一种基于RCD吸收自举供电驱动O-ringMOS管的电路的制作方法

一种基于rcd吸收自举供电驱动o
‑
ring mos管的电路
技术领域
1.本实用新型涉及mos管驱动电路技术领域，尤其涉及一种基于rcd吸收自举供电驱动o
‑
ring mos管的电路。


背景技术：

2.如图1所示为典型的buck电路同步整流加o
‑
ring电路，在正常工作下，供电需要经过二极管d1整流、电阻r1对充电电流限流以及电容c1储能，以提供稳定的vcc来给驱动供电，可以用驱动芯片或辅助绕组驱动。例如增加辅助变压器等，但是供电电路复杂且性价比不高，辅助变压器还存在绝缘安规等问题，对电源可靠性也是一个潜在的风险。且实际运行中需要增加硬件电路，对于低成本电源来说没有成本优势。


技术实现要素：

3.本实用新型要解决的技术问题是克服现有技术的不足，提供一种结构简单、无需额外增设硬件电路、成本低廉和可靠性高的基于rcd吸收自举供电驱动o
‑
ring mos管的电路。
4.为解决上述技术问题，本实用新型提出的技术方案为：
5.一种基于rcd吸收自举供电驱动o
‑
ring mos管的电路，设置于主功率电路处，所述主功率电路中串联连接的晶体管q1和晶体管q2两端加设输入电压，buck电感l1和一电容串联连接后并联于晶体管q2的两端，提供输出电压的电感r
l
和晶体管q3串联连接后并联于所述电容的两端；基于rcd吸收自举供电驱动o
‑
ring mos管的电路并联于buck电感l1的两端，包括依次串联连接的二极管d2、限流电阻r2和电容c2，二极管d2的正极朝向输入电压，限流电阻r2和电容c2之间设置有为o
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ring mos管供电的接线点。
6.作为上述技术方案的进一步改进：
7.基于rcd吸收自举供电驱动o
‑
ring mos管的电路还包括稳压管z1，所述稳压管z1并联于电容c2的两端，且负极朝向接线点。
8.所述晶体管q1为n沟道耗尽型mos管。
9.所述晶体管q2为n沟道耗尽型mos管。
10.所述晶体管q3为n沟道耗尽型mos管。
11.与现有技术相比，本实用新型的优点在于：
12.本实用新型的基于rcd吸收自举供电驱动o
‑
ring mos管的电路，设置于主功率电路处，主功率电路中串联连接的晶体管q1和晶体管q2两端加设输入电压，buck电感l1和一电容串联连接后并联于晶体管q2的两端，提供输出电压的电感rl和晶体管q3串联连接后并联于所述电容的两端。本实用新型的电路并联于buck电感l1的两端，包括依次串联连接的二极管d2、限流电阻r2和电容c2，二极管d2的正极朝向输入电压，限流电阻r2和电容c2之间设置有为o
‑
ring mos管供电的接线点。即本实用新型通过对rcd电路变形，在buck模式的主功率电路中为o
‑
ring mos管提供驱动，主功率电路的输入电压大于输出电压，便能够为o
‑
ring mos管充电，不增加额外的电路，结构简单，性价比极高，可以实现低成本提供稳定供电。
附图说明
13.图1是现有的buck电路同步整流加o
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ring电路的示意图；
14.图2是本实用新型的基于rcd吸收自举供电驱动o
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ring mos管的电路的示意图；
15.图3是图2所示电路的供电电平示意图。
16.图例说明：1、主功率电路；2、接线点。
具体实施方式
17.为了便于理解本实用新型，下文将结合说明书附图和较佳的实施例对本实用新型做更全面、细致地描述，但本实用新型的保护范围并不限于以下具体实施例。
18.实施例：
19.如图2所示，本实施例的基于rcd吸收自举供电驱动o
‑
ring mos管的电路，设置于主功率电路1处，主功率电路1中串联连接的晶体管q1和晶体管q2两端加设输入电压，buck电感l1和一电容串联连接后并联于晶体管q2的两端，提供输出电压的电感r
l
和晶体管q3串联连接后并联于电容的两端；基于rcd吸收自举供电驱动o
‑
ring mos管的电路并联于buck电感l1的两端，包括依次串联连接的二极管d2、限流电阻r2和电容c2，二极管d2的正极朝向输入电压，限流电阻r2和电容c2之间设置有为o
‑
ring mos管供电的接线点2。即本实施例通过对rcd电路变形，在buck模式的主功率电路中为o
‑
ring mos管提供驱动，主功率电路的输入电压大于输出电压，便能够为o
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ring mos管充电，不增加额外的电路，结构简单，性价比极高，可以实现低成本提供稳定供电。本实施例的电路适合低成本电源模块，通过简单结构实现自举兼容电压尖峰吸收效果，精简o
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ring mos驱动电路。
20.本实施例的主功率电路1为现有常规结构，在此不做赘述。本实施例中晶体管q1、q2和q3选用n沟道耗尽型mos，耐压和电流根据输入电压和所需功率设定。图2中带有驱动电路字样的框型结构代指驱动电路模块，为现有常规结构，在此不作赘述。
21.本实施例中，电路还包括稳压管z1，稳压管z1并联于电容c2的两端，且负极朝向接线点2。当电容c2上的电压达到输入电压和输出电压的差值时，便可以根据输入输出压差来决定是否通过稳压管z1稳压来对接线点2电平进行控制。利用此电路吸收开关管和续流管上的电压尖峰，降低电压应力，可靠性高，最终实现在不增加过多的电路的情形下使供电达到设定要求的目的，达到吸收尖峰(降低mos管的ds应力)和自举供电兼容的效果。
22.如图3所示，输入电压通过主功率电路1降压到输出39v(通道vp7)左右的电平信号，当模块输入电压大于输出电压一定值时，o
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ring mos管网络的电平如图能恒定输出11v(通道vp8)的稳定供电，来实现不通过外加辅助绕组来产生足够的供电电平。
23.以上所述仅是本实用新型的优选实施方式，本实用新型的保护范围并不仅局限于上述实施例。对于本领域的技术人员来说，在不脱离本实用新型的技术构思前提下所得到的改进和变换也应视为本实用新型的保护范围。


