一种电源的去频闪装置及其控制方法与流程

本申请属于电源去频闪，尤其涉及一种电源的去频闪装置及其控制方法。

背景技术：

1、目前市场上电源中的去频闪主要是采用隔离单级高功率因素加上去频闪ic方案实现的。但是此类去频闪方式对大电流场合的电源不适用，适用于大电流场合的电源需要更大输出电解电容才能得到去频闪效果，采用大输出电解电容的电源存在效率低、损耗高的问题，且也会导致电源体积过大，不利于电源小型化、电源节能的要求，还有该电源需要大面积的铺铜来解决去频闪ic的发热问题。

技术实现思路

1、本申请的一个实施例提供一种电源的去频闪装置及其控制方法，以解决现有电源去频闪方案存在效率低、损耗高、体积大的问题。

2、第一方面，本申请的一个实施例提供一种电源的去频闪装置，包括防雷击保护模块、与所述防雷击保护模块连接的校正升压模块、与所述校正升压模块连接的反激降压模块和与所述反激降压模块连接的输出模块，所述输出模块与负载连接；

3、所述防雷击保护模块，用于与市电的交流电连接并将所述交流电通过滤波、整流处理，得到第一直流电；

4、所述校正升压模块，用于将所述第一直流电的电压进行升压得到第二直流电且控制所述第一直流电升压过程中的电流波形跟随电压波形；

5、所述反激降压模块，用于将所述第二直流电的电压通过反激降压处理，输出与所述负载所需电压匹配的第三直流电；

6、所述输出模块，用于对所述第三直流电进行整流滤波，得到滤波后的第三直流电给所述负载供电。

7、可选的，所述校正升压模块包括升压控制芯片以及与所述升压控制芯片连接的升压电感和分压子模块；

8、所述升压控制芯片，用于将所述第一直流电的电压进行升压得到第二直流电且控制所述第一直流电在升压过程中的功率因数在阈值范围内，以使输入所述升压控制芯片的电流波形跟随电压波形；

9、所述升压电感，用于在所述升压控制芯片工作时存储所述第一直流电传送的电能；或在所述升压控制芯片停止工作时产生自感电动势，以控制所述第一直流电输送的电流方向不变；

10、所述分压子模块，用于给所述升压控制芯片的fb端提供电压信号。

11、可选的，所述校正升压模块包括第一半导体元件，所述第一半导体元件的第一端分别与所述升压电感和所述升压控制芯片连接，所述第一半导体元件的第二端与所述分压子模块连接。

12、可选的，所述反激降压模块包括降压控制芯片以及与所述降压控制芯片连接的采样子模块、反馈子模块和吸收反激子模块，所述吸收反激子模块与降压元件连接，所述降压元件的输出端与所述输出模块连接；

13、所述采样子模块，用于调节所述降压控制芯片输出电流大小；

14、所述吸收反激子模块，用于吸收所述降压元件反激至所述降压控制芯片的尖峰电压；

15、所述反馈子模块，用于给所述降压控制芯片提供反馈电压；

16、所述降压控制芯片，用于根据所述反馈电压调节其输出至所述降压元件的调节电压；

17、所述降压元件，用于根据所述降压元件的绕线比将所述调节电压降压至与所述负载所需匹配电压。

18、可选的，所述采样子模块包括三个并联连接的采样电阻；所述反馈子模块包括所述降压元件的辅助绕组，所述辅助绕组用于给所述降压控制芯片提供反馈电压；所述吸收反激子模块与所述降压元件连接，所述吸收反激子模块包括第六电容、第十二电阻、第十三电阻、第五半导体元件和第十四电阻，所述第六电容、所述第十二电阻和所述第十三电阻并联后连接分别与所述第十四电阻和所述降压元件输入第一端连接，所述第十四电阻还与所述第五半导体元件的第二端连接，所述第五半导体元件的第一端与所述降压元件的输入第二端连接。

19、可选的，所述反激降压模块包括用于存储能量的储能子模块，所述储能子模块还用于将存储的能量给所述降压控制芯片、所述采样子模块、所述反馈子模块、所述吸收反激子模块和所述降压元件供电；所述储能子模块包括两个并联连接的储能元件。

20、可选的，所述降压元件为变压器。

21、可选的，所述防雷击保护模块包括与市电的交流电连接的过滤元件、与所述过滤元件连接的π型滤波器、与所述π型滤波器连接的防雷击保护元件和与所述防雷击保护元件连接的整流元件；

