一种新型的防接反高压输入保护集成电路的制作方法

本技术涉及保护电路，具体为一种新型的防接反高压输入保护集成电路。

背景技术：

1、众所周知，电子产品通常根据自身的需求设计都是采用固定的电压，若误接入相对于其固定电压大的电压，容易损坏电路，因此需要一种保护集成电路，而传统的保护集成电路，本身不具备防接反功能，需要借助外部二极管的单向导电特性实现防接反，当电流流过二极管时由于二极管有压降会产生发热，电流越高发热越严重，同时存在安全隐患，由于原专利二极管的问题无法避免，发热问题一直存在。电能转换为热能也是一种能源的浪费，且其自身结构也存在集成度差的问题，为此，我们需要一种新型的保护集成电路。

技术实现思路

1、(一)解决的技术问题

2、针对现有技术的不足，本实用新型提供了一种新型的防接反高压输入保护集成电路。

3、(二)技术方案

4、为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：一种新型的防接反高压输入保护集成电路，包括分压电路、电阻r3、电阻r4、电容c1、电容c2、三极管q1、场效应管q2和场效应管q3，所述分压电路包括电阻r1和电阻r2，所述r1一端分别与所述r2一端和所述场效应管q1的基极电连接，所述电阻r2另一端与直流电源的dc-电连接，所述电阻r1的另一端与电阻r3和电阻r4的另一端dc+电连接；

5、所述三极管q1的基极与所述分压电路连接，所述三极管q1的集电极分别与所述电阻r3一端、电容c1一端和场效应管q2的栅极连接；

6、所述电阻r3的另一端分别与分压电路、电阻r4的一端、直流电源dc+、vcc连接；

7、所述场效应管q2和所述场效应管q3的漏极电连接；

8、所述电阻r4另一端、电容c2一端、场效应管q3的栅极电连接；

9、所述三极管q1的发射极、电阻r2的另一端、电容c1的另一端和所述场效应管q2的源极均接直流电源dc-,所述电容c2另一端、场效应管q3的源极接地。

10、优选的，所述场效应管q2和所述场效应管q3为n型mos管，q2、q3它们可以是双nmos组合封装。

11、(三)有益效果

12、与现有技术相比，本实用新型提供了一种新型的防接反高压输入保护集成电路，具备以下有益效果：

13、该新型的防接反高压输入保护集成电路，dc-接输入电源正极dc+接输入电源负极通电后。由于r4连接在dc+端，但此时dc+是接入在电源的负极q3的栅极一直处于0v无法开启，此时整个集成电路无法形成回路。整个电路属于接反保护状态，通过电阻r1、电阻r2、三极管q1、场效应管q2的配合可以使得整个回路关闭，整个电路处于高压保护状态，设备自身集成化高，且在运行稳定，不存在温度过高的风险。

技术特征：

1.一种新型的防接反高压输入保护集成电路，包括分压电路、电阻r3、电阻r4、电容c1、电容c2、三极管q1、场效应管q2和场效应管q3，其特征在于：所述分压电路包括电阻r1和电阻r2，所述r1一端分别与所述r2一端和所述场效应管q1的基极电连接，所述电阻r2另一端与直流电源的dc-电连接，所述电阻r1的另一端与电阻r3和电阻r4的另一端dc+电连接；

2.根据权利要求1所述的一种新型的防接反高压输入保护集成电路，其特征在于：所述场效应管q2和所述场效应管q3为n型mos管。

技术总结
本技术涉及保护电路技术领域，具体为一种新型的防接反高压输入保护集成电路，包括分压电路、电阻R3、电阻R4、电容C1、电容C2、三极管Q1、场效应管Q2和场效应管Q3，所述分压电路包括电阻R1和电阻R2，所述R1一端分别与所述R2一端和所述场效应管Q1的基极电连接，该新型的防接反高压输入保护集成电路，DC‑接输入电源正极DC+接输入电源负极通电后。由于R4连接在DC+端，但此时DC+是接入在电源的负极Q3的栅极一直处于0V无法开启，此时整个集成电路无法形成回路。整个电路属于接反保护状态，通过电阻R1、电阻R2、三极管Q1、场效应管Q2的配合可以使得整个回路关闭，整个电路处于高压保护状态，设备自身集成化高，且在运行稳定，不存在温度过高的风险。

技术研发人员：王俊
受保护的技术使用者：厦门乐京科技有限公司
技术研发日：20230321
技术公布日：2024/1/15