一种多晶硅还原炉及高压启动系统的制作方法

本技术涉及多晶硅生产，特别是涉及一种多晶硅还原炉及高压启动系统。

背景技术：

1、随着多晶硅生产规模的逐步扩大，目前对于生产多晶硅需要有高压和持续供电的条件，目前的生产多晶硅的过程为：采用电源自启动打压使硅芯击穿，进而得到符合要求的硅芯。但是这种方式在特定的打压阶段的电压难以继续升高，并且会持续降低，此时为了达到符合击穿硅芯要求的高电压，会无限延长还原炉在高电压下工作的时间，当还原炉在高电压下工作的时间过长会导致还原炉被损坏。

2、鉴于上述现有技术，寻求如何实现在特定的打压阶段的电压继续升高，缩小还原炉在高电压下工作的时间是本领域技术人员亟待解决的问题。

技术实现思路

1、本实用新型的目的是提供一种多晶硅还原炉及高压启动系统，能够解决还原炉在高电压下工作的时间过长会导致还原炉被损坏的问题。

2、为了解决上述问题，本实用新型提供一种多晶硅还原炉包括：升压档电路、击穿电路；

3、所述升压档电路与所述击穿电路连接，所述击穿电路中包括多个接触器和多个硅芯；所述接触器与所述硅芯的数量相同，且多个所述硅芯顺次连接，在第一顺位的所述硅芯的第二端和第二顺位的所述硅芯的第一端设置有两个所述接触器，在所述第二顺位的所述硅芯的第二端和第三顺位的所述硅芯的第一端设置有两个所述接触器，在所述第三顺位的所述硅芯的第二端和第四顺位的所述硅芯的第一端设置有一个所述接触器，在所述第四顺位的所述硅芯的第二端和第五顺位的所述硅芯的第一端设置有一个所述接触器。

4、另一方面，所述击穿电路包括：第一硅芯、第二硅芯、第三硅芯、第四硅芯、第五硅芯、第六硅芯、第一接触器、第二接触器、第三接触器、第四接触器、第五接触器、第六接触器；

5、所述第一硅芯的第一端作为所述击穿电路的第一端，由所述第一硅芯的第二端与所述第二硅芯的第一端构成的公共端与所述第四接触器和所述第六接触器均连接；由所述第二硅芯的第二端与所述第三硅芯的第一端构成的公共端与所述第三接触器和所述第五接触器均连接；由所述第三硅芯的第二端与所述第四硅芯的第一端构成的公共端与所述第二接触器连接；由所述第四硅芯的第二端与所述第五硅芯的第一端构成的公共端与所述第一接触器连接；所述第五硅芯的第二端与所述第六硅芯的第一端连接，所述第六硅芯的第二端作为所述击穿电路的第二端。

6、另一方面，所述击穿电路包括：击穿可控硅；

7、所述击穿可控硅的第一端作为所述击穿电路的输入端，所述击穿可控硅的第二端与所述第一硅芯的第一端连接。

8、另一方面，所述升压档电路包括：升压电源、升压可控硅；

9、所述升压可控硅的第一端作为所述升压档电路的输入端，所述升压可控硅的第二端与所述升压电源连接，所述升压电源与所述击穿电路连接。

10、另一方面，还包括：还原档电路、并联档电路；

11、所述还原档电路与所述并联档电路连接，其中所述还原档电路由多路还原分电路构成，且各所述还原分电路和所述并联档电路均包括电流互感器和可控硅。

12、另一方面，所述还原档电路包括：第一所述还原分电路、第二所述还原分电路、第三所述还原分电路、第四所述还原分电路、第五所述还原分电路；

13、各所述还原分电路并联连接，且各所述还原分电路的第一端与还原变压器的副边侧连接，所述还原分电路的第二端与所述并联档电路连接；其中，所述第一所述还原分电路包括第一电流互感器和第一可控硅，所述第二所述还原分电路包括第二电流互感器和第二可控硅；所述第三所述还原分电路包括第三电流互感器和第三可控硅，所述第四所述还原分电路包括第四电流互感器和第四可控硅，所述第五所述还原分电路包括第五电流互感器和第五可控硅。

