一种防电流倒灌电路的制作方法

1.本实用新型涉及视频接口输出电路领域，更具体地，涉及一种防电流倒灌电路。


背景技术：

2.采集板在功能上要接入外部设备的视频输出接口，以实现对视频信号的采集。由于各厂家设备设计规范不一致，在连接时会通过视频接口电路把电压倒灌到采集板的内部电源电路上，影响采集板的正常工作，因而在接口电路上会采用防电压倒灌的电路设计。
3.传统的防倒灌电路设计常利用二极管实现，但由于二极管存在有0.3
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0.7v的正向导通电压，会造成电压差损耗，如3.3v电源经过二极管导通后，会变为2.6v
‑
3.0v，不符合电源的规格标准，会存在可靠性问题。


技术实现要素：

4.本实用新型旨在克服上述现有技术的不足，提供一种既能实现防止接口电路的电压倒灌，又具有极低的正向导通电压的防倒灌电路。
5.本实用新型采取的技术方案是，
6.一种防电流倒灌电路，包括防倒灌电路、内电路和接口电路组成，所述防倒灌电路在所述内电路电势高于所述接口电路电势时导通，所述防倒灌电路在所述内电路电势低于所述接口电路电势时截止，所述防倒灌电路包括三极管，所述三极管的基极连接所述内电源电路，所述三极管的集电极连接所述接口电路；所述三极管的发射极接地；所述三极管的集电极与所述接口电路之间连接有两个mos开关，两个mos开关的源级、栅极连接所述三极管的集电极，两个mos管的漏级分别连接所述内电路和接口电路。
7.本实用新型是在采用三极管实现防倒灌的基础上，进一步采用两个mos管实现了电路防倒灌，同时两个mos管的并联实现了mos管电路分流，减少大电流对mos管的损耗；同时所述并联的关系还实现了电路阻抗的减少，结合mos管的导通特性和三极管的进而使得防倒灌电流具有更小的电压损耗，使其既能实现防止接口电路的电压倒灌，又具有极低的正向导通电压，在电源正向导通时不存在电压差损耗，使电源符合规范标准，提高了产品电路的可靠性。
8.优选的，所述mos开关的源级与所述三极管的集电极之间连接有阻值为100k的第一限流电阻。
9.优选的，所述三极管的基极与发射极之间并联有阻值为10k的第二分压电阻。
10.优选的，所述内电路与所述三极管的基极之间设有阻值为10k的第一分压电阻。
11.优选的，所述内电路具有一个电压输入端power_in，连接所述防倒灌电路的输入端。
12.优选的，所述接口电路具有一个电压输出端power_out，连接所述防倒灌电路的输出端。
13.与现有技术相比，本实用新型的有益效果为：
14.本实用新型提供了一种通过增加防倒灌电路的设计，将板内的电源电路和接口处的电源电路隔离开，电源导通方向只能由板内电源电路到接口电源电路，这样便可实现防止接口电源倒灌到板内；既可实现防止接口电路的电压倒灌,又具有极低的正向导通电压，减少了电压差损耗，使接口电路的电源电压符合规范标准，提高了电路的可靠性。
附图说明
15.图1为本实用新型的一种防电流倒灌电路的结构图。
16.图2为本实用新型的一种防电流倒灌电路的电路结构图。
具体实施方式
17.本实用新型附图仅用于示例性说明，不能理解为对本实用新型的限制。为了更好说明以下实施例，附图某些部件会有省略、放大或缩小，并不代表实际产品的尺寸；对于本领域技术人员来说，附图中某些公知结构及其说明可能省略是可以理解的。
18.实施例1
19.如图1、2所示，一种防电流倒灌电路，包括防倒灌电路、内电路和接口电路组成，所述防倒灌电路在所述内电路电势高于所述接口电路电势时导通，所述防倒灌电路在所述内电路电势低于所述接口电路电势时截止，所述防倒灌电路包括三极管，所述三极管的基极连接所述内电源电路，所述三极管的集电极连接所述接口电路；所述三极管的发射极接地；所述三极管的集电极与所述接口电路之间连接有两个mos开关，两个mos开关的源级连接所述三极管的集电极，两个mos管的漏级分别连接所述内电路和接口电路。
20.本实用新型基础上是在采用三极管实现防倒灌的基础上，进一步采用两个mos管实现了电路防倒灌，同时两个mos管的并联实现了mos管电路分流，减少大电流对mos管的损耗；同时所述并联的关系还实现了电路阻抗的减少，结合mos管的导通特性和三极管的进而使得防倒灌电流具有更小的电压损耗，使其既能实现防止接口电路的电压倒灌，又具有极低的正向导通电压，在电源正向导通时不存在电压差损耗，使电源符合规范标准，提高了产品电路的可靠性。
21.优选的，所述mos开关的源级、栅极与所述三极管的集电极之间连接有阻值为100k的第一限流电阻。
22.优选的，所述三极管的基极与发射极之间并联有阻值为10k的第二分压电阻。
23.优选的，所述内电路与所述三极管的基极之间设有阻值为10k的第一分压电阻。
24.优选的，所述内电路具有一个电压输入端power_in，连接所述防倒灌电路的输入端。
25.优选的，所述接口电路具有一个电压输出端power_out，连接所述防倒灌电路的输出端。
26.具体的，该电路采用mos管、三极管组成，当电源方向从power_in到power_out时，三极管q1控制mos1、mos2导通，实现正向导通。当电源方向从power_out到power_in时，mos1截止，防止了power_out的电压倒灌。由于mos管的ds极导通电阻极低(毫欧级别)，正向导通时mos1、mos2上的电压差损耗可忽略不计，因而正向导通后power_out可等于power_in，这样便实现了既可防止电压倒灌，又具有极低的正向导通电压，减少了电源的损耗，使接口电
路的电源符合规范标准，提高了电路的可靠性。
27.可见，本实用新型提供了一种通过增加防倒灌电路的设计，将板内的电源电路和接口处的电源电路隔离开，电源导通方向只能由板内电源电路到接口电源电路，这样便可实现防止接口电源倒灌到板内；既可实现防止接口电路的电压倒灌,又具有极低的正向导通电压，减少了电压差损耗，使接口电路的电源电压符合规范标准，提高了电路的可靠性。
28.显然，本实用新型的上述实施例仅仅是为清楚地说明本实用新型技术方案所作的举例，而并非是对本实用新型的具体实施方式的限定。凡在本实用新型权利要求书的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本实用新型权利要求的保护范围之内。


