新型的选通原理。
[0125]在智能功率模块4100中，六个所述IGBT管4121?4126和六个所述高压NMOS管4111?4116的通断状态都是由外部的控制芯片MCU进行控制的，并且当需要智能功率模块4100工作在高频时，控制芯片MCU会通过ISO端输入低电平，当需要智能功率模块4100工作在低频时，控制芯片MCU会通过ISO端输入高电平。[0126]因此，可以通过对ISO端(即Sff端)的电平检测，从而确定智能功率模块4100的工
作频率。
[0127]1、ISO端输入低电平
[0128]所述NMOS管4404截止，所述电流源4403向模拟开关4408输出高电平，所述模拟开关4408选通高压端，HINl的信号传入所述UH驱动电路4409，经过所述UH驱动电路4409处理后，在UHOl端输出，控制所述IGBT管4121的通断。
[0129]2、ISO端输入高电平
[0130]所述NMOS管4404导通，电流源4403接地，使得模拟开关4408的控制端为低电位，所述模拟开关4408选通低压端，HINl的信号传入所述UH驱动电路4410，经过所述UH驱动电路4410处理后，在UH02端输出，控制所述高压NMOS管4111的通断。
[0131]通过上述方式，针对U相上桥臂的通断元件实现了:1)在需要流过的电流较小时，选通开关速度较快但耐电流能力较小的高压NMOS管，以降低开关损耗和系统损耗；2)在需要流过的电流较大时，选通有拖尾效应但耐电流能力较大的IGBT管，以避免高压NMOS管过流击穿。
[0132](五)参数设置
[0133]对于一般的高压NMOS管，电流能力在5A以下，而一般的IGBT管电流能力可以达到5A以上。因此，可考虑在电流小于5A时，选通NMOS管，在电流大于5A时，选通IGBT管。
[0134]所述UH驱动电路4409和所述UH驱动电路4410的结构可以做得完全一致并和现有技术完全一致，出于提高系统性能考虑，也可以将所述UH驱动电路4410的欠压保护电压做得比所述UH驱动电路4409低，因为高压NMOS管只需要更低的供电电压就能保证器件的饱和导通，从而使选通高压匪OS管时，智能功率模块可以工作在更低的供电电压下，出于降成本考虑，所述UH驱动电路4410的驱动CMOS的尺寸做得比所述UH驱动电路4409小，因为高压NMOS管只需更小的电流能力就能控制其导通或关断，从而节省所述UH驱动电路4410的面积。
[0135]实施例二:切换控制模块在接收到所述第一信号的情况下同时使所述任一 IGBT管和所述低功耗开关元件处于工作状态。
[0136](一)模块构成
[0137]图7示出了根据本实用新型的另一个实施例的功耗控制电路的具体结构示意图。
[0138]如图7所示，根据本实用新型的一个实施例，优选地，如图3A所示的切换控制模块304可以包括:电压输出电路3042’，连接至所述控制芯片(比如可以为图2所示的MCU200)，用于在接收到所述高频工作信号的情况下输出第一电压，以及在接收到所述低频工作信号的情况下输出第二电压；状态控制电路3044’，连接至所述电压输出电路3042’，用于在所述第一电压处于第一数值范围的情况下，控制所述任一 IGBT管4121和所述低功耗开关元件4111处于工作状态，以及在所述第二电压处于第二数值范围内的情况下，控制所述低功耗开关元件4111处于工作状态；其中，所述第一数值范围是指大于第一预设电压值，所述第二数值范围是指大于第二预设电压值且小于或等于所述第一预设电压值。
[0139]在该技术方案中，通过对输出电压的调节和控制，即高频下(接收到高频工作信号)输出第一电压、低频下(接收到低频工作信号)输出第二电压，能够将智能功率模块的工作频率变化反映至输出电压的数值变化，则结合对输出电压所处的数值范围判断，即可准确控制IGBT管4121及低功耗开关元件4111的工作状态。
[0140](二)电路结构
