一种过压保护电源电路的制作方法

本技术属于电路，特别涉及一种过压保护电源电路。

背景技术：

1、电源是各种电子设备必不可缺的组成部分，性能优劣直接关系到电子设备的技术指标及能否安全可靠地工作，一般的过压保护电路，大多存在着电路结构比较复杂、功耗大、成本高和效率低的问题。

技术实现思路

1、为了解决过压保护电路，大多存在着电路结构比较复杂、功耗大、成本高和效率低的问题，本实用新型提供了一种过压保护电源电路，该电路在当电路故障引起输出电压超过规定值时，过压保护电路断开，从而达到保护电源的目的，同时具有电路结构简单、功耗小、成本低和效率高的优点。

2、为了达到上述目的，本实用新型是这样实现的：

3、一种过压保护电源电路，主要包括依次连接的供电电源vcc、分压电路和过压保护电路；分压电路包括分压电阻r1～r5和限流电容c1，过压保护电路包括三极管q1、过压保护电阻r6～r12、限流电容c2、限流电容c3和电阻丝l1；在分压电路中，供电电源vcc正极连接分压电阻r1的一端，分压电阻r1的另一端分别连在限流电容c1和分压电阻r5的一端；限流电容c1的另一端通过分压电阻r2、分压电阻r3连接到供电电源vcc的负极；分压电阻r5的另一端通过分压电阻r4、分压电阻r3连接到供电电源vcc的负极；在过压保护电路中，三极管q1的基极连接到分压电阻r1的另一端，三极管q1的集电极连接到过压保护电阻r6的一端，三极管q1的发射极接地；过压保护电阻r6的另一端分别连接过压保护电阻r7的一端和过压保护电阻r8的一端，过压保护电阻r7的另一端连接电阻丝l1的一端，过压保护电阻r8的另一端通过过压保护电阻r9接到分压电路中；限流电容c2和限流电容c3并联在过压保护电路回路当中，两者之间通过电阻丝l1连接；电阻丝l1的另一端通过过压保护电阻r10、过压保护电阻r11、过压保护电阻r12连接到分压电路中。

4、作为优选的是，限流电容c选用0.47uf、1630v的涤纶电容器，该电容具有强力的耐压性。

5、作为优选的是，过压保护电阻r6～r12为高压厚膜电阻，电压等级为1kv～16kv精度为+-0.5％，温度系数为+-100ppm/摄氏度。

6、作为优选的是，分压电阻r1～r5为精密校准电阻，精度为+-0.1％，温度系数为+-10ppm/摄氏度。

7、本实用新型当电路故障引起输出电压超过规定值时，过压保护电路断开，从而达到保护电源的目的，同时具有电路结构简单、功耗小、成本低和效率高的优点，解决了现有的过压保护电路，大多存在着电路结构比较复杂、功耗大、成本高和效率低的问题。

技术特征：

1.一种过压保护电源电路，其特征在于，主要包括依次连接的供电电源vcc、分压电路和过压保护电路；分压电路包括分压电阻r1～r5和限流电容c1，过压保护电路包括三极管q1、过压保护电阻r6～r12、限流电容c2、限流电容c3和电阻丝l1；在分压电路中，供电电源vcc正极连接分压电阻r1的一端，分压电阻r1的另一端分别连在限流电容c1和分压电阻r5的一端；限流电容c1的另一端通过分压电阻r2、分压电阻r3连接到供电电源vcc的负极；分压电阻r5的另一端通过分压电阻r4、分压电阻r3连接到供电电源vcc的负极；在过压保护电路中，三极管q1的基极连接到分压电阻r1的另一端，三极管q1的集电极连接到过压保护电阻r6的一端，三极管q1的发射极接地；过压保护电阻r6的另一端分别连接过压保护电阻r7的一端和过压保护电阻r8的一端，过压保护电阻r7的另一端连接电阻丝l1的一端，过压保护电阻r8的另一端通过过压保护电阻r9接到分压电路中；限流电容c2和限流电容c3并联在过压保护电路回路当中，两者之间通过电阻丝l1连接；电阻丝l1的另一端通过过压保护电阻r10、过压保护电阻r11、过压保护电阻r12连接到分压电路中。

2.根据权利要求1所述的一种过压保护电源电路，其特征在于，限流电容c选用0.47uf、1630v的涤纶电容器，该电容具有强力的耐压性。

3.根据权利要求1所述的一种过压保护电源电路，其特征在于，过压保护电阻r6～r12为高压厚膜电阻，电压等级为1kv～16kv精度为+-0.5％，温度系数为+-100ppm/摄氏度。

4.根据权利要求1所述的一种过压保护电源电路，其特征在于，分压电阻r1～r5为精密校准电阻，精度为+-0.1％，温度系数为+-10ppm/摄氏度。

技术总结
本技术是一种过压保护电源电路，为了解决现有的过压保护电路，大多存在着电路结构比较复杂、功耗大、成本高和效率低的问题。本技术包括依次连接的供电电源Vcc、分压电路和过压保护电路；过压保护电路包括三极管Q1、过压保护电阻R6～R12、限流电容C2、限流电容C3和电阻丝L1；本技术当电路故障引起输出电压超过规定值时，过压保护电路断开，从而达到保护电源的目的，同时电路结构简单、功耗小、成本低和效率高。

技术研发人员：马福新,梁海颜,梁洪波,聂绍雄,李波
受保护的技术使用者：深圳市安托山技术有限公司
技术研发日：20221121
技术公布日：2024/1/13