一种光伏组件测试方法与流程

本发明涉及太阳能电池，具体是一种光伏组件测试方法。

背景技术：

1、光伏组件的使用寿命一般为25-30年，因此一般在使用之前需要进行pid测试。由于光伏组件使用时，要受到光、热、湿的影响，而pid测试只能模拟热、湿的环境，不能有效地反应光伏组件的真实情况。

技术实现思路

1、为解决背景技术中的技术问题，本发明公开了一种光伏组件测试方法。

2、本发明提供一种光伏组件测试方法，包括以下步骤：

3、s1、选择测试样品组件进行外观检验，如符合外观要求执行步骤s2，否则重新选择测试样品组件；

4、s2、对测试样品组件进行光照处理，使其处于稳定的工作状态；

5、s3、对测试样品组件进行试验前预处理测试，包括外观检查1、el测试1、stc下功率测试pmax1、绝缘测试1、湿漏电测试1，接地连续性测试1，记录为测试结果一；如测试结果符合要求，则执行步骤s4，否则执行步骤s1；

6、s4、将待测试样品组件放入环境箱，对组件进行短接，进行紫外线照射；

7、s5、当紫外线的总辐射量满足测试需求后，将样品处于开路状态，并在实验室环境温度下等待4h后，查看样品组件外观是否有任何破损、脱层、发黄现象，如有则执行步骤s1；如没有则执行步骤s6；

8、s6、进行紫外试验后测试，包括外观检查2、stc下功率测试pmax2、el测试2、绝缘测试2、湿漏电测试2，接地连续性测试2，记录为测试结果二；

9、s7、将测试结果二与测试结果一进行对比，如stc下功率测试pmax2衰减不大于5％，即(pmax1-pmax2)/pmax1≤5％，其余测试结果保持一致，则进行步骤s8，否则执行步骤s1；

10、s8、将待测样品组件放入环境箱，将样品组件的正负极短接后连接电源正极，样品组件边框连接电源负极，进行pid测试；

11、s7、pid测试结束后，在实验室环境温度下等待4h后，查看样品组件外观是否有任何破损、脱层、发黄现象，如有则执行步骤s1；如没有则执行步骤s8；

12、s8、进行试验后测试，包括外观检查3、stc下功率测试pmax3、el测试3、绝缘测试3、湿漏电测试3，接地连续性测试3，记录为测试结果三；如stc下功率测试pmax2衰减不大于5％，即(pmax1-pmax2)/pmax1≤5％，其余测试结果保持一致，则测试样品组件合格，否则不合格。

13、本发明的有益效果是：1、通过紫外线照射和pid测试结合的方式，模拟光伏组件光、热、湿的工作环境，使得光伏组件的测试结果准确度更高；2、由于光伏组件主要受到太阳光中的紫外线影响，因此仅用紫外线模拟光的环境，提高了光环境的恶劣程度，使得通过紫外线测试的光伏组件性能更高；3、光伏组件先进行紫外线测试，再进行pid测试的方式，相比于同时进行紫外线测试和pid测试的方式，其通过测试的光伏组件，性能更高，更能满足需求。

14、由于组件长期暴晒在户外，会遇到一些高温天气，基于此，步骤s4中，温度保持在(70±5)℃。

15、温度传感器用于测试环境温度，其安装的位置直接影响测试的准确度，基于此，进一步的设计是：温度传感器附着于样品组件的中心位置。如此设置，可准确地测出样品组件受到影响的温度值，测试准确度更高。

16、为更好地模拟太阳光的照射，且在严酷条件测试材料的耐候性，紫外波长在280nm和400nm之间波动，总辐射量为60kwh/m2。

17、为更好地模拟光环境，提高光环境的真实性，紫外线波长为280～320nm的紫外辐射量占比3～10％。

18、为了快速呈现测试结果，对材料性能准确做出评估，将步骤s8中环境箱温度为95℃，湿度95％，测试时间为192h。

技术特征：

1.一种光伏组件测试方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的一种光伏组件测试方法，其特征在于：步骤s4中，温度保持在(70±5)℃。

3.根据权利要求2所述的一种光伏组件测试方法，其特征在于：温度传感器附着于样品组件的中心位置。

4.根据权利要求2所述的一种光伏组件测试方法，其特征在于：紫外波长在280nm和400nm之间波动，总辐射量为60kwh/m2。

5.根据权利要求4所述的一种光伏组件测试方法，其特征在于：紫外线波长为280～320nm的紫外辐射量占比3～10％。

6.根据权利要求1所述的一种光伏组件测试方法，其特征在于：步骤s8中环境箱温度为95℃，湿度95％，测试时间为192h。

技术总结
本发明提供一种光伏组件测试方法，通过紫外线照射和PID测试结合的方式，模拟光伏组件光、热、湿的工作环境，使得光伏组件的测试结果准确度更高。而且光伏组件先进行紫外线测试，再进行PID测试的方式，相比于同时进行紫外线测试和PID测试的方式，其通过测试的光伏组件，性能更高，更能满足需求。

技术研发人员：郝自敏,周亮,安全长,孙铁囤
受保护的技术使用者：常州亿晶光电科技有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/3/24