一种PWM驱动电路的制作方法

本实用新型涉及电路结构技术领域，尤其是指一种pwm驱动电路。

背景技术：

目前的pwm驱动电路驱动能力差，不能实现直流变交流的功能，电路结构存在缺陷，并且存在电磁干扰(emi)。因此，现有技术存在缺陷，需要改进。

技术实现要素：

本实用新型针对现有技术的问题提供一种pwm驱动电路，设计巧妙，从而使得直流高压变成了交流高频电压，实现了直流变交流的功能，减轻了mos管q2和mos管q3的应力，同时有助于emi的抑制。

为了解决上述技术问题，本实用新型采用如下技术方案：

本实用新型提供的一种pwm驱动电路，包括开关管q4、开关管q5、电阻r26、电阻r37、电容c21、mos管q2、mos管q3、二极管d3、绕组t1、绕组t2、电容c14、二极管d6、电阻r17以及电阻r16；所述开关管q4的基极和开关管q5的基极均连接于电阻r26的一端，电阻r26的另一端连接pwmin输入端，所述开关管q4的发射极与所述开关管q5的发射极连接后的公端与电阻r37的一端、电容c21的一端连接，电阻r37的另一端与mos管q3的栅极连接，所述mos管q3的漏极与二极管d3的阳极、绕组t1初级侧的一端连接，所述电容c21的另一端与绕组t2初级侧的一端连接，所述绕组t2初级侧的另一端接地，所述绕组t2次级侧的两端分别与电容c14的一端、电阻r17的一端连接，电容c14的另一端与电阻r16的一端连接，电阻r16的另一端和电阻r17的另一端均与mos管q2的栅极连接，所述二极管d6的阳极接地，所述二极管d6的阴极与电阻r17的一端连接，所述绕组t1初级侧的另一端与mos管q2的源极连接。

其中，所述pwm驱动电路包括电阻r38、电阻r36、电阻r33和电容c20，所述电阻r38的一端与mos管q3的栅极连接，所述mos管q3的源极、电阻r38的另一端和电阻r36的一端均与电阻r33的一端连接，电阻r36的另一端接地，所述电容c20的两端分别与电阻r33的另一端和电阻r36的另一端。

本实用新型的有益效果：

本实用新型设计巧妙，ic输出pwmin信号，经过开关管q4和开关管q5组成的推挽驱动，加强驱动能力，驱动mos管q2和mos管q3，组成双晶正激的电路，绕组t2作为隔离驱动变压器，把pwm信号分为交错导通的驱动信号，使得mos管q2和mos管q3分别在上下半周导通，绕组t1的初级电感形成了往复的高频电流回路，从而使得直流高压变成了交流高频电压，实现了直流变交流的功能，二极管d3和二极管d6分别是钳位二极管，把在开关室产生的尖峰等予以降低或消除，减轻了mos管q2和mos管q3的应力，同时有助于emi的抑制。

附图说明

图1为本实用新型的一种pwm驱动电路的电路图。

具体实施方式

为了便于本领域技术人员的理解，下面结合实施例与附图对本实用新型作进一步的说明，实施方式提及的内容并非对本实用新型的限定。以下结合附图对本实用新型进行详细的描述。

一种pwm驱动电路，如图1所示，包括开关管q4、开关管q5、电阻r26、电阻r37、电容c21、mos管q2、mos管q3、二极管d3、绕组t1、绕组t2、电容c14、二极管d6、电阻r17以及电阻r16；所述开关管q4的基极和开关管q5的基极均连接于电阻r26的一端，电阻r26的另一端连接pwmin输入端，所述开关管q4的发射极与所述开关管q5的发射极连接后的公端与电阻r37的一端、电容c21的一端连接，电阻r37的另一端与mos管q3的栅极连接，所述mos管q3的漏极与二极管d3的阳极、绕组t1初级侧的一端连接，所述电容c21的另一端与绕组t2初级侧的一端连接，所述绕组t2初级侧的另一端接地，所述绕组t2次级侧的两端分别与电容c14的一端、电阻r17的一端连接，电容c14的另一端与电阻r16的一端连接，电阻r16的另一端和电阻r17的另一端均与mos管q2的栅极连接，所述二极管d6的阳极接地，所述二极管d6的阴极与电阻r17的一端连接，所述绕组t1初级侧的另一端与mos管q2的源极连接；具体地，所述二极管d3的阴极和mos管q2的漏极连接于输入电压。具体地，本实用新型实施例设计巧妙，ic输出pwmin信号，经过开关管q4和开关管q5组成的推挽驱动，加强驱动能力，驱动mos管q2和mos管q3，组成双晶正激的电路，绕组t2作为隔离驱动变压器，把pwm信号分为交错导通的驱动信号，使得mos管q2和mos管q3分别在上下半周导通，绕组t1的初级电感形成了往复的高频电流回路，从而使得直流高压变成了交流高频电压，实现了直流变交流的功能，二极管d3和二极管d6分别是钳位二极管，把在开关室产生的尖峰等予以降低或消除，减轻了mos管q2和mos管q3的应力，同时有助于emi的抑制。