[0141]图8是图7所示实施例的一种【具体实施方式】的结构示意图。
[0142]如图8所示，根据本实用新型的一种优选实施方式，图7所示的电压输出电路3042’包括:第一电阻Rl和第二电阻R2，所述第一电阻Rl和所述第二电阻R2依次串联在信号源VCC和地之间；开关器件5200和第三电阻R3，所述开关器件5200与所述第三电阻R3串联后，并联于所述第二电阻R2的两端，所述开关器件5200还通过ISO端连接至所述控制芯片，用于在接收到所述高频工作信号的情况下导通，以及在接收到所述低频工作信号的情况下截止。
[0143]在该技术方案中，通过控制开关器件5200的导通或截止，使得第三电阻R3的工作状态发生变化，即开关器件5200导通时，由第二电阻R2和第三电阻R3并联后，串联于第一电阻Rl ;而开关器件5200截止时，仅由第一电阻Rl和第二电阻R2串联，从而控制输出电压的数值发生变化。
[0144]根据本实用新型的一种优选实施方式，所述状态控制电路3044’包括:第一电压比较器501，所述第一电压比较器501的第一输入端(图中所示为正输入端)连接至所述第一电阻Rl和所述第二电阻R2的公共端、第二输入端(图中所示为负输入端)输入所述第一预设电压值，用于在所述第一电压处于第一数值范围的情况下，输出第一启动信号；第二电压比较器502，所述第二电压比较器502的第一输入端(图中所示为正输入端)连接至所述第一电阻Rl和所述第二电阻R2的公共端、第二输入端(图中所示为负输入端)输入所述第二预设电压值，用于在所述第二电压处于第二数值范围的情况下，输出第二启动信号；第一逻辑电路503，所述第一逻辑电路503的第一输入端连接至所述第一电压比较器501的输出端、第二输入端连接至所述开关组件对应的信号输入端(图中所示为HINl端口)、输出端连接至第一驱动电路4409，用于在接收到所述第一启动信号的情况下，将来自所述信号输入端的信号输出至所述第一驱动电路4409 ;第二逻辑电路504，所述第二逻辑电路504的第一输入端连接至所述第二电压比较器502的输出端、第二输入端连接至所述信号输入端、输出端连接至第二驱动电路4410，用于在接收到所述第二启动信号的情况下，将来自所述信号输入端的信号输出至所述第二驱动电路4410 ;其中，所述第一驱动电路4409用于对所述任一 IGBT管4121进行驱动、所述第二驱动电路4410用于对所述低功耗开关元件4111进行驱动。
[0145]在该技术方案中，可以分别采用独立的驱动电路来实现对IGBT管4121和低功耗开关元件4111的驱动，因而可以控制是否将信号输入端的信号输出至第一驱动电路4409或第二驱动电路4410，从而确保在智能功率模块4100处于不同工作频率下时，能够准确地将信号输入端的信号输出至相应的驱动电路，以驱动IGBT管4121或低功耗开关兀件4111进入工作状态。
[0146]同样地，当IGBT管4121和低功耗开关元件4111采用独立的驱动电路时，由于低功耗开关元件4111所需的驱动电压和电流较小(相对于IGBT管)，因而相应的第二驱动电路4410的驱动能力可以更小、内部的驱动元件的尺寸也可以更小，从而有助于缩小第二驱动电路4410的占用面积，降低智能功率模块4100的生产成本。
[0147]其中，第一逻辑电路503和第二逻辑电路504可以为逻辑和的门电路。[0148](三)整体电路结构
[0149]图9A是图7所示实施例对应的智能功率模块的结构示意图。
[0150]如图9A所示，假定仅在智能功率模块中的U相、V相、W相的下桥臂进行基于本实用新型的功耗控制，以对本实用新型的实施例二中的智能功率模块的整体电路结构进行说明。
[0151]当然，本领域技术人员应该理解的是:无论是智能功率模块中的上桥臂或下桥臂中的任意数量的IGBT管，都可以采用本实用新型的技术方案，实现有效的功耗控制。
[0152]那么，基于图9A所示的智能功率模块的结构如下:
