本发明属于电路设计,具体涉及一种超级电容快速充电装置。
背景技术:
1、在一些要求掉电后保持短时间内运行的电子产品中,目前逐渐采用超级电容作为后备电源。但现有超级电容充电电路,多采用串联电阻限流方式进行恒电流充电,存在充电慢、效率低的问题。对于一些容量要求较大的应用场合(大于100f),可能会需要对超级电容进行快速充满,比如10分钟内。采用恒功率充电可以提高充电速度,但是大多数现有的dcdc芯片无法适合这种应用场景,因为超级电容在充电起始阶段充电电流很大会触发dcdc芯片过流保护,无法进行正常工作。因此,现有技术中的充电装置一般难以满足超级电容快速充电的要求。
技术实现思路
1、为适应电路设计领域的实际需求,本发明克服现有技术存在的不足,所要解决的技术问题为:提供一种超级电容快速充电装置,以提高超级电容的充电速度,实现较短时间内充满超级电容,同时对输入电流进行限流以提高电路安全性,保护电路的目的。
2、为了解决上述技术问题,本发明采用的技术方案为:一种超级电容快速充电装置,包括:直流转换芯片u2、采样电阻r7、三极管t1、mos开关管u1、反馈调节电路、扩流电路和均压电路;
3、所述直流转换芯片u2的引脚dri和引脚cs直接连接在一起形成双集电极短接复合模式,所述采样电阻r7的一端与电源输出端连接,另一端与三极管t1和mos开关管u1的输入端连接,三极管t1的输出端与mos开关管u1的基极连接,三极管t1的参考端与直流转换芯片u2的引脚dri连接;mos开关管u1的输出端通过储能电感l1与所述反馈调节电路和扩流电路的输入端连接,反馈调节电路的输出端与直流转换芯片u2的反馈引脚fb连接;待充电超级电容串联连接后一端通过储能电感l1与所述mos开关管u1的输出端连接,另一端接地;扩流电路和均压均压电路并联连接在所述待充电超级电容两端。
4、所述的一种超级电容快速充电装置,还包括:电容c5,所述电容c5的一端接地,另一端与直流转换芯片u2的引脚tc连接。
5、所述直流转换芯片u2的型号为uc33063ag,所述mos开关管u1的型号为wmq30p03t1。
6、所述的一种超级电容快速充电装置,还包括:止逆二极管ts1、续流二极管ts3,二极管vd1、电阻r1,所述止逆二极管ts1的阳极与电阻r7的输出端连接,阴极与三极管t1的集电极连接;所述电阻r1的一端与三极管t1的集电极连接,另一端与三极管t1的基极连接;所述三极管t1的基极与直流转换芯片u2的引脚dri连接,发射极与mos开关管u1的栅极连接;所述二极管vd1的阴极与三极管t1的基极连接,阳极与三极管t1的发射极连接;所述mos开关管u1源极与三极管t1的集电极连接,漏极与续流二极管ts3的阴极和储能电感l1的一端连接;续流二极管ts3的阳极接地,电感l2的另一端与所述反馈调节电路和扩流电路的输入端连接。
7、所述止逆二极管ts1和续流二极管ts3的型号为ss34。
8、所述反馈调节电路包括:电阻r3和电阻r5,所述电阻r3的一端通过储能电感l1与mos开关管u1的输出端连接,另一端通过电阻r5接地,所述电阻r3的另一端还与所述直流转换芯片u2的反馈引脚fb连接。
9、所述待充超级电容包括超级电容c1和超级电容c2,所述均压电路包括稳压芯片ts2、稳压芯片ts4、电阻r4、电阻r6、电阻r10、电阻r11、电阻r2、电阻r8;超级电容c1一端通过储能电感l1与mos开关管u1的输出端的输出端连接,另一端通过超级电容c2接地;所述电阻r4与电阻r6串联后并联在超级电容c1的两端,所述电阻r10与电阻r11串联后并联在超级电容c2的两端;所述稳压芯片ts2的阴极通过电阻r2与超级电容c1的一端连接,阳极与超级电容c1的另一端连接,参考端连接在电阻r4和电阻r6之间;所述稳压芯片ts4的阴极通过电阻r8与超级电容c2的一端连接,阳极与超级电容c2的另一端连接,参考端连接在电阻r10和电阻r11之间。
10、所述稳压芯片ts2和稳压芯片ts4的型号为me431laxg。
11、所述扩流电路包括:三极管v1、三极管v2、电阻r12、电阻r15、电阻r13、电阻r14、电阻r242、电阻r244;所述三极管v1的发射极通过储能电感l1与直流转换芯片u2的输出端连接,集电极通过并联连接的电阻r13和电阻r14与三极管v2的发射极连接,基极通过电阻r12与稳压芯片ts2的阴极连接;所述三极管v2的基极通过电阻r15与稳压芯片ts4的阴极连接,集电极通过并联连接的电阻r242和电阻r244接地。
