本发明涉及一种基于新型宽禁带半导体器件的单控双级升压式pfc电路及浪涌抑制电路。
背景技术:
1、随着电力电子技术的发展,电能的质量问题已深入人心。在电源电路中,由于高容值储能电容的存在,导致整流桥导通角变小,交流输入侧的电流脉动成份高,电流峰值大,引入了丰富的谐波干扰,这严重影响了电能的质量。因此,功率因素矫正电路(pfc)被广泛用来矫正交流输入电流的波形,使之与交流输入电压一样成为较为完美的正弦波。常见的输入侧解决方案如图1所示,其中pfc解决方案如图3所示的单级升压结构。然而,采用一级升压拓扑电路,输出滤波电容尺寸大,输出电压约380v。一般情况下,该级电路输出电压越低,其工作效率越高。但后级电路正好相反,越高的pfc输出电压其工作效率越高。采用单级升压式pfc解决方案难以在pfc电路和pfc后一级电路之间做到最优化的设计,只能取一个折中的pfc输出电压值。因此,包含主pfc电路和子pfc电路的两级升压电路构成的pfc解决方案被提出,如图2和图4所示,前一级为主pfc,后一级为子pfc,主pfc电路的输出滤波电容的容值小,子pfc电路的输出滤波电容的容值大。起初,两级结构的设想仅仅是为了减小储能电容的尺寸,因为前一级能够扩展后一级电路的输入电压范围。然而,两级升压电路需要两个独立的控制芯片控制,这大大增加了电路的复杂性与成本。
2、另一方面,传统的浪涌抑制电路串联在桥式整流与储能电容之间,采用一个浪涌抑制限制电阻rt并联一个继电器,电路放置于位置a、b或者c处,该电路简单、驱动容易、成本低,控制亦不复杂,但继电器尺寸大,导通后的电阻也在50mω以上,工作损耗仍然偏大,不利于大功率高密度高效率电源的设计。rt常用热敏电阻抑制电源开机瞬间产生的浪涌电流,在电源正常工作后,由继电器将限流电流延时短路,以降低功耗,如图5所示。但是,由于继电器100毫欧左右的导通电阻仍然很大,而该浪涌抑制电路串联在主功率回路中,其导通电流很大,继电器产生的损耗仍然不容忽视,而且,继电器的尺寸还很大,不利于高功率密度电源的设计需要,继电器也需要额外的驱动和第三方供电,电路复杂、成本高。因此,如何简化电路并实现原有功效成为首要考虑的问题。
技术实现思路
1、本发明的目的在于提供一种单控双级升压式pfc电路。
2、本发明的目的通过以下技术方案实现:
3、一种单控双级升压式pfc电路,其特征在于包括:子pfc电路和主pfc电路,交流输入信号经整流电路整流后输入子pfc电路;
4、所述子pfc电路包括升压电路、cz电容网络及电容c4,2-8个电容串联并接地,然后与c4并联,共同构成cz电容网络,所述升压电路与主pfc电路的电感耦合,升压电路由控制芯片控制;
5、所述主pfc电路包括电感lpfc:b、两个二极管dpfc2和dpfc3,以及电容c5,所述电感lpfc:b一端连接dpfc2的阳极,另一端连接到cz电容网络的任一串联电容,dpfc2的阴极连接到电容c5的上端,dpfc3的阳极连接到升压电路,阴极同样连接到电容c5的上端,c4上端连接在升压电路与dpfc3的阳极之间,下端连接c5的下端且接地;
6、还包括输出电压监控模块和输出功率监控模块,对dpfc2和dpfc3的阴极输出的信号进行监测,监测信号输入控制芯片;
7、还包括输入功率监控模块,对交流输入信号进行监测,监测信号输入控制芯片。
8、优选的,所述升压电路包括电感lpfc:a、二极管dpfc1、开关管qpfc,以及开关管qpfc的驱动电路,所述电感lpfc:a与电感lpfc:b耦合,电感lpfc:a一端接入经整流电路整流后的交流输入信号,另一端连接二极管dpfc1的阳极,二极管dpfc1阴极连接dpfc2的阳极,所述开关管qpfc的正向端接入经整流电路整流后的交流输入信号且接地,负向端连接到二极管dpfc1的阳极,控制芯片通过驱动电路控制驱动qpfc。
9、优选的,所述c4为高压电解电容。