[0153]输出选通电路4400的电源正端VCC端作为所述智能功率模块4100的低压区供电电源正端VDD，VDD 一般为15V。
[0154]所述输出选通电路4400的第一输入端HINl作为所述智能功率模块4100的U相上桥臂输入端UHIN ;所述输出选通电路4400的第二输入端HIN2作为所述智能功率模块4100的V相上桥臂输入端VHIN ;所述输出选通电路4400的第三输入端HIN3作为所述智能功率模块4100的W相上桥臂输入端WHIN ;所述输出选通电路4400的第四输入端LINl作为所述智能功率模块4100的U相下桥臂输入端ULIN ;所述输出选通电路4400的第五输入端LIN2作为所述智能功率模块4100的V相下桥臂输入端VLIN ;所述输出选通电路4400的第六输入端LIN3作为所述智能功率模块4100的W相下桥臂输入端WLIN ;所述输出选通电路4400的第七输入端SW作为所述智能功率模块4100的切换信号输入端ISO ;所述输出选通电路4400的电源负端GND作为所述智能功率模块4100的低压区供电电源负端COM。
[0155]所述输出选通电路4400的U相高压区供电电源正端VBl与电容4133的一端相连，并作为所述智能功率模块4100的U相高压区供电电源正端UVB ;所述输出选通电路4400的U相高压区供电电源负端VSl与所述电容4133的另一端相连，并作为所述智能功率模块4100的U相高压区供电电源负端UVS0
[0156]所述输出选通电路4400的V相高压区供电电源正端VB2与电容4132的一端相连，并作为所述智能功率模块4100的V相高压区供电电源正端VVB ;所述输出选通电路4400的V相高压区供电电源负端VS2与所述电容4132的另一端相连，并作为所述智能功率模块4100的V相高压区供电电源负端VVS。
[0157]所述输出选通电路4400的W相高压区供电电源正端VB3与电容4131的一端相连，并作为所述智能功率模块4100的W相高压区供电电源正端WVB ;所述输出选通电路4400的W相高压区供电电源负端VS3与所述电容4131的另一端相连，并作为所述智能功率模块4100的W相高压区供电电源负端WVS。
[0158]所述输出选通电路4400的UHO端与IGBT管4121的栅极相连，所述IGBT管4121的集电极与FRD管4111的阴极相连并接所述智能功率模块4100的最高电压点P端，所述IGBT管4121的射极与所述FRD管4111的阳极相连并接所述智能功率模块4100的UVS端；所述输出选通电路4400的VHO端与IGBT管4122的栅极相连，所述IGBT管4122的集电极与FRD管4112的阴极相连并接所述智能功率模块4100的最高电压点P端，所述IGBT管4122的射极与所述FRD管4112的阳极相连并接所述智能功率模块4100的VVS端；所述输出选通电路4400的WHO端与IGBT管4123的栅极相连，所述IGBT管4123的集电极与FRD管4113的阴极相连并接所述智能功率模块4100的最高电压点P端，所述IGBT管4123的射极与所述FRD管4113的阳极相连并接所述智能功率模块4100的WVS端。
[0159]所述智能功率模块4100的ULOl端与IGBT管4124的栅极相连，所述智能功率模块4100的UL02端与NMOS管4114的栅极相连；所述IGBT管4124的集电极与所述高压NMOS管4114的漏极相连并接所述智能功率模块4100的UVS端，所述IGBT管4124的射极与所述高压NMOS管4114的衬底和源极相连并接所述智能功率模块4100的UN端；所述智能功率模块4100的VLOl端与IGBT管4125的栅极相连，所述智能功率模块4100的VL02端与NMOS管4115的栅极相连；所述IGBT管4125的集电极与所述高压NMOS管4115的漏极相连并接所述智能功率模块4100的VVS端，所述IGBT管4124的射极与所述高压NMOS管4115的衬底和源极相连并接智能功率模块4100的VN端；所述智能功率模块4100的WLOl端与IGBT管4125的栅极相连，所述智能功率模块4100的WL02端与NMOS管4115的栅极相连；所述IGBT管4125的集电极与所述高压NMOS管4115的漏极相连并接所述智能功率模块4100的WVS端，所述IGBT管4125的射极与所述高压NMOS管4115的衬底和源极相连并接所述智能功率模块4100的WN端。
