一种新型的高压半导体激光脱毛仪电源的制作方法

1.本实用新型涉及脱毛仪技术领域，具体是指一种新型的高压半导体激光脱毛仪电源。


背景技术：

2.现有技术因为电源是低压输出，如12vdc，再通过脱毛机系统里的高压包升压，这样两次转换后电源效率会降低，功率基本限制在60w以内，最终影响脱毛机系统的激光强度受限，用户体验效果欠佳。


技术实现要素：

3.本实用新型要解决的技术问题是克服上述技术的缺陷，提供一种新型的高压半导体激光脱毛仪电源。
4.为解决上述技术问题，本实用新型提供的技术方案为：一种新型的高压半导体激光脱毛仪电源，包括dc/dc转换器，所述dc/dc转换器通过各端口分别连接有反激pwm控制模块和桥式整流器，所述dc/dc转换器还连接有肖特基整流器和滤波器，所述反激pwm控制模块连接有mcu信号控制模块，所述肖特基整流器和滤波器连接有dc输出，所述桥式整流器连接有emi滤波器，所述连接有ac输入。
5.作为改进，所述反激pwm控制模块与mcu信号控制模块之间连接有el817c。
6.作为改进，所述桥式整流器和dc/dc转换器之间连接有电容整流器。。
7.采用以上结构后，本实用新型具有如下优点：统mcu输出一个pwm占空比或频率变化的控制信号，控制初级主icvcc电压的宽度，通过vcc电压的宽度长短来达到输出电压高低的档位调节，即：控制信号占空比或频率越大，vcc维持时间越长，主mosfet开通时间就越长，传递到次级的能量越多，次级输出电压超高，反之越低。这样就可以实现多档位电压调节。
附图说明
8.图1是本实用新型一种新型的高压半导体激光脱毛仪电源的系统图。
9.图2是本实用新型一种新型的高压半导体激光脱毛仪电源中各部件的连接电路图。
具体实施方式
10.下面结合附图对本实用新型做进一步的详细说明。
11.结合附图，一种新型的高压半导体激光脱毛仪电源，包括dc/dc转换器，所述dc/dc转换器通过各端口分别连接有反激pwm控制模块和桥式整流器，所述dc/dc转换器还连接有肖特基整流器和滤波器，所述反激pwm控制模块连接有mcu信号控制模块，所述肖特基整流器和滤波器连接有dc输出，所述桥式整流器连接有emi滤波器，所述连接有ac输入。
12.所述反激pwm控制模块与mcu信号控制模块之间连接有el817c。
13.所述桥式整流器和dc/dc转换器之间连接有电容整流器。
14.本实用新型在具体实施时，将脱毛机系统里mcu给出的pwm信号，控制电源初级主icvcc，再通过次级倍压整流，将输出电压直接升到400vdc高压，通过mcu给出pwm信号的占空比和频率的变化可以多档位调节输出电压的高低，从而改变脱毛机激光的发光强度。这样提升了电源的转换效率，零件温升，寿命都会得到明显改善。同时电源功率可以提升到120～140w。
15.以上对本实用新型及其实施方式进行了描述，这种描述没有限制性，附图中所示的也只是本实用新型的实施方式之一，实际的结构并不局限于此。总而言之如果本领域的普通技术人员受其启示，在不脱离本实用新型创造宗旨的情况下，不经创造性的设计出与该技术方案相似的结构方式及实施例，均应属于本实用新型的保护范围。


技术特征：
1.一种新型的高压半导体激光脱毛仪电源，包括dc/dc转换器，其特征在于：所述dc/dc转换器通过各端口分别连接有反激pwm控制模块和桥式整流器，所述dc/dc转换器还连接有肖特基整流器和滤波器，所述反激pwm控制模块连接有mcu信号控制模块，所述肖特基整流器和滤波器连接有dc输出，所述桥式整流器连接有emi滤波器，所述连接有ac输入。2.根据权利要求1所述的一种新型的高压半导体激光脱毛仪电源，其特征在于：所述反激pwm控制模块与mcu信号控制模块之间连接有el817c。3.根据权利要求1所述的一种新型的高压半导体激光脱毛仪电源，其特征在于：所述桥式整流器和dc/dc转换器之间连接有电容整流器。

技术总结
本实用新型涉及一种新型的高压半导体激光脱毛仪电源，包括DC/DC转换器，其特征在于：所述DC/DC转换器通过各端口分别连接有反激PWM控制模块和桥式整流器，所述DC/DC转换器还连接有肖特基整流器和滤波器，所述反激PWM控制模块连接有MCU信号控制模块，所述肖特基整流器和滤波器连接有DC输出，所述桥式整流器连接有EMI滤波器，所述连接有AC输入。本实用新型通过PWM占空比或频率控制主IC VCC电压的宽度，达到输出电压高低调节目的。达到输出电压高低调节目的。达到输出电压高低调节目的。


技术研发人员：肖体贵 罗赞兴
受保护的技术使用者：东莞市迈思普电子有限公司
技术研发日：2021.08.12
技术公布日：2022/1/4