10、优选的,所述场效应晶体管为第三代宽禁带半导体功率mosfet或hemt。
11、优选的,还包括第二输出功率监控模块,对后一级电路的输出功率进行监测,并将监测信号输入控制芯片。
12、本发明还公开了一种浪涌抑制电路,与上述的单控双级升压式pfc电路配合使用,包括开关管qr、开关管qr的控制与驱动电路、二极管din和浪涌抑制电阻rt,所述qr的负向端与c5的下端连接,qr的正向端连接到qpfc的正向端且接地,控制与驱动电路连接到qr以实现对qr的控制与驱动,所述rt并联在qr的正向端与负向端之间,整流电路的输出端与din的阳极连接,din的阴极与c5的上端连接。
13、本发明涉及一种新型宽禁带半导体器件的电路应用,包含双级升压式功率因素矫正(pfc)电路和浪涌抑制电路。该pfc电路采用一个控制芯片控制两级升压电路,且只需要一个功率电感。其前一级为子pfc,后一级为主pfc,后一级电路的功率输入来源于前一级升压电感的耦合电感。子pfc采用cz电容网络替代传统的单电容滤波,为后一级提供更为灵活的输出电压。控制部分还通过调整功率电路的工作频率和工作占空比,实现pfc电路工作效率最优化,同时实现pfc电路和pfc后一级电路的整体效率达到一个动态最优化。另外,浪涌抑制电阻由传统串在主功率回路移至储能电容下端,与储能电容串联,同时采用晶体管延时短路,使其功耗大大降低,且不再需要继电器。该解决方案电路简单、控制容易、成本低。
14、本发明的有益效果如下:
15、1、主+子双升压拓扑电路结构,但与传统方案不同,该结构前一级为子pfc,后一级为主pfc(传统方案前一级为主pfc,后一级为子pfc),控制主体在后一级。
16、2、子pfc采用cz电容网络替代传统的单电容滤波,为后一级提供更为灵活的输出电压。
17、3、该电路只需一个耦合电感和一个控制芯片,控制简单。
18、4、加入效率优化智能控制,通过调整功率电路的工作频率和工作占空比,实现pfc电路工作效率最优化,同时实现pfc电路和pfc后一级电路的整体效率达到动态最优化。
19、5、浪涌抑制电阻由传统串在主功率回路移至储能电容下端,与储能电容串联,同时采用晶体管延时短路,使其功耗大大降低,且不再需要继电器。
1.一种单控双级升压式pfc电路,其特征在于包括:子pfc电路和主pfc电路,交流输入信号经整流电路整流后输入子pfc电路;
2.根据权利要求1所述的单控双级升压式pfc电路,其特征在于:所述升压电路包括电感lpfc:a、二极管dpfc1、开关管qpfc,以及开关管qpfc的驱动电路,所述电感lpfc:a与电感lpfc:b耦合,电感lpfc:a一端接入经整流电路整流后的交流输入信号,另一端连接二极管dpfc1的阳极,二极管dpfc1阴极连接dpfc2的阳极,所述开关管qpfc的正向端接入经整流电路整流后的交流输入信号且接地,负向端连接到二极管dpfc1的阳极,控制芯片通过驱动电路控制驱动qpfc。
3.根据权利要求1所述的单控双级升压式pfc电路,其特征在于:所述c4为高压电解电容。
4.根据权利要求1-3中任一项所述的单控双级升压式pfc电路,其特征在于:所述场效应晶体管为第三代宽禁带半导体功率mosfet或hemt。
5.根据权利要求1-3中任一项所述的单控双级升压式pfc电路,其特征在于:还包括第二输出功率监控模块,对后一级电路的输出功率进行监测,并将监测信号输入控制芯片。
6.一种浪涌抑制电路,与权利要求1-5中任一项所述的单控双级升压式pfc电路配合使用,其特征在于包括开关管qr、开关管qr的控制与驱动电路、二极管din和浪涌抑制电阻rt,所述qr的负向端与c5的下端连接,qr的正向端连接到qpfc的正向端且接地,控制与驱动电路连接到qr以实现对qr的控制与驱动,所述rt并联在qr的正向端与负向端之间,整流电路的输出端与din的阳极连接,din的阴极与c5的上端连接。