[0160]图9B是图9A所示的智能功率模块中的输出选通电路的结构示意图。
[0161]如图9B所示，作为一种较为优选的实施方式，图9A中的智能功率模块4100中的输出选通电路4400 (以U相、V相和W相的下桥臂为例)的具体结构可以为:
[0162]所述输出选通电路4400的低压区供电电源正端VCC与电阻5202的一端、UL驱动电路5014的低压区供电电源正端、VL驱动电路5015的低压区供电电源正端、WL驱动电路5016的低压区供电电源正端相连。
[0163]所述电阻5202的另一端与电压比较器5111的正输入端、电压比较器5113的正输入端、电压比较器5121的正输入端、电压比较器5123的正输入端、电压比较器5131的正输入端、电压比较器5133的正输入端、电阻5201的一端、电阻5203的一端相连。
[0164]电压源5110的正端与所述电压比较器5111的负端相连，所述电压源5110的负端接所述输出选通电路4400的低压区最低电位参考点GND ;电压源5112的正端与所述电压比较器5113的负端相连，所述电压源5112的负端接所述输出选通电路4400的低压区最低电位参考点GND ;所述电压比较器5111的输出端与与门5115 —个输入端相连,所述与门5115的另一输入端与所述输出选通电路4400的ULIN端相连；所述电压比较器5113的输出端与与门5114 —个输入端相连,所述与门5114的另一输入端与所述输出选通电路4400的ULIN端相连；所述与门5115的输出端与所述UL驱动电路5014的输入端相连，所述UL驱动电路5014的输出端与所述输出选通电路4400的ULOl端相连；所述与门5114的输出端与所述UL驱动电路5024的输入端相连，所述UL驱动电路5024的输出端与所述输出选通电路4400的UL02端相连。
[0165]电压源5120的正端与所述电压比较器5121的负端相连，所述电压源5120的负端接所述输出选通电路4400的低压区最低电位参考点GND ;电压源5122的正端与所述电压比较器5123的负端相连，所述电压源5122的负端接所述输出选通电路4400的低压区最低电位参考点GND ;所述电压比较器5121的输出端与与门5125 —个输入端相连,所述与门5125的另一输入端与所述输出选通电路4400的VLIN端相连；所述电压比较器5123的输出端与与门5124 —个输入端相连,所述与门5124的另一输入端与所述输出选通电路4400的VLIN端相连；所述与门5125的输出端与所述VL驱动电路5015的输入端相连，所述VL驱动电路5015的输出端与所述输出选通电路4400的VLOl端相连；所述与门5124的输出端与所述VL驱动电路5025的输入端相连，所述VL驱动电路5025的输出端与所述输出选通电路4400的VL02端相连。