本实施例所述的一种pwm驱动电路，所述pwm驱动电路包括电阻r38、电阻r36、电阻r33和电容c20，所述电阻r38的一端与mos管q3的栅极连接，所述mos管q3的源极、电阻r38的另一端和电阻r36的一端均与电阻r33的一端连接，电阻r36的另一端接地，所述电容c20的两端分别与电阻r33的另一端和电阻r36的另一端。具体地，电阻r33、电阻r36和电容c20组成了初级侧的功率检测电路，流经主回路的电流经电阻r36检测，转换成电压信号，经过电阻r33的衰减和电容c20的滤波，生成相对平稳的直流电压，该电压随输入功率的增加而升高，超过设定的电压，当检测到该信号后，内部判断过流并关闭输入电压和pwm信号，实现过流保护功能。

以上所述，仅是本实用新型较佳实施例而已，并非对本实用新型作任何形式上的限制，虽然本实用新型以较佳实施例公开如上，然而并非用以限定本实用新型，任何熟悉本专业的技术人员，在不脱离本实用新型技术方案范围内，当利用上述揭示的技术内容作出些许变更或修饰为等同变化的等效实施例，但凡是未脱离本实用新型技术方案内容，依据本实用新型技术是指对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化与修饰，均属于本实用新型技术方案的范围内。

技术特征：

1.一种pwm驱动电路，其特征在于：包括开关管q4、开关管q5、电阻r26、电阻r37、电容c21、mos管q2、mos管q3、二极管d3、绕组t1、绕组t2、电容c14、二极管d6、电阻r17以及电阻r16；所述开关管q4的基极和开关管q5的基极均连接于电阻r26的一端，电阻r26的另一端连接pwmin输入端，所述开关管q4的发射极与所述开关管q5的发射极连接后的公端与电阻r37的一端、电容c21的一端连接，电阻r37的另一端与mos管q3的栅极连接，所述mos管q3的漏极与二极管d3的阳极、绕组t1初级侧的一端连接，所述电容c21的另一端与绕组t2初级侧的一端连接，所述绕组t2初级侧的另一端接地，所述绕组t2次级侧的两端分别与电容c14的一端、电阻r17的一端连接，电容c14的另一端与电阻r16的一端连接，电阻r16的另一端和电阻r17的另一端均与mos管q2的栅极连接，所述二极管d6的阳极接地，所述二极管d6的阴极与电阻r17的一端连接，所述绕组t1初级侧的另一端与mos管q2的源极连接。

2.根据权利要求1所述的一种pwm驱动电路，其特征在于：所述pwm驱动电路还包括电阻r38、电阻r36、电阻r33和电容c20，所述电阻r38的一端与mos管q3的栅极连接，所述mos管q3的源极、电阻r38的另一端和电阻r36的一端均与电阻r33的一端连接，电阻r36的另一端接地，所述电容c20的两端分别与电阻r33的另一端和电阻r36的另一端。

技术总结
本实用新型涉及电路结构技术领域，尤其是指一种PWM驱动电路，其包括开关管Q4、开关管Q5、电阻R26、电阻R37、电容C21、MOS管Q2、MOS管Q3、二极管D3、绕组T1、绕组T2、电容C14、二极管D6、电阻R17以及电阻R16；本实用新型设计巧妙，经过开关管Q4和开关管Q5组成的推挽驱动，加强驱动能力，驱动MOS管Q2和MOS管Q3，组成双晶正激的电路，绕组T2作为隔离驱动变压器，把PWM信号分为交错导通的驱动信号，实现了直流变交流的功能，二极管D3和二极管D6分别是钳位二极管，把在开关室产生的尖峰等予以降低或消除，减轻了MOS管Q2和MOS管Q3的应力，同时有助于EMI的抑制。

技术研发人员：宋旭东;许文才;尚云飞
受保护的技术使用者：广东迅扬科技股份有限公司
技术研发日：2020.05.22
技术公布日：2020.11.17