14、另一方面，所述并联档电路包括：第六电流互感器、第六可控硅；

15、所述第六电流互感器的第一端与由所述第一可控硅的第二端、所述第二可控硅的第二端、所述第三可控硅的第二端、第四可控硅的第二端、第五可控硅的第二端构成的公共端连接，所述第六电流互感器的第二端与所述第六硅芯的第二端连接，所述第六可控硅的第一端与由所述第一电流互感器的第二端和所述第一可控硅的第一端构成的公共端连接，所述第六可控硅的第二端与所述第一硅芯的第一端连接。

16、另一方面，还原变压器的输出电压的最大值为10kv。

17、另一方面，升压电源的输出电压的最大值为12kv。

18、为了解决上述问题，本实用新型还提供了一种高压启动系统，该系统包括上述提及的全部多晶硅还原炉。

19、本实用新型所提供的多晶硅还原炉，升压档电路与击穿电路连接，击穿电路中包括数量相等的多个接触器和多个顺次连接的硅芯；设置于第一顺位的硅芯和第二顺位的硅芯之间的接触器能保证第二顺位的硅芯击穿，设置于第二顺位的硅芯和第三顺位的硅芯之间的接触器能保证第三顺位的硅芯击穿，此时由于第二顺位的硅芯单独击穿，无需使用高电压对第二顺位的硅芯和第三顺位的硅芯同时击穿，且第三顺位的硅芯提前单独击穿能使用较小的电压击穿后续顺位的硅芯，同时能应用第三顺位的硅芯和后续一个顺位的硅芯的共同电压为后续多个顺位的硅芯提供高击穿电压，缩短还原炉在高电压下工作的时间，避免出现还原炉在高电压下工作的时间过长会导致还原炉被损坏的情况。

20、本实用新型还提供了一种高压启动系统，效果同上。

技术特征：

1.一种多晶硅还原炉，其特征在于，包括：升压档电路、击穿电路；

2.根据权利要求1所述的多晶硅还原炉，其特征在于，所述击穿电路包括：第一硅芯、第二硅芯、第三硅芯、第四硅芯、第五硅芯、第六硅芯、第一接触器、第二接触器、第三接触器、第四接触器、第五接触器、第六接触器；

3.根据权利要求2所述的多晶硅还原炉，其特征在于，所述击穿电路包括：击穿可控硅；

4.根据权利要求1所述的多晶硅还原炉，其特征在于，所述升压档电路包括：升压电源、升压可控硅；

5.根据权利要求2所述的多晶硅还原炉，其特征在于，还包括：还原档电路、并联档电路；

6.根据权利要求5所述的多晶硅还原炉，其特征在于，所述还原档电路包括：第一所述还原分电路、第二所述还原分电路、第三所述还原分电路、第四所述还原分电路、第五所述还原分电路；

7.根据权利要求6所述的多晶硅还原炉，其特征在于，所述并联档电路包括：第六电流互感器、第六可控硅；

8.根据权利要求6所述的多晶硅还原炉，其特征在于，所述还原变压器的输出电压的最大值为10kv。

9.根据权利要求4所述的多晶硅还原炉，其特征在于，所述升压电源的输出电压的最大值为12kv。

10.一种高压启动系统，其特征在于，包括：权利要求1至9任意一项所述的多晶硅还原炉。

技术总结
本技术公开一种多晶硅还原炉及高压启动系统，涉及多晶硅生产技术领域。多晶硅还原炉中升压档电路与击穿电路连接，击穿电路中包括数量相等的多个接触器和多个顺次连接的硅芯；设置于对应位置的接触器能保证对应顺位的硅芯击穿，由于第二顺位的硅芯单独击穿，无需使用高电压对第二顺位的硅芯和第三顺位的硅芯同时击穿，且第三顺位的硅芯提前单独击穿能使用较小的电压击穿后续顺位的硅芯，同时能应用第三顺位的硅芯和后续一个顺位的硅芯的共同电压为后续多个顺位的硅芯提供高击穿电压，缩短还原炉在高电压下工作的时间，避免出现还原炉在高电压下工作的时间过长会导致还原炉被损坏的情况。

技术研发人员：王瑞
受保护的技术使用者：重庆大全泰来电气有限公司
技术研发日：20230725
技术公布日：2024/1/25