一种带欠压保护功能的浪涌电压抑制电路的制作方法

所属的技术人员知道，本申请可以实现为系统、方法或计算机程序产品。因此，本公开可以具体实现为以下形式，即：可以是完全的硬件、也可以是完全的软件(包括固件、驻留软件、微代码等)，还可以是硬件和软件结合的形式，本文一般称为“电路”、“模块”或“系统”。此外，在一些实施例中，本申请还可以实现为在一个或多个计算机可读介质中的计算机程序产品的形式，该计算机可读介质中包含计算机可读的程序代码。可以采用一个或多个计算机可读的介质的任意组合。计算机可读介质可以是计算机可读信号介质或者计算机可读存储介质。计算机可读存储介质例如可以是一一但不限于——电、磁、光、电磁、红外线、或半导体的系统、装置或器件，或者任意以上的组合。计算机可读存储介质的更具体的例子(非穷举的列表)包括:具有一个或多个导线的电连接、便携式计算机磁盘、硬盘、随机存取存储器(ram),只读存储器(rom)、可擦式可编程只读存储器(eprom或闪存)、光纤、便携式紧凑磁盘只读存储器(cd-rom)、光存储器件、磁存储器件、或者上述的任意合适的组合。在本文件中，计算机可读存储介质可以是任何包含或存储程序的有形介质，该程序可以被指令执行系统、装置或者器件使用或者与其结合使用。尽管上面已经示出和描述了本申请的实施例，可以理解的是，上述实施例是示例性的，不能理解为对本申请的限制，本领域的普通技术人员在本申请的范围内可以对上述实施例进行变化、修改、替换和变型。在此基础上，可以对本申请进行多种替换和改进，这些均落入本申请的保护范围内。

背景技术：

1、在一个整机系统中，浪涌抑制器的电源输入为8v～32v，要求输出电压为8v～32v，输出电流为10a，最初的设计是采用芯片lt4363控制四颗n型mos管来实现浪涌防护。但在实际应用中发现，后级的dc/dc变换器的输入欠压保护点在6v，浪涌抑制器不具备欠压保护功能，后级dc/dc在低端6v时工作，此时输入电流较大，容易过流烧毁浪涌抑制器的主钳位mos管。造成这种现象的主要原因是该浪涌抑制器没有欠压保护功能，同时实际需求是，输入低端最低在8v时浪涌抑制器才启动工作。

技术实现思路

1、本申请提供了一种带欠压保护功能的浪涌电压抑制电路，用以保护浪涌抑制电路在输入电压欠压时不被烧坏。

2、本申请提供了一种带欠压保护功能的浪涌电压抑制电路，包括比较电路、基准电路和控制电路，其中，

3、所述比较电路包括比较器u1，其中，

4、所述比较器u1的正相输入端与采样电路电连接；

5、所述比较器u1的反相输入端与所述基准电路电连接；

6、所述比较器u1的输出端与所述控制电路电连接。

7、在上述技术方案中，实现了浪涌抑制电路的欠压保护，保护浪涌抑制电路在输入电压欠压时不被烧坏。

8、在一个具体可实施方案中，所述控制电路包括第一三极管q1，其中，

9、所述比较器u1的输出端与所述第一三极管q1的基极电连接。

10、在一个具体可实施方案中，所述控制电路还包括二极管d1和第三稳压管z3，其中，

11、所述二极管d1的导通端与所述第一三极管q1的集电极电连接，所述二极管d1的截止端与所述第一三极管q1的基极电连接；

12、所述第三稳压管z3的一端与所述第一三极管q1的发射极电连接，所述第三稳压管z3的另一端接地。

13、在一个具体可实施方案中，所述基准电路包括基准源u2，其中，

14、所述比较器u1的反相输入端与所述基准源u2电连接。

15、在一个具体可实施方案中，所述基准电路还包括第五电阻r5，其中，

16、所述第五电阻r5的一端与所述比较器u1的反相输入端电连接，所述第五电阻r5的另一端与电压输入端+vin电连接。

17、在一个具体可实施方案中，所述基准源u2采用tl431。

18、在一个具体可实施方案中，所述比较电路还包括第六电阻r6和第七电阻r7，其中，

19、所述第六电阻r6电连接在所述比较器u1的正相输入端和所述比较器u1的输出端之间；

20、所述第七电阻r7的一端与所述比较器u1的输出端电连接，另一端与所述比较器u1的vcc输入端电连接。

21、在一个具体可实施方案中，所述采样电路包括第三电阻r3、第四电阻r4、第三电容c3和第二稳压管z2，其中，

22、所述第三电阻r3的第一端与所述电压输入端+vin电连接，所述第三电阻r3的第二端与所述第四电阻r4的第一端电连接，所述第四电阻r4的第二端接地；

23、所述第三电容c3和所述第二稳压管z2均与所述第四电阻r4并联。

24、在一个具体可实施方案中，还包括供电电路，其中，

25、所述供电电路与所述比较器u1的vcc输入端电连接。

26、在一个具体可实施方案中，还包括启动延迟电路，其中，

27、所述启动延迟电路与所述第三稳压管z3并联。

技术特征：

1.一种带欠压保护功能的浪涌电压抑制电路，其特征在于，包括比较电路、基准电路和控制电路，其中，

2.根据权利要求1所述的带欠压保护功能的浪涌电压抑制电路，其特征在于，所述控制电路包括第一三极管q1，其中，

3.根据权利要求2所述的带欠压保护功能的浪涌电压抑制电路，其特征在于，所述控制电路还包括二极管d1和第三稳压管z3，其中，

4.根据权利要求1所述的带欠压保护功能的浪涌电压抑制电路，其特征在于，所述基准电路包括基准源u2，其中，

5.根据权利要求4所述的带欠压保护功能的浪涌电压抑制电路，其特征在于，所述基准电路还包括第五电阻r5，其中，

6.根据权利要求4所述的带欠压保护功能的浪涌电压抑制电路，其特征在于，所述基准源u2采用tl431。

7.根据权利要求1所述的带欠压保护功能的浪涌电压抑制电路，其特征在于，所述比较电路还包括第六电阻r6和第七电阻r7，其中，

8.根据权利要求1所述的带欠压保护功能的浪涌电压抑制电路，其特征在于，所述采样电路包括第三电阻r3、第四电阻r4、第三电容c3和第二稳压管z2，其中，

9.根据权利要求1所述的带欠压保护功能的浪涌电压抑制电路，其特征在于，还包括供电电路，其中，

10.根据权利要求3所述的带欠压保护功能的浪涌电压抑制电路，其特征在于，还包括启动延迟电路，其中，

技术总结
本申请提供了一种带欠压保护功能的浪涌电压抑制电路，该带欠压保护功能的浪涌电压抑制电路包括比较电路、基准电路和控制电路，所述比较电路包括比较器U1，所述比较器U1的正相输入端与采样电路电连接；所述比较器U1的反相输入端与所述基准电路电连接；所述比较器U1的输出端与所述控制电路电连接。在上述技术方案中，通过设置比较电路、基准电路和控制电路，实现了浪涌抑制电路的欠压保护，保护浪涌抑制电路在输入电压欠压时不被烧坏。

技术研发人员：王建涛,李碧群,邱若航,王亦芬
受保护的技术使用者：深圳市振华微电子有限公司
技术研发日：20240409
技术公布日：2025/2/20