技术特征：
1.一种防电流倒灌电路，包括防倒灌电路、内电路和接口电路组成，所述防倒灌电路在所述内电路电势高于所述接口电路电势时导通，所述防倒灌电路在所述内电路电势低于所述接口电路电势时截止，其特征在于，所述防倒灌电路包括三极管，所述三极管的基极连接所述内电路，所述三极管的集电极连接所述接口电路；所述三极管的发射极接地；所述三极管的集电极与所述接口电路之间连接有两个mos开关，两个mos开关的源级、栅极连接所述三极管的集电极，两个mos管的漏级分别连接所述内电路和接口电路。2.根据权利要求1所述的一种防电流倒灌电路，其特征在于，所述mos开关的源级与所述三极管的集电极之间连接有阻值为100k的第一限流电阻。3.根据权利要求1所述的一种防电流倒灌电路，其特征在于，所述三极管的基极与发射极之间并联有阻值为10k的第二分压电阻。4.根据权利要求1所述的一种防电流倒灌电路，其特征在于，所述内电路与所述三极管的基极之间连接有阻值为10k的第一分压电阻。5.根据权利要求1
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4任一项所述的一种防电流倒灌电路，其特征在于，所述内电路具有一个电压输入端power_in，连接所述防倒灌电路的输入端。6.根据权利要求1
‑
4任一项所述的一种防电流倒灌电路，其特征在于，所述接口电路具有一个电压输出端power_out，连接所述防倒灌电路的输出端。

技术总结
一种防电流倒灌电路，涉及视频接口输出电路领域。包括防倒灌电路、内电路和接口电路组成，所述防倒灌电路在内电路电势高于接口电路电势时导通，所述防倒灌电路在内电路电势低于接口电路电势时截止，所述防倒灌电路包括三极管，所述三极管的基极连接所述内电源电路，所述三极管的集电极连接所述接口电路；所述三极管的集电极与所述接口电路之间连接有2个MOS开关，两个MOS开关的S级连接所述三极管的集电极，两个MOS管的漏级分别连接所述内电路和接口电路；本实用新型既能实现防止接口电路的电压倒灌，又具有极低的正向导通电压，在电源正向导通时不存在电压差损耗，使接口电压符合规范标准，提高了产品电路的可靠性。提高了产品电路的可靠性。提高了产品电路的可靠性。


技术研发人员：林文韬 吴清强
受保护的技术使用者：威创集团股份有限公司
技术研发日：2020.12.25
技术公布日：2021/11/14