开关电源及其功率驱动与供电电路的制作方法

本技术涉及电路领域，尤其涉及一种开关电源及其功率驱动与供电电路。

背景技术：

1、目前，市场上的电源转换方案大多采用金属氧化物半导体场效应晶体管(mosfet，简称mos管)作为功率驱动部件，存在开关损耗大、驱动频率低、驱动芯片启动和工作需要额外的启动及供电电路等缺点，使得电源转换方案存在体积大、效率低、成本高、电路复杂等问题。图2示出了传统的用在开关电源中的功率驱动与供电电路200的示例电路图。

技术实现思路

1、鉴于以上所述的一个或多个问题，提供了根据本实用新型实施例的开关电源及其功率驱动与供电电路。

2、根据本实用新型实施例的用在开关电源中的功率驱动与供电电路，包括驱动芯片、驱动芯片供电电容、耗尽型氮化镓功率开关、低压驱动功率开关、以及电流采样电阻，其中：驱动芯片具有芯片供电脚、栅极驱动脚、电流感测脚、以及接地脚，芯片供电脚连接到耗尽型氮化镓功率开关的源极和低压驱动功率开关的漏极并经由驱动芯片供电电容连接到电路基准地，栅极驱动脚连接到低压驱动功率开关的栅极，电流感测脚连接到低压驱动功率开关的源极并经由电流采样电阻连接到电路基准地，接地脚连接到电路基准地，并且耗尽型氮化镓功率开关的漏极连接到开关电源中的高压节点、栅极连接到低压驱动功率开关的源极。

3、在一些实施例中，低压驱动功率开关是金属氧化物半导体场效应晶体管。

4、在一些实施例中，当耗尽型氮化镓功率开关处于导通状态且低压驱动功率开关处于关断状态时，开关电源中的高压节点经由耗尽型氮化镓功率开关给驱动芯片供电电容充电。

5、在一些实施例中，当驱动芯片供电电容上的电压上升至驱动芯片的启动电压时，驱动芯片开始工作。

6、在一些实施例中，驱动芯片所需的供电电压由驱动芯片供电电容上的电压提供。

7、在一些实施例中，当驱动芯片供电电容上的电压上升至耗尽型氮化镓功率开关的源极到栅极的关断电压时，耗尽型氮化镓功率开关从导通状态变为关断状态。

8、在一些实施例中，当芯片驱动供电电容上的电压下降至驱动芯片的关闭电压时，驱动芯片停止工作。

9、根据本实用新型实施例的开关电源，包括上述用在开关电源中的功率驱动与供电电路。

技术特征：

1.一种用在开关电源中的功率驱动与供电电路，其特征在于，包括驱动芯片、驱动芯片供电电容、耗尽型氮化镓功率开关、低压驱动功率开关、以及电流采样电阻，其中：

2.根据权利要求1所述的用在开关电源中的功率驱动与供电电路，其特征在于，所述低压驱动功率开关是金属氧化物半导体场效应晶体管。

3.根据权利要求1所述的用在开关电源中的功率驱动与供电电路，其特征在于，当所述耗尽型氮化镓功率开关处于导通状态且所述低压驱动功率开关处于关断状态时，所述开关电源中的所述高压节点经由所述耗尽型氮化镓功率开关给所述驱动芯片供电电容充电。

4.根据权利要求1所述的用在开关电源中的功率驱动与供电电路，其特征在于，当所述驱动芯片供电电容上的电压上升至所述驱动芯片的启动电压时，所述驱动芯片开始工作。

5.根据权利要求1所述的用在开关电源中的功率驱动与供电电路，其特征在于，所述驱动芯片所需的供电电压由所述驱动芯片供电电容上的电压提供。

6.根据权利要求1所述的用在开关电源中的功率驱动与供电电路，其特征在于，当所述驱动芯片供电电容上的电压上升至所述耗尽型氮化镓功率开关的源极到栅极的关断电压时，所述耗尽型氮化镓功率开关从导通状态变为关断状态。

7.根据权利要求1所述的用在开关电源中的功率驱动与供电电路，其特征在于，当所述芯片驱动供电电容上的电压下降至所述驱动芯片的关闭电压时，所述驱动芯片停止工作。

8.一种开关电源，包括权利要求1至7中任一项所述的用在开关电源中的功率驱动与供电电路。

技术总结
本技术提供了一种开关电源及其功率驱动与供电电路。用在开关电源中的功率驱动与供电电路包括驱动芯片、驱动芯片供电电容、耗尽型氮化镓功率开关、低压驱动功率开关、以及电流采样电阻，其中：驱动芯片具有芯片供电脚、栅极驱动脚、电流感测脚、以及接地脚，芯片供电脚连接到耗尽型氮化镓功率开关的源极和低压驱动功率开关的漏极并经由驱动芯片供电电容连接到电路基准地，栅极驱动脚连接到低压驱动功率开关的栅极，电流感测脚连接到低压驱动功率开关的源极并经由电流采样电阻连接到电路基准地，接地脚连接到电路基准地，并且耗尽型氮化镓功率开关的漏极连接到开关电源中的高压节点、栅极连接到低压驱动功率开关的源极。

技术研发人员：凌学友,周俊
受保护的技术使用者：昂宝电子（上海）有限公司
技术研发日：20240111
技术公布日：2024/10/10