[0166]电压源5130的正端与所述电压比较器5131的负端相连，所述电压源5130的负端接所述输出选通电路4400的低压区最低电位参考点GND ;电压源5132的正端与所述电压比较器5133的负端相连，所述电压源5132的负端接所述输出选通电路4400的低压区最低电位参考点GND ;所述电压比较器5131的输出端与与门5135 —个输入端相连,所述与门5135的另一输入端与所述输出选通电路4400的WLIN端相连；所述电压比较器5133的输出端与与门5134 —个输入端相连,所述与门5134的另一输入端与所述输出选通电路4400的WLIN端相连；所述与门5135的输出端与所述WL驱动电路5016的输入端相连，所述WL驱动电路5016的输出端与所述输出选通电路4400的WLOl端相连；所述与门5134的输出端与所述WL驱动电路5026的输入端相连，所述WL驱动电路5026的输出端与所述输出选通电路4400的WL0 2端相连。
[0167]NMOS管5200的漏极与所述电阻5203的另一端相连，所述NMOS管5200的衬底与源极相连并接所述电阻5201的另一端，并接GND ;所述NMOS管5200的栅极与所述输出选通电路4400的ISO端口相连。
[0168]所述UL驱动电路5014、UL驱动电路5024的低压区供电电源负端、所述VL驱动电路5015、VL驱动电路5025的低压区供电电源负端、所述WL驱动电路5016、WL驱动电路5026的低压区供电电源负端相连，并接GND。
[0169](四)工作原理
[0170]由于上桥臂U、V、W三相结构完全相同且参数设置完全一致，以及下桥臂U、V、W三相结构完全相同且参数设置完全一致，此处仅以U相下桥臂为例进行说明:
[0171]1、当ISO端口为低电平时，所述NMOS管5200关断，设所述电阻5201的阻值为R1、所述电阻5202的阻值为R2、所述电阻5203的阻值为R3，则图9B中A点的电压VA为:
[0172]VA = ~~ ICC
R\ i Rl
[0173]假定所辻电压源5110的电压值为VI，所述电压源5112的电压值为V2，设计Vl和V2的值，使V1〈VA、V2〈VA，从而使所述电压比较器5111和电压比较器5113输出高电平，ULIN的信号经过所述与门5115和所述与门5114后，在所述与门5115和所述与门5114的输出端分别产生与ULIN相同的信号，以分别控制所述UL驱动电路5014和所述UL驱动电路 5024。
[0174]2、当ISO端口为高电平时，所述NMOS管5200导通，则图9B中A点的电压VA为:
Tr.R\ I! R3
[0175]VA =-?---VCC
L JA?l||/?3 + /?2
[0176]设计Vl和V2的值，使V1>VA、V2〈VA，从而使所述电压比较器5111输出低电平而所述电压比较器5113输出高电平，此时，无论ULIN的信号如何，所述与门5115恒定输出低电平，而所述与门5114的输出则与ULIN信号同步，所述UL驱动电路5014的输入恒为低电平，使所述UL驱动电路5014的输出也相应地恒为低电平，因此所述IGBT管4124恒关断，而所述UL驱动电路5024的输出受ULIN控制，使所述高压NMOS管4114在ULIN的作用下保证正常通断。
[0177]其中，所述UL驱动电路5024的电路结构可以与所述UL驱动电路5014的电路结构完全相同；但由于所述高压NMOS管4114的栅电容一般会小于所述IGBT管4124的栅电容，因此出于降低成本的考虑，也可以适当降低所述UL驱动电路5024的输出能力，同样能够控制所述高压NMOS管4114在ULIN作用下的通断控制。
[0178](五)参数选择
[0179]Vl可考虑设计为IIV, V2可考虑可设计成9V, Rl可考虑设计为130k Q，R2可考虑设计为20k Ω，R3可考虑设计为58k Ω，贝丨J，
[0180]当ISO 端口为高电平时，VA=13V，满足 VA>V1，VA>V2 ；
[0181]当ISO 端口为低电平时，VA=10V，满足 VA〈V1，VA>V2。
[0182]由于R1、R2、R3的取值都很大，无论所述NMOS管5200开通抑或关断，流过该电阻支路的电流都是μ A级别，使系统的静态功耗可以控制在很低的水平；同时，Vl和V2的取值较大，是为了避免地线电流噪声引起误触发。
