一种IPM智能功率模块的制作方法

本技术涉及功率模块，尤其涉及一种ipm智能功率模块。

背景技术：

1、现有的ipm智能功率模块载有驱动ic的pcb板往往单独设置，导致功率模块集成度不高；且对于ac逆变、制热阻性负载ptc控制需要分别配置pcb板，以实现进行ac逆变或者制热阻性负载ptc控制，导致整个模块体积大。

技术实现思路

1、鉴于此，本实用新型提供一种ipm智能功率模块，该模块集成度高，可以实现制热阻性负载ptc控制和逆变控制。

2、该模块被配置包括：

3、dbc板，被划分有第一电路区、第二电路区、第三电路区和引脚区；

4、第一电路，用于控制制热阻性负载ptc，被布局于第一电路区；

5、第二电路，为逆变器，被布局于第二电路区；

6、第三电路，用于控制第一电路、第二电路的工作，被布局于第三电路区；

7、封装层，对dbc板进行包覆；

8、引脚端子，一端被布局于引脚区，位于封装层内与第一电路、第二电路、第三电路电气连接，另一端延伸出封装树脂层，用于与外部电路之间形成电气连接通路。

9、在一些实施方式中，封装层采用塑封胶形成。

10、在一些实施方式中，第三电路被形成与pcb板上，pcb板安装于第三电路区。

11、在一些实施方式中，pcb板上形成有通孔，该通孔内壁具有金属涂层，通过通孔实现第三电路与第一电路、第二电路的电气连接。

12、在一些实施方式中，第三电路区还包括焊接层，pcb板经焊接层安装于第三电路区。

13、在一些实施方式中，该模块还被配置有位于dbc板上的热敏电阻，引脚端子包括与该热敏电阻两端电气连接的采样引脚端子。

14、在一些实施方式中，第一电路包括第一可控功率半导体芯片和第三可控功率半导体芯片，第一可控功率半导体芯片和第三可控功率半导体芯片之间键合引线连接；第二电路包括第二可控功率半导体芯片。

15、在一些实施方式中，第一可控功率半导体芯片为全硅型igbt芯片，第三可控功率半导体芯片为快恢复frd芯片。

16、在一些实施方式中，第二可控功率半导体芯片为sic芯片。

17、在一些实施方式中，引脚端子为“z”型、“s型”或直立插针。

18、本实用新型的有益效果：本模块将用于控制制热阻性负载ptc的第一电路，逆变器和用于控制第一电路、第二电路的工作的第三电路集成于dbc板上，提高了模块的集成度，且实现了制热阻性负载ptc控制和逆变控制；第一、二、三电路集成于同一dbc板，可以共用散热系统，解决了现有两套系统分时工作时，闲置资源无法共享，利用率低的问题。

技术特征：

1.一种ipm智能功率模块，其特征在于，该模块被配置包括：

2.根据权利要求1所述的ipm智能功率模块，其特征在于，封装层采用塑封胶形成。

3.根据权利要求1所述的ipm智能功率模块，其特征在于，第三电路被形成与pcb板上，pcb板安装于第三电路区。

4.根据权利要求3所述的ipm智能功率模块，其特征在于，pcb板上形成有通孔，该通孔内壁具有金属涂层，通过通孔实现第三电路与第一电路、第二电路的电气连接。

5.根据权利要求3所述的ipm智能功率模块，其特征在于，第三电路区还包括焊接层，pcb板经焊接层安装于第三电路区。

6.根据权利要求1所述的ipm智能功率模块，其特征在于，该模块还被配置有位于dbc板上的热敏电阻，引脚端子包括与该热敏电阻两端电气连接的采样引脚端子。

7.根据权利要求1所述的ipm智能功率模块，其特征在于，第一电路包括第一可控功率半导体芯片和第三可控功率半导体芯片，第一可控功率半导体芯片和第三可控功率半导体芯片之间键合引线连接；第二电路包括第二可控功率半导体芯片。

8.根据权利要求7所述的ipm智能功率模块，其特征在于，第一可控功率半导体芯片为全硅型igbt芯片，第三可控功率半导体芯片为快恢复frd芯片。

9.根据权利要求7所述ipm智能功率模块，其特征在于，第二可控功率半导体芯片为sic芯片。

10.根据权利要求1-9任意一项权利要求所述的ipm智能功率模块，其特征在于，引脚端子为“z”型、“s型”或直立插针。

技术总结
本技术公开了一种IPM智能功率模块，该模块被配置包括：DBC板，被划分有第一电路区、第二电路区、第三电路区和引脚区；第一电路，用于控制制热阻性负载PTC，被布局于第一电路区；第二电路，为逆变器，被布局于第二电路区；第三电路，用于控制第一电路、第二电路的工作，被布局于第三电路区；封装层，对DBC板进行包覆；引脚端子，一端被布局于引脚区，位于封装层内与第一电路、第二电路、第三电路电气连接，另一端延伸出封装树脂层，用于与外部电路之间形成电气连接通路。本模块将用于控制制热阻性负载PTC的第一电路，逆变器和用于控制第一电路、第二电路的工作的第三电路集成于DBC板上，提高了模块的集成度，且实现了制热阻性负载PTC控制和逆变控制。

技术研发人员：吴培杰,廖光朝
受保护的技术使用者：重庆云潼科技有限公司
技术研发日：20240302
技术公布日：2024/10/28