技术特征：
1.一种基于rcd吸收自举供电驱动o
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ring mos管的电路，其特征在于：设置于主功率电路(1)处，所述主功率电路(1)中串联连接的晶体管q1和晶体管q2两端加设输入电压，buck电感l1和第一电容串联连接后并联于晶体管q2的两端，提供输出电压的电感rl和晶体管q3串联连接后并联于所述第一电容的两端；基于rcd吸收自举供电驱动o
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ring mos管的电路并联于buck电感l1的两端，包括依次串联连接的二极管d2、限流电阻r2和储能电容c2，二极管d2的正极朝向输入电压，限流电阻r2和储能电容c2之间设置有为o
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ring mos管供电的接线点(2)。2.根据权利要求1所述的基于rcd吸收自举供电驱动o
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ring mos管的电路，其特征在于：还包括稳压管z1，所述稳压管z1并联于电容c2的两端，且负极朝向接线点(2)。3.根据权利要求1所述的基于rcd吸收自举供电驱动o
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ring mos管的电路，其特征在于：所述晶体管q1为n沟道耗尽型mos管。4.根据权利要求1所述的基于rcd吸收自举供电驱动o
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ring mos管的电路，其特征在于：所述晶体管q2为n沟道耗尽型mos管。5.根据权利要求1所述的基于rcd吸收自举供电驱动o
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ring mos管的电路，其特征在于：所述晶体管q3为n沟道耗尽型mos管。

技术总结
本实用新型公开了一种基于RCD吸收自举供电驱动O


技术研发人员：张鹏 韩龙飞
受保护的技术使用者：湖南麦格米特电气技术有限公司
技术研发日：2021.06.02
技术公布日：2021/12/7