22、所述过滤元件，用于过滤所述交流电中共模杂波信号，得到过滤后的第一交流电；

23、所述π型滤波器，用于对所述第一交流电进行再次滤波处理，得到第二交流电；

24、所述整流元件，用于对所述第二交流电整流为第一直流电。

25、可选的，所述输出模块包括用于整流的第六半导体元件和用于储能滤波的第四电解电容。

26、第二方面，本申请的一个实施例提供一种上述所述的电源的去频闪装置的控制方法，包括以下步骤：

27、获取输入校正升压模块的第一直流电；

28、控制所述第一直流电在升压过程中的功率因数在阈值范围内，以使输入校正升压模块的电流波形跟随电压波形，并将所述第一直流电进行升压得到第二直流电；

29、对所述第二直流电采用反激降压模块进行降压，得到与负载所需电压匹配的第三直流电。

30、本申请的一个实施例提供的一种电源的去频闪装置及其控制方法，该电源的去闪频装置包括防雷击保护模块、与防雷击保护模块连接的校正升压模块、与校正升压模块连接的反激降压模块和与反激降压模块连接的输出模块，输出模块与负载连接；防雷击保护模块，用于与市电的交流电连接并将交流电通过滤波、整流处理，得到第一直流电；校正升压模块，用于将第一直流电的电压进行升压得到第二直流电且控制第一直流电升压过程中的电流波形跟随电压波形；反激降压模块，用于将第二直流电的电压通过反激降压处理，输出与负载所需电压匹配的第三直流电；输出模块，用于对第三直流电进行整流滤波，得到滤波后的第三直流电给负载供电。该电源的去频闪装置通过前级的校正升压模块让电流波形跟随电压波形，减少纹波电流的第二直流电，之后将第二直流电输出到反激降压模块从而达到去频闪的效果；因校正升压模块的第二直流电波形并不是完整平滑的直流波形，采用输出模块将第三直流电信号中的交流分量去除能够完全达到去频闪的效果，解决现有电源去频闪方案存在效率低、损耗高、体积大的问题。

技术特征：

1.一种电源的去频闪装置，其特征在于，包括防雷击保护模块、与所述防雷击保护模块连接的校正升压模块、与所述校正升压模块连接的反激降压模块和与所述反激降压模块连接的输出模块，所述输出模块与负载连接；

2.根据权利要求1所述的电源的去频闪装置，其特征在于，所述校正升压模块包括升压控制芯片以及与所述升压控制芯片连接的升压电感和分压子模块；

3.根据权利要求2所述的电源的去频闪装置，其特征在于，所述校正升压模块包括第一半导体元件，所述第一半导体元件的第一端分别与所述升压电感和所述升压控制芯片连接，所述第一半导体元件的第二端与所述分压子模块连接。

4.根据权利要求1所述的电源的去频闪装置，其特征在于，所述反激降压模块包括降压控制芯片以及与所述降压控制芯片连接的采样子模块、反馈子模块和吸收反激子模块，所述吸收反激子模块与降压元件连接，所述降压元件的输出端与所述输出模块连接；

5.根据权利要求4所述的电源的去频闪装置，其特征在于，所述采样子模块包括三个并联连接的采样电阻；所述反馈子模块包括所述降压元件的辅助绕组，所述辅助绕组用于给所述降压控制芯片提供反馈电压；所述吸收反激子模块与所述降压元件连接，所述吸收反激子模块包括第六电容、第十二电阻、第十三电阻、第五半导体元件和第十四电阻，所述第六电容、所述第十二电阻和所述第十三电阻并联后连接分别与所述第十四电阻和所述降压元件输入第一端连接，所述第十四电阻还与所述第五半导体元件的第二端连接，所述第五半导体元件的第一端与所述降压元件的输入第二端连接。

6.根据权利要求4所述的电源的去频闪装置，其特征在于，所述反激降压模块包括用于存储能量的储能子模块，所述储能子模块还用于将存储的能量给所述降压控制芯片、所述采样子模块、所述反馈子模块、所述吸收反激子模块和所述降压元件供电；所述储能子模块包括两个并联连接的储能元件。

7.根据权利要求4所述的电源的去频闪装置，其特征在于，所述降压元件为变压器。

8.根据权利要求1所述的电源的去频闪装置，其特征在于，所述防雷击保护模块包括与市电的交流电连接的过滤元件、与所述过滤元件连接的π型滤波器、与所述π型滤波器连接的防雷击保护元件和与所述防雷击保护元件连接的整流元件；

9.根据权利要求1所述的电源的去频闪装置，其特征在于，所述输出模块包括用于整流的第六半导体元件和用于储能滤波的第四电解电容。

10.一种如权利要求1-9任意一项所述的电源的去频闪装置的控制方法，其特征在于，包括以下步骤：

技术总结
本申请提供一种电源的去频闪装置及其控制方法，该装置包括防雷击保护模块、校正升压模块、反激降压模块和输出模块，输出模块与负载连接；防雷击保护模块用于对交流电进行滤波、整流处理得到第一直流电；校正升压模块用于将第一直流电的电压进行升压得到第二直流电且控制第一直流电升压过程中的电流波形跟随电压波形；反激降压模块用于将第二直流电进行反激降压处理，输出第三直流电。该装置通过前级的校正升压模块让电流波形跟随电压波形，减少纹波电流的第二直流电，将第二直流电输出到反激降压模块从而达到去频闪的效果；因校正升压模块的第二直流电波形不是完整平滑的直流波形，采用输出模块将第三直流电信号中的交流分量去除能够达到去频闪的效果。

技术研发人员：张宇涛,王强,郑华杰
受保护的技术使用者：广东三雄极光照明股份有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/16