一种电池保护电路的制作方法

本技术涉及电池保护，具体涉及一种电池保护电路。

背景技术：

1、在电池保护方案中，充放电开关是不可或缺的器件。当发现有过充电、过放电、充电过流、放电过流和放电短路等多种异常情况时，通过控制充放电开关关断来切断充放电回路，可以对电池进行保护。

2、如图1所示，传统的充放电开关一般采用两个功率mos管实现，电池保护芯片通过co端口和do端口控制这两个功率mos管的导通与截止来实现充放电控制。由于这两个功率mos管的面积较大，且此方案需要比较多的外围器件，导致电路面积较大。

3、为了降低电路面积，现有技术提出有在电池保护芯片内集成充放电开关的方案，如图2所示，即在同一个晶粒上集成充放电开关和用于控制充放电开关导通与截止以进行充放电保护的充放电保护控制模块，该晶粒经封装后形成电池保护芯片。本领域公知，电池保护芯片通常采用常规mos工艺做成，即该充放电开关和充放电保护控制模块都采用常规mos工艺做成。然而，常规mos工艺一般为cmos工艺，发明人发现：受限于常规mos的结构，此方案的充放电开关的电流支持能力较弱，导致该电池保护芯片无法支持大电流应用，且cmos的版图层数通常是十几、二十几层，基于cmos制造的充放电开关的ic设计难度和成本较大。

技术实现思路

1、本实用新型提供了一种电池保护电路，不仅可以支持大电流应用，而且能够保证电路具有较小面积和更低成本，能够有效克服上述技术问题。

2、为了解决上述问题，本实用新型公开了一种电池保护电路，包括：

3、充放电保护控制模块和集成于第一晶粒上的多个功率mosfet；

4、多个功率mosfet包括电池保护电路的充放电mos管、第一切换mos管以及第二切换mos管，第一切换mos管连接于充放电mos管的体区与源极之间，第二切换mos管连接于充放电mos管的体区与漏极之间；

5、充放电保护控制模块通过控制第一切换mos管、第二切换mos管以及充放电mos管的导通与截止以进行充放电控制。

6、在本实用新型一可行实施方案中，充放电mos管、第一切换mos管以及第二切换mos管的类型包括垂直扩散mosfet和水平扩散mosfet。

7、在本实用新型一可行实施方案中，充放电mos管为垂直扩散mosfet，第一切换mos管和第二切换mos管均为水平扩散mosfet；

8、在本实用新型一可行实施方案中，充放电mos管为水平扩散mosfet，第一切换mos管和第二切换mos管均为垂直扩散mosfet。

9、在本实用新型一可行实施方案中，水平扩散mosfet包括隔离注入区，隔离注入区用于将水平扩散mosfet的体区、栅极、漏极以及源极与垂直扩散mosfet的漏极隔离。

10、在本实用新型一可行实施方案中，充放电mos管的体区通过电性连接引出体端；其中，第一切换mos管通过其源极、漏极与充放电mos管的体端和源极分别连接，第二切换mos管通过其源极、漏极与充放电mos管的体端和漏极分别连接。

11、在本实用新型一可行实施方案中，充放电mos管的体区与第一切换mos管的源极以及第二切换mos管的源极同时连接，充放电mos管的源极与第一切换mos管的漏极连接，充放电mos管的漏极与第二切换mos管的漏极连接；

12、在本实用新型一可行实施方案中，充放电mos管的体区与第一切换mos管的漏极以及第二切换mos管的漏极同时连接，充放电mos管的源极与第一切换mos管的源极连接，充放电mos管的漏极与第二切换mos管的源极连接。

13、在本实用新型一可行实施方案中，充放电mos管的栅极、源极、漏极以及第一切换mos管的栅极和第二切换mos管的栅极为第一晶粒的引出端；其中，充放电mos管的源极、漏极用于连接于电池负极以及负载负极或充电器负极之间，充放电mos管的栅极、第一切换mos管的栅极和第二切换mos管的栅极用于与充放电保护控制模块连接。

14、在本实用新型一可行实施方案中，充放电保护控制模块集成于第二晶粒上，第一晶粒与第二晶粒经封装后形成芯片。

15、在本实用新型一可行实施方案中，充放电保护控制模块封装于第一芯片内，第一芯片与第一晶粒封装于同一封装体内。

16、在本实用新型一可行实施方案中，充放电保护控制模块封装于第一芯片内，第一晶粒封装于第二芯片内，第一芯片与第二芯片位于同一pcb板上。

17、本实用新型实施例包括以下优点：

18、本实用新型实施例公开了一种电池保护电路，该电池保护电路包括充放电保护控制模块和第一晶粒；本实用新型在第一晶粒上集成多个功率mosfet，多个功率mosfet包括充放电mos管、第一切换mos管和第二切换mos管，第一切换mos管连接于充放电mos管的体区与源极之间，第二切换mos管连接于充放电mos管的体区与漏极之间；充放电保护控制模块通过控制第一切换mos管、第二切换mos管以及充放电mos管的导通与截止以进行充放电控制。相比现有技术，本实用新型实施例不仅兼具了电路面积小、集成度高的优点，而且可以支持大电流工作，整个版图层数更少，大大降低了ic设计难度，降低了成本。

技术特征：

1.一种电池保护电路，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的电池保护电路，其特征在于，

3.根据权利要求2所述的电池保护电路，其特征在于，

4.根据权利要求2所述的电池保护电路，其特征在于，

5.根据权利要求1或2所述的电池保护电路，其特征在于，

6.根据权利要求5所述的电池保护电路，其特征在于，

7.根据权利要求1所述的电池保护电路，其特征在于，

8.根据权利要求1、2、7任一项所述的电池保护电路，其特征在于，

9.根据权利要求1、2、7任一项所述的电池保护电路，其特征在于，

10.根据权利要求1、2、7任一项所述的电池保护电路，其特征在于，

技术总结
本技术公开了一种电池保护电路，涉及电池保护技术领域，该电池保护电路包括充放电保护控制模块和第一晶粒；本技术在第一晶粒上集成多个功率MOSFET，多个功率MOSFET包括充放电MOS管、第一切换MOS管和第二切换MOS管，第一切换MOS管连接于充放电MOS管的体区与源极之间，第二切换MOS管连接于充放电MOS管的体区与漏极之间；充放电保护控制模块通过控制第一切换MOS管、第二切换MOS管以及充放电MOS管的导通与截止以进行充放电控制。相比现有技术，本技术不仅兼具了电路面积小、集成度高的优点，而且可以支持大电流工作，整个版图层数更少，大大降低了IC设计难度，降低了成本。

技术研发人员：高兴波,余强
受保护的技术使用者：成都利普芯微电子有限公司
技术研发日：20240312
技术公布日：2024/10/28