12、所述三极管v1和三极管v2的型号为ss8550。
13、本发明与现有技术相比具有以下有益效果:
14、1、本发明提供了一种超级电容快速充电装置,通过在芯片外设置mos管作为开关管,通过双集电极短接复合形式,利用芯片内达林顿管驱动外部mos管导通或关断,可以提高芯片的开关电流;此外,通过在开关管的栅极源极之间设置三级管,可以快速泄放gs之间结电容电荷,有利于快速关断,提高外部开关管的动作可靠性;
15、2、本发明通过在电路中设置反馈调节电路,可以对充电输出电压进行调节和控制;提高了电路的兼容性。
16、3、本发明在超级电容两端设置电压基准芯片作为均压电路,可以实现多个串联电容的均压,有效延长超级电容的寿命,此外,电路中还设置了扩流电路,可以在超级电容接近充满阶段,均压电路电流稳压能力不足进行扩流,进一步地提高了电路的充电速度和安全性。此外,通过在电源输入端设置采样电阻,可以实现电路的限流。
17、4、本发明可以实现两个120f/2.7v的超级电容串联时在10分钟内充满,大大提高了超级电容的充电速度,而且电路结构简单,充电效率高、能量损耗少、成本低。
1.一种超级电容快速充电装置,其特征在于,包括:直流转换芯片u2、采样电阻r7、三极管t1、mos开关管u1、反馈调节电路、扩流电路和均压电路;
2.根据权利要求1所述的一种超级电容快速充电装置,其特征在于,还包括:电容c5,所述电容c5的一端接地,另一端与直流转换芯片u2的引脚tc连接。
3.根据权利要求1所述的一种超级电容快速充电装置,其特征在于,所述直流转换芯片u2的型号为uc33063ag,所述mos开关管u1的型号为wmq30p03t1。
4.根据权利要求1所述的一种超级电容快速充电装置,其特征在于,还包括:止逆二极管ts1、续流二极管ts3,二极管vd1、电阻r1,所述止逆二极管ts1的阳极与电阻r7的输出端连接,阴极与三极管t1的集电极连接;所述电阻r1的一端与三极管t1的集电极连接,另一端与三极管t1的基极连接;所述三极管t1的基极与直流转换芯片u2的引脚dri连接,发射极与mos开关管u1的栅极连接;所述二极管vd1的阴极与三极管t1的基极连接,阳极与三极管t1的发射极连接;所述mos开关管u1源极与三极管t1的集电极连接,漏极与续流二极管ts3的阴极和储能电感l1的一端连接;续流二极管ts3的阳极接地,电感l2的另一端与所述反馈调节电路和扩流电路的输入端连接。
5.根据权利要求4所述的一种超级电容快速充电装置,其特征在于,所述止逆二极管ts1和续流二极管ts3的型号为ss34。
6.根据权利要求1所述的一种超级电容快速充电装置,其特征在于,所述反馈调节电路包括:电阻r3和电阻r5,所述电阻r3的一端通过储能电感l1与mos开关管u1的输出端连接,另一端通过电阻r5接地,所述电阻r3的另一端还与所述直流转换芯片u2的反馈引脚fb连接。
7.根据权利要求1所述的一种超级电容快速充电装置,其特征在于,所述待充超级电容包括超级电容c1和超级电容c2,所述均压电路包括稳压芯片ts2、稳压芯片ts4、电阻r4、电阻r6、电阻r10、电阻r11、电阻r2、电阻r8;超级电容c1一端通过储能电感l1与mos开关管u1的输出端连接,另一端通过超级电容c2接地;所述电阻r4与电阻r6串联后并联在超级电容c1的两端,所述电阻r10与电阻r11串联后并联在超级电容c2的两端;所述稳压芯片ts2的阴极通过电阻r2与超级电容c1的一端连接,阳极与超级电容c1的另一端连接,参考端连接在电阻r4和电阻r6之间;所述稳压芯片ts4的阴极通过电阻r8与超级电容c2的一端连接,阳极与超级电容c2的另一端连接,参考端连接在电阻r10和电阻r11之间。
8.根据权利要求7所述的一种超级电容快速充电装置,其特征在于,所述稳压芯片ts2和稳压芯片ts4的型号为me431laxg。
9.根据权利要求7所述的一种超级电容快速充电装置,其特征在于,所述扩流电路包括:三极管v1、三极管v2、电阻r12、电阻r15、电阻r13、电阻r14、电阻r242、电阻r244;所述三极管v1的发射极通过储能电感l1与mos开关管u1的输出端连接,集电极通过并联连接的电阻r13和电阻r14与三极管v2的发射极连接,基极通过电阻r12与稳压芯片ts2的阴极连接;所述三极管v2的基极通过电阻r15与稳压芯片ts4的阴极连接,集电极通过并联连接的电阻r242和电阻r244接地。
10.根据权利要求7所述的一种超级电容快速充电装置,其特征在于,所述三极管v1和三极管v2的型号为ss8550。