[0183]当然，这里的取值仅为一种较为优选的实施方式，本领域技术人员应该理解的是，可以根据实际情况和需求而选用其他数值，以实现相同的控制效果。
[0184]本实用新型还提出了一种智能功率模块，包括如上述技术方案中任一项所述的功耗控制电路。
[0185]本实用新型还提出了一种变频家电，包括如上述技术方案所述的智能功率模块，比如变频空调、变频冰箱、变频洗衣机等。
[0186]以上结合附图详细说明了本实用新型的技术方案，本实用新型提出了一种功耗控制电路、一种智能功率模块和一种变频家电，可以实现以下技术效果:
[0187]当智能功率模块需要产生较大的驱动电流时，智能功率模块可以提供具有足够的电流能力的通断元件，因为系统需要大的驱动电流时，总是希望快速获得足够的能量而对功耗关注较少，所以即使此时的开关损耗较高，也并不影响系统综合性能评价。
[0188]当智能功率模块需要产生较小的驱动电流时，智能功率模块可以提供开关损耗较小的通断元件，因为系统需要较小的驱动电流时，总是希望获得更少的能耗，所以，在电流能力满足系统要求的情况下，更小的开关损耗能够提高系统综合性能评价。
[0189]在小电流时，本实用新型的智能功率模块能够及时切换成只有开关损耗更小的小电流能力通断元件工作的模式，能有效降低智能功率模块的能耗；而在大电流时，本实用新型的智能功率模块又能够及时切换成具有较大电流能力的通断元件和具有较小电流能力的通断元件同时工作的模式，避免因电流过大造成的元件损伤，有效提高智能功率模块的健壮性，避免智能功率模块因追求低能耗而造成过流击穿等负面影响，从而使智能功率模块的综合性能得到提高。
[0190]同时，由于使用高压NMOS管作为小电流时的通断元件，可直接利用高压NMOS管自身的寄生二极管作为反并联二极管，使下桥臂无需再使用FRD管，在通断元件方面，本实用新型与现有技术相比，成本增加非常有限；此外，根据不同的电流能力需求切换不同的通断元件，不再对大电流通断元件提出苛刻的开关特性要求，能够低成本实现智能功率模块的小电流下的小能耗，使低功耗智能功率模块的民用化成为可能。
[0191]以上所述仅为本实用新型的优选实施例而已，并不用于限制本实用新型，对于本领域的技术人员来说，本实用新型可以有各种更改和变化。凡在本实用新型的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。
【权利要求】
1.一种功耗控制电路，其特征在于，包括: 低功耗开关元件，并联至智能功率模块中的任一 IGBT管，以构成开关组件； 切换控制模块，连接至所述智能功率模块对应的控制芯片，用于在接收到来自所述控制芯片的高频工作信号的情况下，仅使所述任一 IGBT管或同时使所述任一 IGBT管和所述低功耗开关元件处于工作状态，以及在接收到来自所述控制芯片的低频工作信号的情况下，仅使所述低功耗开关元件处于工作状态。
2.根据权利要求1所述的功耗控制电路，其特征在于，若所述切换控制模块在接收到所述高频工作信号的情况下仅使所述任一 IGBT管处于工作状态，则所述切换控制模块包括: 开关电路，连接至所述控制芯片和信号源，用于在接收到所述高频工作信号的情况下导通，以使所述信号源接地，以及在接收到所述低频工作信号的情况下断开，以使所述信号源输出至状态控制电路； 所述状态控制电路，所述状态控制电路的控制端连接在所述信号源和所述开关电路之间，用于在所述开关电路导通的情况下，控制所述任一 IGBT管处于工作状态，以及在所述开关电路截止的情况下，控制所述低功耗开关元件处于工作状态。
3.根据权利要求2所述的功耗控制电路，其特征在于，所述状态控制电路包括: 模拟开关，所述模拟开关包括: 控制件，连接至所述信号源和所述开关电路之间，在所述开关电路导通的情况下生成第一切换信号、在所述开关电路断开的情况下生成第二切换信号； 受控件，所述受控件的一端连接至所述开关组件对应的信号输入端，所述受控件的另一端在接收到所述第一切换信号的情况下连接至第一驱动电路、在接收到所述第二切换信号的情况下连接至第二驱动电路； 其中，所述第一驱动电路用于对所述任一 IGBT管进行驱动、所述第二驱动电路用于对所述低功耗开关元件进行驱动。
