半导体模块的制作方法

本公开涉及半导体模块。

背景技术：

1、以往，如专利文献1所记载的那样，已知具有第一功率模块、第二功率模块和第三功率模块的3电平逆变器装置。在第一功率模块中，第一功率晶体管被作为上臂，第一二极管被作为下臂。在第二功率模块中，第二功率晶体管被作为上臂，第三功率晶体管被作为下臂。在第三功率模块中，第二二极管被作为上臂，第四功率晶体管被作为下臂。

2、现有技术文献

3、专利文献

4、专利文献1：日本特开2020－39221号公报

技术实现思路

1、在专利文献1所记载的3电平逆变器装置中，需要将第一功率模块及第二功率模块之间用布线连接、并且将第二功率模块及第三功率模块之间用布线连接。由于这些布线，3电平逆变器装置的电感增加。

2、本公开的目的在于提供抑制电感的增加的半导体模块。

3、根据本公开的一实施方式，半导体模块具备第1模块和第2模块。

4、第1模块，具有：第1端子，在一个方向上延伸；第1元件，包含与第1端子连接的第1电极、第2电极、基于施加电压而使电流在第1电极及第2电极之间流动的第1栅极电极、以及与第1电极及第2电极连接的第1二极管；第2元件，包含与第2电极连接的第3电极、第4电极、基于施加电压而使电流在第3电极及第4电极之间流动的第2栅极电极、以及与第3电极及第4电极连接的第2二极管；第2端子，与第3电极连接并且在一个方向上延伸，与负载连接；以及第3端子，与第4电极连接，并且在一个方向上延伸。第2模块，具有：第4端子，在一个方向上延伸，与第2端子连接从而使第1模块和第2模块连接；第3元件，包含与第4端子连接的第5电极、第6电极、基于施加电压而使电流在第5电极及第6电极之间流动的第3栅极电极、以及与第5电极及第6电极连接的第3二极管；第4元件，包含第7电极、与第6电极连接的第8电极、基于施加电压而使电流在第7电极及第8电极之间流动的第4栅极电极、以及与第7电极及第8电极连接的第4二极管；第5端子，与第7电极连接并且在一个方向上延伸；以及第6端子，与第7电极连接并且在一个方向上延伸。第1模块在第1模块的厚度方向上与第2模块对置，第1模块中的电流路径方向成为第2模块中的电流路径方向的相反方向。

5、由此，产生由流过第1模块及第2模块的电流引起的磁场的朝向成为相互不同的方向的部位。因此，第1模块和第2模块相互将磁场抵消。因而，第1模块及第2模块中的电感的增加被抑制。由此，半导体模块的电感的增加被抑制。

技术特征：

1.一种半导体模块，其特征在于，

2.如权利要求1所述的半导体模块，其特征在于，

3.如权利要求2所述的半导体模块，其特征在于，

4.如权利要求1～3中任一项所述的半导体模块，其特征在于，

5.如权利要求1～3中任一项所述的半导体模块，其特征在于，

6.如权利要求1～3中任一项所述的半导体模块，其特征在于，

7.如权利要求1～3中任一项所述的半导体模块，其特征在于，

技术总结
半导体模块(10)中，O1端子(140)和O2端子(210)被连接，从而第1模块(11)和第2模块(12)被连接。此外，第1模块(11)与第2模块(12)在厚度方向上对置。进而，第1模块(11)中的电流路径方向成为第2模块(12)中的电流路径方向的相反方向。由此，在半导体模块中，能够抑制电感的增加。

技术研发人员：石野宽
受保护的技术使用者：株式会社电装
技术研发日：
技术公布日：2024/12/19