4.根据权利要求2所述的功耗控制电路，其特征在于，所述状态控制电路包括: 模拟开关，所述模拟开关包括: 控制件，连接至所述信号源和所述开关电路之间，在所述开关电路导通的情况下生成第三切换信号、在所述开关电路断开的情况下生成第四切换信号； 受控件，所述受控件的一端连接至驱动电路的一端，所述受控件的另一端在接收到所述第三切换信号的情况下连接至所述任一 IGBT管、在接收到所述第四切换信号的情况下连接至所述低功耗开关元件； 其中，所述驱动电路的另一端连接至所述开关组件对应的信号输入端，用于对所述任一 IGBT管或所述低功耗开关元件进行驱动。
5.根据权利要求1所述的功耗控制电路，其特征在于，若所述切换控制模块在接收到所述高频工作信号的情况下同时使所述任一 IGBT管和所述低功耗开关元件处于工作状态，则所述切换控制模块包括: 电压输出电路，连接至所述控制芯片，用于在接收到所述高频工作信号的情况下输出第一电压，以及在接收到所述低频工作信号的情况下输出第二电压； 状态控制电路，连接至所述电压输出电路，用于在所述第一电压处于第一数值范围的情况下，控制所述任一 IGBT管和所述低功耗开关元件处于工作状态，以及在所述第二电压处于第二数值范围内的情况下，控制所述低功耗开关元件处于工作状态； 其中，所述第一数值范围是指大于第一预设电压值，所述第二数值范围是指大于第二预设电压值且小于或等于所述第一预设电压值。
6.根据权利要求5所述的功耗控制电路，其特征在于，所述电压输出电路包括: 第一电阻和第二电阻，所述第一电阻和所述第二电阻依次串联在信号源和地之间； 开关器件和第三电阻，所述开关器件与所述第三电阻串联后，并联于所述第二电阻的两端，所述开关器件还连接至所述控制芯片，用于在接收到所述高频工作信号的情况下导通，以及在接收到所述低频工作信号的情况下截止。
7.根据权利要求5所述的功耗控制电路，其特征在于，所述状态控制电路包括: 第一电压比较器，所述第一电压比较器的第一输入端连接至所述第一电阻和所述第二电阻的公共端、第二输入端输入所述第一预设电压值，用于在所述第一电压处于第一数值范围的情况下，输出第一启动信号； 第二电压比较器，所述第二电压比较器的第一输入端连接至所述第一电阻和所述第二电阻的公共端、第二输入端输入所述第二预设电压值，用于在所述第二电压处于第二数值范围的情况下，输出第 二启动信号； 第一逻辑电路，所述第一逻辑电路的第一输入端连接至所述第一电压比较器的输出端、第二输入端连接至所述开关组件对应的信号输入端、输出端连接至第一驱动电路，用于在接收到所述第一启动信号的情况下，将来自所述信号输入端的信号输出至所述第一驱动电路； 第二逻辑电路，所述第二逻辑电路的第一输入端连接至所述第二电压比较器的输出端、第二输入端连接至所述信号输入端、输出端连接至第二驱动电路，用于在接收到所述第二启动信号的情况下，将来自所述信号输入端的信号输出至所述第二驱动电路； 其中，所述第一驱动电路用于对所述任一 IGBT管进行驱动、所述第二驱动电路用于对所述低功耗开关元件进行驱动。
8.根据权利要求7所述的功耗控制电路，其特征在于，所述第一逻辑电路和所述第二逻辑电路为逻辑和的门电路。
9.一种智能功率模块,其特征在于,包括至少一个如权利要求1-8中任一项所述的功耗控制电路。
10.一种变频家电，其特征在于，包括如权利要求9所述的智能功率模块。
【文档编号】H02M1/088GK203722475SQ201420052122
【公开日】2014年7月16日 申请日期:2014年1月26日 优先权日:2014年1月26日
【发明者】冯宇翔 申请人:广东美的制冷设备有限公司